JPH07129920A - 磁気ヘッド及びその製造方法並びにそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電磁変換特性に優れたＭＩＧタイプの磁気ヘ
ッド及び製造方法並びにそれを用いた磁気記録再生装置
を提供する。 【構成】 巻線溝が形成されているコアのアペックス部
を構成する巻線溝斜面５における斜面に垂直な方向の膜
厚をＴ１、ギャップ面における膜厚をＴ２、前記巻線溝
斜面とギャップ面がなす角度をθ１としたときに、Ｔ１
を COS（(3/4)×θ１）／COS（(1/4)×θ１）×Ｔ２≦Ｔ１
≦COS(θ１)×Ｔ２ とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＶＴＲ等のシステムに用
いられる高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録
再生するのに適した磁気ヘッド、及びその製造方法、及
びそれを用いた磁気記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度磁気記録再生のために、記録媒体
はその保磁力を大きくすれば、また磁気ヘッドの方はそ
の飽和磁束密度（以下、Ｂｓ）を大きくすれば良いこと
が一般に知られている。従来、磁気ヘッド材料として主
流になっていたフェライト材料はＢｓが０．５Ｔ程度で
あり、１０００Ｏｅ以上の高保磁力を示すメタルテ−プ
に使用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われな
い。そこで現在ではフェライト材料よりもＢｓの大きい
材料、センダスト合金膜（Ｂｓ：約１．０Ｔ）やＣｏ系
アモルファス膜（Ｂｓ：約０．８〜１．１Ｔ）、さらに
はＢｓが１．３Ｔ以上のＣｏ系超構造窒化膜、Ｆｅ系超
構造窒化膜、Ｆｅ系窒化膜等の新材料を用いた磁気ヘッ
ド、その中でも特にＭＩＧヘッドの研究が盛んに行われ
ている。

【０００３】磁気ヘッドの構造としては図３に示すよう
に主コアがフェライト１、ギャップ近傍及びトラックの
側面が金属軟磁性材料（以下、軟磁性膜）２からなり、
フェライトのギャップ面に形成された軟磁性膜とフェラ
イトの境界面がギャップ面と平行なＭＩＧヘッド（以
下、平行型ＭＩＧヘッド）がある。これらのヘッドは、
民生用のアナログＶＴＲ、たとえばＶＨＳ、Ｓ−ＶＨ
Ｓ、８ｍＶＴＲ等の商品に展開されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】現在の民生用アナログ
ＶＴＲでは、磁気テ−プに記録再生されている信号の周
波数は高々１０ＭＨｚである。この場合フェライトの比
透磁率は４００程度である。今後ディジタルＶＴＲ等を
考えると、記録再生信号の周波数は２０ＭＨｚ程度と、
現状のアナログＶＴＲでの使用周波数に比べ２倍程度の
周波数を利用することになる。この場合、フェライトの
比透磁率もかなり低いものになり、３００以下となるこ
とも有り得る。また更に周波数が高くなるとフェライト
の透磁率が更に低下する。この場合特にギャップ近傍の
フェライト部分ではコアの断面積が小さいため磁気抵抗
が大きくなり、ヘッド効率を低下させる要因となる。

【０００５】また平行型ＭＩＧヘッドの場合、アペック
ス部を構成する巻線溝斜面にも金属軟磁性膜が形成され
ている。アペックス近傍部を、ヘッド側面に平行な断面
で観察すると（図４）、軟磁性膜のギャップ面での膜厚
Ｔ２に比べて巻線溝斜面に形成された膜の斜面に垂直方
向の膜厚Ｔ１（以下、巻線溝斜面の膜厚）は小さくなっ
ていることがわかる。この膜厚Ｔ１は、巻線溝斜面とギ
ャップ面のなす角度（以下、アペックス角度）をθ１と
して、おおよそ以下の式のようになっている。

【０００６】Ｔ２×COS(θ1) 高周波になると、先に述べたようにフェライトの透磁率
が低下するため、透磁率の高い軟磁性膜の再生感度への
寄与が大きく、特にアペックス近傍の巻線溝斜面の軟磁
性膜の影響が大きい。従って巻線溝斜面の磁性膜を厚く
することによってヘッドの再生感度を高めることができ
る。しかしながらこの場合でも、単純に斜辺部の膜厚を
大きくすると、ギャップ面での膜厚も大きくなり、フェ
ライトに及ぼす応力が大きくなったり、膜剥離が発生す
るなどさまざまな悪影響が発生する。

