JPH07130456A - ヒーター及びその製造方法 - Google Patents
ヒーター及びその製造方法Info
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- JPH07130456A JPH07130456A JP5270891A JP27089193A JPH07130456A JP H07130456 A JPH07130456 A JP H07130456A JP 5270891 A JP5270891 A JP 5270891A JP 27089193 A JP27089193 A JP 27089193A JP H07130456 A JPH07130456 A JP H07130456A
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- film
- heater
- resistance layer
- substrate
- heating resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 未定着画像の加熱定着等に用いられ、通電に
より発熱する抵抗層を有するヒーターにおいて、該抵抗
層上に被覆されたガラス等の保護層は、熱伝導率が小さ
いために、ヒーターの熱が被加熱体に効率的に供給され
ない等の問題があったが、本発明はこのような問題を解
決する。 【構成】 絶縁性基板２、通電により発熱する抵抗層
３、抵抗層端部に設けられた電極端子４、５、電極タブ
１２等を有するヒーターにおいて、前記抵抗層３の保護
層として水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤモン
ド状炭素膜６を用いて、保護層における熱伝導率等を向
上する。
より発熱する抵抗層を有するヒーターにおいて、該抵抗
層上に被覆されたガラス等の保護層は、熱伝導率が小さ
いために、ヒーターの熱が被加熱体に効率的に供給され
ない等の問題があったが、本発明はこのような問題を解
決する。 【構成】 絶縁性基板２、通電により発熱する抵抗層
３、抵抗層端部に設けられた電極端子４、５、電極タブ
１２等を有するヒーターにおいて、前記抵抗層３の保護
層として水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤモン
ド状炭素膜６を用いて、保護層における熱伝導率等を向
上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機、レーザビーム
プリンタ等の画像形成装置に用いられるヒーターに関
し、特に未定着画像の加熱定着等に用いられるヒーター
に関するものである。
プリンタ等の画像形成装置に用いられるヒーターに関
し、特に未定着画像の加熱定着等に用いられるヒーター
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、特開昭６３−３１３１８２号公報
等で固定ヒーターと、このヒーターと摺動する薄膜フィ
ルムを用いた加熱装置が提案されている。
等で固定ヒーターと、このヒーターと摺動する薄膜フィ
ルムを用いた加熱装置が提案されている。
【０００３】このようなヒーターの模式図を図１、図２
に示す。ヒーター１は、電気絶縁性・耐熱性・低熱容量
の細長い基板２と、この基板２の一方面側（表面側）の
基板幅方向中央部に基板長手に沿って直線細帯状に形成
した通電発熱体３と、この通電発熱抵抗体の両端部にそ
れぞれ導通させて基板面に形成した電極端子（接続端
子）４・５と、基板２の通電発熱抵抗体形成面を被覆さ
せたヒーター表面保護層としてのガラス等の電気絶縁性
保護膜３Ａと、基板２の他方面側（背面側）に設けたサ
ーミスター等の温度検出素子７を有する。基板２は、例
えば、幅１０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ２４０ｍｍのＡｌ
2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ等のセラミック板等である。通
電発熱抵抗体３は、例えば厚さ１０μｍ・幅１ｍｍの、
スクリーン印刷等で塗工したＡｇ／Ｐｄ（銀パラジウム
合金）、ＲｕＯ2 ，Ｔａ2 Ｎ等を大気焼成して形成した
パターン層である。電極端子（接続端子）４・５は通常
厚さ１０μｍのスクリーン印刷等で塗工いたＡｇを大気
焼成して形成したパターン層であり、この電極４・５に
通常は、コネクター（不図示）を介して電線を接続し給
電する。
に示す。ヒーター１は、電気絶縁性・耐熱性・低熱容量
の細長い基板２と、この基板２の一方面側（表面側）の
基板幅方向中央部に基板長手に沿って直線細帯状に形成
した通電発熱体３と、この通電発熱抵抗体の両端部にそ
れぞれ導通させて基板面に形成した電極端子（接続端
子）４・５と、基板２の通電発熱抵抗体形成面を被覆さ
せたヒーター表面保護層としてのガラス等の電気絶縁性
保護膜３Ａと、基板２の他方面側（背面側）に設けたサ
ーミスター等の温度検出素子７を有する。基板２は、例
えば、幅１０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ２４０ｍｍのＡｌ
2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ等のセラミック板等である。通
電発熱抵抗体３は、例えば厚さ１０μｍ・幅１ｍｍの、
スクリーン印刷等で塗工したＡｇ／Ｐｄ（銀パラジウム
合金）、ＲｕＯ2 ，Ｔａ2 Ｎ等を大気焼成して形成した
パターン層である。電極端子（接続端子）４・５は通常
厚さ１０μｍのスクリーン印刷等で塗工いたＡｇを大気
焼成して形成したパターン層であり、この電極４・５に
通常は、コネクター（不図示）を介して電線を接続し給
電する。
【０００４】ヒーター１は定着面の温度を管理・制御す
るために装置の横断面において、通電発熱抵抗体３を定
着ニップ部１５（合接ニップ部、加圧部）（図４参照）
の幅領域の略中央部に位置させる構造となっている。ヒ
ーター１の絶縁保護層３Ａ側がフィルム接触摺動面側で
ある。ヒーター１は通電発熱抵抗体３の両端電極端子４
・５間に交流電源ＡＣより電圧印加され、該通電発熱抵
抗体３が発熱することで昇温する。ヒーター１の温度は
基板背面の温度検出素子７で検出されてその検出情報が
通電制御回路ＣＴへフィードバックされて、交流電源Ａ
Ｃから通電発熱抵抗体３への通電が制御され、ヒーター
１が所定の温度に温度制御される。ヒーター１の温度検
出素子７は熱応答性の最も良い定着面、つまりヒーター
基板表面側の通電発熱抵抗体３の形成位置に対応する基
板背面側部分位置（通電発熱抵抗体３の直下に対応する
基板背面側部分位置）に配設される。
るために装置の横断面において、通電発熱抵抗体３を定
着ニップ部１５（合接ニップ部、加圧部）（図４参照）
の幅領域の略中央部に位置させる構造となっている。ヒ
ーター１の絶縁保護層３Ａ側がフィルム接触摺動面側で
ある。ヒーター１は通電発熱抵抗体３の両端電極端子４
・５間に交流電源ＡＣより電圧印加され、該通電発熱抵
抗体３が発熱することで昇温する。ヒーター１の温度は
基板背面の温度検出素子７で検出されてその検出情報が
通電制御回路ＣＴへフィードバックされて、交流電源Ａ
Ｃから通電発熱抵抗体３への通電が制御され、ヒーター
１が所定の温度に温度制御される。ヒーター１の温度検
出素子７は熱応答性の最も良い定着面、つまりヒーター
基板表面側の通電発熱抵抗体３の形成位置に対応する基
板背面側部分位置（通電発熱抵抗体３の直下に対応する
基板背面側部分位置）に配設される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】未定着画像を定着する
ためには、ヒーター上の絶縁性保護層並びにフィルム接
触摺動面を介してヒーターの熱を伝熱させて熱定着す
る。
ためには、ヒーター上の絶縁性保護層並びにフィルム接
触摺動面を介してヒーターの熱を伝熱させて熱定着す
る。
【０００６】しかしながら、保護層がガラス等の熱伝導
率の小さい材料であるために、ヒーターの熱が効率的に
未定着画像に供給されず、定着に過大な熱量を必要とす
ることになる。更に、定着のより高速化を図るには、発
熱量を増大させなければならず、そのためには通電電流
をより大きくしなければならない。この結果、図３に示
すようなコネクターに大電流を通電すると、通電による
温度上昇が大きく、コネクターを形成しているバネ材
（一般にはリン青銅）が高温クリープにより劣化し、コ
ンタクト圧力の低下、接続抵抗値の上昇を引き起こし、
更に温度が上昇するといった熱暴走が発生し、接続部及
び装置の信頼性に問題が生じることになる。また、こう
した問題が発生しなくとも必要以上の大電流を供給しな
ければならず、装置の消費電力が大きくなるという問題
がある。本発明は、このような問題を解決することを第
１の課題とする。
率の小さい材料であるために、ヒーターの熱が効率的に
未定着画像に供給されず、定着に過大な熱量を必要とす
ることになる。更に、定着のより高速化を図るには、発
熱量を増大させなければならず、そのためには通電電流
をより大きくしなければならない。この結果、図３に示
すようなコネクターに大電流を通電すると、通電による
温度上昇が大きく、コネクターを形成しているバネ材
（一般にはリン青銅）が高温クリープにより劣化し、コ
ンタクト圧力の低下、接続抵抗値の上昇を引き起こし、
更に温度が上昇するといった熱暴走が発生し、接続部及
び装置の信頼性に問題が生じることになる。また、こう
した問題が発生しなくとも必要以上の大電流を供給しな
ければならず、装置の消費電力が大きくなるという問題
がある。本発明は、このような問題を解決することを第
１の課題とする。
【０００７】また、絶縁性保護層とフィルムとの接触摺
動時の摩耗により、接触摺動距離が約６０ｋｍに達する
とフィルムの摩耗が激しくなってくる。この時生じる摩
耗粉が、フィルムを駆動するローラーに不均一に付着す
ることから、フィルムの駆動速度が不規則となり、結果
として未定着画像の定着が不均一になるという問題が発
生する。絶縁性保護膜に用いられるガラス質層は、低軟
化点ガラスを印刷、焼成することにより形成される。こ
のガラス質層とフィルムの表面形状差（摩擦係数）と硬
度差により、フィルムの摩耗が生じるものと考えられ
る。
動時の摩耗により、接触摺動距離が約６０ｋｍに達する
とフィルムの摩耗が激しくなってくる。この時生じる摩
耗粉が、フィルムを駆動するローラーに不均一に付着す
ることから、フィルムの駆動速度が不規則となり、結果
として未定着画像の定着が不均一になるという問題が発
生する。絶縁性保護膜に用いられるガラス質層は、低軟
化点ガラスを印刷、焼成することにより形成される。こ
のガラス質層とフィルムの表面形状差（摩擦係数）と硬
度差により、フィルムの摩耗が生じるものと考えられ
る。
【０００８】そこで、ポリイミド等の耐熱性フィルムの
摩耗を防ぐために、絶縁性保護層との摩擦係数を小さく
する目的からポリイミド・フィルムにフィラーを混入し
たり、テフロン（商品名）コーティング等を施してい
る。しかしながら、熱定着方式による定着のより高速化
と定着ボリュームの増大に対応することはできず、ヒー
ターの寿命（接触摺動距離）をできるだけ長くすること
が必要とされている。本発明は、このような問題を解決
することを第２の目的とする。
摩耗を防ぐために、絶縁性保護層との摩擦係数を小さく
する目的からポリイミド・フィルムにフィラーを混入し
たり、テフロン（商品名）コーティング等を施してい
る。しかしながら、熱定着方式による定着のより高速化
と定着ボリュームの増大に対応することはできず、ヒー
ターの寿命（接触摺動距離）をできるだけ長くすること
が必要とされている。本発明は、このような問題を解決
することを第２の目的とする。
【０００９】また、ポリイミド等の耐熱性フィルムの摩
耗を防ぐために、ポリイミド・フィルムにフィラーを混
入したり、テフロンコーティング等を施して絶縁性保護
膜との摩擦係数を小さくしているが、十分な効果が得ら
れていない。現状では、熱定着方式による定着のより高
速化と定着ボリュームの増大に対応することは困難で、
ヒーター寿命（接触摺動距離）をできるだけ長くするこ
とが必要とされている。本発明は、このような問題を解
決することを第３の課題とする。
耗を防ぐために、ポリイミド・フィルムにフィラーを混
入したり、テフロンコーティング等を施して絶縁性保護
膜との摩擦係数を小さくしているが、十分な効果が得ら
れていない。現状では、熱定着方式による定着のより高
速化と定着ボリュームの増大に対応することは困難で、
ヒーター寿命（接触摺動距離）をできるだけ長くするこ
とが必要とされている。本発明は、このような問題を解
決することを第３の課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、ヒー
ターの保護層として気相合成法で形成した電気絶縁性が
高く、高熱伝導率、高硬度、低摩擦係数である水素化ア
モルファス炭素膜（以下、ａ−Ｃ：Ｈ膜）もしくはダイ
ヤモンド状炭素膜（以下、ＤＬＣ膜）を用いることによ
り、上述の問題を解決したものである。
ターの保護層として気相合成法で形成した電気絶縁性が
高く、高熱伝導率、高硬度、低摩擦係数である水素化ア
モルファス炭素膜（以下、ａ−Ｃ：Ｈ膜）もしくはダイ
ヤモンド状炭素膜（以下、ＤＬＣ膜）を用いることによ
り、上述の問題を解決したものである。
【００１１】以下、本発明に関して詳細に説明する。本
発明に係るａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＣＬ膜は、熱伝導率
が２００〜６００Ｗ／ｍ・Ｋ、電気抵抗（体積抵抗率）
１０8 〜１０11Ωｃｍ、硬度２０００〜５０００ｋｇｆ
／ｍｍ2 等に代表される物理的性質を有するものであ
る。
発明に係るａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＣＬ膜は、熱伝導率
が２００〜６００Ｗ／ｍ・Ｋ、電気抵抗（体積抵抗率）
１０8 〜１０11Ωｃｍ、硬度２０００〜５０００ｋｇｆ
／ｍｍ2 等に代表される物理的性質を有するものであ
る。
【００１２】本発明で用いるａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬ
Ｃ膜は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、直流プラズマＣ
ＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法、イオンビーム・スパッタ法、イオンビ
ーム蒸着法、反応性プラズマ・スパッタ法等により形成
される。このとき用いる原料ガスは、含炭素ガスである
メタン、エタン、プロパン、エチレン、ベンゼン、アセ
チレン等の炭化水素；塩化メチレン、四塩化炭素、クロ
ロホルム、トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素；
メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール
類；（ＣＨ3 ）2ＣＯ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 ＣＯ等のケトン
類；ＣＯ，ＣＯ2 等のガス、及びこれらのガスにＮ2 ，
Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ａｒ等のガスを混合したものが挙
げられる。
Ｃ膜は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、直流プラズマＣ
ＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法、イオンビーム・スパッタ法、イオンビ
ーム蒸着法、反応性プラズマ・スパッタ法等により形成
される。このとき用いる原料ガスは、含炭素ガスである
メタン、エタン、プロパン、エチレン、ベンゼン、アセ
チレン等の炭化水素；塩化メチレン、四塩化炭素、クロ
ロホルム、トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素；
メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール
類；（ＣＨ3 ）2ＣＯ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 ＣＯ等のケトン
類；ＣＯ，ＣＯ2 等のガス、及びこれらのガスにＮ2 ，
Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ａｒ等のガスを混合したものが挙
げられる。
