JPH0713070A - 負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法 - Google Patents
負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法Info
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- JPH0713070A JPH0713070A JP5158708A JP15870893A JPH0713070A JP H0713070 A JPH0713070 A JP H0713070A JP 5158708 A JP5158708 A JP 5158708A JP 15870893 A JP15870893 A JP 15870893A JP H0713070 A JPH0713070 A JP H0713070A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】負レンズを有する光学系の設計上の自由度を増
し、製作上のコストの低減をも同時に実現する。 【構成】光軸以外の領域を物点或いは像点として使用す
る光学系において、光束の通過する領域ではレンズ厚は
正の値となるが軸上中心厚は零或いは負の値となる負レ
ンズを採用し、該負レンズを用いた光学系を設計する。
また前記負レンズにおいて、該負レンズとなるレンズ部
材の一方の面を予め研磨し、該一方の面を機材に張り付
け、該レンズ部材の他方の面を研磨して該レンズ部材の
中心において基材を露出させ、その後基材より剥がして
前記負レンズを製作する。
し、製作上のコストの低減をも同時に実現する。 【構成】光軸以外の領域を物点或いは像点として使用す
る光学系において、光束の通過する領域ではレンズ厚は
正の値となるが軸上中心厚は零或いは負の値となる負レ
ンズを採用し、該負レンズを用いた光学系を設計する。
また前記負レンズにおいて、該負レンズとなるレンズ部
材の一方の面を予め研磨し、該一方の面を機材に張り付
け、該レンズ部材の他方の面を研磨して該レンズ部材の
中心において基材を露出させ、その後基材より剥がして
前記負レンズを製作する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光軸以外の領域を物点
或いは像点として使用する結像光学系または照明光学系
等の光学系に関する。
或いは像点として使用する結像光学系または照明光学系
等の光学系に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学レンズの多くは回転対称な面を持ち
その中心から有効径の最端部にわたって全ての領域を使
用する場合もあるが、その一部だけを使用する場合もあ
る。この時更にそのレンズの中心以外の領域のみを使用
することがある。
その中心から有効径の最端部にわたって全ての領域を使
用する場合もあるが、その一部だけを使用する場合もあ
る。この時更にそのレンズの中心以外の領域のみを使用
することがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来技術に
おいてはどのようなレンズも中心厚は常に正の値を持
つ。一般の光学ガラスで正の屈折力を持つレンズでは、
加工上必要な縁厚を得るためにその中心厚は必ず正の値
となる。しかし負の屈折力を持ち中心及び中心付近で光
が通過しないようなレンズは、光束の通過する領域にお
いてレンズ厚が正の値となれば良くその中心厚が必ずし
も正となる必要はない。この中心厚を正とする事はその
負レンズを有する光学系を設計する上での自由度を少な
くしている。更に、この中心厚が大きければその分だけ
レンズの体積が増大して重量も大きくなりガラス製造に
おけるコストの上昇を招く。
おいてはどのようなレンズも中心厚は常に正の値を持
つ。一般の光学ガラスで正の屈折力を持つレンズでは、
加工上必要な縁厚を得るためにその中心厚は必ず正の値
となる。しかし負の屈折力を持ち中心及び中心付近で光
が通過しないようなレンズは、光束の通過する領域にお
いてレンズ厚が正の値となれば良くその中心厚が必ずし
も正となる必要はない。この中心厚を正とする事はその
負レンズを有する光学系を設計する上での自由度を少な
くしている。更に、この中心厚が大きければその分だけ
レンズの体積が増大して重量も大きくなりガラス製造に
おけるコストの上昇を招く。
【０００４】そこで本発明はこの様な点に鑑みて、負レ
ンズを有する光学系の設計上の自由度を増し、製作上の
コストの低減をも同時に実現することを目的とする。
