JPH0714048B2 - 電荷転送素子およびその駆動方法 - Google Patents
電荷転送素子およびその駆動方法Info
- Publication number
- JPH0714048B2 JPH0714048B2 JP8914686A JP8914686A JPH0714048B2 JP H0714048 B2 JPH0714048 B2 JP H0714048B2 JP 8914686 A JP8914686 A JP 8914686A JP 8914686 A JP8914686 A JP 8914686A JP H0714048 B2 JPH0714048 B2 JP H0714048B2
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- Japan
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- floating diffusion
- diffusion region
- charge transfer
- reset
- reset transistor
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電荷転送素子の出力構造および駆動方法に関
する。
する。
（従来の技術） 従来電荷転送素子の出力構造として、浮遊拡散層法が適
用されてきた。浮遊拡散層法に基づく出力構造の模式図
である第４図を参照して浮遊拡散層法の動作説明を行
う。浮遊拡散層法では、電荷転送レジスタの最終電極８
に続いて、出力電極９を介して電荷検出容量として働く
浮遊拡散領域12が設けられる。浮遊拡散領域12は、リセ
ツトトランジスタ13を介して定電圧源のリセツトドレイ
ン５に接続され、かつ浮遊拡散領域12の電位変動を検出
する電圧出力段14に接続される。浮遊拡散領域12は、電
荷転送レジスタの転送周波数で周期的に信号電荷の流入
を受けて信号電荷を蓄積し、また信号電荷の流入を受け
ない期間に、同一の周波数でリセツトトランジスタ13を
オン状態とする事によりリセツトドレイン５と同電位に
リセツトされる。
用されてきた。浮遊拡散層法に基づく出力構造の模式図
である第４図を参照して浮遊拡散層法の動作説明を行
う。浮遊拡散層法では、電荷転送レジスタの最終電極８
に続いて、出力電極９を介して電荷検出容量として働く
浮遊拡散領域12が設けられる。浮遊拡散領域12は、リセ
ツトトランジスタ13を介して定電圧源のリセツトドレイ
ン５に接続され、かつ浮遊拡散領域12の電位変動を検出
する電圧出力段14に接続される。浮遊拡散領域12は、電
荷転送レジスタの転送周波数で周期的に信号電荷の流入
を受けて信号電荷を蓄積し、また信号電荷の流入を受け
ない期間に、同一の周波数でリセツトトランジスタ13を
オン状態とする事によりリセツトドレイン５と同電位に
リセツトされる。
（発明が解決しようとする問題点） 浮遊拡散層法を適用した電荷転送素子における雑音の主
成分は、浮遊拡散領域12をリセツトする際に生じるリセ
ツト雑音である。リセツト雑音の雑音等価電子数は、浮
遊拡散領域12の電荷蓄積容量をＣフアラド、ボルツマン
定数をｋ、絶対温度をＴケルビン、電子電荷をｑクーロ
ンとすると、 で近似できる。したがつて、雑音を低減させ信号電荷の
検出感度を向上させるためには、Ｃをできるだけ小さく
した方がよい。しかしながら、容量Ｃを小さくした場合
には別の不都合が生じる。すなわち、検出できる最大信
号電荷量の低下である。検出できる最大信号電荷量Qmax
クーロンは、浮遊拡散領域の電位が変動しうる最大振幅
をVmaxボルトとすると、Qmax＝Ｃ×Vmaxなる関係より定
まる。容量Ｃの減少する割合に比例してQmaxは低下す
る。以上より、従来の浮遊拡散層法による電荷検出で
は、検出できる最大信号電荷量を低下させることなく雑
音を減少させ、検出感度を向上させるには限界がある。
成分は、浮遊拡散領域12をリセツトする際に生じるリセ
ツト雑音である。リセツト雑音の雑音等価電子数は、浮
遊拡散領域12の電荷蓄積容量をＣフアラド、ボルツマン
定数をｋ、絶対温度をＴケルビン、電子電荷をｑクーロ
ンとすると、 で近似できる。したがつて、雑音を低減させ信号電荷の
