JPH0714112A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0714112A JPH0714112A JP5174784A JP17478493A JPH0714112A JP H0714112 A JPH0714112 A JP H0714112A JP 5174784 A JP5174784 A JP 5174784A JP 17478493 A JP17478493 A JP 17478493A JP H0714112 A JPH0714112 A JP H0714112A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C29/00—Joining metals with the aid of glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/265—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track
- G11B5/2651—Manufacture
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49039—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing with dual gap materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49055—Fabricating head structure or component thereof with bond/laminating preformed parts, at least two magnetic
- Y10T29/49057—Using glass bonding material
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｉバー１とＵバー２との接合である第一ガラ
スボンディング工程において、予め前記Ｉバー１の鏡面
部１ａにＳｉＯ2 膜５を蒸着した後、ナトリウムまたは
カリウム等のアルカリ温水溶液に一定時間浸漬し、前記
ＳｉＯ2 膜の表面にアルカリ金属を拡散させてガラス化
させた上で、Ｉバー１とＵバー２との接合を行う。 【効果】 信頼性に足るガラスの使用が可能となり、ギ
ャップ長精度及びアジマス精度の良い磁気ヘッドが得ら
れる。
スボンディング工程において、予め前記Ｉバー１の鏡面
部１ａにＳｉＯ2 膜５を蒸着した後、ナトリウムまたは
カリウム等のアルカリ温水溶液に一定時間浸漬し、前記
ＳｉＯ2 膜の表面にアルカリ金属を拡散させてガラス化
させた上で、Ｉバー１とＵバー２との接合を行う。 【効果】 信頼性に足るガラスの使用が可能となり、ギ
ャップ長精度及びアジマス精度の良い磁気ヘッドが得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フロッピーディスクド
ライブ装置に使用される磁気ヘッドの製造に関するもの
である。
ライブ装置に使用される磁気ヘッドの製造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】フロッピーディスクドライブ装置は最近
３．５インチ１３５ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ Ｐｅｒ Ｉｎ
ｃｈ）のタイプが主流になっており、それ用の磁気ヘッ
ドはトンネルイレーズタイプでバルクタイプが主に採用
されており、この傾向は暫く続くと見られている。ま
た、記憶容量は２ＭＢが主力でありこの傾向も暫く続く
と見られている。
３．５インチ１３５ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ Ｐｅｒ Ｉｎ
ｃｈ）のタイプが主流になっており、それ用の磁気ヘッ
ドはトンネルイレーズタイプでバルクタイプが主に採用
されており、この傾向は暫く続くと見られている。ま
た、記憶容量は２ＭＢが主力でありこの傾向も暫く続く
と見られている。
【０００３】このような状況の中で磁気ヘッドに対する
市場の要求はコスト一本に絞られてきた。従って品質は
現状を維持することを必要条件とし、且つ安価な磁気ヘ
ッドの提供が望まれている。
市場の要求はコスト一本に絞られてきた。従って品質は
現状を維持することを必要条件とし、且つ安価な磁気ヘ
ッドの提供が望まれている。
【０００４】以下、従来技術の磁気ヘッドの製造方法を
図面に基づき説明する。図２は従来技術を表す二体型ス
ライダーを有する磁気ヘッドのコアの製造方法を示す図
で有り、（イ）はコアを上面側より見た斜視図、（ロ）
はコアを下面側から見た斜視図、（ハ）はコアチップを
上面側から見た斜視図である。図３は一体型スライダー
