JPH07131109A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH07131109A JPH07131109A JP27627993A JP27627993A JPH07131109A JP H07131109 A JPH07131109 A JP H07131109A JP 27627993 A JP27627993 A JP 27627993A JP 27627993 A JP27627993 A JP 27627993A JP H07131109 A JPH07131109 A JP H07131109A
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- Japan
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- substrate
- iii
- semiconductor
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 III−Ｖ族半導体で構成し歪緩和用のバッフ
ァ層を設けてバンドオフセットを改善した半導体レーザ
に関し、活性層の膜厚ゆらぎの増大を防止するために活
性層の平坦化を図る。 【構成】 活性層５が III−Ｖ族半導体混晶で、基板１
が III−Ｖ族半導体結晶であり、基板１上に基板１と異
なる格子定数となるように格子緩和するバッファ層２を
有し、バッファ層２と活性層５の間にクラッド層３とそ
の上のガイド層４が介在する半導体レーザであって、ガ
イド層４がＩｎＧａＡｓＰであり、その厚さＤ（μm ）
が、 Ｄ≧（Ｌ−１）／４ 〔Ｌ：クラッド層３に生じ
る起伏の間隔（μm ）〕であることを特徴とする。ま
た、ガイド層４は、Ｐ組成が０．２５以下であることを
特徴とする。
ァ層を設けてバンドオフセットを改善した半導体レーザ
に関し、活性層の膜厚ゆらぎの増大を防止するために活
性層の平坦化を図る。 【構成】 活性層５が III−Ｖ族半導体混晶で、基板１
が III−Ｖ族半導体結晶であり、基板１上に基板１と異
なる格子定数となるように格子緩和するバッファ層２を
有し、バッファ層２と活性層５の間にクラッド層３とそ
の上のガイド層４が介在する半導体レーザであって、ガ
イド層４がＩｎＧａＡｓＰであり、その厚さＤ（μm ）
が、 Ｄ≧（Ｌ−１）／４ 〔Ｌ：クラッド層３に生じ
る起伏の間隔（μm ）〕であることを特徴とする。ま
た、ガイド層４は、Ｐ組成が０．２５以下であることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、 III−Ｖ族半導体で構
成されて主に光通信に用いられる半導体レーザに関す
る。
成されて主に光通信に用いられる半導体レーザに関す
る。
【０００２】石英ファイバー内での減衰や分散が少ない
１．３μm や１．５５μm の発光波長を有する半導体レ
ーザは、光通信に必須である。これらのレーザは、 III
−Ｖ族半導体で構成されて、温度に対して特性変動が大
きく、高価で大きな冷却装置を必要としており、適用範
囲を狭めている。加入者系に至る光通信システムの拡張
のためには、閾値電流が少なく、温度に対して特性変動
の少ないレーザが要求されている。
１．３μm や１．５５μm の発光波長を有する半導体レ
ーザは、光通信に必須である。これらのレーザは、 III
−Ｖ族半導体で構成されて、温度に対して特性変動が大
きく、高価で大きな冷却装置を必要としており、適用範
囲を狭めている。加入者系に至る光通信システムの拡張
のためには、閾値電流が少なく、温度に対して特性変動
の少ないレーザが要求されている。
【０００３】
【従来の技術】これまでの半導体レーザは、ＧａＡｓ基
板上、またはＩｎＰ基板上に各種化合物半導体を結晶成
長させることにより作成されている。従来の上記光通信
用半導体レーザは、 III−Ｖ族半導体混晶の発光波長が
光通信用に適していることからＩｎＰ基板上に成長され
ているが、ＩｎＰをクラッドとするレーザは、十分大き
なΔＥｃ（コンダクションバンドのエネルギー不連