【００１３】ａ−Ｃ：Ｈ膜は、膜中に水素を数十ａｔｏ
ｍ％含有しており、この水素含有量によって膜の性質は
大きく異なる。例えば、水素を５０ａｔｏｍ％以上含む
ａ−Ｃ：Ｈ膜は、光学バンドギャップが大きく透明で電
気抵抗が高いものの、膜硬度が低く熱導電率の低いポリ
マーライクな膜である。一方、水素を１５〜３５ａｔｏ
ｍ％含むａ−Ｃ：Ｈ膜は、ビッカース硬度で２０００〜
５０００ｋｇ／ｍｍ2と非常に硬く、電気抵抗が１０8
Ωｃｍ以上、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、摩擦係
数が０．２以下の高熱伝導率と高絶縁性、高硬度を兼ね
備えた膜である。これらの性質は、膜中に４０〜７０％
存在するｓｐ3 結合に由来しているものと考えられる。
従って、本発明の保護膜として用いられるのは、水素含
有量が１５〜３５ａｔｏｍ％であるａ−Ｃ：Ｈ膜やＤＬ
Ｃ膜である。
ｍ％含有しており、この水素含有量によって膜の性質は
大きく異なる。例えば、水素を５０ａｔｏｍ％以上含む
ａ−Ｃ：Ｈ膜は、光学バンドギャップが大きく透明で電
気抵抗が高いものの、膜硬度が低く熱導電率の低いポリ
マーライクな膜である。一方、水素を１５〜３５ａｔｏ
ｍ％含むａ−Ｃ：Ｈ膜は、ビッカース硬度で２０００〜
５０００ｋｇ／ｍｍ2と非常に硬く、電気抵抗が１０8
Ωｃｍ以上、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、摩擦係
数が０．２以下の高熱伝導率と高絶縁性、高硬度を兼ね
備えた膜である。これらの性質は、膜中に４０〜７０％
存在するｓｐ3 結合に由来しているものと考えられる。
従って、本発明の保護膜として用いられるのは、水素含
有量が１５〜３５ａｔｏｍ％であるａ−Ｃ：Ｈ膜やＤＬ
Ｃ膜である。
【００１４】前述のＡｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ等のセ
ラミックス基板にヒーターとなる発熱抵抗体をスパッタ
リング法等のＰＶＤ法により形成し、抵抗値を測定して
所望の抵抗値となるよう必要によりトリミングを行う。
同様に、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕをスパッタリング法により電
極端子を形成する。次に、ａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ
膜からなる保護層を形成してヒーター基板を製作する。
ａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜の厚さは、ヒーター使用
条件において十分な絶縁耐圧と定着時の押圧力からヒー
ターを保護できる機械的強度を保証することのできる厚
さで、数μｍ〜数１００μｍの範囲であれば良い。好ま
しくは、数μｍ〜数１０μｍが好適である。なお、発熱
抵抗体、電極端子の形成方法は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法に限定
されるものではなく、ＣＶＤ法やメッキ、スクリーン印
刷等の方法を用いても良い。この後、電極端子に電極タ
ブをロウ付け等により取り付け、電極タブにワイヤーを
圧接しヒーターをヒーターホルダーに接着して、本発明
のヒーターを完成する。
ラミックス基板にヒーターとなる発熱抵抗体をスパッタ
リング法等のＰＶＤ法により形成し、抵抗値を測定して
所望の抵抗値となるよう必要によりトリミングを行う。
同様に、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕをスパッタリング法により電
極端子を形成する。次に、ａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ
膜からなる保護層を形成してヒーター基板を製作する。
ａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜の厚さは、ヒーター使用
条件において十分な絶縁耐圧と定着時の押圧力からヒー
ターを保護できる機械的強度を保証することのできる厚
さで、数μｍ〜数１００μｍの範囲であれば良い。好ま
しくは、数μｍ〜数１０μｍが好適である。なお、発熱
抵抗体、電極端子の形成方法は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法に限定
されるものではなく、ＣＶＤ法やメッキ、スクリーン印
刷等の方法を用いても良い。この後、電極端子に電極タ
ブをロウ付け等により取り付け、電極タブにワイヤーを
圧接しヒーターをヒーターホルダーに接着して、本発明
のヒーターを完成する。
【００１５】本発明は、ヒーターの保護層として気相合
成法で形成したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を用いる
ことにより、ヒーター部の熱効率を向上させ、消費電力
を低減すると共に、保護層としての耐摩耗性と摺動性に
優れたヒーターを実現するものである。
成法で形成したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を用いる
ことにより、ヒーター部の熱効率を向上させ、消費電力
を低減すると共に、保護層としての耐摩耗性と摺動性に
優れたヒーターを実現するものである。
【００１６】本発明の第２の手段は、ヒーターの絶縁性
保護膜あるいは発熱抵抗体上に金属元素を含有するａ−
Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を気相合成法で形成すること
により、上述の第２の課題を解決したものである。
保護膜あるいは発熱抵抗体上に金属元素を含有するａ−
Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を気相合成法で形成すること
により、上述の第２の課題を解決したものである。
【００１７】以下、本発明の第２の解決手段に関して詳
細に説明する。該手段に係るａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬ
Ｃ膜は、熱伝導率が２００〜６００Ｗ／ｍ・Ｋ、電気抵
抗（体積抵抗率）１０8 〜１０11Ωｃｍ、硬度２０００
〜５０００ｋｇ／ｍｍ2 、摩擦係数が０．２より小さい
等に代表される物理的性質を有するものである。
細に説明する。該手段に係るａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬ
Ｃ膜は、熱伝導率が２００〜６００Ｗ／ｍ・Ｋ、電気抵
抗（体積抵抗率）１０8 〜１０11Ωｃｍ、硬度２０００
〜５０００ｋｇ／ｍｍ2 、摩擦係数が０．２より小さい
等に代表される物理的性質を有するものである。
【００１８】該手段で用いるａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬ
Ｃ膜は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、直流プラズマＣ
ＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法、イオンビーム・スパッタ法、イオンビ
ーム蒸着法、イオンプレーティング法、反応性プラズマ
・スパッタ法、イオン注入法、レーザープラズマＣＶＤ
法等により形成される。このとき用いる原料ガスは、含
炭素ガスであるメタン、エタン、プロパン、エチレン、
ベンゼン、アセチレン等の炭化水素；塩化メチレン、四
塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエタン等のハロゲ
ン化炭化水素；メチルアルコール、エチルアルコール等
のアルコール類；（ＣＨ3 ）2 ＣＯ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｃ
Ｏ等のケトン類；ＣＯ，ＣＯ2 等のガス、及びこれらの
ガスにＮ2 ，Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ａｒ等のガスを混合
したものが挙げられる。固体炭素源としては、高純度の
グラファイトやガラス状炭素等を用いることができる。
更に、ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜に添加すＴａ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉ等の元素
は、固体金属もしくは半導体、あるいはこれらの元素を
含有する有機金属ガス、シランガス、高次のシランガ
ス、ジボランガス、高次のボランガスにより添加され
る。
Ｃ膜は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、直流プラズマＣ
ＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法、イオンビーム・スパッタ法、イオンビ
ーム蒸着法、イオンプレーティング法、反応性プラズマ
・スパッタ法、イオン注入法、レーザープラズマＣＶＤ
法等により形成される。このとき用いる原料ガスは、含
炭素ガスであるメタン、エタン、プロパン、エチレン、
ベンゼン、アセチレン等の炭化水素；塩化メチレン、四
塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエタン等のハロゲ
ン化炭化水素；メチルアルコール、エチルアルコール等
のアルコール類；（ＣＨ3 ）2 ＣＯ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｃ
Ｏ等のケトン類；ＣＯ，ＣＯ2 等のガス、及びこれらの
ガスにＮ2 ，Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ａｒ等のガスを混合
したものが挙げられる。固体炭素源としては、高純度の
グラファイトやガラス状炭素等を用いることができる。
更に、ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜に添加すＴａ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉ等の元素
は、固体金属もしくは半導体、あるいはこれらの元素を
含有する有機金属ガス、シランガス、高次のシランガ
ス、ジボランガス、高次のボランガスにより添加され
る。
【００１９】ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜は、膜中に
水素を数十ａｔｏｍ％含有しており、この水素の含有量
によって膜の性質は大きく異なる。例えば、水素を５０
ａｔｏｍ％以上含む膜は、光学バンドギャップが大きく
透明で電気抵抗が高いものの、膜硬度が低く熱伝導率の
低いポリマーライクな膜である。一方、水素を１０〜４
５ａｔｏｍ％含む膜は、ビッカース硬度で２０００〜５
０００ｋｇ／ｍｍ2 と非常に硬く、電気抵抗が１０8 Ω
ｃｍより大きく、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋより大き
く、摩擦係数が０．２より小さい、高熱伝導率と高絶縁
性、高硬度を兼ね備えた膜である。これらの性質は、膜
中に４０〜７０％存在するｓｐ3 結合に由来しているも
のと考えられる。従って、本発明の保護膜として用いら
れるのは、水素含有量が１０〜４５ａｔｏｍ％であるａ
−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜である。ａ−Ｃ：Ｈ膜とＤＬＣ膜
を明確に区別することは難しい。いずれの膜も巨視的に
はアモルファスで、膜中に水素を含有し、ｓｐ2 結合と
ｓｐ3 結合炭素からなり、その物理性性質も前述の通り
類似している。本発明で言うＤＬＣ膜は、微視的に見た
ときダイヤモンドの結晶構造、例えば電子線回折により
ダイヤモンドと特定される回折パターンを有しているも
のである。
水素を数十ａｔｏｍ％含有しており、この水素の含有量
によって膜の性質は大きく異なる。例えば、水素を５０
ａｔｏｍ％以上含む膜は、光学バンドギャップが大きく
透明で電気抵抗が高いものの、膜硬度が低く熱伝導率の
低いポリマーライクな膜である。一方、水素を１０〜４
５ａｔｏｍ％含む膜は、ビッカース硬度で２０００〜５
０００ｋｇ／ｍｍ2 と非常に硬く、電気抵抗が１０8 Ω
ｃｍより大きく、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋより大き
く、摩擦係数が０．２より小さい、高熱伝導率と高絶縁
性、高硬度を兼ね備えた膜である。これらの性質は、膜
中に４０〜７０％存在するｓｐ3 結合に由来しているも
のと考えられる。従って、本発明の保護膜として用いら
れるのは、水素含有量が１０〜４５ａｔｏｍ％であるａ
−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜である。ａ−Ｃ：Ｈ膜とＤＬＣ膜
を明確に区別することは難しい。いずれの膜も巨視的に
はアモルファスで、膜中に水素を含有し、ｓｐ2 結合と
ｓｐ3 結合炭素からなり、その物理性性質も前述の通り
類似している。本発明で言うＤＬＣ膜は、微視的に見た
ときダイヤモンドの結晶構造、例えば電子線回折により
ダイヤモンドと特定される回折パターンを有しているも
のである。
【００２０】ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜の摩擦係数
は、真空中や乾燥窒素雰囲気中ではμ〜０．０２と非常
に低摩擦係数であるが、相対湿度が高くなるに従い摩擦
係数は大きくなる傾向にある。通常状態における摩擦係
数はμ＜０．２であるが、相対湿度の高い状態や接触摺
動距離が長くなるに従い、摩擦係数の劣化を生じる。こ
れに対し、本発明のＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉを含有するａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤ
ＬＣ膜の摩擦係数は、湿度や接触摺動距離に因らず、一
定である。これらの元素の膜中濃度は、３０ａｔ％より
も少なければ良い。３０ａｔ％を越えると摩擦係数が元
素を添加しない時よりも大きくなるだけでなく、膜硬度
の低下を引き起こす。特に、元素濃度が１０〜２０ａｔ
％の時、摩擦係数は最小となり好適である。図８は元素
濃度と摩擦係数の関係を示した図である。また、前述の
元素を添加することにより基板との付着強度を高めるこ
とができる。
は、真空中や乾燥窒素雰囲気中ではμ〜０．０２と非常
に低摩擦係数であるが、相対湿度が高くなるに従い摩擦
係数は大きくなる傾向にある。通常状態における摩擦係
数はμ＜０．２であるが、相対湿度の高い状態や接触摺
動距離が長くなるに従い、摩擦係数の劣化を生じる。こ
れに対し、本発明のＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉを含有するａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤ
ＬＣ膜の摩擦係数は、湿度や接触摺動距離に因らず、一
定である。これらの元素の膜中濃度は、３０ａｔ％より
も少なければ良い。３０ａｔ％を越えると摩擦係数が元
素を添加しない時よりも大きくなるだけでなく、膜硬度
の低下を引き起こす。特に、元素濃度が１０〜２０ａｔ
％の時、摩擦係数は最小となり好適である。図８は元素
濃度と摩擦係数の関係を示した図である。また、前述の
元素を添加することにより基板との付着強度を高めるこ
とができる。
【００２１】ヒーターの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体
上に金属を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜を前
述の形成方法により形成する。ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜
の厚さは、数ｎｍ〜数１０μｍの範囲であれば良く、特
に数１０ｎｍ〜数μｍが好適である。これは、膜厚が数
ｎｍより薄いときには、十分な潤滑性能や絶縁性能が得
られず、数１０μｍよりも厚い時には膜応力により膜が
基板から剥離し易いからである。なお、発熱抵抗体上に
直接形成する場合には、十分な絶縁性が確保できるよう
（所望の電気抵抗となるよう）添加する元素の選択と添
加量を調整する必要がある。
上に金属を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜を前