を有する磁気ヘッドのガラスモールド工程を示す分解斜
視図、図４は二体型スライダーとコアチップとをガラス
で接合する方法を示す斜視図、図５はコアチップ製造工
程における流し込み方式の第一ガラスボンディング工程
を示す斜視図で、（イ）はガラス熔融前、（ロ）はガラ
ス熔融後を表す。図６は同じくスパッタ方式をの第一ガ
ラスボンディング工程を表す斜視図で、（イ）はガラス
熔融前、（ロ）はガラス熔融後を表す。図７は第二ガラ
スボンディング工程を示す斜視図、である。
図面に基づき説明する。図２は従来技術を表す二体型ス
ライダーを有する磁気ヘッドのコアの製造方法を示す図
で有り、（イ）はコアを上面側より見た斜視図、（ロ）
はコアを下面側から見た斜視図、（ハ）はコアチップを
上面側から見た斜視図である。図３は一体型スライダー
を有する磁気ヘッドのガラスモールド工程を示す分解斜
視図、図４は二体型スライダーとコアチップとをガラス
で接合する方法を示す斜視図、図５はコアチップ製造工
程における流し込み方式の第一ガラスボンディング工程
を示す斜視図で、（イ）はガラス熔融前、（ロ）はガラ
ス熔融後を表す。図６は同じくスパッタ方式をの第一ガ
ラスボンディング工程を表す斜視図で、（イ）はガラス
熔融前、（ロ）はガラス熔融後を表す。図７は第二ガラ
スボンディング工程を示す斜視図、である。
【０００５】従来図２に示すごとき、二体型スライダー
を有するタイプの磁気ヘッドが用いられていた。スライ
ダーは大きいスライダーＬ４１と小さいスライダーＳ４
２より構成され、両スライダーによってコアチップ４３
が挟持されている。このタイプの二体型スライダーは、
セラミックの大きなブロックからダイヤモンドホイール
で削り出して作るか、粉末圧縮成形か、射出成形によっ
て成形されたものを、数箇所仕上げ加工してつくる為、
コスト高になる欠点を有していた。
を有するタイプの磁気ヘッドが用いられていた。スライ
ダーは大きいスライダーＬ４１と小さいスライダーＳ４
２より構成され、両スライダーによってコアチップ４３
が挟持されている。このタイプの二体型スライダーは、
セラミックの大きなブロックからダイヤモンドホイール
で削り出して作るか、粉末圧縮成形か、射出成形によっ
て成形されたものを、数箇所仕上げ加工してつくる為、
コスト高になる欠点を有していた。
【０００６】また、大きいスライダーＬ４１と小さいス
ライダーＳ４２を両者によってコアチップ４３が挟持さ
れた状態で、有機接着剤等により接合される為、夫々の
接触面における摩擦力の作用により、大きいスライダー
Ｌ４１と小さいスライダーＳ４２とコアチップ４３の下
面４１ａ、４２ａ、４３ａが同一面上に揃わないという
欠点を有していた。この現象をコアチップ・スライダー
段差（以降、ＣＳ段差と略記）と呼ぶことにする。該Ｃ
Ｓ段差のバラツキは幅で２０μｍ程度である。
ライダーＳ４２を両者によってコアチップ４３が挟持さ
れた状態で、有機接着剤等により接合される為、夫々の
接触面における摩擦力の作用により、大きいスライダー
Ｌ４１と小さいスライダーＳ４２とコアチップ４３の下
面４１ａ、４２ａ、４３ａが同一面上に揃わないという
欠点を有していた。この現象をコアチップ・スライダー
段差（以降、ＣＳ段差と略記）と呼ぶことにする。該Ｃ
Ｓ段差のバラツキは幅で２０μｍ程度である。
【０００７】一方周知の様に磁気ヘッドの電磁変換特性
の良否を決定する重要な因子にギャップ深さ寸法（４３
ｂに図示、以降はギャップ・デプス、略してＧＤと呼称
する）がある。大きいスライダーＬ４１と小さいスライ
ダーＳ４２とコアチップ４３を接合後（接合後の合成部
品をコア４４と呼ぶ）、ＧＤを精度良く出す為にコア４
４の上面を研磨加工するのであるが、コア４４の上面を
研磨加工する方法は、プレート単位で多数個を一度に加
工する。
の良否を決定する重要な因子にギャップ深さ寸法（４３
ｂに図示、以降はギャップ・デプス、略してＧＤと呼称
する）がある。大きいスライダーＬ４１と小さいスライ
ダーＳ４２とコアチップ４３を接合後（接合後の合成部
品をコア４４と呼ぶ）、ＧＤを精度良く出す為にコア４
４の上面を研磨加工するのであるが、コア４４の上面を
研磨加工する方法は、プレート単位で多数個を一度に加
工する。
【０００８】その際、数百個のコアのＧＤのバラツキが
少なくなるように加工される条件としては、コアチップ
のバックハイト寸法（４３ｃに図示、コアチップの下面
からギャップの下端までの距離）が揃っていること、Ｃ
Ｓ段差のバラツキが少ないこと、コア４４がＧＤ加工用
プレートに接着剤の厚みが一定になるように接着されて
いることが大切である。
少なくなるように加工される条件としては、コアチップ
のバックハイト寸法（４３ｃに図示、コアチップの下面
からギャップの下端までの距離）が揃っていること、Ｃ
Ｓ段差のバラツキが少ないこと、コア４４がＧＤ加工用
プレートに接着剤の厚みが一定になるように接着されて