ンズを有する光学系の設計上の自由度を増し、製作上の
コストの低減をも同時に実現することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】これを解決するために、
光軸以外の領域を物点或いは像点として使用する光学系
において光束の通過する領域ではレンズ厚は正の値とな
るが軸上中心厚は零或いは負の値となる負レンズを採用
し、該負レンズを用いた光学系を設計する。また前記負
レンズにおいて、該負レンズとなるレンズ部材の一方の
面を予め研磨し、該一方の面を機材に張り付け、該レン
ズ部材の他方の面を研磨して該レンズ部材の中心におい
て基材を露出させ、その後基材より剥がして前記負レン
ズを製作する。
光軸以外の領域を物点或いは像点として使用する光学系
において光束の通過する領域ではレンズ厚は正の値とな
るが軸上中心厚は零或いは負の値となる負レンズを採用
し、該負レンズを用いた光学系を設計する。また前記負
レンズにおいて、該負レンズとなるレンズ部材の一方の
面を予め研磨し、該一方の面を機材に張り付け、該レン
ズ部材の他方の面を研磨して該レンズ部材の中心におい
て基材を露出させ、その後基材より剥がして前記負レン
ズを製作する。
【０００６】
【作用】光学設計上負レンズにおいて、該負レンズの中
央部を光束が通過しない場合で、負レンズの中心厚を零
または負とすることがより好ましい場合には、光束の通
過する領域においてレンズ厚が正の値となる程度に中心
厚を負とする。これにより、レンズ設計の自由度が増
す。
央部を光束が通過しない場合で、負レンズの中心厚を零
または負とすることがより好ましい場合には、光束の通
過する領域においてレンズ厚が正の値となる程度に中心
厚を負とする。これにより、レンズ設計の自由度が増
す。
【０００７】また、該負レンズを実際に製作し、光学系
中に挿入する。これによって、光学系の全長を短くする
ことが出来、コストも抑えることが出来る。
中に挿入する。これによって、光学系の全長を短くする
ことが出来、コストも抑えることが出来る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明における実施例につき図面を参
照して説明する。 〔第１実施例〕図１は本発明による中心厚が負のレンズ
の断面図である。二つのレンズ面Ｒ１，Ｒ２が中心と周
辺で交差しており中心厚ｄが負となっている（ｄ＜
０）。このレンズの第１面Ｒ１の曲率半径は絶対値で17
9.437mm となっている。第２面Ｒ２の曲率半径は絶対値
で616.449mm となっていて、光軸上における第１面Ｒ１
との間隔ｄは-1.000mmである。
照して説明する。 〔第１実施例〕図１は本発明による中心厚が負のレンズ
の断面図である。二つのレンズ面Ｒ１，Ｒ２が中心と周
辺で交差しており中心厚ｄが負となっている（ｄ＜
０）。このレンズの第１面Ｒ１の曲率半径は絶対値で17
9.437mm となっている。第２面Ｒ２の曲率半径は絶対値
で616.449mm となっていて、光軸上における第１面Ｒ１
との間隔ｄは-1.000mmである。
【０００９】図２は図１のレンズを第６番目のレンズＬ
６として使用した光学系の構成図である。光学系全体の
説明をすると、図２に示す様に、レチクル面Ｒ上の光軸
から外れたある一点から出た光が平面鏡Ｍ１で直角に折
り曲げられ第１レンズ群Ｇ１を通る。第１レンズ群Ｇ１
は、レチクルＲからの光線が入射する順に、レチクルＲ
側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１，レチクル側
に曲率の強い面を向けた両凸正レンズＬ２，両凹負レン
ズＬ３から構成されている。次に光線は第２レンズ群Ｇ
２のレンズＬ４を通り凹面鏡Ｍ２によって反射される。
レンズＬ４は凹面鏡Ｍ２に対して凸面を向けた負メニス
カスレンズである。凹面鏡Ｍ２での反射光は再びレンズ
Ｌ４を通り、更に第３レンズ群Ｇ３を通る。第３レンズ
群Ｇ３は、レチクルＲからの光線の入射する順に、凹面
鏡Ｍ２側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ５，本発
明による中心厚が負の両凹負レンズＬ６，及び両凸レン
ズＬ７で構成されている。このとき光線はレンズＬ６の
近傍で一回結像する。
６として使用した光学系の構成図である。光学系全体の
説明をすると、図２に示す様に、レチクル面Ｒ上の光軸
から外れたある一点から出た光が平面鏡Ｍ１で直角に折
り曲げられ第１レンズ群Ｇ１を通る。第１レンズ群Ｇ１
は、レチクルＲからの光線が入射する順に、レチクルＲ
側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１，レチクル側