述の形成方法により形成する。ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜
の厚さは、数ｎｍ〜数１０μｍの範囲であれば良く、特
に数１０ｎｍ〜数μｍが好適である。これは、膜厚が数
ｎｍより薄いときには、十分な潤滑性能や絶縁性能が得
られず、数１０μｍよりも厚い時には膜応力により膜が
基板から剥離し易いからである。なお、発熱抵抗体上に
直接形成する場合には、十分な絶縁性が確保できるよう
（所望の電気抵抗となるよう）添加する元素の選択と添
加量を調整する必要がある。
【００２２】金属元素をａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜に添加
する方法について、ＤＣマグネトロン・スパッタリング
法を例に説明する。添加する金属元素をターゲットとし
（例えばＴａ）、反応ガスとして含炭素ガス（例えばＣ
2 Ｈ2 ）、スパッタリングガスとして不活性ガス（例え
ばＡｒ等の希ガスあるいは窒素ガス）を適当な割合で混
合して反応性スパッタリングを行う。この時、ＤＣ電源
より数１００Ｗ〜数ｋＷのパワーを投入してＤＣプラズ
マを形成し、基板に適当なバイアス電圧を印加する。反
応ガスとスパッタリングガスの流量比を変えることによ
り添加元素の濃度を制御する。スパッタリングガス流量
を多くすることにより添加元素の濃度を高くすることが
できる。
する方法について、ＤＣマグネトロン・スパッタリング
法を例に説明する。添加する金属元素をターゲットとし
（例えばＴａ）、反応ガスとして含炭素ガス（例えばＣ
2 Ｈ2 ）、スパッタリングガスとして不活性ガス（例え
ばＡｒ等の希ガスあるいは窒素ガス）を適当な割合で混
合して反応性スパッタリングを行う。この時、ＤＣ電源
より数１００Ｗ〜数ｋＷのパワーを投入してＤＣプラズ
マを形成し、基板に適当なバイアス電圧を印加する。反
応ガスとスパッタリングガスの流量比を変えることによ
り添加元素の濃度を制御する。スパッタリングガス流量
を多くすることにより添加元素の濃度を高くすることが
できる。
【００２３】なお、本発明の潤滑保護膜は、ヒーターの
絶縁保護膜や発熱抵抗体上に形成するだけでなく、ヒー
ターと接触するフィルムやヒーターホルダー部に形成す
ることにより、ヒーター、フィルム間の接触摺動特性を
より向上させることができる。
絶縁保護膜や発熱抵抗体上に形成するだけでなく、ヒー
ターと接触するフィルムやヒーターホルダー部に形成す
ることにより、ヒーター、フィルム間の接触摺動特性を
より向上させることができる。
【００２４】本発明は、フィルムと接触摺動するヒータ
ーの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上に、気相合成法に
より金属元素を添加したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜
を潤滑保持層として形成することにより、ヒーターとフ
ィルム間の耐摩耗性と摺動性を改善し、長寿命のヒータ
ーを実現するものである。
ーの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上に、気相合成法に
より金属元素を添加したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜
を潤滑保持層として形成することにより、ヒーターとフ
ィルム間の耐摩耗性と摺動性を改善し、長寿命のヒータ
ーを実現するものである。
【００２５】本発明の第３の手段は、ヒーターの絶縁保
護膜あるいは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上にフッ
素を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を気相合成
法で形成することにより、上述の第３の課題を解決した
ものである。
護膜あるいは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上にフッ
素を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を気相合成
法で形成することにより、上述の第３の課題を解決した
ものである。
【００２６】該解決手段で用いるａ−Ｃ：Ｈ膜もしくは
ＤＬＣ膜の形成法及び原料は、前記第２の手段と略同様
であるが、必要に応じてＴａ，Ｗ等の元素の有機金属ガ
ス等による添加が省略される。
ＤＬＣ膜の形成法及び原料は、前記第２の手段と略同様
であるが、必要に応じてＴａ，Ｗ等の元素の有機金属ガ
ス等による添加が省略される。
【００２７】ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜の摩擦係数
は、真空中や乾燥窒素雰囲気中ではμ〜０．０２と非常
に低摩擦係数であるが、相対湿度が高くなるに従い摩擦
係数は大きくなる傾向にある。通常状態における摩擦係
数はμ＜０．２であるが、相対湿度の高い状態や接触摺
動距離が長くなるに従い、摩擦係数の劣化を生じる。こ
れに対し、本発明のフッ素を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜ある
いはＤＬＣ膜の摩擦係数は、湿度や接触摺動距離に因ら
ず、一定である。これらの元素の膜中濃度は、３０ａｔ
％以下であれば良い。３０ａｔ％を越えるとａ−Ｃ：Ｈ
膜あるいはＤＬＣ膜本来の有する性質が低下する。特
に、膜硬度の低下が顕著であり、基板との密着性も低下
するため適さない。
は、真空中や乾燥窒素雰囲気中ではμ〜０．０２と非常
に低摩擦係数であるが、相対湿度が高くなるに従い摩擦
係数は大きくなる傾向にある。通常状態における摩擦係
数はμ＜０．２であるが、相対湿度の高い状態や接触摺
動距離が長くなるに従い、摩擦係数の劣化を生じる。こ
れに対し、本発明のフッ素を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜ある
いはＤＬＣ膜の摩擦係数は、湿度や接触摺動距離に因ら
ず、一定である。これらの元素の膜中濃度は、３０ａｔ
％以下であれば良い。３０ａｔ％を越えるとａ−Ｃ：Ｈ
膜あるいはＤＬＣ膜本来の有する性質が低下する。特
に、膜硬度の低下が顕著であり、基板との密着性も低下
するため適さない。
【００２８】フッ素を含有するａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤ
ＬＣ膜の摩擦係数が、環境（特に湿度）や使用状況（接
触摺動距離）に因らず一定である理由は不明であるが、
ａ−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜に存在するダングリングボンド
がフッ素でターミネートされることによりダングリング
ボンドが減少して環境や使用状況に対して安定な膜にな
っているものと推測される。
ＬＣ膜の摩擦係数が、環境（特に湿度）や使用状況（接
触摺動距離）に因らず一定である理由は不明であるが、
ａ−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜に存在するダングリングボンド
がフッ素でターミネートされることによりダングリング
ボンドが減少して環境や使用状況に対して安定な膜にな
っているものと推測される。
【００２９】ヒーターの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体
上、もしくはフィルム上にフッ素を含有するａ−Ｃ：Ｈ
膜あるいはＤＬＣ膜を前述の形成方法により形成する。
ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の厚さは、絶縁保護膜あるいは
発熱抵抗体上に設ける場合には、数ｎｍ〜数１０μｍの
範囲にあれば良く、特に数１０ｎｍ〜数μｍが好適であ
る。これは膜厚が数ｎｍより薄いときには、十分な潤滑
性能や絶縁性能が得られず、数１０μｍよりも厚い時に
は膜応力により膜が基板から剥離し易いからである。な
お、発熱抵抗体上に直接形成する場合には、十分な絶縁
性が確保できるよう（所望の電気抵抗となるよう）にす
る必要がある。一方、フィルム上に形成する場合には、
数ｎｍ〜数１００ｎｍの膜厚が好適である。膜厚が数ｎ
ｍより薄い場合には十分な潤滑性能が得られず、数１０
０ｎｍよりも厚い場合には、膜応力により膜がフィルム
から剥離したりフィルムがカールしてしまうためであ
る。なお、前述の好適な膜厚範囲で膜を形成した場合で
も、フィルムがカールするときにはフィルムの両面に膜
を形成すれば良い。
上、もしくはフィルム上にフッ素を含有するａ−Ｃ：Ｈ
膜あるいはＤＬＣ膜を前述の形成方法により形成する。
ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の厚さは、絶縁保護膜あるいは
発熱抵抗体上に設ける場合には、数ｎｍ〜数１０μｍの
範囲にあれば良く、特に数１０ｎｍ〜数μｍが好適であ
る。これは膜厚が数ｎｍより薄いときには、十分な潤滑
性能や絶縁性能が得られず、数１０μｍよりも厚い時に
は膜応力により膜が基板から剥離し易いからである。な
お、発熱抵抗体上に直接形成する場合には、十分な絶縁
性が確保できるよう（所望の電気抵抗となるよう）にす
る必要がある。一方、フィルム上に形成する場合には、
数ｎｍ〜数１００ｎｍの膜厚が好適である。膜厚が数ｎ
ｍより薄い場合には十分な潤滑性能が得られず、数１０
０ｎｍよりも厚い場合には、膜応力により膜がフィルム
から剥離したりフィルムがカールしてしまうためであ
る。なお、前述の好適な膜厚範囲で膜を形成した場合で
も、フィルムがカールするときにはフィルムの両面に膜
を形成すれば良い。
【００３０】フッ素をａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜に添加す
る方法は、前述のａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の形成方法に
おいて、原料ガスとして含フッ素ガス、例えばＣＦ4 ，
Ｃ6Ｈ6-m （ｍ＝０〜６）等を用いる方法、ａ−Ｃ：Ｈ
膜、ＤＬＣ膜を形成後、ＣＦ 4 等の含フッ素ガスのプラ
ズマ中に曝すことにより膜表面をフッ素化する方法、フ
ッ素イオンをイオン注入する方法等が挙げられる。
る方法は、前述のａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の形成方法に
おいて、原料ガスとして含フッ素ガス、例えばＣＦ4 ，
Ｃ6Ｈ6-m （ｍ＝０〜６）等を用いる方法、ａ−Ｃ：Ｈ
膜、ＤＬＣ膜を形成後、ＣＦ 4 等の含フッ素ガスのプラ
ズマ中に曝すことにより膜表面をフッ素化する方法、フ
ッ素イオンをイオン注入する方法等が挙げられる。
【００３１】なお、本発明の潤滑保護膜を、フィルムと
接触摺動するヒーターやヒーターホルダー部に形成する
と共に、ヒーターと接触摺動するフィルムに形成するこ
とにより、ヒーター、フィルム間の接触摺動特性をより
向上させることができる。
接触摺動するヒーターやヒーターホルダー部に形成する
と共に、ヒーターと接触摺動するフィルムに形成するこ
とにより、ヒーター、フィルム間の接触摺動特性をより
向上させることができる。
【００３２】本発明は、フィルムと接触摺動するヒータ
ーの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上に、気相合成法に
よりフッ素を含有したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を
潤滑保護層として形成することにより、ヒーターとフィ
ルム間の耐摩耗性と摺動性を改善し、長寿命のヒーター
を実現するものである。
ーの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上に、気相合成法に
よりフッ素を含有したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を
潤滑保護層として形成することにより、ヒーターとフィ
ルム間の耐摩耗性と摺動性を改善し、長寿命のヒーター
を実現するものである。
【００３３】
【実施例】以下、図面を参照しながら請求項１，６に係
る発明の具体的実施例を説明する。
る発明の具体的実施例を説明する。
【００３４】〈実施例１〉図４は、本発明の実施例のヒ
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１は、断熱性のヒーターホルダー８を介してヒ
ーター支持部９に固定支持されている。１０は、例えば
厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンドレスベルト
状、あるい長尺ウェブ状の耐熱性フィルム、１１はこの
フィルムをヒーター１に対して押圧する加圧部材として
の回転加圧ローラーである。フィルム１０は、不図示の
駆動部材により或は加圧ローラー１１の回転力により、
所定の速度で矢印の方向にヒーター１面に密着した状態
でヒーター１面を摺動しながら回転或は走行移動する。
ヒーター１の通電発熱抵抗体３に対する通電によりヒー
ター１を所定温度に昇温させ、またフィルム１０を移動
駆動させた状態である定着ニップ部１５に被加熱材とし
て記録材１６を未定着トナー画像面をフィルム１０面側
にして導入することで、記録材１６がフィルム１０面に
密着してフィルム１０と共に定着ニップ部１５を移動通
過し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム１０
を介して記録材１６に熱エネルギーが付与されて記録材
１６上の未定着トナー画像１７が加熱溶融定着される。
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１は、断熱性のヒーターホルダー８を介してヒ
ーター支持部９に固定支持されている。１０は、例えば
厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンドレスベルト
状、あるい長尺ウェブ状の耐熱性フィルム、１１はこの
フィルムをヒーター１に対して押圧する加圧部材として
の回転加圧ローラーである。フィルム１０は、不図示の
駆動部材により或は加圧ローラー１１の回転力により、
所定の速度で矢印の方向にヒーター１面に密着した状態
でヒーター１面を摺動しながら回転或は走行移動する。
ヒーター１の通電発熱抵抗体３に対する通電によりヒー
ター１を所定温度に昇温させ、またフィルム１０を移動
駆動させた状態である定着ニップ部１５に被加熱材とし
て記録材１６を未定着トナー画像面をフィルム１０面側
にして導入することで、記録材１６がフィルム１０面に
密着してフィルム１０と共に定着ニップ部１５を移動通
過し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム１０
を介して記録材１６に熱エネルギーが付与されて記録材
１６上の未定着トナー画像１７が加熱溶融定着される。
【００３５】図５は、第１実施例を示す断面模式図であ
る。図中１はヒーター、２はセラミックス基板、３はＡ
ｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗体、４，５はＣｕからなる電
極端子部、６はＤＬＣ膜からなる保護層、８はヒーター
ホルダー、１２は電極タブ、１３はＡｕＳｉからなるロ
ウ材、１４はワイヤーである。
る。図中１はヒーター、２はセラミックス基板、３はＡ
ｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗体、４，５はＣｕからなる電
極端子部、６はＤＬＣ膜からなる保護層、８はヒーター
ホルダー、１２は電極タブ、１３はＡｕＳｉからなるロ
ウ材、１４はワイヤーである。
【００３６】本実施例において、まずＡｌ2 Ｏ3 基板上
にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを所定の位置に発熱抵抗
体３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気焼
成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよう
トリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印刷
により塗工し、電極端子部４を酸素分圧に注意しながら
焼成、形成した（図５の（ａ））。この後、絶縁性保護
膜となるＤＬＣ膜６を形成した（図５の（ｂ））。図６
にＤＬＣ膜の形成に用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の
模式図を示す。図中２０は空洞共振器タイプのプラズマ