検出感度を向上させるためには、Ｃをできるだけ小さく
した方がよい。しかしながら、容量Ｃを小さくした場合
には別の不都合が生じる。すなわち、検出できる最大信
号電荷量の低下である。検出できる最大信号電荷量Qmax
クーロンは、浮遊拡散領域の電位が変動しうる最大振幅
をVmaxボルトとすると、Qmax＝Ｃ×Vmaxなる関係より定
まる。容量Ｃの減少する割合に比例してQmaxは低下す
る。以上より、従来の浮遊拡散層法による電荷検出で
は、検出できる最大信号電荷量を低下させることなく雑
音を減少させ、検出感度を向上させるには限界がある。
本発明の目的は、この問題点を解決した出力部構造をも
つ電荷転送素子およびその駆動方法を提供する事にあ
る。
つ電荷転送素子およびその駆動方法を提供する事にあ
る。
（問題点を解決するための手段） 本願の第１の発明によれば、出力部が、電荷転送レジス
タに出力ゲートを介して設けられた第１の浮遊拡散領
域，該第１の浮遊拡散領域に第１のリセットトランジス
タを介して設けられた第２の浮遊拡散領域，該第２の浮
遊拡散領域に第２のリセットトランジスタを介して設け
られたリセットドレイン領域並びに該第１および第２の
浮遊拡散領域の電位変動を各各独立に検出する電圧出力
段からなる電荷転送素子が得られる。
タに出力ゲートを介して設けられた第１の浮遊拡散領
域，該第１の浮遊拡散領域に第１のリセットトランジス
タを介して設けられた第２の浮遊拡散領域，該第２の浮
遊拡散領域に第２のリセットトランジスタを介して設け
られたリセットドレイン領域並びに該第１および第２の
浮遊拡散領域の電位変動を各各独立に検出する電圧出力
段からなる電荷転送素子が得られる。
さらに本願の第２の発明によれば、出力部が、電荷転送
レジスタに出力ゲートを介して設けられた第１の浮遊拡
散領域，該第１の浮遊拡散領域に第１のリセットトラン
ジスタを介して設けられた第２の浮遊拡散領域，該第２
の浮遊拡散領域に第２のリセットトランジスタを介して
設けられたリセットドレイン領域並びに該第１および第
２の浮遊拡散領域の電位変動を各々独立に検出する電圧
出力段からなる電荷転送素子の駆動方法であって、該リ
セットドレイン領域を一定のリセット電位を供給する定
電源に接続し、かつ該電荷転送レジスタから該第１また
は第２の浮遊拡散領域に信号電荷が転送されない期間
に、該第１および第２のリセットトランジスタを少なく
とも一定期間同時にオン状態とし、かつ該電荷転送レジ
スタから該第１または第２の浮遊拡散領域に電荷が転送
される期間では、該第１および第２のリセットトランジ
スタのチャネル電位を該リセット電位より浅い値とする
事を特徴とする電荷転送素子の駆動方法が得られる。
レジスタに出力ゲートを介して設けられた第１の浮遊拡
散領域，該第１の浮遊拡散領域に第１のリセットトラン
ジスタを介して設けられた第２の浮遊拡散領域，該第２
の浮遊拡散領域に第２のリセットトランジスタを介して
設けられたリセットドレイン領域並びに該第１および第
２の浮遊拡散領域の電位変動を各々独立に検出する電圧
出力段からなる電荷転送素子の駆動方法であって、該リ
セットドレイン領域を一定のリセット電位を供給する定
電源に接続し、かつ該電荷転送レジスタから該第１また
は第２の浮遊拡散領域に信号電荷が転送されない期間
に、該第１および第２のリセットトランジスタを少なく
とも一定期間同時にオン状態とし、かつ該電荷転送レジ
スタから該第１または第２の浮遊拡散領域に電荷が転送
される期間では、該第１および第２のリセットトランジ
スタのチャネル電位を該リセット電位より浅い値とする
事を特徴とする電荷転送素子の駆動方法が得られる。
（作用） 本発明においては第１および第２の浮遊拡散領域は信号
電荷蓄積のための容量として作用する。また第１および
第２のリセットトランジスタは、第１および第２の浮遊
拡散領域を一定のリセット電位にリセットする働きをも
つと共に、信号電荷が第１または第２の浮遊拡散領域に
流入する期間では、リセットトランジスタのチャネル部
に電位障壁が形成される。この効果により、比較的小さ
な信号電荷は第１の浮遊拡散領域のみに蓄積されて電圧
出力段により検出され、また比較的大きな信号電荷は第
１および第２の浮遊拡散領域に蓄積されて電圧出力段に
より検出される。この時、信号電荷の検出感度は第１の
浮遊拡散領域の蓄積容量のみにより制限をうけ、検出で
きる最大信号電荷量は第１および第２の浮遊拡散領域の
蓄積容量の和によつて定まる。検出感度を制限する蓄積
容量と検出できる最大信号電荷量を制限する容量とは独
立に設定する事が可能となる。
電荷蓄積のための容量として作用する。また第１および
第２のリセットトランジスタは、第１および第２の浮遊
拡散領域を一定のリセット電位にリセットする働きをも
つと共に、信号電荷が第１または第２の浮遊拡散領域に
流入する期間では、リセットトランジスタのチャネル部
に電位障壁が形成される。この効果により、比較的小さ
な信号電荷は第１の浮遊拡散領域のみに蓄積されて電圧
出力段により検出され、また比較的大きな信号電荷は第
１および第２の浮遊拡散領域に蓄積されて電圧出力段に
より検出される。この時、信号電荷の検出感度は第１の
浮遊拡散領域の蓄積容量のみにより制限をうけ、検出で
きる最大信号電荷量は第１および第２の浮遊拡散領域の
蓄積容量の和によつて定まる。検出感度を制限する蓄積
容量と検出できる最大信号電荷量を制限する容量とは独
立に設定する事が可能となる。
（実施例） 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本
願の第１の発明の一実施例である電荷転送素子の出力構
造の模式図である。電荷転送レジスタの最終電極８に続
いて、出力ゲート９、第１の浮遊拡散領域１、第１のリ
セツトトランジスタ３、第２の浮遊拡散領域２、第２の
リセツトトランジスタ４、リセツトドレイン領域５が設
けられており、また第１および第２の浮遊拡散領域（1,
2）は、それぞれ電圧出力段６および７に接続されてい
る。
願の第１の発明の一実施例である電荷転送素子の出力構
造の模式図である。電荷転送レジスタの最終電極８に続
いて、出力ゲート９、第１の浮遊拡散領域１、第１のリ
セツトトランジスタ３、第２の浮遊拡散領域２、第２の
リセツトトランジスタ４、リセツトドレイン領域５が設
けられており、また第１および第２の浮遊拡散領域（1,
2）は、それぞれ電圧出力段６および７に接続されてい
る。
第２図（ａ）〜（ｃ）は、本願の第２の発明の一実施例
により第１図実施例を駆動する際に第１図一実施例の各
電極に供給する電圧波形を示すタイミングチヤートであ
る。第２図に示された各電圧は、時刻T1からT5までを一
周期とする周期的な波形である。電荷転送レジスタの最
終電極８には、第２図（ａ）に示す電圧が印加される。
オン状態である時刻T1からT4の期間では、信号電荷は最
終電極８の直下に蓄積され、オフ状態である時刻T4から
T5の期間に、信号電荷は最終電極８から出力ゲート９の
方向に転送される。この転送の機構は後に詳しく述べ
る。第１のリセツトトランジスタ３のゲートには第２図
（ｂ）に実線で示す電圧が、第２のリセツトトランジス
タ４のゲートには第２図（ｂ）に破線で示す電圧が、そ
れぞれ印加される。時刻T2からT3まで以外の期間では、
第１のリセツトトランジスタ３のゲートに印加される電
圧は、第２のリセツトトランジスタ４のゲートに印加さ
れる電圧より高くなつている。時刻T1からT4までの内の
一定期間、すなわち時刻T2からT3の間、第１および第２
のリセツトトランジスタ（3,4）はオン状態となる。こ
の期間における、第１図において断面構造で示した各領
域の電位は第３図（ａ）に示すようになつている。
により第１図実施例を駆動する際に第１図一実施例の各
電極に供給する電圧波形を示すタイミングチヤートであ
る。第２図に示された各電圧は、時刻T1からT5までを一
周期とする周期的な波形である。電荷転送レジスタの最
終電極８には、第２図（ａ）に示す電圧が印加される。
オン状態である時刻T1からT4の期間では、信号電荷は最
終電極８の直下に蓄積され、オフ状態である時刻T4から
T5の期間に、信号電荷は最終電極８から出力ゲート９の
方向に転送される。この転送の機構は後に詳しく述べ
る。第１のリセツトトランジスタ３のゲートには第２図
（ｂ）に実線で示す電圧が、第２のリセツトトランジス
タ４のゲートには第２図（ｂ）に破線で示す電圧が、そ
れぞれ印加される。時刻T2からT3まで以外の期間では、