続）、ΔＥｖ（バレンスバンドのエネルギー不連続）、
バンドオフセットを得ることができないため、特性温度
が低く、高温動作では閾値電流が著しく大きくなるとい
う欠点があった。
板上、またはＩｎＰ基板上に各種化合物半導体を結晶成
長させることにより作成されている。従来の上記光通信
用半導体レーザは、 III−Ｖ族半導体混晶の発光波長が
光通信用に適していることからＩｎＰ基板上に成長され
ているが、ＩｎＰをクラッドとするレーザは、十分大き
なΔＥｃ（コンダクションバンドのエネルギー不連
続）、ΔＥｖ（バレンスバンドのエネルギー不連続）、
バンドオフセットを得ることができないため、特性温度
が低く、高温動作では閾値電流が著しく大きくなるとい
う欠点があった。
【０００４】そこで、特性温度の向上や閾値電流の低減
のために、活性層とクラッド層とのΔＥｃ、ΔＥｖ、お
よびそのバンドオフセットが大きなレーザが望まれる。
これに応えるため改善したものとして、本発明者等は、
基板とクラッド層の間に、基板と異なる格子定数となる
ように格子緩和するバッファ層を挿入した新構造の半導
体レーザを、特願平５−５７６２９号で提案した。
のために、活性層とクラッド層とのΔＥｃ、ΔＥｖ、お
よびそのバンドオフセットが大きなレーザが望まれる。
これに応えるため改善したものとして、本発明者等は、
基板とクラッド層の間に、基板と異なる格子定数となる
ように格子緩和するバッファ層を挿入した新構造の半導
体レーザを、特願平５−５７６２９号で提案した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４は改善された従来
例の問題点を説明するための側面図（ａ），（ｂ）であ
る。図中、１はＧａＡｓ基板、２はＩｎＧａＡｓバッフ
ァ層、３はＩｎＧａＰクラッド層、４はＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層（厚さ０．１μm ）、５はＩｎＧａＡｓ活性層
（厚さ０．０１μm ）、６はＩｎＧａＡｓＰガイド層
（厚さ０．１μm ）、７はＩｎＧａＩｎＧａＰクラッド
層、を示す。
例の問題点を説明するための側面図（ａ），（ｂ）であ
る。図中、１はＧａＡｓ基板、２はＩｎＧａＡｓバッフ
ァ層、３はＩｎＧａＰクラッド層、４はＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層（厚さ０．１μm ）、５はＩｎＧａＡｓ活性層
（厚さ０．０１μm ）、６はＩｎＧａＡｓＰガイド層
（厚さ０．１μm ）、７はＩｎＧａＩｎＧａＰクラッド
層、を示す。
【０００６】図４において、上記提案により改善した従
来例のレーザは、基板１のＧａＡｓよりも大きな格子定
数となるように格子緩和するバッファ層２を挿入して歪
緩和を行っているが、そこでは多数のミスフィット転移
が発生する。ミスフィット転移を多数含む成長層の上に
ＩｎＧａＰを成長させる時、転移上での成長速度が大き
くなり、表面に大きな起伏を生じる。
来例のレーザは、基板１のＧａＡｓよりも大きな格子定
数となるように格子緩和するバッファ層２を挿入して歪
緩和を行っているが、そこでは多数のミスフィット転移
が発生する。ミスフィット転移を多数含む成長層の上に
ＩｎＧａＰを成長させる時、転移上での成長速度が大き
くなり、表面に大きな起伏を生じる。
【０００７】一方、 III−Ｖ族半導体で半導体レーザを
成長させる場合、バンドギャップの大きなＩｎＧａＰを
クラッド層３として用いるのが望ましい。このような事
情から、バッファ層２上に成長したクラッド層３の表面
には（ａ）のように起伏が生じ、その上に成長させたガ
イド層４および活性層５は（ｂ）のように平坦でなくな
り、活性層５の膜厚ゆらぎが極めて大きく増大すること
になる。その結果、この従来例は、発光波長が広がり、
発振閾値が増大する。
成長させる場合、バンドギャップの大きなＩｎＧａＰを
クラッド層３として用いるのが望ましい。このような事
情から、バッファ層２上に成長したクラッド層３の表面
には（ａ）のように起伏が生じ、その上に成長させたガ
イド層４および活性層５は（ｂ）のように平坦でなくな