に曲率の強い面を向けた両凸正レンズＬ２，両凹負レン
ズＬ３から構成されている。次に光線は第２レンズ群Ｇ
２のレンズＬ４を通り凹面鏡Ｍ２によって反射される。
レンズＬ４は凹面鏡Ｍ２に対して凸面を向けた負メニス
カスレンズである。凹面鏡Ｍ２での反射光は再びレンズ
Ｌ４を通り、更に第３レンズ群Ｇ３を通る。第３レンズ
群Ｇ３は、レチクルＲからの光線の入射する順に、凹面
鏡Ｍ２側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ５，本発
明による中心厚が負の両凹負レンズＬ６，及び両凸レン
ズＬ７で構成されている。このとき光線はレンズＬ６の
近傍で一回結像する。
【００１０】次に光線は凹面鏡Ｍ３により反射され平面
鏡Ｍ４によって曲げられる。平面鏡Ｍ４は光軸を直角に
折り曲げる様に配置されている。Ｍ４で反射された光線
は第４レンズ群Ｇ４を通ってウェハー面Ｗ上の光軸から
外れた位置に再び結像される。第４レンズ群Ｇ４は、レ
チクルＲからの光線が入射する順に、凹面鏡Ｍ３側に曲
率の強い面を向けた両凸正レンズＬ８，ウェハー側に凸
面を向けたメニスカスレンズＬ９，凹面鏡Ｍ３側に凸面
を向けた正メニスカスレンズＬ１０，両凹負レンズＬ１
１，両凸正レンズＬ１２，凹面鏡Ｍ３側に凸面を向けた
メニスカスレンズＬ１３，凹面鏡Ｍ３側により強い曲率
の面を向けた正レンズＬ１４から成っている。
鏡Ｍ４によって曲げられる。平面鏡Ｍ４は光軸を直角に
折り曲げる様に配置されている。Ｍ４で反射された光線
は第４レンズ群Ｇ４を通ってウェハー面Ｗ上の光軸から
外れた位置に再び結像される。第４レンズ群Ｇ４は、レ
チクルＲからの光線が入射する順に、凹面鏡Ｍ３側に曲
率の強い面を向けた両凸正レンズＬ８，ウェハー側に凸
面を向けたメニスカスレンズＬ９，凹面鏡Ｍ３側に凸面
を向けた正メニスカスレンズＬ１０，両凹負レンズＬ１
１，両凸正レンズＬ１２，凹面鏡Ｍ３側に凸面を向けた
メニスカスレンズＬ１３，凹面鏡Ｍ３側により強い曲率
の面を向けた正レンズＬ１４から成っている。
【００１１】上記の如き光学系において、光軸から離れ
た位置に円弧状のスリットを使ってレチクルＲ上のパタ
ーンをウェハーＷ上に投影するすることが出来、ステッ
プアンドスキャン方式によって縮小投影が行なわれる。
この実施例の光学系においては、レチクルＲ上のパター
ンがウェハーＷ上にに１／４倍で結像され、しかも両側
テレセントリック性が実現されている。
た位置に円弧状のスリットを使ってレチクルＲ上のパタ
ーンをウェハーＷ上に投影するすることが出来、ステッ
プアンドスキャン方式によって縮小投影が行なわれる。
この実施例の光学系においては、レチクルＲ上のパター
ンがウェハーＷ上にに１／４倍で結像され、しかも両側
テレセントリック性が実現されている。
【００１２】本実施例の光学的結像性能について述べる
と、193.30nmを基準波長として波長幅±0.4nm に対して
色収差を含めて収差補正されており、スリット幅2mm で
収差量はウェハー面Ｗ上で0.2 μm 程度まで良好に補正
されている。ここで本実施例のレンズは、図１に示す様
に、光線の通過する光束通過領域（図中斜線部）におい
てはレンズ面の間隔は正となっているので不都合は生じ
ない。更に図１では光線の通過する光束通過領域以外に
ついても描かれているが必要な領域を確保すればその外
形に対しての制約はない。またこの図ではタンジェンシ
ャル方向の断面図だけが示されているが、円弧状スリッ
トを使って投影する場合にサジタル方向にも必要な領域
を確保することは勿論のことである。 〔第２実施例〕図３は本発明による別の実施例としての
負レンズの断面図である。図１の実施例と同様にレンズ
面Ｒ１，Ｒ２が中心と周辺とで交差しており中心厚ｄが
負となっている（ｄ＜０）。このレンズの第１面Ｒ１の
曲率半径は絶対値で232.406mmとなっている。第２面Ｒ
２の曲率半径は絶対値で724.280mm となっていて、光軸
上における第１面Ｒ１との間隔は-5.000mmである。
と、193.30nmを基準波長として波長幅±0.4nm に対して
色収差を含めて収差補正されており、スリット幅2mm で
収差量はウェハー面Ｗ上で0.2 μm 程度まで良好に補正
されている。ここで本実施例のレンズは、図１に示す様
に、光線の通過する光束通過領域（図中斜線部）におい
てはレンズ面の間隔は正となっているので不都合は生じ
ない。更に図１では光線の通過する光束通過領域以外に
ついても描かれているが必要な領域を確保すればその外
形に対しての制約はない。またこの図ではタンジェンシ
ャル方向の断面図だけが示されているが、円弧状スリッ