いることが大切である。
【０００９】ＧＤ寸法の許容バラツキは、２ＭＢの場合
実用上±１０μｍ以内である。従ってＣＳ段差のバラツ
キが幅で２０μｍ程度あると、それだけでＧＤ寸法の許
容バラツキ±１０μｍと同じになってしまう。その為Ｃ
Ｓ段差の層別（４〜５μｍ単位に分類する）作業が必要
になる。
実用上±１０μｍ以内である。従ってＣＳ段差のバラツ
キが幅で２０μｍ程度あると、それだけでＧＤ寸法の許
容バラツキ±１０μｍと同じになってしまう。その為Ｃ
Ｓ段差の層別（４〜５μｍ単位に分類する）作業が必要
になる。
【００１０】このことは単に作業が増加するだけでな
く、ＣＳ段差のバラツキの幅の外側のコアは当然のこと
ながら出現率が少ないので一定（数百個）の数量が溜る
まで、在庫として保管しなければならないことになる。
く、ＣＳ段差のバラツキの幅の外側のコアは当然のこと
ながら出現率が少ないので一定（数百個）の数量が溜る
まで、在庫として保管しなければならないことになる。
【００１１】また、ＣＳ段差のバラツキの幅の更に外側
のコアも更に少ない出現率で発生する。これは結局不良
にせざるを得ない場合が多いので歩留まり低下となりコ
スト低減に対するブレーキとなるのである。
のコアも更に少ない出現率で発生する。これは結局不良
にせざるを得ない場合が多いので歩留まり低下となりコ
スト低減に対するブレーキとなるのである。
【００１２】また、ＣＳ段差の層別作業の際コアチップ
４３とスライダー４１、４２の下面４３ａ、４１ａ、４
２ａにストレスが加わるので、傷や欠けが発生しやす
く、また傷や欠けが発生しなくても残留歪みなどの影響
により品質面での低下を来たす。
４３とスライダー４１、４２の下面４３ａ、４１ａ、４
２ａにストレスが加わるので、傷や欠けが発生しやす
く、また傷や欠けが発生しなくても残留歪みなどの影響
により品質面での低下を来たす。
【００１３】大きいスライダーＬ４１と小さいスライダ
ーＳ４２を両者によってコアチップ４３が挟持された状
態で有機接着剤にて接合される場合は、接合面の清浄度
を一定レベル以上に保つことが接合力を保証する上で重
要である。しかし現実に接合力を１００％保証すること
は、大変難しい。なぜなら、接着剤にて接合する作業は
手作業によって行われるので、汚れが付着する危険性が
常にあるからである。
ーＳ４２を両者によってコアチップ４３が挟持された状
態で有機接着剤にて接合される場合は、接合面の清浄度
を一定レベル以上に保つことが接合力を保証する上で重
要である。しかし現実に接合力を１００％保証すること
は、大変難しい。なぜなら、接着剤にて接合する作業は
手作業によって行われるので、汚れが付着する危険性が
常にあるからである。
【００１４】その結果ごく希に接合面の破壊という致命
欠陥を引き起こす。また致命欠陥を引き起こす一歩手前
の欠陥として、大きいスライダーＬ４１と小さいスライ
ダーＳ４２とコアチップ４３の接合面が僅かにずれるこ
とがある。この現象を面ズレと呼ぶ。面ズレ量は非常に
僅かな量（０．００１〜０．３μｍ）であるので、外観
検査で不良として排除することが困難である。
欠陥を引き起こす。また致命欠陥を引き起こす一歩手前
の欠陥として、大きいスライダーＬ４１と小さいスライ
ダーＳ４２とコアチップ４３の接合面が僅かにずれるこ
とがある。この現象を面ズレと呼ぶ。面ズレ量は非常に
僅かな量（０．００１〜０．３μｍ）であるので、外観
検査で不良として排除することが困難である。
【００１５】特に面ズレ量が０．０１μｍ以下の場合は
電磁変換特性もあまり劣化しないので、電磁変換特性検
査では良品として通過してしまう。面ズレ量が０．０１
μｍ以下の磁気ヘッドを、メディア上を数１００万回シ
ークするメディアウェアーテストを行うとメディア上の
磁性体が削り取られて無くなってしまうことがある。
電磁変換特性もあまり劣化しないので、電磁変換特性検
査では良品として通過してしまう。面ズレ量が０．０１
μｍ以下の磁気ヘッドを、メディア上を数１００万回シ
ークするメディアウェアーテストを行うとメディア上の
磁性体が削り取られて無くなってしまうことがある。
【００１６】この様な有機接着剤にてスライダーとコア
チップとを接合する場合の欠点を改良する為に、接着剤
の代わりにガラスにて接合する方法もある。ガラスにて
接合する方法は接合面の破壊や面ズレのような現象は発
生しないが、大きいスライダーＬ４１と小さいスライダ
ーＳ４２とコアチップ４３の接合面間の僅かな隙間（１
〜２μｍ）にガラスを浸透させる為に、図４に示すよう
な大きいスライダーＬ６１と小さいスライダーＳ６２の
接合面に封着用ガラス６４を保持できるようにコの字型
の溝６１ａ、６２ａを加工しなければならないという面
倒な作業をしなければならない。
チップとを接合する場合の欠点を改良する為に、接着剤
の代わりにガラスにて接合する方法もある。ガラスにて
接合する方法は接合面の破壊や面ズレのような現象は発