【０００７】また金属軟磁性材料の形成方法として酸化
物磁性材料のギャップ面に金属軟磁性膜をスパッタなど
の方法で形成する場合、酸化物磁性材料基板のギャップ
面をタ−ゲット面とほぼ平行にして成膜を行っているが
この場合、巻線溝斜面に形成された軟磁性膜は、斜め入
射の影響により膜質が悪くなり、ギャップ面に形成され
た金属軟磁性膜に比べて軟磁気特性が低下している。

【０００８】これらのことにより高周波におけるヘッド
効率が低下し、記録再生特性が悪くなる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】アペックス部を構成する
巻線溝斜面の膜厚Ｔ１を大きくしてギャップ近傍におけ
る磁気抵抗を小さくする。この場合、ギャップ面の膜厚
Ｔ２を大きくすることなく、Ｔ１を厚くする。またこの
際に、巻線溝斜面の金属軟磁性膜の軟磁気特性も改善し
て、この部分の高い比透磁率を利用してヘッド効率を上
げる。

【００１０】巻線溝斜面の膜厚Ｔ１を厚くしたり、軟磁
性膜の軟磁気特性を改善する方法としては、金属軟磁性
膜を酸化物磁性基板上に成膜する場合に、従来の手法は
タ−ゲット面とギャップ面とがなす角度（Ｔ３）をほぼ
０度（この時巻線溝斜面とタ−ゲット面がなす角度（Ｔ
４）はアペックス角と等しくθ１となる）で設定してい
たが、これをＴ４が小さくなるように傾けて酸化物磁性
材料の基板を設置することにより可能となる。

【００１１】また金属軟磁性薄膜を成膜する際に、対向
タ−ゲット式スパッタ法を用いて、酸化物磁性材料基板
の磁気テ−プ摺動面がタ−ゲット面とほぼ平行となるよ
うに基板を設置することにより、巻線溝の斜面が片側の
タ−ゲットとなす角度が小さくなり、膜質の優れた、ひ
いては軟磁気特性の優れた金属磁性薄膜を、巻線溝斜辺
に形成することが可能となる。

【００１２】

【作用】この技術的手段の作用は次のようになる。

【００１３】巻線溝斜面に形成される金属軟磁性膜に関
しては、従来と比べ巻線溝斜面とタ−ゲット面とがなす
角度Ｔ４が小さくなるので軟磁気特性の優れた膜が形成
できる。またＴ４が従来に比べて小さくなるので、巻線
溝斜面の膜厚Ｔ１とギャップ面の膜厚Ｔ２の比が小さく
なり、また角度によってはＴ１の方が大きくなり、ギャ
ップ面に同じ膜厚の軟磁性膜を形成しても巻線溝斜面の
膜厚を従来に比べ大きくすることができる。

【００１４】Ｔ１を大きくしてヘッド効率がどの程度上
がるのかを理論的に求めたのが図５である。図５は磁気
抵抗法により、Ｔ１が大きくなったときにヘッド効率が
どの程度上がるのを示した図である。アペックス角度θ
１を６０度、ギャップデプス１５μｍ、使用周波数は２
０ＭＨｚを想定しているのでフェライトの比透磁率は３
００、軟磁性膜の比透磁率を１０００とした。この結果
からＴ１を大きくすることで、軟磁性膜の高い比透磁率
を利用したヘッド効率の高い磁気ヘッドの実現が可能と
なる。また記録時においてもこの部分の膜厚が大きいの
で多くの磁束を流すことが可能となり、記録特性にも優
れた磁気ヘッドが得られる。

【００１５】また斜め入射の効果を利用することによ
り、ギャップデプス方向及び巻線溝斜面の方向つまり磁
路方向を磁化困難軸方向とすることができ、特に１０Ｍ
Ｈｚを超えるような高周波領域においても磁路方向に高
い透磁率を持った金属軟磁性膜を形成することができ
る。