トを使って投影する場合にサジタル方向にも必要な領域
を確保することは勿論のことである。 〔第２実施例〕図３は本発明による別の実施例としての
負レンズの断面図である。図１の実施例と同様にレンズ
面Ｒ１，Ｒ２が中心と周辺とで交差しており中心厚ｄが
負となっている（ｄ＜０）。このレンズの第１面Ｒ１の
曲率半径は絶対値で232.406mmとなっている。第２面Ｒ
２の曲率半径は絶対値で724.280mm となっていて、光軸
上における第１面Ｒ１との間隔は-5.000mmである。
【００１３】図４は図３のレンズを第５番目のレンズＬ
５として用いた光学系の構成図である。この実施例に用
いた光学系も半導体製造装置用の縮小投影光学系として
使用される。光学系全体の説明をすると、図４に示す様
に、レチクル面Ｒ上の光軸から外れたある一点から出た
光が第１レンズ群Ｇ１を通り凹面鏡Ｍ１によって反射さ
れる。第１レンズ群Ｇ１は、レチクルＲから光線が入射
する順に、両凸レンズＬ１，レチクルＲ側に曲率の強い
凸面を向けた正レンズＬ２，レチクルＲ側に曲率の弱い
凸面を向けた負メニスカスレンズＬ３となっている。凹
面鏡Ｍ１からの反射光線は平面鏡Ｍ２で折り曲げられ、
第２レンズ群Ｇ２の近傍で一回結像する。結像した光線
は第２レンズ群Ｇ２を通り、更に第３レンズ群としての
レンズＬ７を通った後凹面鏡Ｍ３によって反射され再び
レンズＬ７を通る。第２レンズ群Ｇ２は、レチクルＲか
ら光線が入射する順に、レチクルＲ側に凸面を向けた正
メニスカスレンズＬ４，本発明による中心厚が負の負メ
ニスカスレンズＬ５，両凸レンズＬ６で構成されてい
る。第３レンズ群としてのレンズＬ７は凹面鏡Ｍ３に凸
面を向けた負メニスカスレンズである。
５として用いた光学系の構成図である。この実施例に用
いた光学系も半導体製造装置用の縮小投影光学系として
使用される。光学系全体の説明をすると、図４に示す様
に、レチクル面Ｒ上の光軸から外れたある一点から出た
光が第１レンズ群Ｇ１を通り凹面鏡Ｍ１によって反射さ
れる。第１レンズ群Ｇ１は、レチクルＲから光線が入射
する順に、両凸レンズＬ１，レチクルＲ側に曲率の強い
凸面を向けた正レンズＬ２，レチクルＲ側に曲率の弱い
凸面を向けた負メニスカスレンズＬ３となっている。凹
面鏡Ｍ１からの反射光線は平面鏡Ｍ２で折り曲げられ、
第２レンズ群Ｇ２の近傍で一回結像する。結像した光線
は第２レンズ群Ｇ２を通り、更に第３レンズ群としての
レンズＬ７を通った後凹面鏡Ｍ３によって反射され再び
レンズＬ７を通る。第２レンズ群Ｇ２は、レチクルＲか
ら光線が入射する順に、レチクルＲ側に凸面を向けた正
メニスカスレンズＬ４，本発明による中心厚が負の負メ
ニスカスレンズＬ５，両凸レンズＬ６で構成されてい
る。第３レンズ群としてのレンズＬ７は凹面鏡Ｍ３に凸
面を向けた負メニスカスレンズである。
【００１４】レンズＬ７を通った光線は平面鏡Ｍ４によ
って曲げられる。平面鏡Ｍ４は光軸を直角に折り曲げる
様に配置されている。平面鏡Ｍ４で反射された光線は第
４レンズ群Ｇ４を通ってウェハー面Ｗ上の光軸から外れ
た位置に再び結像される。第４レンズ群Ｇ４は、レチク
ルＲから光線が入射する順に、ウェハー側に凸面を向け
た正メニスカスレンズＬ８，凹面鏡Ｍ３側に曲率の強い
凸面を向けた正レンズＬ９，凹面鏡Ｍ３側に曲率の強い
凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１０，両凹負レンズ
Ｌ１１，中心厚の大きな両凸正レンズＬ１２，凹面鏡Ｍ
３側に曲率の強い凸面を向けた中心厚の大きな正レンズ
Ｌ１３，凹面鏡Ｍ３側に凸面を向けた正レンズＬ１４か
ら成っている。
って曲げられる。平面鏡Ｍ４は光軸を直角に折り曲げる
様に配置されている。平面鏡Ｍ４で反射された光線は第
４レンズ群Ｇ４を通ってウェハー面Ｗ上の光軸から外れ
た位置に再び結像される。第４レンズ群Ｇ４は、レチク
ルＲから光線が入射する順に、ウェハー側に凸面を向け
た正メニスカスレンズＬ８，凹面鏡Ｍ３側に曲率の強い
凸面を向けた正レンズＬ９，凹面鏡Ｍ３側に曲率の強い
凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１０，両凹負レンズ
Ｌ１１，中心厚の大きな両凸正レンズＬ１２，凹面鏡Ｍ
３側に曲率の強い凸面を向けた中心厚の大きな正レンズ
Ｌ１３，凹面鏡Ｍ３側に凸面を向けた正レンズＬ１４か
ら成っている。
【００１５】この光学系においても、光軸から離れた位
置に円弧状のスリットを使ってレチクルＲ上のパターン
をウェハーＷ上に投影することが出来、ステップアンド
スキャン方式によって縮小投影を行うことができる。こ