生しないが、大きいスライダーＬ４１と小さいスライダ
ーＳ４２とコアチップ４３の接合面間の僅かな隙間（１
〜２μｍ）にガラスを浸透させる為に、図４に示すよう
な大きいスライダーＬ６１と小さいスライダーＳ６２の
接合面に封着用ガラス６４を保持できるようにコの字型
の溝６１ａ、６２ａを加工しなければならないという面
倒な作業をしなければならない。
【００１７】一方、最近二体型スライダーを有する磁気
ヘッドの欠点を補うために、図３に示すごとき一体型ス
ライダーを有する磁気ヘッドが開発された。１５は射出
成形にて製造された一体型スライダーであり、バルク型
コアチップブランク１７を、該一体型スライダー１５に
開けられた長孔１６に挿入し、棒状ガラス１８を熔融さ
せて固定するので、二体型スライダーを有する磁気ヘッ
ドで発生するような、ＣＳ段差のバラツキ、コアチップ
・スライダー間の破壊、面ズレによる電磁変換特性の劣
化や、メディア上の磁性体が削り取られて無くなってし
まうということは無い。
ヘッドの欠点を補うために、図３に示すごとき一体型ス
ライダーを有する磁気ヘッドが開発された。１５は射出
成形にて製造された一体型スライダーであり、バルク型
コアチップブランク１７を、該一体型スライダー１５に
開けられた長孔１６に挿入し、棒状ガラス１８を熔融さ
せて固定するので、二体型スライダーを有する磁気ヘッ
ドで発生するような、ＣＳ段差のバラツキ、コアチップ
・スライダー間の破壊、面ズレによる電磁変換特性の劣
化や、メディア上の磁性体が削り取られて無くなってし
まうということは無い。
【００１８】しかしながら、従来スライダーとコアチッ
プとの接合に有機接着剤を使用していた時には問題にな
らなかったコアチップの製造工程について、新たに問題
が生ずることになった。
プとの接合に有機接着剤を使用していた時には問題にな
らなかったコアチップの製造工程について、新たに問題
が生ずることになった。
【００１９】ここで、コアチップの製造工程を説明する
と、図５（イ）に示すように、治具上でリードライト用
及びイレーズ用のＩバー２１とＵバー２２とを、スペー
サを一部に挟んで互いの鏡面部２１ａ、２２ａを突き合
わせて所定のギャップ長ｇを保持するか、あるいは図６
（イ）に示すように、予めＩバー２１の鏡面部２１ａに
蒸着またはスパッタリングでギャップ長ｇの約３／４に
相当する厚みのＳｉＯ2 層２３をまず形成しておき、そ
の上にスパッタリングでギャップ長ｇの約１／４に相当
する厚みのガラス層２４を形成した上で、それぞれ図５
（ロ）、図６（ロ）に示すように断面が円の棒状ガラス
２５、２５を熔融させてリードライト用及びイレーズ用
のＧＢバー２７を形成する第一ガラスボンディング工程
がある。
と、図５（イ）に示すように、治具上でリードライト用
及びイレーズ用のＩバー２１とＵバー２２とを、スペー
サを一部に挟んで互いの鏡面部２１ａ、２２ａを突き合
わせて所定のギャップ長ｇを保持するか、あるいは図６
（イ）に示すように、予めＩバー２１の鏡面部２１ａに
蒸着またはスパッタリングでギャップ長ｇの約３／４に
相当する厚みのＳｉＯ2 層２３をまず形成しておき、そ
の上にスパッタリングでギャップ長ｇの約１／４に相当
する厚みのガラス層２４を形成した上で、それぞれ図５
（ロ）、図６（ロ）に示すように断面が円の棒状ガラス
２５、２５を熔融させてリードライト用及びイレーズ用
のＧＢバー２７を形成する第一ガラスボンディング工程
がある。
【００２０】また、図７に示すように、予めトラック規
制溝６ａ、７ａの加工と、ＧＢバー６、７の高さを等し
くする加工とがなされたリードライト用及びイレーズ用
のＧＢバー６、７を、互いのＩバー１、１が向かい合う
ように配置し、該Ｉバー１、１間に僅かな隙間（これを
センターシールドと呼ぶ）８を設け、該隙間８の下方に
薄板状ガラス９を挟み、トラック規制溝６ａ、７ａが所
定の位置関係となるように、両ＧＢバー６、７を向かい
合わせて位置決めし、両ＧＢバー６、７の長手方向の両
端を例えばアロンセラミック等の耐熱性無機接着剤１０
にて仮固定し、前記の如く位置決めされた両ＧＢバー
６、７の上に断面が長円の棒状ガラス１１を乗せ、該棒
状ガラス１１を加熱熔融することによりコアブロック１
２を形成する第二ガラスボンディング工程がある。
制溝６ａ、７ａの加工と、ＧＢバー６、７の高さを等し
くする加工とがなされたリードライト用及びイレーズ用
のＧＢバー６、７を、互いのＩバー１、１が向かい合う
ように配置し、該Ｉバー１、１間に僅かな隙間（これを
センターシールドと呼ぶ）８を設け、該隙間８の下方に
薄板状ガラス９を挟み、トラック規制溝６ａ、７ａが所
定の位置関係となるように、両ＧＢバー６、７を向かい
合わせて位置決めし、両ＧＢバー６、７の長手方向の両
端を例えばアロンセラミック等の耐熱性無機接着剤１０
にて仮固定し、前記の如く位置決めされた両ＧＢバー
６、７の上に断面が長円の棒状ガラス１１を乗せ、該棒
状ガラス１１を加熱熔融することによりコアブロック１
２を形成する第二ガラスボンディング工程がある。
【００２１】さらに、前記第二ガラスボンディングで出
来たコアブロックを長手方向に直角に切断研磨して仕上
げたバルク型コアチップブランク１７を、射出成形にて
製造された一体型スライダー１５の長孔１６に挿入し、
その上に断面が円の棒状ガラス１８を乗せ、熔融してコ
アチップブランク１７と一体型スライダー１５とを接合
するガラスモールド工程がある。以上のようにガラスを
使用する三種類の工程がある。
来たコアブロックを長手方向に直角に切断研磨して仕上
げたバルク型コアチップブランク１７を、射出成形にて
製造された一体型スライダー１５の長孔１６に挿入し、
その上に断面が円の棒状ガラス１８を乗せ、熔融してコ
アチップブランク１７と一体型スライダー１５とを接合
するガラスモールド工程がある。以上のようにガラスを
使用する三種類の工程がある。
【００２２】今、第一ガラスボンディング工程、第二ガ
ラスボンディング工程、ガラスモールド工程におけるそ
れぞれの棒状ガラス２５、１１、１８の作業点Ｔｗ
（℃）と軟化点Ｔｓ（℃）とをＴｗ１とＴｓ１、Ｔｗ２
とＴｓ２、Ｔｗ３とＴｓ３とすればＴｗ１−Ｔｓ１≒２
００、Ｔｗ２−Ｔｓ２≒２００、Ｔｓ１≧Ｔｗ２、Ｔｓ
２≧Ｔｗ３のごとき関係が保たれなければならない。な
お、図６のスパッタ方式で使用されるガラスの内、ガラ
ス層２４の形成に用いられるスパッタリング用ガラスの
軟化点Ｔｓは、封着用ガラス２５の軟化点Ｔｓ１と同等
か若干高めにしておかなければＵバー２２との密着性が
得られない。
ラスボンディング工程、ガラスモールド工程におけるそ
れぞれの棒状ガラス２５、１１、１８の作業点Ｔｗ
（℃）と軟化点Ｔｓ（℃）とをＴｗ１とＴｓ１、Ｔｗ２
とＴｓ２、Ｔｗ３とＴｓ３とすればＴｗ１−Ｔｓ１≒２
００、Ｔｗ２−Ｔｓ２≒２００、Ｔｓ１≧Ｔｗ２、Ｔｓ
２≧Ｔｗ３のごとき関係が保たれなければならない。な
お、図６のスパッタ方式で使用されるガラスの内、ガラ
ス層２４の形成に用いられるスパッタリング用ガラスの
軟化点Ｔｓは、封着用ガラス２５の軟化点Ｔｓ１と同等
か若干高めにしておかなければＵバー２２との密着性が
得られない。
【００２３】なぜなら、第一ガラスボンディング工程で
使用されるガラスの軟化点Ｔｓ１が、第二ガラスボンデ
ィング工程にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ２以下だ
と、第二ガラスボンディング工程で第一ガラスボンディ
ング工程に使用したガラス２６、及びガラス層２４が軟
化してしまう。すなわちギャップ長ｇが変わってしまう
からである。
使用されるガラスの軟化点Ｔｓ１が、第二ガラスボンデ
ィング工程にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ２以下だ
と、第二ガラスボンディング工程で第一ガラスボンディ
ング工程に使用したガラス２６、及びガラス層２４が軟
化してしまう。すなわちギャップ長ｇが変わってしまう
からである。
【００２４】同様に第二ガラスボンディング工程にて使
用されるガラスの軟化点Ｔｓ２が、ガラスモールド工程
にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ３以下だと、ガラス
モールド工程で第二ガラスボンディング工程に使用した
ガラスが軟化してしまうので、リードライト用及びイレ
ーズ用のＧＢバーが、図８に示すようにセンターシール
ド部からくの字型に変形してしまうからである。
用されるガラスの軟化点Ｔｓ２が、ガラスモールド工程
にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ３以下だと、ガラス
モールド工程で第二ガラスボンディング工程に使用した
ガラスが軟化してしまうので、リードライト用及びイレ
ーズ用のＧＢバーが、図８に示すようにセンターシール
ド部からくの字型に変形してしまうからである。
【００２５】一つのガラスの作業点Ｔｗと軟化点Ｔｓと
の関係（差）は、ガラスの種類によって異なり、低温ガ
ラスでは１００〜２００℃、高温ガラスでは２００〜２
５０℃であるが、この関係から、第一ガラスボンディン
グ工程にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ１と、ガラス
モールド工程にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ３との
間には約４００℃の差を設けなければならないことにな
る。フロッピーディスクドライブ装置用磁気ヘッドのコ
アチップに使用する素材はマンガン亜鉛フェライトであ
るが、マンガン亜鉛フェライトの磁気特性を劣化させな
いでガラスボンディング出来る温度は最高で９００℃で
ある。従ってＴｗ１を最高の９００℃にするとしても、
Ｔｗ３は５００℃と低くなってしまう。Ｔｗ３が５００
℃のガラスはＴｓ３が４００℃以下となり、耐環境性能
が著しく劣るので、フロッピーディスクドライブ装置用
磁気ヘッドの如く高温高湿または極低温などの過酷な環
境条件下で使用される部品には使用不可である。
の関係（差）は、ガラスの種類によって異なり、低温ガ
ラスでは１００〜２００℃、高温ガラスでは２００〜２
５０℃であるが、この関係から、第一ガラスボンディン
グ工程にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ１と、ガラス
モールド工程にて使用されるガラスの作業点Ｔｗ３との
間には約４００℃の差を設けなければならないことにな
る。フロッピーディスクドライブ装置用磁気ヘッドのコ
アチップに使用する素材はマンガン亜鉛フェライトであ
るが、マンガン亜鉛フェライトの磁気特性を劣化させな
いでガラスボンディング出来る温度は最高で９００℃で
ある。従ってＴｗ１を最高の９００℃にするとしても、
Ｔｗ３は５００℃と低くなってしまう。Ｔｗ３が５００
℃のガラスはＴｓ３が４００℃以下となり、耐環境性能
が著しく劣るので、フロッピーディスクドライブ装置用
磁気ヘッドの如く高温高湿または極低温などの過酷な環
境条件下で使用される部品には使用不可である。
【００２６】
【発明が解決しようとしている課題】以上のように、従
来のスライダーとコアチップとを接合するのに有機接着
剤による方法では、接合の信頼性に問題が残る他、ＣＳ
段差の発生に伴う層別作業や在庫が増大する等のコスト
アップ要因が生じる。また、ガラスによる接合方法では
コアチップの製造工程を含めて３段階のガラス接合工程
があって、ガラスの軟化点の選択幅が狭いことから、使
用できるガラスを選択することが困難であった。
来のスライダーとコアチップとを接合するのに有機接着
剤による方法では、接合の信頼性に問題が残る他、ＣＳ
段差の発生に伴う層別作業や在庫が増大する等のコスト
アップ要因が生じる。また、ガラスによる接合方法では
コアチップの製造工程を含めて３段階のガラス接合工程
があって、ガラスの軟化点の選択幅が狭いことから、使
用できるガラスを選択することが困難であった。
【００２７】本発明の目的は、ＣＳ段差のバラツキの少
ない磁気ヘッドの製造方法を提供することによってＧＤ
出し加工の工数を少なくし、在庫を最小限に押え、安価
で品質の良い磁気ヘッドを提供すること、及びガラスモ
ールド工程に使用するガラスの信頼性を高めて、耐環境
性に優れた磁気ヘッドを提供することにある。
ない磁気ヘッドの製造方法を提供することによってＧＤ
出し加工の工数を少なくし、在庫を最小限に押え、安価
で品質の良い磁気ヘッドを提供すること、及びガラスモ
ールド工程に使用するガラスの信頼性を高めて、耐環境
性に優れた磁気ヘッドを提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の磁気ヘッドの製造方法は、バルク型コアチッ
プと射出成形にて製造された一体型スライダーとを有し
たフロッピーディスクドライブ装置であって、リードラ
イト用及びイレーズ用のＩバーとＵバーとを、互いの鏡
面加工側を突き合わせて、所定のギャップ長を決定し、
リードライト用及びイレーズ用のＧＢバーを形成する第
一ガラスボンディング工程を有する磁気ヘッドの製造方
法において、予めＵバーとＩバーの少なくとも一方のバ
ーの鏡面部にＳｉＯ2 を膜付けし、該ＳｉＯ2 膜の表面
にアルカリ金属を拡散させる処理を施した後、リードラ
イト用及びイレーズ用のＩバーとＵバーとを接合したこ
とを特徴とする。
の本発明の磁気ヘッドの製造方法は、バルク型コアチッ
プと射出成形にて製造された一体型スライダーとを有し
たフロッピーディスクドライブ装置であって、リードラ
イト用及びイレーズ用のＩバーとＵバーとを、互いの鏡
面加工側を突き合わせて、所定のギャップ長を決定し、
リードライト用及びイレーズ用のＧＢバーを形成する第
一ガラスボンディング工程を有する磁気ヘッドの製造方
法において、予めＵバーとＩバーの少なくとも一方のバ
ーの鏡面部にＳｉＯ2 を膜付けし、該ＳｉＯ2 膜の表面
にアルカリ金属を拡散させる処理を施した後、リードラ
イト用及びイレーズ用のＩバーとＵバーとを接合したこ
とを特徴とする。
【００２９】また、高さが等しくなるように加工された
リードライト用及びイレーズ用のＧＢバーを互いのＩバ
ーが向かい合うように配置し、両Ｉバー間に僅かな間隙
を設け、該間隙に薄板状のガラスを挟み、リードライト
用及びイレーズ用のＧＢバーに予め加工されたトラック
規制溝を所定の位置関係となるように位置決めし、リー
ドライト用及びイレーズ用のＧＢバーの長手方向の両端
を耐熱性無機接着剤にて仮固定し、前記の如く位置決め
されたリードライト用及びイレーズ用のＧＢバーの上に
棒状ガラスを乗せ、該棒状ガラスを溶融することにより
コアブロックを形成する第二ガラスボンディング工程に