り、活性層５の膜厚ゆらぎが極めて大きく増大すること
になる。その結果、この従来例は、発光波長が広がり、
発振閾値が増大する。
【０００８】このことは、活性層５が III−Ｖ族半導体
混晶で、基板１がＩｎＰであり、挿入するバッファ層２
を基板１のＩｎＰと異なる格子定数となるように格子緩
和するものにした場合も同様である。
混晶で、基板１がＩｎＰであり、挿入するバッファ層２
を基板１のＩｎＰと異なる格子定数となるように格子緩
和するものにした場合も同様である。
【０００９】そこで本発明は、活性層が III−Ｖ族半導
体混晶で、基板が III−Ｖ族半導体結晶であり、該基板
上に該基板と異なる格子定数となるように格子緩和する
バッファ層を有し、該バッファ層と該活性層の間にクラ
ッド層とその上のガイド層が介在する半導体レーザに関
し、該活性層が容易に平坦になる半導体レーザの提供を
目的とする。
体混晶で、基板が III−Ｖ族半導体結晶であり、該基板
上に該基板と異なる格子定数となるように格子緩和する
バッファ層を有し、該バッファ層と該活性層の間にクラ
ッド層とその上のガイド層が介在する半導体レーザに関
し、該活性層が容易に平坦になる半導体レーザの提供を
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の１例によ
る原理説明図であり、図中、前述した図４と同一符号は
同一対象物を示す。
る原理説明図であり、図中、前述した図４と同一符号は
同一対象物を示す。
【００１１】上記目的を達成するために、本発明による
半導体レーザは、図１を参照して、活性層５が III−Ｖ
族半導体混晶で、基板１が III−Ｖ族半導体結晶であ
り、基板１上に基板１と異なる格子定数となるように格
子緩和するバッファ層２を有し、バッファ層２と活性層
５の間にクラッド層３とその上のガイド層４が介在する
半導体レーザであって、ガイド層４がＩｎＧａＡｓＰで
あり、ガイド層４の厚さＤ（μm ）が、 Ｄ≧（Ｌ−１）／４ Ｌ：該クラッド層に生じる起伏の間隔（μm ） であることを特徴としている。そして、上記ガイド層４
は、Ｐ組成が０．２５以下であることが望ましい。
半導体レーザは、図１を参照して、活性層５が III−Ｖ
族半導体混晶で、基板１が III−Ｖ族半導体結晶であ
り、基板１上に基板１と異なる格子定数となるように格
子緩和するバッファ層２を有し、バッファ層２と活性層
５の間にクラッド層３とその上のガイド層４が介在する
半導体レーザであって、ガイド層４がＩｎＧａＡｓＰで
あり、ガイド層４の厚さＤ（μm ）が、 Ｄ≧（Ｌ−１）／４ Ｌ：該クラッド層に生じる起伏の間隔（μm ） であることを特徴としている。そして、上記ガイド層４
は、Ｐ組成が０．２５以下であることが望ましい。
【００１２】
【作用】多数のミスフィット転移を含むバッファ層２の
上に III−Ｖ族半導体混晶を成長させる場合、成長面の
モフォロジは組成の違いで著しく異なることが分かっ
た。ＩｎＧａＰを成長させると、場所の選択性が大き
く、成長表面に大きな起伏が生じる。一方、ＩｎＧａＡ
ｓまたはＡｓ組成の大きなＩｎＧａＡｓＰを成長させた
場合、（１００）面が安定する傾向があり、厚く成長さ
せると成長面が（１００）面で平坦化する。従って、Ｉ
ｎＧａＰクラッド層３を成長させた後、活性層５を成長
させる前のガイド層４として、平坦化が起こる上記Ｉｎ
ＧａＡｓＰを厚く成長させれば、その成長表面が平坦化
して、活性層５を平坦に成長させることができる。然
も、このＩｎＧａＡｓＰはガイド層４の機能に適合して
いる。
上に III−Ｖ族半導体混晶を成長させる場合、成長面の
モフォロジは組成の違いで著しく異なることが分かっ
た。ＩｎＧａＰを成長させると、場所の選択性が大き
く、成長表面に大きな起伏が生じる。一方、ＩｎＧａＡ
ｓまたはＡｓ組成の大きなＩｎＧａＡｓＰを成長させた
場合、（１００）面が安定する傾向があり、厚く成長さ
せると成長面が（１００）面で平坦化する。従って、Ｉ
ｎＧａＰクラッド層３を成長させた後、活性層５を成長
させる前のガイド層４として、平坦化が起こる上記Ｉｎ
ＧａＡｓＰを厚く成長させれば、その成長表面が平坦化