の実施例ではレチクルＲ上のパターンがウェハーＷ上に
に１／５倍で結像し、しかも両側テレセントリック性が
実現されている。そして、収差量は色収差を含めてウェ
ハー面Ｗ上で0.2 μm 程度まで良好に補正されている。
置に円弧状のスリットを使ってレチクルＲ上のパターン
をウェハーＷ上に投影することが出来、ステップアンド
スキャン方式によって縮小投影を行うことができる。こ
の実施例ではレチクルＲ上のパターンがウェハーＷ上に
に１／５倍で結像し、しかも両側テレセントリック性が
実現されている。そして、収差量は色収差を含めてウェ
ハー面Ｗ上で0.2 μm 程度まで良好に補正されている。
【００１６】ここで本実施例のレンズは、図３に示す様
に、光線の通過する有効領域（図中斜線部）においては
レンズ面の間隔は正となっているので不都合は生じな
い。更に図４では光線の通過する有効領域以外について
も描かれているが必要な領域を確保すればその外形に対
しての制約はない。またこの図でもタンジェンシャル方
向の断面図だけが示されているが、円弧状スリットを使
って投影する場合にサジタル方向にも必要な領域を確保
することは言うまでもない。
に、光線の通過する有効領域（図中斜線部）においては
レンズ面の間隔は正となっているので不都合は生じな
い。更に図４では光線の通過する有効領域以外について
も描かれているが必要な領域を確保すればその外形に対
しての制約はない。またこの図でもタンジェンシャル方
向の断面図だけが示されているが、円弧状スリットを使
って投影する場合にサジタル方向にも必要な領域を確保
することは言うまでもない。
【００１７】上記各実施例の光学系は半導体製造装置用
の縮小投影光学系として使用されるものであり、本願と
同一出願人により特願平３−１９５５００などとして、
先に提案されているものである。以下に図２及び図４に
示した第１及び第２実施例の光学系の諸元を示す。 〔第１実施例の諸元〕 倍率β＝０．２５ 像側ＮＡ＝０．４０ Ｎｏ． 曲率半径 面間隔 硝材 （物体面） 195.169 1 ∞ 54.144 平面鏡 Ｍ１ 2 -866.680 22.490 ＳｉＯ2 Ｌ１ Ｇ１ 3 -289.322 0.100 4 300.000 40.939 ＳｉＯ2 Ｌ２ 5 -1924.066 94.475 6 -660.000 15.000 ＳｉＯ2 Ｌ３ 7 200.000 350.376 8 -224.329 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ４ Ｇ２ 9 -345.079 169.624 10 -625.118 -169.624 凹面鏡 Ｍ２ 11 -345.079 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ４ 12 -224.329 -362.315 13 -377.516 -41.628 ＳｉＯ2 Ｌ５ Ｇ３ 14 -1174.572 -343.279 15 179.437 1.000 ＳｉＯ2 Ｌ６ 16 -616.449 -36.943 17 -1962.836 -34.243 ＳｉＯ2 Ｌ７ 18 200.000 -763.164 19 1183.479 670.000 凹面鏡 Ｍ３ 20 ∞ 54.990 平面鏡 Ｍ４ 21 ∞ 67.448 絞り 22 137.820 33.584 ＣａＦ2 Ｌ８ Ｇ４ 23 -2334.036 3.719 24 -601.139 6.997 ＳｉＯ2 Ｌ９ 25 -1724.865 1.741 26 115.892 25.164 ＣａＦ2 Ｌ１０ 27 363.714 11.010 28 -509.247 11.835 ＳｉＯ2 Ｌ１１ 29 146.534 4.698 30 264.873 35.318 ＣａＦ2 Ｌ１２ 31 -294.034 7.153 32 96.741 29.937 ＳｉＯ2 Ｌ１３ 33 70.549 1.351 34 82.283 23.183 ＳｉＯ2 Ｌ１４ 35 1183.332 16.013 屈折率は波長193.30nmで ＳｉＯ2 が1.56019 ＣａＦ2 が1.50137 〔第２実施例の諸元〕 倍率β＝０．２０ 像側ＮＡ＝０．４０ Ｎｏ． 曲率半径 面間隔 硝材 （物体面） 260.957 1 598.932 35.000 ＳｉＯ2 Ｌ１ Ｇ１ 2 -993.066 11.835 3 290.671 38.000 ＳｉＯ2 Ｌ２ 4 2157.728 144.666 5 328.768 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ３ 6 134.934 200.000 7 ∞ 335.000 絞り 8 -819.804 -500.000 凹面鏡 Ｍ１ 9 ∞ -300.000 平面鏡 Ｍ２ 10 -419.129 -25.000 ＳｉＯ2 Ｌ４ Ｇ２ 11 -624.807 -106.649 12 232.406 5.000 ＳｉＯ2 Ｌ５ 13 724.280 -118.174 14 -620.876 -59.000 ＳｉＯ2 Ｌ６ 15 716.114 -612.777 16 259.606 -25.000 ＳｉＯ2 Ｌ７ Ｇ３ 17 886.156 -28.348 18 535.478 28.348 凹面鏡 Ｍ３ 19 886.156 25.000 ＳｉＯ2 Ｌ７ 20 259.606 421.131 21 ∞ 180.000 平面鏡 Ｍ４ 22 -1397.745 12.745 ＳｉＯ2 Ｌ８ Ｇ４ 23 - 350.734 2.000 24 -168.697 32.465 ＳｉＯ2 Ｌ９ 25 -3965.660 1.384 26 188.817 14.825 ＳｉＯ2 Ｌ１０ 27 494.332 10.692 28 -397.127 10.220 ＳｉＯ2 Ｌ１１ 29 383.963 3.670 30 1251.035 53.780 ＳｉＯ2 Ｌ１２ 31 -383.901 0.100 32 107.255 70.805 ＳｉＯ2 Ｌ１３ 33 346.154 0.100 34 156.181 12.340 ＳｉＯ2 Ｌ１４ 35 996.475 10.000 屈折率は波長248.39nmで ＳｉＯ2 が1.50839 ここで本発明の負レンズを製造するための方法について
その一例を示す。
の縮小投影光学系として使用されるものであり、本願と
同一出願人により特願平３−１９５５００などとして、
先に提案されているものである。以下に図２及び図４に
示した第１及び第２実施例の光学系の諸元を示す。 〔第１実施例の諸元〕 倍率β＝０．２５ 像側ＮＡ＝０．４０ Ｎｏ． 曲率半径 面間隔 硝材 （物体面） 195.169 1 ∞ 54.144 平面鏡 Ｍ１ 2 -866.680 22.490 ＳｉＯ2 Ｌ１ Ｇ１ 3 -289.322 0.100 4 300.000 40.939 ＳｉＯ2 Ｌ２ 5 -1924.066 94.475 6 -660.000 15.000 ＳｉＯ2 Ｌ３ 7 200.000 350.376 8 -224.329 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ４ Ｇ２ 9 -345.079 169.624 10 -625.118 -169.624 凹面鏡 Ｍ２ 11 -345.079 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ４ 12 -224.329 -362.315 13 -377.516 -41.628 ＳｉＯ2 Ｌ５ Ｇ３ 14 -1174.572 -343.279 15 179.437 1.000 ＳｉＯ2 Ｌ６ 16 -616.449 -36.943 17 -1962.836 -34.243 ＳｉＯ2 Ｌ７ 18 200.000 -763.164 19 1183.479 670.000 凹面鏡 Ｍ３ 20 ∞ 54.990 平面鏡 Ｍ４ 21 ∞ 67.448 絞り 22 137.820 33.584 ＣａＦ2 Ｌ８ Ｇ４ 23 -2334.036 3.719 24 -601.139 6.997 ＳｉＯ2 Ｌ９ 25 -1724.865 1.741 26 115.892 25.164 ＣａＦ2 Ｌ１０ 27 363.714 11.010 28 -509.247 11.835 ＳｉＯ2 Ｌ１１ 29 146.534 4.698 30 264.873 35.318 ＣａＦ2 Ｌ１２ 31 -294.034 7.153 32 96.741 29.937 ＳｉＯ2 Ｌ１３ 33 70.549 1.351 34 82.283 23.183 ＳｉＯ2 Ｌ１４ 35 1183.332 16.013 屈折率は波長193.30nmで ＳｉＯ2 が1.56019 ＣａＦ2 が1.50137 〔第２実施例の諸元〕 倍率β＝０．２０ 像側ＮＡ＝０．４０ Ｎｏ． 