【００１６】

【実施例】以下本発明の実施例の磁気ヘッドについて図
面を参照しながら説明する。

【００１７】まず磁気ヘッドの構造に関しての実施例を
示す。図１及び図２に本発明の磁気ヘッドの一実施例を
示す。図１及び２は図３に示す磁気ヘッドをＡ−Ｂの線
で切断したときの断面図及びギャップ近傍の拡大図であ
る。主コアがフェライト１で構成され、フェライトのギ
ャップ面に軟磁性膜２が形成されている。巻線溝が片側
にだけ形成されているのが図１、両側に形成されている
のが図２である。軟磁性膜２に関して、ギャップ面の膜
厚Ｔ２が巻線溝斜面での膜厚Ｔ１とほぼ等しくなってい
る。Ｔ１とＴ２に関しては、図８で詳しく述べるが、ギ
ャップ面と巻線溝斜面がそれぞれタ−ゲット面となす角
度によってほぼ決まる。

【００１８】図３にこのヘッドの外観図を示す。軟磁性
膜２とフェライト１の境界面がギャップ面と平行になっ
ている。トラックの両側がガラス３で補強されている。

【００１９】図６に本発明の磁気ヘッドの製造方法の一
実施例を示す。この図は巻線溝を施した酸化物磁性材料
の基板に軟磁性膜を着膜するときの模式図である。２本
の酸化物磁性材料のコアを一組として少なくとも片側の
コアには巻線溝を形成し、所望のトラック幅が得られる
ようコアを加工する。このときアペックス角度をθ１と
する。このコアに軟磁性膜を着膜するときに、巻線溝を
有するコアに関しては、ギャップ面４とタ−ゲット面１
１とがなす角度をＴ３、巻線溝斜辺とタ−ゲット面がな
す角度をＴ４としたときに、 (１／４)×θ１≦Ｔ３≦θ１ となるようにコアを設置する。

【００２０】図７にギャップ面とタ−ゲット面がなす角
度Ｔ３と巻線溝斜面での軟磁性膜の膜厚の関係を示す。
ここではギャップ面での膜厚を３μｍにしている。
（ａ）は、アペックス角度が６０度、（ｂ）は４５度で
ある。これらはヘッドチップ製造後にヘッド側面から研
磨を行い、図１及び図２に示すような状態にして、ギャ
ップ面と巻線溝斜面の膜厚を観察した結果である。

【００２１】斜面上についた膜の膜厚に関しては、タ−
ゲットからの粒子の飛来方向２０がタ−ゲット面からほ
ぼ垂直と考えると、図８に示した簡単なモデルで計算す
ることができる。タ−ゲット面２３となす角度がθＡ、
θＢの斜面２１、２２上についた膜厚（ＴＨ２１、ＴＨ
２２）の関係は、おおよそ次のようになる。

【００２２】 ＴＨ２２＝（ＴＨ２１）Ｘ（ＣＯＳθＢ／ＣＯＳθＡ） 図７に関してはほぼこの曲線上に乗っている。曲線から
外れる要因としては、軟磁性膜スパッタの場合に、基板
の設置位置が中央からずれると斜め入射等の影響で膜厚
が若干変わったり、タ−ゲットからの粒子の飛来方向が
必ずしも垂直ではない等があげられる。

【００２３】図９に本発明の磁気ヘッドの製造方法の実
施例の一例を示す。これは巻線溝を加工したコアに、軟
磁性膜を着膜する方法であり、対向タ−ゲット式スパッ
タ法を用いたものである。この場合に、巻線溝斜面の膜
質を良くするために酸化物磁性材料基板を、この基板の
摺動面３２がタ−ゲット３３面とほぼ平行になるように
設置する。この際、２枚のタ−ゲット間の中央より右側
に設置したコア３５は巻線溝斜面３４が右側のタ−ゲッ
ト面の方を、中央より左側に設置したコア３６は左側の
タ−ゲット面の方を向くようにする。この製造方法によ
り巻線溝斜面３４に膜質の優れた軟磁性膜を厚く形成す
ることが可能となる。

【００２４】上記対向タ−ゲット式スパッタ法を用いて
軟磁性膜を形成した磁気ヘッドの巻線溝斜面の膜厚を、
従来の方法（酸化物磁性材料基板のギャップ面をタ−ゲ
ット面とほぼ平行にして軟磁性膜を形成する手法）で形
成した物と比較すると、アペックス角度が６０度のコア
の場合、従来の手法では１．５μｍであり、対向タ−ゲ
ット式スパッタ法を用いた場合には、２．３μｍとなっ
ており、本発明の手法を用いることにより巻線溝斜面の
膜厚を厚くすることが可能となった。

【００２５】（表１）、（表２）、（表３）にギャップ
面の膜厚を３μｍにした時の、巻線溝斜面の膜厚（Ｔ
１）及びタ−ゲット面とギャップ面とがなす角度（Ｔ
３）とヘッド特性の関係を示す。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】

【表３】

【００２９】ここでは製造方法として図５に示したよう
に基板を傾けて設置するという手法で軟磁性膜を形成し
た。ここでは軟磁性膜にはＦｅを主成分とし、Ｔａを添
加した窒化膜を用いた。

【００３０】測定に用いたヘッドの一覧を（表４）に示
す。

【００３１】

【表４】

【００３２】ヘッド形状Ａ、Ｂは巻線溝が片側のコア、
Ｃは両側のコアに設けられている。Ａはアペックスの角
度（θ１）が６０度、Ｂは４５度、Ｃは片側４５度ずつ
となっている。製造方法としてギャップ面がタ−ゲット
面とほぼ平行な時（Ｔ３＝０）、つまりＡでは膜厚が
１．５μｍ、Ｂ、Ｃでは２．１μｍのときのヘッドの記
録再生特性を０ｄＢとしている。ヘッドの測定条件は、
相対速度１０ｍ／ｓ、記録再生周波数２０ＭＨｚ、市販
のＭＥテ−プを用いて行い、ヘッド特性は各１０個の平
均値とした。

【００３３】（表１）にヘッド形状Ａの結果を示す。Ａ
では巻線溝斜面の膜厚（Ｔ１）が２．２μｍの時（この
時Ｔ３＝１５度（θ１／４））、＋０．７ｄＢとなり、
これより膜厚が大きくなると更にヘッド特性は向上す
る。Ｔ１が３〜４．１μｍ（Ｔ３が３０度〜４５度）の
間で＋１ｄＢを超えるような特性が得られた。Ｔ１が６
μｍ（Ｔ３＝６０度：この時巻線溝斜面とタ−ゲット面
が平行）でもＴ３＝０度に比べてわずかに高い特性（＋
０．５ｄＢ）が得られている。Ｔ３を４５度以上にした
ときに巻線溝斜面の膜厚が大きくなるにも関わらずヘッ
ド特性が下がり始めるのは、ギャップ面の膜質が徐々に
悪くなること、膜による応力でフェライトの特性が悪く
なることなどが考えられる。この結果からＴ１を２．２
μｍ〜６μｍ（この時Ｔ３を１５度（θ１／４）〜６０
度（θ１））の範囲に設定することでで従来に比べて優
れた特性のヘッドが得られ、Ｔ１を３μｍ〜４．１μｍ
（この時Ｔ３を３０度（θ１／２）〜４５度（θ１×
(３／４)））の範囲に設定することで、従来に比べ＋１
ｄＢを超える特性のヘッドが得られる。

【００３４】（表２）にヘッド形状Ｂの結果を示す。Ｂ
ではＴ１が２．５μｍ（この時Ｔ３＝１１度（ほぼθ１
／４））の時、＋０．７ｄＢであり、Ｔ１が大きくなる
とヘッド特性は向上する。Ｔ１が３．５μｍ（Ｔ３＝３
４度）でほぼ最大値を示すような傾向を示し、またＴ１
が４．２μｍ（Ｔ３＝θ１：４５度：巻線溝斜面とタ−
ゲット面が平行）のときは、＋０．７ｄＢであるが、Ｔ
１が４．６μｍ（Ｔ３＝５０度）の時は＋０．１ｄＢ
で、Ｔ３＝０度とほぼ同じ特性であった。この結果か
ら、Ｔ１が２．５μｍ〜４．２μｍ（この時Ｔ３を１
１．３度（θ１／４）〜４５度（θ１））のとき従来に
比べ優れた特性のヘッドが得られ、３μｍ〜３．５μｍ
（Ｔ３：２２．５度（θ１／２）〜３３．８度（θ１×
(３／４)））の時従来に比べて＋１ｄＢを超える特性の
ヘッドが得られる。

【００３５】（表３）にヘッド形状Ｃの結果を示す。Ｃ
でもＢとほぼ同じ傾向が得られ、Ｔ１が２．５μｍの時
＋０．８ｄＢ、Ｔ１が大きくなると更にヘッド特性は良
くなり、Ｔ１が４．６μｍ（Ｔ３＝５０度）で、Ｔ３＝
０の時とほぼ同じであった。

【００３６】（表５）と（表６）にヘッド形状Ａでギャ
ップ面の膜厚をそれぞれ４μｍ、２μｍとしたときのヘ
ッド特性の測定結果を示す。

【００３７】

【表５】

【００３８】

【表６】

【００３９】この時に示す傾向は（表１）の結果とほぼ
同じであった。膜厚２μｍの時に３μｍ、４μｍに比べ
て出力アップが大きいのは、２μｍの場合、従来方法で
はギャップ面での軟磁性膜の膜厚が薄いために記録が不
十分であり、巻線溝斜面の膜厚が大きくなることにより
記録特性がアップしたたことにより、出力アップが大き
くなっている。

【００４０】以上の結果を（表７）にまとめる。

【００４１】

【表７】

【００４２】アペックス角度をθ１、ギャップ面の膜厚
をＴ２としたときに、巻線溝斜面の膜厚Ｔ１が、 COS(3/4×θ１)／COS(1/4×θ１)×Ｔ２≦Ｔ１≦Ｔ２／COS(θ１) （１） を満たす時に、従来に比べて特性の優れた磁気ヘッドが
得られ、 Ｔ２≦Ｔ１≦COS(1/4×θ１)／COS(3/4×θ１)×Ｔ２ （２） を満たすときに、従来の方法で製造した磁気ヘッドに比
べ＋１．０ｄＢを超える特性のヘッドが得られているこ
とが（表７）からわかる。（表１）、（表２）、（表
３）、（表５）及び（表６）の右覧にＴ１が（１）、
（２）式を満たす場合にＯ印を入れた。

【００４３】この時の磁気ヘッドの製造方法としては、
軟磁性膜成膜時に、酸化物磁性材料基板のギャップ面と
タ−ゲット面とのなす角度Ｔ３が式（１）を満たすため
には、 １／４×θ１≦Ｔ３≦θ１ （３） 式（２）を満たすためには、 １／２×θ１≦Ｔ３≦３／４×θ１ （４） となるように、基板を設置してやればよい。

【００４４】また図９に示した対向タ−ゲット式スパッ
タ法を用いて製造した磁気ヘッドの特性に関しても同じ
条件で測定を行った。結果を（表８）に示す。これより
従来の製造方法で作った磁気ヘッドに比べてＡ、Ｂ、Ｃ
の形状ともに＋０．９〜１．５ｄＢの特性のヘッドが得
られた。

【００４５】

【表８】

【００４６】なお本実施例は一例として軟磁性膜にＦｅ
を主成分とし、Ｔａを添加した窒化膜の例を示したが、
この材料だけにとらわれるものでないことは当然のこと
であり、ヘッドのコア材料に用いられるような高透磁
率、低保磁力の金属軟磁性膜であれば同様の効果を示す
のは言うまでもない。例を示すなら、ここで示したよう
なＦｅを主成分とした窒化膜、Ｆｅを主成分とした軟磁
性膜、厚み方向に窒素組成が変調された構造を有する超
構造窒化膜、Ｃｏ系アモルファス膜、センダスト膜、パ
−マロイ膜等が上げられる。

【００４７】図１０に本発明の磁気ヘッドを搭載した磁
気記録再生装置の一例を示す。これは本発明の磁気ヘッ
ドが搭載されたシリンダ−とテ−プ走行部を示した図で
ある。この装置においても、本発明の磁気ヘッドの優れ
た記録再生特性が発揮され、従来のヘッドを用いた場合
に比べて高いヘッド特性が得られ、システム性能を向上
させることができた。

【００４８】

【発明の効果】本発明に示したように、巻線溝斜面の膜
厚を厚くすることにより、高周波でのヘッド効率を改善
することが可能となる。またここに示したような製造方
法により、膜質の優れた軟磁性膜を巻線溝斜面に設ける
ことが可能となり、ヘッド効率及び記録再生特性が優れ
たＭＩＧタイプの磁気ヘッドおよびその製造方法及びそ
れを用いた磁気記録再生装置の実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は巻線溝が片側にだけ形成された本発明
の磁気ヘッドの実施例の断面図 （ｂ）は（ａ）の磁気ギャップ近傍の拡大図