室、２１はガス導入系、２２はマイクロ波導入窓、２３
はマイクロ波導波管、２４は電磁石、２５はマイクロ波
発振器、２６は基板及び基板ホルダー、２７は真空槽、
２８は排気系である。電極形成を終えた基板を基板ホル
ダーに設置し、真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し
た。次に、ガス導入系よりＣ6 Ｈ6 ：３０ｓｃｃｍ、Ｈ
2：１５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．４×１０-4Ｔ
ｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１ｋＷ
投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。このと
き、電磁石により導入窓で１５００Ｇａｕｓｓ、空洞共
振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とし、基板位
置で７００Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁場を形成した。
更に、不図示のＤＣ電源により基板に−５００Ｖの電圧
を印加して、ＤＬＣ膜を１０μｍ形成した。このＤＬＣ
膜の熱伝導率を光交流法熱定数測定装置を用いて測定し
た結果、４００Ｗ／ｍ・Ｋであった。また、電気抵抗を
測定した結果、２×１０11Ωｃｍであった。
にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを所定の位置に発熱抵抗
体３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気焼
成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよう
トリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印刷
により塗工し、電極端子部４を酸素分圧に注意しながら
焼成、形成した（図５の（ａ））。この後、絶縁性保護
膜となるＤＬＣ膜６を形成した（図５の（ｂ））。図６
にＤＬＣ膜の形成に用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の
模式図を示す。図中２０は空洞共振器タイプのプラズマ
室、２１はガス導入系、２２はマイクロ波導入窓、２３
はマイクロ波導波管、２４は電磁石、２５はマイクロ波
発振器、２６は基板及び基板ホルダー、２７は真空槽、
２８は排気系である。電極形成を終えた基板を基板ホル
ダーに設置し、真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し
た。次に、ガス導入系よりＣ6 Ｈ6 ：３０ｓｃｃｍ、Ｈ
2：１５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．４×１０-4Ｔ
ｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１ｋＷ
投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。このと
き、電磁石により導入窓で１５００Ｇａｕｓｓ、空洞共
振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とし、基板位
置で７００Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁場を形成した。
更に、不図示のＤＣ電源により基板に−５００Ｖの電圧
を印加して、ＤＬＣ膜を１０μｍ形成した。このＤＬＣ
膜の熱伝導率を光交流法熱定数測定装置を用いて測定し
た結果、４００Ｗ／ｍ・Ｋであった。また、電気抵抗を
測定した結果、２×１０11Ωｃｍであった。
【００３７】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材１３を用い
て銅合金からなる電極タブ１２と、セラミックス基板２
とをロウ付けした（図５の（ｃ））。引き続き、電極タ
ブ１２にワイヤー１４を圧接し（図５の（ｄ））、ヒー
ター１をヒーターホルダー８に接着した（図５の
（ｅ））。なお、ヒーター１の製作時に電極端子部４の
表面にＡｕをフラッシュメッキすることにより、ロウ付
け時のロウ材の濡れ性を向上させ、安定した接続信頼性
を得ることができる。電極タブ材料としては、銅合金の
ほかにコバール、４２アロイ、リン青銅等の金属が使用
できる。ロウ材は、融点２５０℃以上のものが好まし
く、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、ＡｕＳｕ等を用いるこ
とができる。また、Ｃｕ電極端子部の表面にロウ付けま
での表面酸化防止や汚染を防ぐ目的から、Ａｕ，Ｎｉ，
Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等で形成することによ
り、より安定したロウ付けが実現できる。この時、Ｎｉ
層を形成する目的は、ロウ材中にＣｕが過度に拡散する
ことを防ぐためである。
て銅合金からなる電極タブ１２と、セラミックス基板２
とをロウ付けした（図５の（ｃ））。引き続き、電極タ
ブ１２にワイヤー１４を圧接し（図５の（ｄ））、ヒー
ター１をヒーターホルダー８に接着した（図５の
（ｅ））。なお、ヒーター１の製作時に電極端子部４の
表面にＡｕをフラッシュメッキすることにより、ロウ付
け時のロウ材の濡れ性を向上させ、安定した接続信頼性
を得ることができる。電極タブ材料としては、銅合金の
ほかにコバール、４２アロイ、リン青銅等の金属が使用
できる。ロウ材は、融点２５０℃以上のものが好まし
く、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、ＡｕＳｕ等を用いるこ
とができる。また、Ｃｕ電極端子部の表面にロウ付けま
での表面酸化防止や汚染を防ぐ目的から、Ａｕ，Ｎｉ，
Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等で形成することによ
り、より安定したロウ付けが実現できる。この時、Ｎｉ
層を形成する目的は、ロウ材中にＣｕが過度に拡散する
ことを防ぐためである。
【００３８】以上のようにして得られたヒーター１は、
通電により発生する熱を効率的に記録材側に供給するこ
とが可能となり、ヒーター構成部材の熱的劣化を生じる
ことなく安定したヒーター性能を実現することができ
た。
通電により発生する熱を効率的に記録材側に供給するこ
とが可能となり、ヒーター構成部材の熱的劣化を生じる
ことなく安定したヒーター性能を実現することができ
た。
【００３９】〈実施例２〉実施例１と同様にして、セラ
ミックス基板上に発熱抵抗体３としてＴｉを２０ｎｍ、
Ａｕを１０μｍ、順次スパッタリング法により形成し
た。発熱抵抗体の抵抗値を測定し、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。引き続き、Ｃｕをスパッタリング
して電極端子部４，５を形成した。この後、絶縁性保護
層となるａ−Ｃ：Ｈ膜６を形成した。図７は、ａ−Ｃ：
Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）装置の模式
図である。図中３０は真空槽、３１はイオンビーム源、
３２はイオン化室、３３はガス導入系、３４はイオンビ
ーム引き出し電極、３５は基体、３６は基板ホルダー、
３７は排気系である。電極形成を終えた基板を基板ホル
ダーに設置し、真空層を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し
た。次にガス導入系よりＣＨ4 ：１５ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：
３０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．１×１０-4Ｔｏｒ
ｒとしてプラズマ室内にプラズマを生成した。引き出し
電極に０．７ｋＶの電圧を印加して、イオンビームを引
き出し基板に照射して膜厚１５μｍのａ−Ｃ：Ｈ膜を発
熱抵抗体上の所定の位置に形成した。このとき同様にし
て作成したａ−Ｃ：Ｈ膜の水素含有率をＨＦＳで分析し
た結果、膜中の水素濃度は２５ａｔｏｍ％であった。ま
た、実施例１と同様にして熱伝導率と電気抵抗を評価し
た結果、それぞれ２５０Ｗ／ｍ・Ｋ、２×１０11Ωｃｍ
であった。引き続き、実施例１と同様にして電極端子部
に、電極タブ、ワイヤーを接続した後、ヒーターホルダ
ー部に接着してヒーターを完成した。
ミックス基板上に発熱抵抗体３としてＴｉを２０ｎｍ、
Ａｕを１０μｍ、順次スパッタリング法により形成し
た。発熱抵抗体の抵抗値を測定し、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。引き続き、Ｃｕをスパッタリング
して電極端子部４，５を形成した。この後、絶縁性保護
層となるａ−Ｃ：Ｈ膜６を形成した。図７は、ａ−Ｃ：
Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）装置の模式
図である。図中３０は真空槽、３１はイオンビーム源、
３２はイオン化室、３３はガス導入系、３４はイオンビ
ーム引き出し電極、３５は基体、３６は基板ホルダー、
３７は排気系である。電極形成を終えた基板を基板ホル
ダーに設置し、真空層を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し
た。次にガス導入系よりＣＨ4 ：１５ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：
３０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．１×１０-4Ｔｏｒ
ｒとしてプラズマ室内にプラズマを生成した。引き出し
電極に０．７ｋＶの電圧を印加して、イオンビームを引
き出し基板に照射して膜厚１５μｍのａ−Ｃ：Ｈ膜を発
熱抵抗体上の所定の位置に形成した。このとき同様にし
て作成したａ−Ｃ：Ｈ膜の水素含有率をＨＦＳで分析し
た結果、膜中の水素濃度は２５ａｔｏｍ％であった。ま
た、実施例１と同様にして熱伝導率と電気抵抗を評価し
た結果、それぞれ２５０Ｗ／ｍ・Ｋ、２×１０11Ωｃｍ
であった。引き続き、実施例１と同様にして電極端子部
に、電極タブ、ワイヤーを接続した後、ヒーターホルダ
ー部に接着してヒーターを完成した。
【００４０】このヒーターを用い、実施例１と同様に記
録材の熱定着を行った結果、実施例１と同様の安定した
定着を実現することができた。
録材の熱定着を行った結果、実施例１と同様の安定した
定着を実現することができた。
【００４１】次に請求項２、７に係る発明の具体的実施
例を説明する。
例を説明する。
【００４２】〈実施例３〉図９は、本発明の実施例のヒ
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１０１は、断熱性のヒーターホルダー１０８を
介してヒーター支持部１０９に固定支持されている。１
１０は、例えば厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエン
ドレスベルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィル
ム、１１１はこのフィルムをヒーター１０１に対して押
圧する加圧部材としての回転加圧ローラーである。フィ
ルム１１０は、不図示の駆動部材により或は加圧ローラ
ー１１１の回転力により、所定の速度で矢印の方向にヒ
ーターホルダー１０８のエッジ部に接触しながら、ヒー
ター１０１面に密着した状態でヒーター１０１面を摺動
しながら回転或は走行移動する。ヒーター１０１の通電
発熱抵抗体３に対する通電によりヒーター１０１を所定
温度に昇温させ、またフィルム１１０を移動駆動させた
状態である定着ニップ部１１５に被加熱材として記録材
１１６を未定着トナー画像面をフィルム１１０面側にし
て導入することで、記録材１１６がフィルム１１０面に
密着してフィルム１１０と共に定着ニップ部１１５を移
動通過し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム
１１０を介して記録材１１６に熱エネルギーが付与され
て記録材１１６上の未定着トナー画像１１７が加熱溶融
定着される。
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１０１は、断熱性のヒーターホルダー１０８を
介してヒーター支持部１０９に固定支持されている。１
１０は、例えば厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエン
ドレスベルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィル
ム、１１１はこのフィルムをヒーター１０１に対して押
圧する加圧部材としての回転加圧ローラーである。フィ
ルム１１０は、不図示の駆動部材により或は加圧ローラ
ー１１１の回転力により、所定の速度で矢印の方向にヒ
ーターホルダー１０８のエッジ部に接触しながら、ヒー
ター１０１面に密着した状態でヒーター１０１面を摺動
しながら回転或は走行移動する。ヒーター１０１の通電
発熱抵抗体３に対する通電によりヒーター１０１を所定
温度に昇温させ、またフィルム１１０を移動駆動させた
状態である定着ニップ部１１５に被加熱材として記録材
１１６を未定着トナー画像面をフィルム１１０面側にし
て導入することで、記録材１１６がフィルム１１０面に
密着してフィルム１１０と共に定着ニップ部１１５を移
動通過し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム
１１０を介して記録材１１６に熱エネルギーが付与され
て記録材１１６上の未定着トナー画像１１７が加熱溶融
定着される。
【００４３】図１０は、第３実施例を示すヒーター部の
断面模式図である。図中１０１はヒーター、１０２はセ
ラミックス基板、１０３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗
体、１０４，１０５はＣｕからなる電極端子部、１０６
はガラス質の絶縁保護層、１１８は金属元素を添加した
ＤＬＣ膜、１０８はヒーターホルダー、１１２は電極タ
ブ、１１３はＡｕＳｉからなるロウ材、１１４はワイヤ
ーである。
断面模式図である。図中１０１はヒーター、１０２はセ
ラミックス基板、１０３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗
体、１０４，１０５はＣｕからなる電極端子部、１０６
はガラス質の絶縁保護層、１１８は金属元素を添加した
ＤＬＣ膜、１０８はヒーターホルダー、１１２は電極タ
ブ、１１３はＡｕＳｉからなるロウ材、１１４はワイヤ
ーである。
【００４４】本実施例におけるヒーターは、まずＡｌ2
Ｏ3 基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体
１０３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気
焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよ
うトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印
刷により塗工し、電極端子部１０４，１０５を酸素分圧
に注意しながら焼成、形成した（図１０の（ａ））。こ
の後、絶縁保護膜としてケイ酸鉛系の低軟化点ガラスを
スクリーン印刷により塗工し、大気焼成して形成した。
この後，Ｔａを添加したＤＬＣ膜１１８をＥＣＲ−プラ
ズマＣＶＤ法により４００ｎｍ形成した（図１０の
（ｃ））。図１１はＤＬＣ膜を形成するために用いたＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置の模式図である。図中１２０は
空洞共振器タイプのプラズマ室、１２１はガス導入系、
１２２はマイクロ波導入窓、１２３はマイクロ波導波
管、１２４は電磁石、１２５はマイクロ波発振器、１２
６は基板、１２７は真空槽、１２８は排気系、１２９は
純度９９．９％のＴａターゲットである。真空槽を１×
１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ2 Ｈ
2：４０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：２０ｓｃｃｍ、Ａｒ１２０ｓ