して、活性層５を平坦に成長させることができる。然
も、このＩｎＧａＡｓＰはガイド層４の機能に適合して
いる。
【００１３】図２は本発明でのガイド層による平坦化の
説明図である。図２において、ＧａＡｓ基板１上に成長
させたＩｎＧａＡｓバッファ層２の上にＩｎＧａＰクラ
ッド層３を成長させると、クラッド層３の成長表面には
（ａ）に示すような起伏が生じる。この起伏の間隔をＬ
（μm ）とする。その上にＩｎＧａＡｓＰガイド層４を
成長させると、その成長は、（ｂ）〜（ｄ）のような段
階を経て進行していくことが分かった。
説明図である。図２において、ＧａＡｓ基板１上に成長
させたＩｎＧａＡｓバッファ層２の上にＩｎＧａＰクラ
ッド層３を成長させると、クラッド層３の成長表面には
（ａ）に示すような起伏が生じる。この起伏の間隔をＬ
（μm ）とする。その上にＩｎＧａＡｓＰガイド層４を
成長させると、その成長は、（ｂ）〜（ｄ）のような段
階を経て進行していくことが分かった。
【００１４】先ず、成長初期には、（ｂ）に示すよう
に、起伏の頂上付近に幅１μm 程度の平坦な（１００）
面が現れる。更に成長を続けると、（ｃ）に示すよう
に、平坦面は一定の割合で広くなる。その広がった平坦
面の幅Ｗ（μm ）は、成長厚さＤ（μm ）との間に次の
関係が成立している。
に、起伏の頂上付近に幅１μm 程度の平坦な（１００）
面が現れる。更に成長を続けると、（ｃ）に示すよう
に、平坦面は一定の割合で広くなる。その広がった平坦
面の幅Ｗ（μm ）は、成長厚さＤ（μm ）との間に次の
関係が成立している。
【００１５】Ｗ＝４Ｄ＋１ 従って、（ｃ）に示すようにＤを〔（Ｌ−１）／４〕よ
り大きくした場合、 Ｗ≧Ｌ となり、ガイド層４はクラッド３の起伏を完全に埋め尽
くして表面が平坦になる。Ｌは３μm 程度であるので、
ガイド層４の厚さＤを０．５μm 以上にすることによ
り、ガイド層の表面を平坦にすることができる。
り大きくした場合、 Ｗ≧Ｌ となり、ガイド層４はクラッド３の起伏を完全に埋め尽
くして表面が平坦になる。Ｌは３μm 程度であるので、
ガイド層４の厚さＤを０．５μm 以上にすることによ
り、ガイド層の表面を平坦にすることができる。
【００１６】以上により、図１の半導体レーザは、活性
層５が平坦になってその膜厚ゆらぎが低減し、発光波長
の広がりや発振閾値の点で特性が向上する。そして、ガ
イド層４のＰ組成を０．２５以下にすれば、その混晶で
あるＩｎＧａＡｓＰのＡｓ組成が大きくなり、上述した
平坦化が安定して実現される。
層５が平坦になってその膜厚ゆらぎが低減し、発光波長
の広がりや発振閾値の点で特性が向上する。そして、ガ
イド層４のＰ組成を０．２５以下にすれば、その混晶で
あるＩｎＧａＡｓＰのＡｓ組成が大きくなり、上述した
平坦化が安定して実現される。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について図３を用いて説
明する。図３は実施例の斜視図であり、全図を通し同一
符号は同一対象物を示す。
明する。図３は実施例の斜視図であり、全図を通し同一
符号は同一対象物を示す。
【００１８】図４において、この実施例は、ｎ−Ｉｎ
0.75Ｇａ0.25Ｐクラッド層３（不純物濃度：１×１０18
／ｃｍ3 ）、Ｉｎ0.35Ｇａ0.65Ａｓ0.8 Ｐ0.2 ガイド層
４、Ｉｎ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ活性層５、Ｉｎ0.35Ｇａ0.65
Ａｓ0.8 Ｐ0.2 ガイド層６、ｐ−Ｉｎ0.75Ｇａ0.25Ｐク
ラッド層７（不純物濃度：１×１０18／ｃｍ3 ）、で発
光部を構成した、発光波長１．３μm のリッジ型の通信
用半導体レーザである。
0.75Ｇａ0.25Ｐクラッド層３（不純物濃度：１×１０18
／ｃｍ3 ）、Ｉｎ0.35Ｇａ0.65Ａｓ0.8 Ｐ0.2 ガイド層
４、Ｉｎ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ活性層５、Ｉｎ0.35Ｇａ0.65
Ａｓ0.8 Ｐ0.2 ガイド層６、ｐ−Ｉｎ0.75Ｇａ0.25Ｐク