第１のリセツトトランジスタ３のゲートに印加される電
圧は、第２のリセツトトランジスタ４のゲートに印加さ
れる電圧より高くなつている。時刻T1からT4までの内の
一定期間、すなわち時刻T2からT3の間、第１および第２
のリセツトトランジスタ（3,4）はオン状態となる。こ
の期間における、第１図において断面構造で示した各領
域の電位は第３図（ａ）に示すようになつている。
第３図において、二重斜線部は電荷を表している。第１
および第２の浮遊拡散領域（1,2）は、同時にオン状態
となる事の効果により、共にリセツトドレイン領域５と
同電位となる。リセツトドレイン領域５には第２図
（ｃ）に示すように一定の電圧が供給されているため、
第１および第２の浮遊拡散領域（1,2）は一定のリセツ
ト電位にリセツトされる。時刻T3以後、第１および第２
のリセツトトランジスタ（3,4）のゲートには、各々一
定の電圧が印加される。これにより、第１および第２の
リセツトトランジスタ（3,4）のチヤネル部には電位障
壁が形成される。時刻T3からT4までの各領域の電位を第
３図（ｂ）に示す。この期間では、本実施例のように、
第１のリセツトトランジスタ３のチヤネル電位は、出力
ゲート下のチヤネル電位より高く、第２のリセツトトラ
ンジスタ４のチヤネル電位は、第１のリセツトトランジ
スタ３のチヤネル電位より低い事が望ましい。
および第２の浮遊拡散領域（1,2）は、同時にオン状態
となる事の効果により、共にリセツトドレイン領域５と
同電位となる。リセツトドレイン領域５には第２図
（ｃ）に示すように一定の電圧が供給されているため、
第１および第２の浮遊拡散領域（1,2）は一定のリセツ
ト電位にリセツトされる。時刻T3以後、第１および第２
のリセツトトランジスタ（3,4）のゲートには、各々一
定の電圧が印加される。これにより、第１および第２の
リセツトトランジスタ（3,4）のチヤネル部には電位障
壁が形成される。時刻T3からT4までの各領域の電位を第
３図（ｂ）に示す。この期間では、本実施例のように、
第１のリセツトトランジスタ３のチヤネル電位は、出力
ゲート下のチヤネル電位より高く、第２のリセツトトラ
ンジスタ４のチヤネル電位は、第１のリセツトトランジ
スタ３のチヤネル電位より低い事が望ましい。
次に、信号電荷の検出される機構について説明する。時
刻T1からT4の間に転送レジスタの最終電極８の直下のチ
ヤネルに蓄積していた信号電荷は、時刻T4から、第３図
（ｃ）に示すように、第１の浮遊拡散領域１に転送し始
める。第１のリセツトトランジスタ３のチヤネル部に形
成された電位障壁のため、転送の初期においては信号電
荷が第２の浮遊拡散領域２に直接転送される事はない。
しかしながら、信号電荷の流入に伴い、第１の浮遊拡散
領域の電位が第１のリセツトトランジスタ４のチヤネル
電位まで低下すると、第１の浮遊拡散領域は飽和状態と
なり、それ以後流入する信号電荷は、第３図（ｄ）に示
すように第２の浮遊拡散領域２に蓄積される。したがつ
て、第１の浮遊拡散領域１を飽和させるに満たないよう
な少量の信号電荷は、第１の浮遊拡散領域１のみに蓄積
されるのに対し、多量の信号電荷は、第１および第２の
浮遊拡散領域（1,2）両方に蓄積される。ただし、第２
の浮遊拡散領域２に信号電荷が蓄積される場合は、第１
の浮遊拡散領域１は必ず飽和状態となつている。第１お
よび第２の浮遊拡散領域（1,2）に蓄積された信号電荷
は、電位出力段（６および７）により、各々独立に検出
される。
刻T1からT4の間に転送レジスタの最終電極８の直下のチ
ヤネルに蓄積していた信号電荷は、時刻T4から、第３図
（ｃ）に示すように、第１の浮遊拡散領域１に転送し始
める。第１のリセツトトランジスタ３のチヤネル部に形
成された電位障壁のため、転送の初期においては信号電
荷が第２の浮遊拡散領域２に直接転送される事はない。
しかしながら、信号電荷の流入に伴い、第１の浮遊拡散
領域の電位が第１のリセツトトランジスタ４のチヤネル
電位まで低下すると、第１の浮遊拡散領域は飽和状態と
なり、それ以後流入する信号電荷は、第３図（ｄ）に示
すように第２の浮遊拡散領域２に蓄積される。したがつ
て、第１の浮遊拡散領域１を飽和させるに満たないよう