【図２】（ａ）は巻線溝が両側に形成された本発明の磁
気ヘッドの一実施例の断面図 （ｂ）は（ａ）の磁気ギャップ近傍の拡大図

【図３】磁気ヘッドの外観図

【図４】従来の磁気ヘッドの一例の断面図

【図５】巻線溝斜面の膜厚とヘッド効率の計算結果を示
す図

【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法の一実施例を示
す図

【図７】ギャップ面とタ−ゲット面がなす角度と膜厚の
関係を示し、 （ａ）はアペックス角度が６０度の場合の図 （ｂ）はアペックス角度が４５度の場合の図

【図８】斜面に形成された膜の膜厚の考え方の図

【図９】本発明の磁気ヘッドの製造方法の一実施例を示
す図

【図１０】本発明の磁気記録再生装置の一実施例を示す
図

【符号の説明】

１ フェライト ２ 軟磁性膜 ３ ガラス ４ フェライトギャップ面 ５ 巻線溝斜面 １１ タ−ゲット面 １２ タ−ゲット １３ 巻線溝を有するコア ２０ 粒子の飛来方向 ２１ タ−ゲット面となす角度がθＡの斜面 ２２ タ−ゲット面となす角度がθＢの斜面 ２３ タ−ゲット面 ３２ 摺動面 ３３ タ−ゲット ３４ 巻線溝斜面 ３５ コア ３６ コア ４１ 磁気ヘッド ４３ 回転シリンダ− ４４ 磁気テ−プ ４５ 傾斜ポスト ４６ 固定シリンダ−

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも片側のコアが酸化物磁性材料と
   金属軟磁性薄膜から構成され、ギャップ対向面に形成さ
   れている金属軟磁性薄膜とフェライトとの境界面がギャ
   ップ面と略平行になっている磁気ヘッドにおいて、前記
   金属軟磁性薄膜に関して、巻線溝が形成されているコア
   のアペックス部を構成する巻線溝斜面における斜面に垂
   直な方向の膜厚をＴ１、ギャップ面における膜厚をＴ
   ２、前記巻線溝斜面とギャップ面がなす角度をθ１とし
   たときに、Ｔ１が COS（(3/4)×θ１）／COS（(1/4)×θ１）×Ｔ２≦Ｔ１
   ≦COS(θ１)×Ｔ２ となることを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】巻線溝が形成されているコアのアペックス
   部を構成する巻線溝の斜面における斜面に垂直な方向の
   膜厚をＴ１、ギャップ面における膜厚をＴ２、前記巻線
   溝斜面とギャップ面がなす角度をθ１としたときに、Ｔ
   １が Ｔ２≦Ｔ１≦COS（(1/4)×θ１）／COS（(3/4)×θ１）
   ×Ｔ２ となることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】少なくとも片側のコアが酸化物磁性材料と
   金属軟磁性薄膜から構成され、ギャップ対向面に形成さ
   れている金属軟磁性薄膜とフェライトとの境界面がギャ
   ップ面と略平行になっている磁気ヘッドの製造方法にお
   いて、前記金属軟磁性薄膜を形成する時、酸化物磁性材
   料のギャップ面とタ−ゲット面のなす角度をＴ３、巻線
   溝斜面とギャップ面がなす角度をθ１としたときに、Ｔ
   ３が (1/4)×θ１≦Ｔ３≦θ１ となるように、前記巻線溝が形成された酸化物磁性材料
   の基板を設置することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
   法。
4. 【請求項４】酸化物磁性材料のギャップ面とタ−ゲット
   面のなす角度をＴ３、巻線溝斜面とギャップ面がなす角
   度をθ１としたときに、Ｔ３が (1/2)×θ１≦Ｔ３≦(3/4)×θ１ となることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッドの製
   造方法。
5. 【請求項５】少なくとも片側のコアが酸化物磁性材料と
   金属軟磁性薄膜から構成され、ギャップ対向面に形成さ
   れている金属軟磁性薄膜とフェライトとの境界面がギャ
   ップ面とほぼ平行になっている磁気ヘッドの製造方法に
   おいて、前記金属軟磁性薄膜を形成する時、対向タ−ゲ
   ット式スパッタ法を用い、酸化物磁性材料の基板の巻線
   溝が形成されているコアに関しては、タ−ゲット面とコ
   アの磁気テ−プ摺動面が略平行になるように酸化物磁性
   材料基板を設置することを特徴とする磁気ヘッドの製造
   方法。
6. 【請求項６】請求項１または２記載の磁気ヘッドが搭載
   されていることを特徴とする磁気記録再生装置。