ラッド層７（不純物濃度：１×１０18／ｃｍ3 ）、で発
光部を構成した、発光波長１．３μm のリッジ型の通信
用半導体レーザである。
【００１９】（１００）ジャストのｎ−ＧａＡｓ基板１
（不純物濃度：２×１０18／ｃｍ3）の上に、前述のバ
ッファ層２として、Ｉｎ組成ｘを０から０．２５まで連
続的に変化させつつｎ−Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（不純物濃
度：１×１０18／ｃｍ3 ）を２μm 成長させ、その上に
Ｉｎ組成を０．２５にしたｎ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
（不純物濃度：１×１０18／ｃｍ3 ）を１μm 成長させ
てあり、多数のミスフィット転移が生じている。このバ
ッファ層２に格子整合するように成長させたレーザは、
ＩｎＰ基板に成長させたレーザに比べて、バンドオフセ
ットの改善がなされている。
（不純物濃度：２×１０18／ｃｍ3）の上に、前述のバ
ッファ層２として、Ｉｎ組成ｘを０から０．２５まで連
続的に変化させつつｎ−Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（不純物濃
度：１×１０18／ｃｍ3 ）を２μm 成長させ、その上に
Ｉｎ組成を０．２５にしたｎ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
（不純物濃度：１×１０18／ｃｍ3 ）を１μm 成長させ
てあり、多数のミスフィット転移が生じている。このバ
ッファ層２に格子整合するように成長させたレーザは、
ＩｎＰ基板に成長させたレーザに比べて、バンドオフセ
ットの改善がなされている。
【００２０】しかし、ミスフィット転移によりクラッド
３（厚さ１μm ）の成長表面には、間隔が３μm 程度で
高低差が０．１μm 程度であるストライプ状の起伏が生
じている。活性層５の下のガイド層４は、厚さが０．５
μm で間隔が３μm 程度の上記起伏を平坦にするのに必
要な膜厚となっている。その結果、厚さ０．０１μmの
活性層５は、基板１側のクラッド層３の成長表面に起伏
が有るにもかかわらず平坦となる。
３（厚さ１μm ）の成長表面には、間隔が３μm 程度で
高低差が０．１μm 程度であるストライプ状の起伏が生
じている。活性層５の下のガイド層４は、厚さが０．５
μm で間隔が３μm 程度の上記起伏を平坦にするのに必
要な膜厚となっている。その結果、厚さ０．０１μmの
活性層５は、基板１側のクラッド層３の成長表面に起伏
が有るにもかかわらず平坦となる。
【００２１】活性層５の上側で、ガイド層６は厚さが
０．０５μm であり、クラッド層７は両側部の厚さが
０．１５μm でリッジ部の厚さが１μm である。クラッ
ド層７の上は、リッジ部の上面に接合する厚さ０．５μ
m のｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓコンタクト層８（不純物
濃度：３×１０19／ｃｍ3 ）が設けられ、絶縁体からな
る電流狭窄層９（通電幅５μm ）を介して金属電極１０
となっている。また、基板１の下も金属電極１１となっ
ている。
０．０５μm であり、クラッド層７は両側部の厚さが
０．１５μm でリッジ部の厚さが１μm である。クラッ
ド層７の上は、リッジ部の上面に接合する厚さ０．５μ
m のｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓコンタクト層８（不純物
濃度：３×１０19／ｃｍ3 ）が設けられ、絶縁体からな
る電流狭窄層９（通電幅５μm ）を介して金属電極１０
となっている。また、基板１の下も金属電極１１となっ
ている。
【００２２】そして、このように構成された半導体レー
ザは、ガイド層４が通常の厚さ （０．０５μm ）のも
のに比べて、閾値電流が約４０％低減し、特性温度が約
３０％向上するといった特性が得られ、従来例より大幅
に特性改善されている。
ザは、ガイド層４が通常の厚さ （０．０５μm ）のも
のに比べて、閾値電流が約４０％低減し、特性温度が約