曲率半径 面間隔 硝材 （物体面） 260.957 1 598.932 35.000 ＳｉＯ2 Ｌ１ Ｇ１ 2 -993.066 11.835 3 290.671 38.000 ＳｉＯ2 Ｌ２ 4 2157.728 144.666 5 328.768 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ３ 6 134.934 200.000 7 ∞ 335.000 絞り 8 -819.804 -500.000 凹面鏡 Ｍ１ 9 ∞ -300.000 平面鏡 Ｍ２ 10 -419.129 -25.000 ＳｉＯ2 Ｌ４ Ｇ２ 11 -624.807 -106.649 12 232.406 5.000 ＳｉＯ2 Ｌ５ 13 724.280 -118.174 14 -620.876 -59.000 ＳｉＯ2 Ｌ６ 15 716.114 -612.777 16 259.606 -25.000 ＳｉＯ2 Ｌ７ Ｇ３ 17 886.156 -28.348 18 535.478 28.348 凹面鏡 Ｍ３ 19 886.156 25.000 ＳｉＯ2 Ｌ７ 20 259.606 421.131 21 ∞ 180.000 平面鏡 Ｍ４ 22 -1397.745 12.745 ＳｉＯ2 Ｌ８ Ｇ４ 23 - 350.734 2.000 24 -168.697 32.465 ＳｉＯ2 Ｌ９ 25 -3965.660 1.384 26 188.817 14.825 ＳｉＯ2 Ｌ１０ 27 494.332 10.692 28 -397.127 10.220 ＳｉＯ2 Ｌ１１ 29 383.963 3.670 30 1251.035 53.780 ＳｉＯ2 Ｌ１２ 31 -383.901 0.100 32 107.255 70.805 ＳｉＯ2 Ｌ１３ 33 346.154 0.100 34 156.181 12.340 ＳｉＯ2 Ｌ１４ 35 996.475 10.000 屈折率は波長248.39nmで ＳｉＯ2 が1.50839 ここで本発明の負レンズを製造するための方法について
その一例を示す。
【００１８】図５Ａに示す様に、負レンズとなる前のレ
ンズＬ１と基材としてのレンズＬ２の２枚のレンズを用
意する。此処におけるレンズＬ１は本発明のレンズとな
る研磨前のレンズであり、レンズＬ２は加工で用いられ
るダミーレンズである。この時レンズＬ１の第２面ｒ１
２とレンズＬ２の第１面ｒ２１の曲率半径は同じ或いは
同じ程度とし、レンズＬ１の第２面ｒ１２を得たい曲率
半径としておく。またこの時レンズＬ１の第１面ｒ１１
の曲率半径は得たい曲率半径を持たせておいてもよいし
そうでなくともよい。もしも材料の厚さを少しでも小さ
くするためには、この時のレンズＬ１の第１面ｒ１１の
曲率半径は得たい曲率半径よりも絶対値が大きな値とし
ておくことが望ましい。一方レンズＬ２の第２面ｒ２２
の曲率半径は、加工しやすい値とすれば特に制限はな
い。
ンズＬ１と基材としてのレンズＬ２の２枚のレンズを用
意する。此処におけるレンズＬ１は本発明のレンズとな
る研磨前のレンズであり、レンズＬ２は加工で用いられ
るダミーレンズである。この時レンズＬ１の第２面ｒ１
２とレンズＬ２の第１面ｒ２１の曲率半径は同じ或いは
同じ程度とし、レンズＬ１の第２面ｒ１２を得たい曲率
半径としておく。またこの時レンズＬ１の第１面ｒ１１
の曲率半径は得たい曲率半径を持たせておいてもよいし
そうでなくともよい。もしも材料の厚さを少しでも小さ
くするためには、この時のレンズＬ１の第１面ｒ１１の
曲率半径は得たい曲率半径よりも絶対値が大きな値とし
ておくことが望ましい。一方レンズＬ２の第２面ｒ２２
の曲率半径は、加工しやすい値とすれば特に制限はな
い。
【００１９】次に図５Ｂに示す様に、２枚のレンズをレ
ンズＬ１の第２面ｒ１２とレンズＬ２の第１面ｒ２１で
接着して張り合わせレンズとする。この張り合わせレン
ズの中心部で基材であるレンズＬ２が露出するまで研磨
することにより、図５Ｃに示す様にレンズＬ１を中心厚
が負のレンズとすることが出来る。最後に図５Ｄに示す
様にこのレンズを剥がして中心厚が負の負レンズを得る
ことが出来る。
ンズＬ１の第２面ｒ１２とレンズＬ２の第１面ｒ２１で
接着して張り合わせレンズとする。この張り合わせレン
ズの中心部で基材であるレンズＬ２が露出するまで研磨
することにより、図５Ｃに示す様にレンズＬ１を中心厚
が負のレンズとすることが出来る。最後に図５Ｄに示す
様にこのレンズを剥がして中心厚が負の負レンズを得る
ことが出来る。
【００２０】上記の如き手順によれば、現在一般的に用
いられている加工機械だけで本発明による負レンズを製
作することが出来る。また上記の方法以外にもレンズＬ
２を用いずその他の基材に直接レンズＬ１を張り付けて
レンズＬ１の第１面ｒ１１を研磨する事により、本発明
のレンズを製作することが出来る。
いられている加工機械だけで本発明による負レンズを製
作することが出来る。また上記の方法以外にもレンズＬ
２を用いずその他の基材に直接レンズＬ１を張り付けて