な少量の信号電荷は、第１の浮遊拡散領域１のみに蓄積
されるのに対し、多量の信号電荷は、第１および第２の
浮遊拡散領域（1,2）両方に蓄積される。ただし、第２
の浮遊拡散領域２に信号電荷が蓄積される場合は、第１
の浮遊拡散領域１は必ず飽和状態となつている。第１お
よび第２の浮遊拡散領域（1,2）に蓄積された信号電荷
は、電位出力段（６および７）により、各々独立に検出
される。
（発明の効果） 本発明による電荷転送素子の電荷検出感度は、第１の浮
遊拡散領域の蓄積容量C1フアラドにより定まる なる値をもつ雑音等価電子数で与えられる雑音レベルに
より制限を受ける。一方、検出できる最大信号電荷量Q
maxクーロンは、第１および第２の浮遊拡散領域の電位
が変動しうる最大振幅が共にVmaxボルトであるとする
と、(C1+C2)×Vmaxとなる。ただし、C2は第２の浮遊拡
散領域の蓄積容量である。すなわち、最大信号電荷量
は、第１および第２の浮遊拡散領域の蓄積容量の和によ
り定まる。電荷転送素子の応用目的に応じてC1およびC2
の値を適当に設定する事により、所望の検出感度、最大
信号電荷量が得られる。
遊拡散領域の蓄積容量C1フアラドにより定まる なる値をもつ雑音等価電子数で与えられる雑音レベルに
より制限を受ける。一方、検出できる最大信号電荷量Q
maxクーロンは、第１および第２の浮遊拡散領域の電位
が変動しうる最大振幅が共にVmaxボルトであるとする
と、(C1+C2)×Vmaxとなる。ただし、C2は第２の浮遊拡
散領域の蓄積容量である。すなわち、最大信号電荷量
は、第１および第２の浮遊拡散領域の蓄積容量の和によ
り定まる。電荷転送素子の応用目的に応じてC1およびC2
の値を適当に設定する事により、所望の検出感度、最大
信号電荷量が得られる。
上記実施例に示した電荷転送素子は、上記理論で与えら
れる特性を有する事が確認された。C1を、従来の電荷転
送素子の浮遊拡散領域の蓄積容量Ｃの1/10と設定し、C2
をＣと等しく設定した電荷転送素子は、検出感度が10dB
向上し、しかも、最大信号電荷量は１割増加した。
れる特性を有する事が確認された。C1を、従来の電荷転
送素子の浮遊拡散領域の蓄積容量Ｃの1/10と設定し、C2
をＣと等しく設定した電荷転送素子は、検出感度が10dB
向上し、しかも、最大信号電荷量は１割増加した。
第１図は本願の第１の発明の一実施例における出力構造
の模式図、第２図は本願の第２の発明の一実施例により
第１図実施例を駆動する際に第１図実施例の各電極に供
給する電圧波形を示すタイミングチヤートであつて、第
２図（ａ）は最終転送電極に印加する電圧を表すタイミ
ングチヤート、第２図（ｂ）は第１および第２のリセツ
トトランジスタのゲートに印加する電圧を表すタイミン
グチヤート、第２図（ｃ）はリセツトドレインに印加す
る電圧を表すタイミングチヤート、第３図（ａ）〜
（ｄ）は本願の第２の発明の一実施例である駆動方法に
よる電荷検出機構を説明するための電位図、第４図は従
来の電荷転送素子の出力構造を表す模式図である。 図中、１は第１の浮遊拡散領域、２は第２の浮遊拡散領
域、３は第１のリセツトトランジスタ、４は第２のリセ
ツトトランジスタ、５はリセツトドレイン領域、６およ
び７は電圧出力段、８は電荷転送レジスタの最終電極、
９は出力ゲート、10はチヤネル、11は基板を表す。
の模式図、第２図は本願の第２の発明の一実施例により
第１図実施例を駆動する際に第１図実施例の各電極に供
給する電圧波形を示すタイミングチヤートであつて、第
２図（ａ）は最終転送電極に印加する電圧を表すタイミ
ングチヤート、第２図（ｂ）は第１および第２のリセツ
トトランジスタのゲートに印加する電圧を表すタイミン
グチヤート、第２図（ｃ）はリセツトドレインに印加す
る電圧を表すタイミングチヤート、第３図（ａ）〜
（ｄ）は本願の第２の発明の一実施例である駆動方法に
よる電荷検出機構を説明するための電位図、第４図は従
来の電荷転送素子の出力構造を表す模式図である。 図中、１は第１の浮遊拡散領域、２は第２の浮遊拡散領
域、３は第１のリセツトトランジスタ、４は第２のリセ
ツトトランジスタ、５はリセツトドレイン領域、６およ
び７は電圧出力段、８は電荷転送レジスタの最終電極、
９は出力ゲート、10はチヤネル、11は基板を表す。
Claims (2)
- 【請求項１】出力部が、電荷転送レジスタに出力ゲート
を介して設けられた第１の浮遊拡散領域，該第１の浮遊
拡散領域に第１のリセットトランジスタを介して設けら
れた第２の浮遊拡散領域，該第２の浮遊拡散領域に第２
のリセットトランジスタを介して設けられたリセットド
レイン領域並びに該第１および第２の浮遊拡散領域の電
位変動を各各独立に検出する電圧出力段からなる事を特
徴とする電荷転送素子。 - 【請求項２】出力部が、電荷転送レジスタに出力ゲート
を介して設けられた第１の浮遊拡散領域，該第１の浮遊
拡散領域に第１のリセットトランジスタを介して設けら
れた第２の浮遊拡散領域，該第２の浮遊拡散領域に第２
のリセットトランジスタを介して設けられたリセットド
レイン領域並びに該第１および第２の浮遊拡散領域の電
位変動を各々独立に検出する電圧出力段からなる電荷転
送素子の駆動方法において、該リセットドレイン領域を
一定のリセット電位を供給する定電源に接続し、かつ該
電荷転送レジスタから該第１または第２の浮遊拡散領域
に信号電荷が転送されない期間に、該第１および第２の
リセットトランジスタを少なくとも一定期間同時にオン
状態とし、かつ該電荷転送レジスタから該第１または第
２の浮遊拡散領域に電荷が転送される期間では、該第１
および第２のリセットトランジスタのチャネル電位を該
リセット電位より浅い値とする事を特徴とする電荷転送
素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8914686A JPH0714048B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電荷転送素子およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8914686A JPH0714048B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電荷転送素子およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245670A JPS62245670A (ja) | 1987-10-26 |
| JPH0714048B2 true JPH0714048B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13962722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8914686A Expired - Lifetime JPH0714048B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電荷転送素子およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714048B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306932A (en) * | 1989-07-21 | 1994-04-26 | Nec Corporation | Charge transfer device provided with improved output structure |
| JPH03179276A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷検出回路 |
| JPH05251480A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Sony Corp | 電荷電圧変換装置 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8914686A patent/JPH0714048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62245670A (ja) | 1987-10-26 |
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