３０％向上するといった特性が得られ、従来例より大幅
に特性改善されている。
【００２３】なお、以上の説明から理解されるように、
本発明は、実施例の半導体レーザに限られず、実施例と
は III−Ｖ族半導体の組成または組成比率を異にする半
導体レーザにおいても有効である。
本発明は、実施例の半導体レーザに限られず、実施例と
は III−Ｖ族半導体の組成または組成比率を異にする半
導体レーザにおいても有効である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、活
性層が III−Ｖ族半導体混晶で、基板が III−Ｖ族半導
体結晶であり、該基板上に該基板と異なる格子定数とな
るように格子緩和するバッファ層を有し、該バッファ層
と該活性層の間にクラッド層とその上のガイド層が介在
する半導体レーザに関し、該活性層が平坦になる半導体
レーザが提供されて、該バッファ層によるバンドオフセ
ットの改善に伴う該活性層の膜厚ゆらぎの増大を防止で
きる効果があり、かかる半導体レーザの特性向上に寄与
するところが大きい。
性層が III−Ｖ族半導体混晶で、基板が III−Ｖ族半導
体結晶であり、該基板上に該基板と異なる格子定数とな
るように格子緩和するバッファ層を有し、該バッファ層
と該活性層の間にクラッド層とその上のガイド層が介在
する半導体レーザに関し、該活性層が平坦になる半導体
レーザが提供されて、該バッファ層によるバンドオフセ
ットの改善に伴う該活性層の膜厚ゆらぎの増大を防止で
きる効果があり、かかる半導体レーザの特性向上に寄与
するところが大きい。
【図１】 本発明の１例による原理説明図
【図２】 本発明でのガイド層による平坦化の説明図
【図３】 実施例の斜視図
【図４】 改善された従来例の問題点を説明するための
側面図
側面図
１ ＧａＡｓ基板 ２ 歪緩和用のＩｎＧａＡｓバッファ層 ３，７ ＩｎＧａＰクラッド層 ４，６ ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ５ ＩｎＧａＡｓ活性層
Claims (2)
- 【請求項１】 活性層（５）が III−Ｖ族半導体混晶
で、基板（１）が III−Ｖ族半導体結晶であり、該基板
（１）上に該基板（１）と異なる格子定数となるように
格子緩和するバッファ層（２）を有し、該バッファ層
（２）と該活性層（５）の間にクラッド層（３）とその
上のガイド層（４）が介在する半導体レーザであって、 該ガイド層（４）がＩｎＧａＡｓＰであり、該ガイド層
（４）の厚さＤ（μm）が、 Ｄ≧（Ｌ−１）／４ Ｌ：該クラッド層に生じる起伏の間隔（μm ） であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記ガイド層（４）は、Ｐ組成が０．２
５以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27627993A JPH07131109A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27627993A JPH07131109A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131109A true JPH07131109A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17567236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27627993A Withdrawn JPH07131109A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131109A (ja) |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP27627993A patent/JPH07131109A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |