JPH0713217Y2 - 半導体製造装置の下部電極 - Google Patents
半導体製造装置の下部電極Info
- Publication number
- JPH0713217Y2 JPH0713217Y2 JP1988126177U JP12617788U JPH0713217Y2 JP H0713217 Y2 JPH0713217 Y2 JP H0713217Y2 JP 1988126177 U JP1988126177 U JP 1988126177U JP 12617788 U JP12617788 U JP 12617788U JP H0713217 Y2 JPH0713217 Y2 JP H0713217Y2
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- JP
- Japan
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- lower electrode
- wafer
- semiconductor manufacturing
- recess
- wafers
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Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はプラズマCVD装置やドライエッチング装置など
の半導体製造装置の下部電極に関するものである。
の半導体製造装置の下部電極に関するものである。
（従来の技術） 平行平板型プラズマCVD装置について説明すると、上部
電極と下部電極が対向して設けられ、下部電極上にはウ
エハが並べられる。
電極と下部電極が対向して設けられ、下部電極上にはウ
エハが並べられる。
成膜動作中はウエハが加熱され、下部電極が回転する。
下部電極表面を平坦面とし、ウエハをその表面上に単に
載せただけの状態で成膜処理を行なうと、ウエハが下部
電極上から滑り落ちることがある。そこで、下部電極表
面にウエハが嵌り込む円形の凹部を形成したものがあ
る。
下部電極表面を平坦面とし、ウエハをその表面上に単に
載せただけの状態で成膜処理を行なうと、ウエハが下部
電極上から滑り落ちることがある。そこで、下部電極表
面にウエハが嵌り込む円形の凹部を形成したものがあ
る。
（考案が解決しようとする課題） ウエハを保持するための凹部が形成された下部電極で
は、その凹部のサイズは特定のウエハのサイズに合わせ
て設計されている。例えば、第３図に示される６インチ
ウエハ２用の凹部４をもつ下部電極1aが設けられている
とすると、サイズの異なったウエハ、例えば４インチウ
エハを処理しようとすれば、第４図に示される４インチ
ウエハ３用の凹部５が設けられた下部電極1bに交換しな
ければならない。下部電極を交換するにはプラズマCVD
装置のチャンバを開ける必要があるが、一般にプラズマ
CVD装置でチャンバを開けるとチャンバ壁面に付着した
窒化膜や酸化膜から微粉末が多量に発生し、チャンバ内
の清掃を行なわなければならない。そのため、下部電極
の交換には約十数時間というような長時間を必要とし、
プラズマCVD装置の稼働効率が悪くなる。
は、その凹部のサイズは特定のウエハのサイズに合わせ
て設計されている。例えば、第３図に示される６インチ
ウエハ２用の凹部４をもつ下部電極1aが設けられている
とすると、サイズの異なったウエハ、例えば４インチウ
エハを処理しようとすれば、第４図に示される４インチ
ウエハ３用の凹部５が設けられた下部電極1bに交換しな
ければならない。下部電極を交換するにはプラズマCVD
装置のチャンバを開ける必要があるが、一般にプラズマ
CVD装置でチャンバを開けるとチャンバ壁面に付着した
窒化膜や酸化膜から微粉末が多量に発生し、チャンバ内
の清掃を行なわなければならない。そのため、下部電極
の交換には約十数時間というような長時間を必要とし、
プラズマCVD装置の稼働効率が悪くなる。
この問題は、プラズマCVD装置に限らず、ドライエッチ
ング装置など、ウエハ保持用の凹部が設けられた下部電
極をもつ半導体製造装置には共通に存在する。
ング装置など、ウエハ保持用の凹部が設けられた下部電
極をもつ半導体製造装置には共通に存在する。
本考案はサイズの異なるウエハに対しても共通して使用
することのできる下部電極を備えることによって、半導
体製造装置の稼働効率を上げることを目的とするもので
ある。
することのできる下部電極を備えることによって、半導
体製造装置の稼働効率を上げることを目的とするもので
ある。
（課題を解決するための手段） 本考案の下部電極の上面には、多重の円形凹部が内側の
円ほど深さが深くなるように形成されている。
円ほど深さが深くなるように形成されている。
（作用） ウエハに成膜処理やエッチング処理を行なう際、多重の
円形凹部のうち、処理しようとするウエハに合うサイズ
の円形凹部にそのウエハを嵌め込む。
円形凹部のうち、処理しようとするウエハに合うサイズ
の円形凹部にそのウエハを嵌め込む。
（実施例） 第２図に本考案が適用されるプラズマCVD装置の概略を
示す。
示す。
10は円板状の下部電極であり、その中心が回転軸12で支
持されて回転することができる。下部電極10の表面に
は、円周上に複数個のウエハ２を支持するため、凹部が
形成されており、各凹部にはウエハ２が保持されてい
る。
持されて回転することができる。下部電極10の表面に
は、円周上に複数個のウエハ２を支持するため、凹部が
形成されており、各凹部にはウエハ２が保持されてい
る。
下部電極10の表面に対向して円板状の上部電極14が設け
られている。下部電極10と上部電極14はチャンバ内に設
置され、そのチャンバ内には反応ガスが供給される。下
部電極10と上部電極14間には高周波発振器16が接続さ
れ、下部電極10側が接地されている。高周波発振器16か
ら高周波電圧が印加されてチャンバ内でプラズマ放電が
なされ、ウエハ２上に成膜動作が行なわれる。
られている。下部電極10と上部電極14はチャンバ内に設
置され、そのチャンバ内には反応ガスが供給される。下
部電極10と上部電極14間には高周波発振器16が接続さ
れ、下部電極10側が接地されている。高周波発振器16か
ら高周波電圧が印加されてチャンバ内でプラズマ放電が
なされ、ウエハ２上に成膜動作が行なわれる。
第１図は一実施例における下部電極の１つの凹部18を示
している。下部電極10の表面に設けられた複数個の凹部
18は、例えば６インチウエハ２にも４インチウエハ３に
も共通に使用できるものとするために、大きいサイズの
ウエハ２用の凹部18aと小さいサイズのウエハ３用の凹
部18bが同心円状に形成されており、小さいサイズの凹
部18bは大きいサイズの凹部18aよりも深く形成されてい
る。
している。下部電極10の表面に設けられた複数個の凹部
18は、例えば６インチウエハ２にも４インチウエハ３に
も共通に使用できるものとするために、大きいサイズの
ウエハ２用の凹部18aと小さいサイズのウエハ３用の凹
部18bが同心円状に形成されており、小さいサイズの凹
部18bは大きいサイズの凹部18aよりも深く形成されてい
る。
20はウエハ2,3をウエハ搬送機構から凹部18に入れた
り、凹部18からウエハ2,3をウエハ搬送機構に移送する
ために、下部電極10の下方からウエハ2,3を押し上げる
治具を挿入する孔である。
り、凹部18からウエハ2,3をウエハ搬送機構に移送する
ために、下部電極10の下方からウエハ2,3を押し上げる
治具を挿入する孔である。
次に、本実施例の動作について説明する。
凹部18には大きいサイズ用のもの18aと小さいサイズ用
のもの18bが二重に形成されているので、大きいサイズ
のウエハ２を処理するときは、そのウエハ２は大きいサ
イズの凹部18aに保持され、小さいサイズのウエハ３を
処理するときは、そのウエハ３は小さいサイズの凹部18
bに保持される。
のもの18bが二重に形成されているので、大きいサイズ
のウエハ２を処理するときは、そのウエハ２は大きいサ
イズの凹部18aに保持され、小さいサイズのウエハ３を
処理するときは、そのウエハ３は小さいサイズの凹部18
bに保持される。
このように、２種類のサイズのウエハ2,3に対して搬送
機構のサイズを変更するだけで下部電極10を共通に使用
することができる。
機構のサイズを変更するだけで下部電極10を共通に使用
することができる。
本考案の下部電極はプラズマCVD装置に限らず、ドライ
エッチング装置にも適用することができる。
エッチング装置にも適用することができる。
実施例は２種類のサイズのウエハに適用するために、二
重の円形凹部が形成されたものを示しているが、３種類
以上のサイズのウエハに適用するには、３重以上に凹部
を形成すればよい。
重の円形凹部が形成されたものを示しているが、３種類
以上のサイズのウエハに適用するには、３重以上に凹部
を形成すればよい。
（考案の効果） 本考案の下部電極を備えた半導体製造装置では、サイズ
の異なる複数のウエハに対して同一装置で下部電極を交
換する必要がなく、共通に使用することができる。その
ため半導体製造装置の稼働効率が向上する。
の異なる複数のウエハに対して同一装置で下部電極を交
換する必要がなく、共通に使用することができる。その
ため半導体製造装置の稼働効率が向上する。
第１図は一実施例を示す部分断面図、第２図は本考案が
適用されるプラズマCVD装置を概略的に示す斜視図、第
３図及び第４図は従来の下部電極を示す部分断面図であ
る。 10……下部電極、2,3……ウエハ、18,18a,18b……凹
部。
適用されるプラズマCVD装置を概略的に示す斜視図、第
３図及び第４図は従来の下部電極を示す部分断面図であ
る。 10……下部電極、2,3……ウエハ、18,18a,18b……凹
部。
Claims (1)
- 【請求項１】上面に多重の円形凹部が、内側の円ほど深
さが深くなるように形成されている半導体製造装置の下
部電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988126177U JPH0713217Y2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 半導体製造装置の下部電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988126177U JPH0713217Y2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 半導体製造装置の下部電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245631U JPH0245631U (ja) | 1990-03-29 |
| JPH0713217Y2 true JPH0713217Y2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=31377453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988126177U Expired - Lifetime JPH0713217Y2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 半導体製造装置の下部電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713217Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742174Y2 (ja) * | 1978-07-28 | 1982-09-17 | ||
| JPS6054449A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ搬送治具 |
| JPS6167922A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP1988126177U patent/JPH0713217Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245631U (ja) | 1990-03-29 |
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