ｃｃｍを導入し、ガス圧を２．０×１０-3Ｔｏｒｒとし
た後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１．０ｋＷ投入し
てプラズマ室内にプラズマを生成した。このとき、電磁
石により導入窓で１２００Ｇａｕｓｓ、空洞共振器出口
のＴａターゲット１２９で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条
件とし、基板位置で６００Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁
場を形成した。更に、不図示のＤＣ電源により基板に−
５００Ｖの電圧を印加して、図１０中１１８のＤＬＣ膜
を形成した。同一条件で作成した膜をＨＦＳ（Ｈｙｄｒ
ｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）法
により水素濃度を分析したところ水素含有量は２０ａｔ
％であった。同様にＥＰＭＡによりＴａの膜中濃度を分
析したところ含有量は１０ａｔ％であった。また、この
膜の硬度を薄膜硬度計で測定した結果、ビッカース硬度
換算で２０００ｋｇ／ｍｍ2 であった。ピン・オン・デ
ィスク法により摩擦特性を評価した。測定は相対湿度６
０％の空気中で行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）
の球（直径５ｍｍ）を用い、加重２．２Ｎ、摺動速度
０．０４ｍ／ｓで行った結果、摩擦係数は０．０６であ
った。
Ｏ3 基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体
１０３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気
焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよ
うトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印
刷により塗工し、電極端子部１０４，１０５を酸素分圧
に注意しながら焼成、形成した（図１０の（ａ））。こ
の後、絶縁保護膜としてケイ酸鉛系の低軟化点ガラスを
スクリーン印刷により塗工し、大気焼成して形成した。
この後，Ｔａを添加したＤＬＣ膜１１８をＥＣＲ−プラ
ズマＣＶＤ法により４００ｎｍ形成した（図１０の
（ｃ））。図１１はＤＬＣ膜を形成するために用いたＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置の模式図である。図中１２０は
空洞共振器タイプのプラズマ室、１２１はガス導入系、
１２２はマイクロ波導入窓、１２３はマイクロ波導波
管、１２４は電磁石、１２５はマイクロ波発振器、１２
６は基板、１２７は真空槽、１２８は排気系、１２９は
純度９９．９％のＴａターゲットである。真空槽を１×
１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ2 Ｈ
2：４０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：２０ｓｃｃｍ、Ａｒ１２０ｓ
ｃｃｍを導入し、ガス圧を２．０×１０-3Ｔｏｒｒとし
た後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１．０ｋＷ投入し
てプラズマ室内にプラズマを生成した。このとき、電磁
石により導入窓で１２００Ｇａｕｓｓ、空洞共振器出口
のＴａターゲット１２９で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条
件とし、基板位置で６００Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁
場を形成した。更に、不図示のＤＣ電源により基板に−
５００Ｖの電圧を印加して、図１０中１１８のＤＬＣ膜
を形成した。同一条件で作成した膜をＨＦＳ（Ｈｙｄｒ
ｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）法
により水素濃度を分析したところ水素含有量は２０ａｔ
％であった。同様にＥＰＭＡによりＴａの膜中濃度を分
析したところ含有量は１０ａｔ％であった。また、この
膜の硬度を薄膜硬度計で測定した結果、ビッカース硬度
換算で２０００ｋｇ／ｍｍ2 であった。ピン・オン・デ
ィスク法により摩擦特性を評価した。測定は相対湿度６
０％の空気中で行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）
の球（直径５ｍｍ）を用い、加重２．２Ｎ、摺動速度
０．０４ｍ／ｓで行った結果、摩擦係数は０．０６であ
った。
【００４５】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材１１３を用
いて銅合金からなる電極タブ１１２と、セラミックス基
板１０２とをロウ付けした（図１０の（ｄ））。引き続
き、電極タブ１１２にワイヤー１１４を圧接し、ヒータ
ー１０１をヒーターホルダー１０８に接着した（図１０
の（ｅ））。なお、ヒーター１０１の製作時に電極端子
部１０４，１０５の表面にＡｕをフラッシュメッキする
ことにより、ロウ付け時のロウ材の濡れ性を向上させ、
安定した接続信頼性を得ることができた。電極タブ材料
としては、銅合金のほかにコバール、４２アロイ、リン
青銅等の金属が使用できる。ロウ材は、融点２５０℃以
上のものが好ましく、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、Ａｕ
Ｓｕ等を用いることができる。また、Ｃｕ電極端子部の
表面にロウ付けまでの表面酸化防止や汚染を防ぐ目的か
ら、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等で形
成することにより、より安定したロウ付けが実現でき
た。この時、Ｎｉ層を形成する目的は、ロウ材中にＣｕ
が過度に拡散することを防ぐためである。
いて銅合金からなる電極タブ１１２と、セラミックス基
板１０２とをロウ付けした（図１０の（ｄ））。引き続
き、電極タブ１１２にワイヤー１１４を圧接し、ヒータ
ー１０１をヒーターホルダー１０８に接着した（図１０
の（ｅ））。なお、ヒーター１０１の製作時に電極端子
部１０４，１０５の表面にＡｕをフラッシュメッキする
ことにより、ロウ付け時のロウ材の濡れ性を向上させ、
安定した接続信頼性を得ることができた。電極タブ材料
としては、銅合金のほかにコバール、４２アロイ、リン
青銅等の金属が使用できる。ロウ材は、融点２５０℃以
上のものが好ましく、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、Ａｕ
Ｓｕ等を用いることができる。また、Ｃｕ電極端子部の
表面にロウ付けまでの表面酸化防止や汚染を防ぐ目的か
ら、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等で形
成することにより、より安定したロウ付けが実現でき
た。この時、Ｎｉ層を形成する目的は、ロウ材中にＣｕ
が過度に拡散することを防ぐためである。
【００４６】以上のようにして得られた加熱定着装置
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。
【００４７】〈実施例４〉実施例３と同様のＡｌ2 Ｏ3
基板に発熱抵抗体層を形成する溝を機械的に加工した。
溝の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１２μｍとした。こ
の溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体１０３
となるようにスクリーン印刷により１１μｍ塗工し、大
気焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。次に、不図示のスパッタリング装
置に基板を設置し、抵抗体層上にＷを１μｍ形成した。
ＷはＡｇ／ＰｄとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。引き続き実施例３で使用した図１１のＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置において１２９ターゲットを取り外した状
態でＳｉを添加したａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。真空槽を
１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ
6 Ｈ6 ：２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：１５ｓｃｃｍ、ＳｉＨ4
１０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．６×１０4 Ｔｏｒ
ｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１．２ｋＷ
投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。このと
き、電磁石により導入窓で１５００Ｇａｕｓｓ、空洞共
振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とし、基板位
置で６５０Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁場を形成した。
更に、空洞共振出口に設けた不図示の引き出し電極に−
７００Ｖの電圧を印加して、ａ−Ｃ1-x Ｓｉx ：Ｈ膜を
４００ｎｍ形成した。この時、ｘの範囲は０≦ｘ≦０．
４で、ｘが０．４よりも大きくなると膜中のＳｉＣ成分
が増大し、摩擦係数が０．２よりも大きくなってしまい
適さなかった。図１２は、本発明の実施例のヒーターを
用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。この膜の
硬度を薄膜硬度計で測定した結果、ビッカース硬度換算
で２５００ｋｇ／ｍｍ2 であった。また、ピン・オン・
ディスク法により摩擦特性を評価した。測定は相対湿度
５０％の空気中で行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ
２）の球（直径５ｍｍ）を用い、加重２．２Ｎ、摺動速
度０．０４ｍ／ｓで行った結果、摩擦係数は０．０５で
あった。なお、膜中の水素濃度はＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇ
ｅｎ Ｆｏｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）分析の結
果、２５ａｔｏｍ％であった。
基板に発熱抵抗体層を形成する溝を機械的に加工した。
溝の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１２μｍとした。こ
の溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体１０３
となるようにスクリーン印刷により１１μｍ塗工し、大
気焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。次に、不図示のスパッタリング装
置に基板を設置し、抵抗体層上にＷを１μｍ形成した。
ＷはＡｇ／ＰｄとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。引き続き実施例３で使用した図１１のＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置において１２９ターゲットを取り外した状
態でＳｉを添加したａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。真空槽を
１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ
6 Ｈ6 ：２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：１５ｓｃｃｍ、ＳｉＨ4
１０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．６×１０4 Ｔｏｒ
ｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１．２ｋＷ
投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。このと
き、電磁石により導入窓で１５００Ｇａｕｓｓ、空洞共
振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とし、基板位
置で６５０Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁場を形成した。
更に、空洞共振出口に設けた不図示の引き出し電極に−
７００Ｖの電圧を印加して、ａ−Ｃ1-x Ｓｉx ：Ｈ膜を
４００ｎｍ形成した。この時、ｘの範囲は０≦ｘ≦０．
４で、ｘが０．４よりも大きくなると膜中のＳｉＣ成分
が増大し、摩擦係数が０．２よりも大きくなってしまい
適さなかった。図１２は、本発明の実施例のヒーターを
用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。この膜の
硬度を薄膜硬度計で測定した結果、ビッカース硬度換算
で２５００ｋｇ／ｍｍ2 であった。また、ピン・オン・
ディスク法により摩擦特性を評価した。測定は相対湿度
５０％の空気中で行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ
２）の球（直径５ｍｍ）を用い、加重２．２Ｎ、摺動速
度０．０４ｍ／ｓで行った結果、摩擦係数は０．０５で
あった。なお、膜中の水素濃度はＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇ
ｅｎ Ｆｏｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）分析の結
果、２５ａｔｏｍ％であった。
【００４８】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例３と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例３と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。
した加熱定着装置を用い、実施例３と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例３と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。
【００４９】〈実施例５〉実施例３と同様にして、絶縁
保護層上に潤滑保護層としてａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。
図１３は、ａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着
（ＩＢＤ）装置の模式図である。図中１３０は真空槽、
１３１はイオンビーム源、１３２はイオン化室、１３３
はガス導入系、１３４はイオンビーム引き出し電極、１
３５は基体、１３６は電子銃、１３７は排気系である。
真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入
系よりＣＨ4 ：１５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：３５ｓｃｃｍを導
入し、ガス圧を３．８×１０4 Ｔｏｒｒとしてプラズマ
室内にプラズマを生成した。引き出し電極に０．８ｋＶ
の電圧を印加してイオンビームを引き出し基板に照射し
た。この時、電子銃１３６を用いて添加する金属を同時
に蒸着した。添加した金属は、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，
Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉでトータル膜厚を４５０ｎｍとし
た。以上のように作製したヒーターをサンプル１〜９と
し、併せてノンドープのａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したヒータ
ーをサンプル１０として、膜中の水素含有率、添加金属