レンズＬ１の第１面ｒ１１を研磨する事により、本発明
のレンズを製作することが出来る。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光学設計
上の自由度を増すことが出来、レンズの体積が小さくな
るのでコストを抑えることが出来る。更に、この負レン
ズの縁厚が小さくなることで複数のレンズを配置する上
での物理的空間を制限する可能性も小さく、鏡筒等の機
械設計上の制限も小さくすることが出来る。
上の自由度を増すことが出来、レンズの体積が小さくな
るのでコストを抑えることが出来る。更に、この負レン
ズの縁厚が小さくなることで複数のレンズを配置する上
での物理的空間を制限する可能性も小さく、鏡筒等の機
械設計上の制限も小さくすることが出来る。
【００２２】尚、本実施例では両凹形状の場合とメニス
カス形状の場合を示したが、平凹の負レンズでもよいこ
とは言うまでもない。
カス形状の場合を示したが、平凹の負レンズでもよいこ
とは言うまでもない。
【図１】本発明による中心厚が負の両凹負レンズの断面
図
図
【図２】図１のレンズを矢印の位置に適用した縮小投影
光学系の断面図
光学系の断面図
【図３】本発明による中心厚が負の凸凹負レンズの断面
図
図
【図４】図４のレンズを矢印の位置に適用した縮小投影
光学系の断面図
光学系の断面図
【図５】本発明による負レンズの製造方法の説明図
Claims (3)
- 【請求項１】厚さが中心部より周辺部で厚い負レンズに
おいて、光束の通過する軸外領域においてレンズ厚は正
の値を有し、中心厚は零或いは負の値を有することを特
徴とする負レンズ。 - 【請求項２】光軸以外の領域を物点或いは像点として使
用する光学系において、光束の通過する領域においてレ
ンズ厚は正の値を有し、軸上中心厚は零或いは負の値を
有する負レンズを含むことを特徴とする光学系。 - 【請求項３】光束の通過する領域においてレンズ厚は正
の値を有し、中心厚は零或いは負の値を有する負レンズ
を製造する方法において、該負レンズとなるレンズ部材
の一方の面を予め研磨し、該一方の面を基材に張り付
け、前記レンズ部材の他方の面を研磨して該レンズ部材
の中心において基材を露出させ、その後基材より剥して
前記負レンズを得ることを特徴とする負レンズの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158708A JPH0713070A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158708A JPH0713070A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713070A true JPH0713070A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15677623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158708A Pending JPH0713070A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047114A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Carl Zeiss:Fa | カタディオプトリック光学系およびそれを有する露光装置 |
| JP2002372668A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158708A patent/JPH0713070A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047114A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Carl Zeiss:Fa | カタディオプトリック光学系およびそれを有する露光装置 |
| JP2002372668A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
| WO2002103431A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Nikon Corporation | Catadioptric system and exposure system provided with the system |
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