の含有率、膜硬度、摩擦係数を評価した結果を表１に示
した。なお、水素濃度はＨＦＳ分析、添加金属濃度はＥ
ＰＭＡ、膜硬度は薄膜硬度計、摩擦係数は実施例４と同
一条件で評価した。
保護層上に潤滑保護層としてａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。
図１３は、ａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着
（ＩＢＤ）装置の模式図である。図中１３０は真空槽、
１３１はイオンビーム源、１３２はイオン化室、１３３
はガス導入系、１３４はイオンビーム引き出し電極、１
３５は基体、１３６は電子銃、１３７は排気系である。
真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入
系よりＣＨ4 ：１５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：３５ｓｃｃｍを導
入し、ガス圧を３．８×１０4 Ｔｏｒｒとしてプラズマ
室内にプラズマを生成した。引き出し電極に０．８ｋＶ
の電圧を印加してイオンビームを引き出し基板に照射し
た。この時、電子銃１３６を用いて添加する金属を同時
に蒸着した。添加した金属は、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，
Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉでトータル膜厚を４５０ｎｍとし
た。以上のように作製したヒーターをサンプル１〜９と
し、併せてノンドープのａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したヒータ
ーをサンプル１０として、膜中の水素含有率、添加金属
の含有率、膜硬度、摩擦係数を評価した結果を表１に示
した。なお、水素濃度はＨＦＳ分析、添加金属濃度はＥ
ＰＭＡ、膜硬度は薄膜硬度計、摩擦係数は実施例４と同
一条件で評価した。
【００５０】
【表１】
【００５１】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例３と同様に記録材の熱
定着を行った結果、サンプル１〜９は実施例３と同様の
安定した定着と耐久性が得られたが、サンプル１０は定
着回数の増加にともない若干ではあるがフィルム摩耗粉
を生じた。
した加熱定着装置を用い、実施例３と同様に記録材の熱
定着を行った結果、サンプル１〜９は実施例３と同様の
安定した定着と耐久性が得られたが、サンプル１０は定
着回数の増加にともない若干ではあるがフィルム摩耗粉
を生じた。
【００５２】〈実施例６〉実施例３と同様に絶縁保護膜
を形成したヒーターを図１４に示すＤＣマグネトロンス
パッタリング装置に設置した。図中１４０は真空槽、１
４１は基板、１４２はターゲット、１４３はガス導入
系、１４４はＤＣ電源、１４５は排気系である。ターゲ
ットは純度９９．９％のＴａを用いた。真空槽を１×１
０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ2 Ｈ2
とＡｒを導入し、Ｃ2 Ｈ2 ／Ａｒ流量比を０〜６０％の
範囲で変化させＴａ添加ａ−Ｃ：Ｈ膜を４００ｎｍ形成
した。この時、ガス圧を０．４Ｐａ、基板温度を室温、
放電パワー２ｋＷ、基板ターゲット間距離を７０ｍｍと
した。以上のように作製したヒーターをサンプル１１〜
１５とし、膜中の水素含有率、添加元素の含有率、膜硬
度、摩擦係数を評価した結果を表２に示した。この時、
水素濃度はＨＦＳ分析、添加元素濃度はＥＰＭＡ、膜硬
度は薄膜硬度計、摩擦係数は実施例４と同一条件で評価
した。
を形成したヒーターを図１４に示すＤＣマグネトロンス
パッタリング装置に設置した。図中１４０は真空槽、１
４１は基板、１４２はターゲット、１４３はガス導入
系、１４４はＤＣ電源、１４５は排気系である。ターゲ
ットは純度９９．９％のＴａを用いた。真空槽を１×１
０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ2 Ｈ2
とＡｒを導入し、Ｃ2 Ｈ2 ／Ａｒ流量比を０〜６０％の
範囲で変化させＴａ添加ａ−Ｃ：Ｈ膜を４００ｎｍ形成
した。この時、ガス圧を０．４Ｐａ、基板温度を室温、
放電パワー２ｋＷ、基板ターゲット間距離を７０ｍｍと
した。以上のように作製したヒーターをサンプル１１〜
１５とし、膜中の水素含有率、添加元素の含有率、膜硬
度、摩擦係数を評価した結果を表２に示した。この時、
水素濃度はＨＦＳ分析、添加元素濃度はＥＰＭＡ、膜硬
度は薄膜硬度計、摩擦係数は実施例４と同一条件で評価
した。
【００５３】
【表２】
【００５４】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例３同様に記録材の熱定
着を行った結果、サンプル１１〜１３は実施例３と同様
の安定した定着と耐久性が得られたが、サンプル１４、
１５は定着回数の増加にともない、若干ではあるがフィ
ルム摩耗粉を生じた。
した加熱定着装置を用い、実施例３同様に記録材の熱定
着を行った結果、サンプル１１〜１３は実施例３と同様
の安定した定着と耐久性が得られたが、サンプル１４、
１５は定着回数の増加にともない、若干ではあるがフィ
ルム摩耗粉を生じた。
【００５５】次に請求項４，８に係る発明の具体的実施
例を説明する。
例を説明する。
【００５６】〈実施例７〉図１５は、本発明の実施例の
ヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡大図である。ヒ
ーター２０１は、断熱性のヒーターホルダー２０８を介
してヒーター支持部２０９に固定支持されている。２１
０は、例えば厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンド
レスベルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィル
ム、２１１はこのフィルムをヒーター２０１に対して押
圧する加圧部材としての回転加圧ローラーである。フィ
ルム２１０は、不図示の駆動部材により或は加圧ローラ
ー２１１の回転力により、所定の速度で矢印の方向にヒ
ーターホルダー２０８のエッジ部に接触しながら、ヒー
ター２０１面に密着した状態でヒーター２０１面を摺動
しながら回転或は走行移動する。ヒーター２０１の通電
発熱抵抗体２０３に対する通電によりヒーター２０１を
所定温度に昇温させ、またフィルム２１０を移動駆動さ
せた状態である定着ニップ部２１５に被加熱材として記
録材２１６を未定着トナー画像面をフィルム２１０面側
にして導入することで、記録材２１６がフィルム２１０
面に密着してフィルム２１０と共に定着ニップ部２１５
を移動通過し、その移動通過過程でヒーター２０１から
フィルム２１０を介して記録材２１６に熱エネルギ−が
付与されて記録材２１６上の未定着トナー画像２１７が
加熱溶融定着される。
ヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡大図である。ヒ
ーター２０１は、断熱性のヒーターホルダー２０８を介
してヒーター支持部２０９に固定支持されている。２１
０は、例えば厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンド
レスベルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィル
ム、２１１はこのフィルムをヒーター２０１に対して押
圧する加圧部材としての回転加圧ローラーである。フィ
ルム２１０は、不図示の駆動部材により或は加圧ローラ
ー２１１の回転力により、所定の速度で矢印の方向にヒ
ーターホルダー２０８のエッジ部に接触しながら、ヒー
ター２０１面に密着した状態でヒーター２０１面を摺動
しながら回転或は走行移動する。ヒーター２０１の通電
発熱抵抗体２０３に対する通電によりヒーター２０１を
所定温度に昇温させ、またフィルム２１０を移動駆動さ
せた状態である定着ニップ部２１５に被加熱材として記
録材２１６を未定着トナー画像面をフィルム２１０面側
にして導入することで、記録材２１６がフィルム２１０
面に密着してフィルム２１０と共に定着ニップ部２１５
を移動通過し、その移動通過過程でヒーター２０１から
フィルム２１０を介して記録材２１６に熱エネルギ−が
付与されて記録材２１６上の未定着トナー画像２１７が
加熱溶融定着される。
【００５７】図１６は、第７実施例を示すヒーター部の
断面模式図である。図中２０１はヒーター、２０２はセ
ラミックス基板、２０３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗
体、２０４，２０５はＣｕからなる電極端子部、２０６
はガラス質の絶縁保護層、２１８は金属元素を添加いた
ＤＬＣ膜、２０８はヒーターホルダー、２１２は電極タ
ブ、２１３はＡｕＳｉからなるロウ材、２１４はワイヤ
ーである。
断面模式図である。図中２０１はヒーター、２０２はセ
ラミックス基板、２０３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗
体、２０４，２０５はＣｕからなる電極端子部、２０６
はガラス質の絶縁保護層、２１８は金属元素を添加いた
ＤＬＣ膜、２０８はヒーターホルダー、２１２は電極タ
ブ、２１３はＡｕＳｉからなるロウ材、２１４はワイヤ
ーである。
【００５８】本実施例におけるヒーターは、まずＡｌ2
Ｏ3 基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体
２０３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気
焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよ
うトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印
刷により塗工し、電極端子部２０４，２０５を酸素分圧
に注意しながら焼成、形成した。この後、絶縁性保護膜
としてケイ酸鉛系の低軟化点ガラスをスクリーン印刷に
より塗工し、大気焼成して形成した。この後、フッ素を
添加したＤＬＣ膜２１８をＥＣＲ−プラズマＣＶＤ法に
より８００ｎｍ形成した。図１７は、ＤＬＣ膜を形成す
るために用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の模式図であ
る。図中２２０は空洞共振器タイプのプラズマ室、２２
１はガス導入系、２２２はマイクロ波導入窓、２２３は
マイクロ波導波管、２２４は電磁石、２２５はマイクロ
波発信器、２２６は基板、２２７は真空槽、２２８は排
気系である。真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した
後、ガス導入系よりＣ2 Ｈ2 ：３０ｓｃｃｍ、ＣＦ4 ：
１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：２０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を
２．０×１０-3Ｔｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を１．０ｋＷ投入してプラズマ室内にプラズマ
を生成した。このとき、電磁石により導入窓で１２００
Ｇａｕｓｓ、空洞共振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣ
Ｒ条件とし、基板位置で６００Ｇａｕｓｓとなるよう外
部磁場を形成した。更に、不図示のＤＣ電源により基板
に−５００Ｖの電圧を印加して、第１６図中２１８のフ
ッ素を含有したＤＬＣ膜を形成した。同一条件で作製し
た膜をＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｗａｒｄｓｃａ
ｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｏｒｏｓｃｏｐｙ）法によ
り水素濃度を分析した結果、水素含有量は２０ａｔ％で
あった。同様にＲＢＳ（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃ
ｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｏｒｏｓｃｏｐ
ｙ）法によりフッ素濃度を分析したところ含有量は１０
ａｔ％であった。また、この膜の硬度を薄膜硬度計で測
定した結果、ビッカース硬度換算で２５００ｋｇ／ｍｍ
2 であった。ピン・オン・ディスク法により摩擦特性を
評価した。測定は相対湿度５０％の空気中で行い、ピン
として軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球（直径５ｍｍ）を用い
加重１．５Ｎ、摺動速度０．０４ｍ／ｓで行った結果、
摩擦係数は０．０５であった。
Ｏ3 基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体
２０３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気
焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよ
うトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印
刷により塗工し、電極端子部２０４，２０５を酸素分圧
に注意しながら焼成、形成した。この後、絶縁性保護膜
としてケイ酸鉛系の低軟化点ガラスをスクリーン印刷に
より塗工し、大気焼成して形成した。この後、フッ素を
添加したＤＬＣ膜２１８をＥＣＲ−プラズマＣＶＤ法に
より８００ｎｍ形成した。図１７は、ＤＬＣ膜を形成す
るために用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の模式図であ
る。図中２２０は空洞共振器タイプのプラズマ室、２２
１はガス導入系、２２２はマイクロ波導入窓、２２３は
マイクロ波導波管、２２４は電磁石、２２５はマイクロ
波発信器、２２６は基板、２２７は真空槽、２２８は排
気系である。真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した
後、ガス導入系よりＣ2 Ｈ2 ：３０ｓｃｃｍ、ＣＦ4 ：
１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：２０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を
２．０×１０-3Ｔｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を１．０ｋＷ投入してプラズマ室内にプラズマ
を生成した。このとき、電磁石により導入窓で１２００
Ｇａｕｓｓ、空洞共振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣ
Ｒ条件とし、基板位置で６００Ｇａｕｓｓとなるよう外
部磁場を形成した。更に、不図示のＤＣ電源により基板
に−５００Ｖの電圧を印加して、第１６図中２１８のフ
ッ素を含有したＤＬＣ膜を形成した。同一条件で作製し
た膜をＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｗａｒｄｓｃａ
ｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｏｒｏｓｃｏｐｙ）法によ
り水素濃度を分析した結果、水素含有量は２０ａｔ％で
あった。同様にＲＢＳ（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃ
ｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｏｒｏｓｃｏｐ
ｙ）法によりフッ素濃度を分析したところ含有量は１０
ａｔ％であった。また、この膜の硬度を薄膜硬度計で測
定した結果、ビッカース硬度換算で２５００ｋｇ／ｍｍ
2 であった。ピン・オン・ディスク法により摩擦特性を
評価した。測定は相対湿度５０％の空気中で行い、ピン
として軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球（直径５ｍｍ）を用い
加重１．５Ｎ、摺動速度０．０４ｍ／ｓで行った結果、
摩擦係数は０．０５であった。
【００５９】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材２１３を用
いて銅合金からなる電極タブ２１２とセラミックス基板
２０２とをロウ付けした。引き続き、電極タブ２１２に
ワイヤー２１４を圧接しヒーター２０１をヒーターホル
ダー２０８に接着した。なお、ヒーター２０１の製作時
に電極端子部２０４，２０５の表面にＡｕをフラッシュ
メッキすることにより、ロウ付け時のロウ材の濡れ性を
向上させ、安定した接続信頼性を得ることができた。電
極タブ材料としては、銅合金のほかにコバール、４２ア
ロイ、リン青銅等の金属が使用できる。ロウ材は、融点
２５０℃以上のものが好ましく、ＡｕＳｉのほかにＡｕ
Ｇｅ、ＡｕＳｕ等を用いることができる。また、Ｃｕ電
極端子部の表面にロウ付けまでの表面酸化防止や汚染を
防ぐ目的から、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメ
ッキ等で形成することにより、より安定ロウ付けが実現
できた。この時、Ｎｉ層を形成する目的は、ロウ材中に
Ｃｕが過度に拡散することを防ぐためである。
いて銅合金からなる電極タブ２１２とセラミックス基板
２０２とをロウ付けした。引き続き、電極タブ２１２に
ワイヤー２１４を圧接しヒーター２０１をヒーターホル
ダー２０８に接着した。なお、ヒーター２０１の製作時
に電極端子部２０４，２０５の表面にＡｕをフラッシュ
メッキすることにより、ロウ付け時のロウ材の濡れ性を
向上させ、安定した接続信頼性を得ることができた。電
極タブ材料としては、銅合金のほかにコバール、４２ア
ロイ、リン青銅等の金属が使用できる。ロウ材は、融点
２５０℃以上のものが好ましく、ＡｕＳｉのほかにＡｕ
Ｇｅ、ＡｕＳｕ等を用いることができる。また、Ｃｕ電
極端子部の表面にロウ付けまでの表面酸化防止や汚染を
防ぐ目的から、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメ
ッキ等で形成することにより、より安定ロウ付けが実現
できた。この時、Ｎｉ層を形成する目的は、ロウ材中に
Ｃｕが過度に拡散することを防ぐためである。
【００６０】以上のようにして得られた加熱定着装置
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。
【００６１】〈実施例８〉実施例７と同様のＡｌ2 Ｏ3
基板に発熱抵抗体層を形成する溝を機械的に加工した。
溝の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１２μｍとした。こ
の溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体２０３
となるようにスクリーン印刷により１１μｍ塗工し、大
気焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。次に、不図示のスパッタリング装
置に基板を設置し、抵抗体層上にＷを１μｍ形成した。
ＷはＡｇ／ＰｄとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。引き続き実施例７と同様に図１７に示すＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を用い、フッ素を含有したａ−Ｃ：Ｈ膜
を形成した。真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した
後、ガス導入系よりＣ6 Ｈ5 Ｆ：２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：
１５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．６×１０4 Ｔｏｒ
ｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１．２ｋＷ
投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。このと
き、電磁石により導入窓で１５００Ｇａｕｓｓ、空洞共
振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とし、基板位
置で６５０Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁場を形成した。
更に、空洞共振出口に設けた不図示の引き出し電極（グ
リッド）に−７００Ｖの電圧を印加して、ａ−Ｃ：Ｈ，
Ｆ膜を１０００ｎｍ形成した。この後、実施例７と同様
にして電極端子部に、電極タブ、ワイヤーを接続した
後、ヒーターホルダー部に接着してヒーター・サンプル
１を完成した。図１８は、本発明の実施例のヒーターを
用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。同様に、
原料ガスをＣ6 Ｈ3 Ｆ3，Ｃ6 Ｆ6 とし、それ以外の条
件は試料１と同様にしてサンプル２、３を作製した。各
試料について、膜中の水素含有率、フッ素含有率、膜硬
度、摩擦係数を評価した結果を表３に示した。なお水素
濃度はＨＦＳ分析、フッ素含有率はＲＢＳ分析、膜硬度
は薄膜硬度計、摩擦係数は実施例７と同一条件で評価し
た。
基板に発熱抵抗体層を形成する溝を機械的に加工した。
溝の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１２μｍとした。こ
の溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体２０３
となるようにスクリーン印刷により１１μｍ塗工し、大
気焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。次に、不図示のスパッタリング装
置に基板を設置し、抵抗体層上にＷを１μｍ形成した。
ＷはＡｇ／ＰｄとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。引き続き実施例７と同様に図１７に示すＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を用い、フッ素を含有したａ−Ｃ：Ｈ膜
を形成した。真空槽を１×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した
後、ガス導入系よりＣ6 Ｈ5 Ｆ：２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：
１５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．６×１０4 Ｔｏｒ
ｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１．２ｋＷ
投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。このと
き、電磁石により導入窓で１５００Ｇａｕｓｓ、空洞共
振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とし、基板位
置で６５０Ｇａｕｓｓとなるよう外部磁場を形成した。
更に、空洞共振出口に設けた不図示の引き出し電極（グ
リッド）に−７００Ｖの電圧を印加して、ａ−Ｃ：Ｈ，
Ｆ膜を１０００ｎｍ形成した。この後、実施例７と同様
にして電極端子部に、電極タブ、ワイヤーを接続した
後、ヒーターホルダー部に接着してヒーター・サンプル
１を完成した。図１８は、本発明の実施例のヒーターを
用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。同様に、
原料ガスをＣ6 Ｈ3 Ｆ3，Ｃ6 Ｆ6 とし、それ以外の条
件は試料１と同様にしてサンプル２、３を作製した。各
試料について、膜中の水素含有率、フッ素含有率、膜硬
度、摩擦係数を評価した結果を表３に示した。なお水素
濃度はＨＦＳ分析、フッ素含有率はＲＢＳ分析、膜硬度
は薄膜硬度計、摩擦係数は実施例７と同一条件で評価し
た。
【００６２】
【表３】
【００６３】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例７と同様に記録材の熱
定着を行った結果、サンプル１、２は実施例７と同様の
安定した定着と耐久性が得られたが、サンプル３は定着
回数の増加にともない、微少な膜剥離を生じた。
した加熱定着装置を用い、実施例７と同様に記録材の熱
定着を行った結果、サンプル１、２は実施例７と同様の
安定した定着と耐久性が得られたが、サンプル３は定着
回数の増加にともない、微少な膜剥離を生じた。
【００６４】〈実施例９〉実施例７と同様にして、絶縁
保護層上に潤滑保護膜としてａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。
図１９は、ａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着
（ＩＢＤ）装置の模式図である。図中２３０は真空槽、
２３１はイオンビーム源、２３２はイオン化室、２３３
はガス導入系、２３４はイオンビーム引き出し電極、２
３５は基体、２３６は排気系である。真空槽を１×１０
-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣＨ4 ：１
５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：３５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を
３．０×１０4 Ｔｏｒｒとしてプラズマ室内にプラズマ
を生成した。引き出し電極に０．７ｋＶの電圧を印加し
てイオンビームを引き出し基板に照射して、ａ−Ｃ：Ｈ
膜を４００ｎｍ形成した。次に、第２０図に示すＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置に設置した。図中２４０は真空槽、２
４１はガス導入系、２４２は電極、２４３は基板、２４
４は排気系、２４５はＲＦ電源である。真空槽を１×１
０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣＦ4 ：
１００ｓｃｃｍを導入してガス圧を３．０×１０-2Ｔｏ
ｒｒとし、ＲＦ電源より１．５ｋＷの電力を投入してＲ
Ｆプラズマを形成した。このＲＦプラズマ中に、ａ−
Ｃ：Ｈ膜を形成したヒーターを曝し、ａ−Ｃ：Ｈ膜の表
面をフッ素化した。この膜の、水素含有率は３０ａｔ
％、フッ素含有率は５ａｔ％、膜硬度は２５００ｋｇ／
ｍｍ2 、摩擦係数はμ＝０．０５であった。なお、膜中
のフッ素濃度は表面から基板側に向かって減少してい
た。評価方法、評価条件は実施例１と同様とした。実施
例７と同様にして極端子部に、電極タブ、ワイヤーを接
続した後、ヒーターホルダー部に接着してヒーターを完
成した。
保護層上に潤滑保護膜としてａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。
図１９は、ａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着
（ＩＢＤ）装置の模式図である。図中２３０は真空槽、
２３１はイオンビーム源、２３２はイオン化室、２３３
はガス導入系、２３４はイオンビーム引き出し電極、２
３５は基体、２３６は排気系である。真空槽を１×１０
-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣＨ4 ：１
５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：３５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を
３．０×１０4 Ｔｏｒｒとしてプラズマ室内にプラズマ
を生成した。引き出し電極に０．７ｋＶの電圧を印加し
てイオンビームを引き出し基板に照射して、ａ−Ｃ：Ｈ
膜を４００ｎｍ形成した。次に、第２０図に示すＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置に設置した。図中２４０は真空槽、２
４１はガス導入系、２４２は電極、２４３は基板、２４
４は排気系、２４５はＲＦ電源である。真空槽を１×１
０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣＦ4 ：
１００ｓｃｃｍを導入してガス圧を３．０×１０-2Ｔｏ
ｒｒとし、ＲＦ電源より１．５ｋＷの電力を投入してＲ
Ｆプラズマを形成した。このＲＦプラズマ中に、ａ−
Ｃ：Ｈ膜を形成したヒーターを曝し、ａ−Ｃ：Ｈ膜の表
面をフッ素化した。この膜の、水素含有率は３０ａｔ
％、フッ素含有率は５ａｔ％、膜硬度は２５００ｋｇ／
ｍｍ2 、摩擦係数はμ＝０．０５であった。なお、膜中
のフッ素濃度は表面から基板側に向かって減少してい
た。評価方法、評価条件は実施例１と同様とした。実施
例７と同様にして極端子部に、電極タブ、ワイヤーを接
続した後、ヒーターホルダー部に接着してヒーターを完
成した。
【００６５】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例７と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例７と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。
した加熱定着装置を用い、実施例７と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例７と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。
【００６６】〈実施例１０〉実施例９と同様にして絶縁
保護膜上にａ−Ｃ：Ｈ膜を４５０ｎｍ、フィルムと接触
するヒーターホルダー部に５５０ｎｍ、フィルムに３０
ｎｍ形成した。更に、実施例９と同様にａ−Ｃ：Ｈ膜を
形成したヒーター、ヒーターホルダー、フィルムを図２
０のＲＦプラズマＣＶＤ装置に設置し、ａ−Ｃ：Ｈ膜の
表面をフッ素化した。図２１は、本発明の実施例のヒー
ターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
保護膜上にａ−Ｃ：Ｈ膜を４５０ｎｍ、フィルムと接触
するヒーターホルダー部に５５０ｎｍ、フィルムに３０
ｎｍ形成した。更に、実施例９と同様にａ−Ｃ：Ｈ膜を
形成したヒーター、ヒーターホルダー、フィルムを図２
０のＲＦプラズマＣＶＤ装置に設置し、ａ−Ｃ：Ｈ膜の
表面をフッ素化した。図２１は、本発明の実施例のヒー
ターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
【００６７】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例７と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例７と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。
した加熱定着装置を用い、実施例７と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例７と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１、６に係
る発明は、熱定着による画像形成装置で使用される熱定
着用ヒーターにおいて、ヒーターの保護層を気相合成法
で形成したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜とすることに
より、保護層の熱伝導率を上げ、ヒーター部の熱効率の
向上と消費電力の低減を実現することができる。併せて
保護層としての耐摩耗性、摺動性を向上させることがで
き、極めて信頼性の高いヒーターを供給することができ
る。この結果、大電流を安定的に供給することが可能と
なり、定着スピードの高速化、定着サイズの大型化が実
現できる。
る発明は、熱定着による画像形成装置で使用される熱定
着用ヒーターにおいて、ヒーターの保護層を気相合成法
で形成したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜とすることに
より、保護層の熱伝導率を上げ、ヒーター部の熱効率の
向上と消費電力の低減を実現することができる。併せて
保護層としての耐摩耗性、摺動性を向上させることがで
き、極めて信頼性の高いヒーターを供給することができ
る。この結果、大電流を安定的に供給することが可能と
なり、定着スピードの高速化、定着サイズの大型化が実
現できる。
【００６９】また請求項２、７に係る発明は、熱定着に
よる画像形成装置等で使用されるヒーターにおいて、フ
ィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護層あるいは発
熱抵抗体層上に高硬度、低摩擦係数である金属添加ａ−
Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を潤滑保護膜として形成する
ものである。本発明の潤滑保護膜は、使用環境（特に湿
度）や使用時間（摺動距離）に因って摩擦係数が変化せ
ず、基板に対する密着性も良好である。ヒーターとフィ
ルム間で生じる接触摺動に対して、フィルムの摩耗を生
じることなく、安定した摺動特性を保持する極めて信頼
性、耐久性に優れたヒーターを提供することができる。
この結果、定着スピードの高速化、定着サイズの大型化
が可能となり、ランニング・コストの低減も実現でき
る。
よる画像形成装置等で使用されるヒーターにおいて、フ
ィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護層あるいは発
熱抵抗体層上に高硬度、低摩擦係数である金属添加ａ−
Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を潤滑保護膜として形成する
ものである。本発明の潤滑保護膜は、使用環境（特に湿
度）や使用時間（摺動距離）に因って摩擦係数が変化せ
ず、基板に対する密着性も良好である。ヒーターとフィ
ルム間で生じる接触摺動に対して、フィルムの摩耗を生
じることなく、安定した摺動特性を保持する極めて信頼
性、耐久性に優れたヒーターを提供することができる。
この結果、定着スピードの高速化、定着サイズの大型化
が可能となり、ランニング・コストの低減も実現でき
る。
【００７０】また請求項４、８に係る発明は、熱定着に
よる画像形成装置等で使用されるヒーターにおいて、フ
ィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護層あるいは発
熱抵抗体層上、もしくはフィルム上に高硬度、低摩擦係
数であるフッ素を含有したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ
膜を潤滑保護層として形成するものである。本発明の潤
滑保護層は、使用環境（特に湿度）や使用時間（摺動距
離）に因って摩擦係数が変化せず、基板に対する密着性
も良好である。ヒーターとフィルム間で生じる接触摺動
に対して、フィルムの摩耗を生じることなく、安定した
摺動特性を保持する極めて信頼性、耐久性に優れたヒー
ターを提供することができる。この結果、定着スピード
の高速化、定着サイズの大型化が可能となり、ランニン
グ・コストの低減も実現できる。
よる画像形成装置等で使用されるヒーターにおいて、フ
ィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護層あるいは発
熱抵抗体層上、もしくはフィルム上に高硬度、低摩擦係
数であるフッ素を含有したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ
膜を潤滑保護層として形成するものである。本発明の潤
滑保護層は、使用環境（特に湿度）や使用時間（摺動距
離）に因って摩擦係数が変化せず、基板に対する密着性
も良好である。ヒーターとフィルム間で生じる接触摺動
に対して、フィルムの摩耗を生じることなく、安定した
摺動特性を保持する極めて信頼性、耐久性に優れたヒー
ターを提供することができる。この結果、定着スピード
の高速化、定着サイズの大型化が可能となり、ランニン
グ・コストの低減も実現できる。
【図１】本発明に係るヒーターの平面図
【図２】本発明に係るヒーターの平面図
【図３】本発明に係るヒーターの断面図
【図４】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定着
装置の断面図
装置の断面図
【図５】本発明の実施例におけるヒーターの部分断面図
【図６】本発明の実施例でＤＬＣ膜形成に用いたＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の模式図
プラズマＣＶＤ装置の模式図
【図７】本発明の実施例でａ−Ｃ：Ｈ膜経営に用いたイ
オンビーム蒸着装置の模式図
オンビーム蒸着装置の模式図
【図８】本発明に係る添加金属濃度と摩擦係数の関係を
示す図
示す図
【図９】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定着
装置の断面図
装置の断面図
【図１０】本発明の実施例におけるヒーターの部分断面
図
図
【図１１】本発明の実施例でＤＬＣ膜形成に用いたＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置の模式図
ＲプラズマＣＶＤ装置の模式図
【図１２】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定
着装置の断面図
着装置の断面図
【図１３】本発明の実施例でａ−Ｃ：Ｈ膜形成に用いた
イオンビーム蒸着装置の模式図
イオンビーム蒸着装置の模式図
【図１４】本発明の実施例でａ−Ｃ：Ｈ膜形成に用いた
ＤＣマグネトロン・スパッタ装置
ＤＣマグネトロン・スパッタ装置
【図１５】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定
着装置の断面図
着装置の断面図
【図１６】本発明の実施例におけるヒーターの部分断面
図
図
【図１７】本発明の実施例でＤＬＣ膜形成に用いたＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置の模式図
ＲプラズマＣＶＤ装置の模式図
【図１８】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定
着装置の断面図
着装置の断面図
【図１９】本発明の実施例でａ−Ｃ：Ｈ膜形成に用いた
イオンビーム蒸着装置の模式図
イオンビーム蒸着装置の模式図
【図２０】本発明の実施例でａ−Ｃ：Ｈ膜をフッ素化す
るために用いたＲＦプラズマＣＶＤ装置の模式図
るために用いたＲＦプラズマＣＶＤ装置の模式図
【図２１】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定
着装置の断面図
着装置の断面図
１…ヒーター ２…セラミック
ス基板 ３…発熱抵抗体 ４…電極端子部 ５…電極端子部 ６…絶縁保護層 ７…温度測定素子 ８，１０８，２０８…ヒーターホルダー ９，１０９，２０９…裏面断熱層 １０，１１０，２１０…耐熱性フィルム １１，１１１，２１１…加圧ローラー １２，１１２，２１２…電極タブ １３，１１３，
２１３…ロウ材 １４，１１４，２１４…ワイヤー １５，１１５，２１５…定着ニップ １６，１１６，
２１６…記録材 １７，１１７，２１７…未定着トナー ２０，１２０，２２０…プラズマ室 ２１，１２１，２２１…ガス導入系 ２２，１２２，２２２…マイクロ波導入窓 ２３，１２３，２２３…マイクロ波導波管 ２４，１２４，２２４…電磁石 ２５，１２５，２２５…マイクロ波発振器 ２６，１２６，２２６…基板、基板ホルダー ２７，１２７，２２７…真空槽 ２８，１２８，
２２８…排気系 ３０，１３０，２３０…真空槽 ３１，１３１，２３１…イオンビーム源 ３２，１３２，２３２…イオン化室 ３３，１３３，２３３…ガス導入系 ３４，１３４，２３４…イオンビーム引き出し電極 ３５，１３５，２３５…基板 ３６…基板ホルダー ３７…排気系 １１８…金属を添加したＤＣＬ膜 １３６…電子銃 １３７…排気系 １４０…真空槽 １４１…基板 １４２…ターゲット １４３…ガス導
入系 １４４…ＤＣ電源 １４５…排気系 ２１８…フッ素を添加したＤＬＣ膜 ２３６…排気系 ２４０…真空槽 ２４１…ガス導
入系 ２４２…電極 ２４３…基板 ２４４…排気系 ２４５…ＲＦ電
源
ス基板 ３…発熱抵抗体 ４…電極端子部 ５…電極端子部 ６…絶縁保護層 ７…温度測定素子 ８，１０８，２０８…ヒーターホルダー ９，１０９，２０９…裏面断熱層 １０，１１０，２１０…耐熱性フィルム １１，１１１，２１１…加圧ローラー １２，１１２，２１２…電極タブ １３，１１３，
２１３…ロウ材 １４，１１４，２１４…ワイヤー １５，１１５，２１５…定着ニップ １６，１１６，
２１６…記録材 １７，１１７，２１７…未定着トナー ２０，１２０，２２０…プラズマ室 ２１，１２１，２２１…ガス導入系 ２２，１２２，２２２…マイクロ波導入窓 ２３，１２３，２２３…マイクロ波導波管 ２４，１２４，２２４…電磁石 ２５，１２５，２２５…マイクロ波発振器 ２６，１２６，２２６…基板、基板ホルダー ２７，１２７，２２７…真空槽 ２８，１２８，
２２８…排気系 ３０，１３０，２３０…真空槽 ３１，１３１，２３１…イオンビーム源 ３２，１３２，２３２…イオン化室 ３３，１３３，２３３…ガス導入系 ３４，１３４，２３４…イオンビーム引き出し電極 ３５，１３５，２３５…基板 ３６…基板ホルダー ３７…排気系 １１８…金属を添加したＤＣＬ膜 １３６…電子銃 １３７…排気系 １４０…真空槽 １４１…基板 １４２…ターゲット １４３…ガス導
入系 １４４…ＤＣ電源 １４５…排気系 ２１８…フッ素を添加したＤＬＣ膜 ２３６…排気系 ２４０…真空槽 ２４１…ガス導
入系 ２４２…電極 ２４３…基板 ２４４…排気系 ２４５…ＲＦ電
源
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁性基板と通電により発熱する抵抗
層、抵抗層端部に設けられた電極端子部を有するヒータ
ーにおいて、前記抵抗層の保護層として水素化アモルフ
ァス炭素膜もしくはダイヤモンド状炭素膜を用いたこと
を特徴とするヒーター。 - 【請求項２】 絶縁性基板と通電により発熱する抵抗
層、抵抗層端部に設けられた電極端子部を有するヒータ
ーにおいて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保
護膜あるいは発熱抵抗体上に金属を含有する水素化アモ
ルファス炭素膜もしくはダイヤモンド状炭素膜からなる
潤滑保護膜を形成したことを特徴とするヒーター。 - 【請求項３】 前記金属元素がＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉであり、その膜中濃度が３
０ａｔ％よりも小さいことを特徴とする請求項２記載の
ヒーター。 - 【請求項４】 絶縁性基板と通電により発熱する抵抗
層、抵抗層端部に設けられた電極端子部を有するヒータ
ーにおいて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保
護膜あるいは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上にフッ
素を含有した水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤ
モンド状炭素膜からなる潤滑保護膜を形成したことを特
徴とするヒーター。 - 【請求項５】 前記フッ素の膜中濃度が３０ａｔ％以下
であることを特徴とする請求項４記載のヒーター。 - 【請求項６】 絶縁性基板と通電により発熱する抵抗
層、抵抗層端部に設けられた電極端子部を有するヒータ
ーにおいて、前記抵抗層の保護層として水素化アモルフ
ァス炭素膜もしくはダイヤモンド状炭素膜を形成するこ
とを特徴とするヒーターの製造方法。 - 【請求項７】 絶縁性基板と通電により発熱する抵抗
層、抵抗層端部に設けられた電極端子部を有するヒータ
ーにおいて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保
護膜あるいは発熱抵抗体上にＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉから選ばれる金属を３０ａｔ
％より少なく含有する水素化アモルファス炭素膜もしく
はダイヤモンド状炭素膜を潤滑保護膜として形成するこ
とを特徴とするヒーターの製造方法。 - 【請求項８】 絶縁性基板と通電により発熱する抵抗
層、抵抗層端部に設けられた電極端子部を有するヒータ
ーにおいて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保
護膜あるいは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上にフッ
素含有率が３０ａｔ％以下である水素化アモルファス炭
素膜もしくはダイヤモンド状炭素膜を潤滑保護膜として
形成することを特徴とするヒーターの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270891A JPH07130456A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | ヒーター及びその製造方法 |
| CN94105572A CN1112612C (zh) | 1993-05-28 | 1994-05-27 | 加热器及应用该加热器的图象加热装置 |
| EP19940108189 EP0632344B1 (en) | 1993-05-28 | 1994-05-27 | Heater and image heating device utilizing the same |
| DE1994612007 DE69412007T2 (de) | 1993-05-28 | 1994-05-27 | Heizelement und dieses Element verwendende Bildheizvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270891A JPH07130456A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | ヒーター及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130456A true JPH07130456A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17492414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5270891A Pending JPH07130456A (ja) | 1993-05-28 | 1993-10-28 | ヒーター及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015230369A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 株式会社リコー | 定着装置、画像形成装置 |
| JP2018006573A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 松田産業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法 |
| US11209760B1 (en) | 2020-06-09 | 2021-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal fixing apparatus and image forming apparatus |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP5270891A patent/JPH07130456A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015230369A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 株式会社リコー | 定着装置、画像形成装置 |
| JP2018006573A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 松田産業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法 |
| US11209760B1 (en) | 2020-06-09 | 2021-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal fixing apparatus and image forming apparatus |
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