使用する棒状ガラスの作業点は、前記第一ガラスボンデ
ィング工程で使用する棒状ガラスの作業点とほぼ同じで
あることを特徴とする。
リードライト用及びイレーズ用のＧＢバーを互いのＩバ
ーが向かい合うように配置し、両Ｉバー間に僅かな間隙
を設け、該間隙に薄板状のガラスを挟み、リードライト
用及びイレーズ用のＧＢバーに予め加工されたトラック
規制溝を所定の位置関係となるように位置決めし、リー
ドライト用及びイレーズ用のＧＢバーの長手方向の両端
を耐熱性無機接着剤にて仮固定し、前記の如く位置決め
されたリードライト用及びイレーズ用のＧＢバーの上に
棒状ガラスを乗せ、該棒状ガラスを溶融することにより
コアブロックを形成する第二ガラスボンディング工程に
使用する棒状ガラスの作業点は、前記第一ガラスボンデ
ィング工程で使用する棒状ガラスの作業点とほぼ同じで
あることを特徴とする。
【００３０】
【実施例】以下図面により本発明の一実施例を詳述す
る。図１は第１ガラスボンディング工程を示す部分斜視
図であり、（イ）はガラス熔融前、（ロ）はガラス熔融
後を表す。第二ガラスボンディング工程及びガラスモー
ルド工程については、従来技術と同じなので図７及び図
３を用いて説明を省略する。
る。図１は第１ガラスボンディング工程を示す部分斜視
図であり、（イ）はガラス熔融前、（ロ）はガラス熔融
後を表す。第二ガラスボンディング工程及びガラスモー
ルド工程については、従来技術と同じなので図７及び図
３を用いて説明を省略する。
【００３１】図１（イ）に示すように、本発明による磁
気ヘッドの製造方法によれば、第一ガラスボンディング
工程において、リードライト用及びイレーズ用のＩバー
１の鏡面加工側１ａには、予めＳｉＯ2 が蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法によ
り、所望のギャップ長ｇ（リードライト用とイレーズ用
とでは異なる）に相当する厚みだけ膜付けされる。その
後重炭酸ナトリウムまたは重炭酸カリウム等の温水溶液
に一定時間浸漬し、ＳｉＯ2 膜の表面にナトリウムまた
はカリウム等のアルカリ金属を拡散させて、ＳｉＯ2 膜
５の表面をガラス化させる。
気ヘッドの製造方法によれば、第一ガラスボンディング
工程において、リードライト用及びイレーズ用のＩバー
１の鏡面加工側１ａには、予めＳｉＯ2 が蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法によ
り、所望のギャップ長ｇ（リードライト用とイレーズ用
とでは異なる）に相当する厚みだけ膜付けされる。その
後重炭酸ナトリウムまたは重炭酸カリウム等の温水溶液
に一定時間浸漬し、ＳｉＯ2 膜の表面にナトリウムまた
はカリウム等のアルカリ金属を拡散させて、ＳｉＯ2 膜
５の表面をガラス化させる。
【００３２】前記ＳｉＯ2 膜５のアルカリ金属は、表面
から深くなるにつれて希薄になっている。また、拡散し
たアルカリ金属は極めて微量なので軟化点ＴｓはＳｉＯ
2 の融点（１７３０℃）よりわずかに低い程度であり、
１０００℃以下になることはない。この様に表面処理を
施したＳｉＯ2 膜５を間に挟むように、Ｉバー１、Ｕバ
ー２の鏡面部１ａ、２ａを突き合わせて、ＳｉＯ2 膜５
の厚みを減らす方向に数十〜数百Ｋｇ／ｍｍ2 で加圧し
ながら、載置したガラス４、４を７００〜９００℃で加
熱熔融することにより、図１（ロ）に示すように、Ｉバ
ー１とＵバー２とが熔融ガラス４Ａで接合される。
から深くなるにつれて希薄になっている。また、拡散し
たアルカリ金属は極めて微量なので軟化点ＴｓはＳｉＯ
2 の融点（１７３０℃）よりわずかに低い程度であり、
１０００℃以下になることはない。この様に表面処理を
施したＳｉＯ2 膜５を間に挟むように、Ｉバー１、Ｕバ
ー２の鏡面部１ａ、２ａを突き合わせて、ＳｉＯ2 膜５
の厚みを減らす方向に数十〜数百Ｋｇ／ｍｍ2 で加圧し
ながら、載置したガラス４、４を７００〜９００℃で加
熱熔融することにより、図１（ロ）に示すように、Ｉバ
ー１とＵバー２とが熔融ガラス４Ａで接合される。
【００３３】Ｉバー１のＳｉＯ2 膜５の極めて表面に近
い部分の軟化点Ｔｓは、アルカリ金属の割合が多いの
で、第一ガラスボンディング用のガラスの軟化点Ｔｓ１
に近く、Ｕバー２の鏡面部２ａとの密着力は十分な大き
さがある。ＳｉＯ2 膜５の厚みは厳密に言えば僅かに減
るが、減る量はＳｉＯ2 膜の厚みの１００分の１程度で
あり、実効的には減らないと言っても差支えないのであ
る。したがって膜厚とほぼ等しいギャップ長ｇを有する
ＧＢバー３が得られるわけである。
い部分の軟化点Ｔｓは、アルカリ金属の割合が多いの
で、第一ガラスボンディング用のガラスの軟化点Ｔｓ１
に近く、Ｕバー２の鏡面部２ａとの密着力は十分な大き
さがある。ＳｉＯ2 膜５の厚みは厳密に言えば僅かに減
るが、減る量はＳｉＯ2 膜の厚みの１００分の１程度で
あり、実効的には減らないと言っても差支えないのであ
る。したがって膜厚とほぼ等しいギャップ長ｇを有する
ＧＢバー３が得られるわけである。
【００３４】ＳｉＯ2 膜５とＵバー２鏡面部２ａとの接
合部分におけるアルカリ金属は、第一ガラスボンディン
グ工程を経て、更に拡散を強めるので接合部分における
軟化点Ｔｓが上昇する。この第一ガラスボンディング工
程に使用する棒状ガラス４の軟化点をＴｓ１とし、作業
点をＴｗ１とする。前記棒状ガラス４の一例は、成分が
硼珪酸系であり、熱膨張係数は９０〜９６×１０-7／
℃、軟化点Ｔｓ１は６２０℃、作業点Ｔｗ１は８３０℃
である。
合部分におけるアルカリ金属は、第一ガラスボンディン
グ工程を経て、更に拡散を強めるので接合部分における
軟化点Ｔｓが上昇する。この第一ガラスボンディング工
程に使用する棒状ガラス４の軟化点をＴｓ１とし、作業
点をＴｗ１とする。前記棒状ガラス４の一例は、成分が
硼珪酸系であり、熱膨張係数は９０〜９６×１０-7／
℃、軟化点Ｔｓ１は６２０℃、作業点Ｔｗ１は８３０℃
である。
【００３５】第二ガラスボンディング工程は、ここで使
用する棒状ガラスが異なる他は従来と同様なので説明を
省略する。該棒状ガラスの軟化点をＴｓ２、作業点をＴ
ｗ２とし、薄板状ガラスの軟化点をＴｓ４、作業点をＴ
ｗ４とする。前記棒状ガラスの一例は、第一ガラスボン
ディング工程に使用するガラス４と同一成分である。ま
た、ＰｂＯ等を１０〜２０ｗｔ％添加して、軟化点Ｔｓ
２、作業点Ｔｗ２をそれぞれ５０℃程度下げたガラスを
使用することも可能である。前記薄板状ガラスの一例
は、成分が硼珪酸系であり、熱膨張係数は８０〜９０×
１０-7／℃、軟化点Ｔｓ４は７３０℃、作業点Ｔｗ４は
９５０℃である。
用する棒状ガラスが異なる他は従来と同様なので説明を
省略する。該棒状ガラスの軟化点をＴｓ２、作業点をＴ
ｗ２とし、薄板状ガラスの軟化点をＴｓ４、作業点をＴ
ｗ４とする。前記棒状ガラスの一例は、第一ガラスボン
ディング工程に使用するガラス４と同一成分である。ま
た、ＰｂＯ等を１０〜２０ｗｔ％添加して、軟化点Ｔｓ
２、作業点Ｔｗ２をそれぞれ５０℃程度下げたガラスを
使用することも可能である。前記薄板状ガラスの一例
は、成分が硼珪酸系であり、熱膨張係数は８０〜９０×
１０-7／℃、軟化点Ｔｓ４は７３０℃、作業点Ｔｗ４は
９５０℃である。
【００３６】第二ガラスボンディング工程に於いては、
Ｔｗ１−Ｔｗ２＝０〜５０℃、Ｔｓ１−Ｔｓ２＝０〜５
０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ１＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４−Ｔｓ
１＝５０〜１５０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ２＝５０〜１５０
℃、Ｔｓ４−Ｔｓ２＝５０〜１５０℃、Ｔｗ１＝７８０
〜９００℃なる関係となり、第一ガラスボンディング工
程で得られたギャップ長が変化すること無く保持され
る。何故ならギャップ部の、表面がガラス化されたＳｉ
Ｏ2 膜５の軟化点Ｔｓは第二ガラスボンディング工程の
作業点Ｔｗ２よりも十分に高いからである。この時、第
一ガラスボンディング工程で使用したガラス２６は軟化
しても表面張力で流出せずに保持される。
Ｔｗ１−Ｔｗ２＝０〜５０℃、Ｔｓ１−Ｔｓ２＝０〜５
０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ１＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４−Ｔｓ
１＝５０〜１５０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ２＝５０〜１５０
℃、Ｔｓ４−Ｔｓ２＝５０〜１５０℃、Ｔｗ１＝７８０
〜９００℃なる関係となり、第一ガラスボンディング工
程で得られたギャップ長が変化すること無く保持され
る。何故ならギャップ部の、表面がガラス化されたＳｉ
Ｏ2 膜５の軟化点Ｔｓは第二ガラスボンディング工程の
作業点Ｔｗ２よりも十分に高いからである。この時、第
一ガラスボンディング工程で使用したガラス２６は軟化
しても表面張力で流出せずに保持される。
【００３７】更に、前記棒状ガラスは第二ガラスボンデ
ィング工程の作業点Ｔｗ２での粘度が１０4 ポイズ付近
であって流動性に富むので、トラック規制溝へ、更にＩ
バー間の僅かな間隙へ流れ込む。一方前記薄板状ガラス
は、前記作業点Ｔｗ２での粘度は１０6 ポイズ付近なの
で流動性は少ない。従って薄板状ガラスは間隙から流れ
出すことはない。しかしＩバー同士を接着するには十分
高温であるので例えばアロンセラミックス等の耐熱性無
機接着剤にて仮固定した時の間隙がそのまま維持された
状態でガラス接着されるのである。
ィング工程の作業点Ｔｗ２での粘度が１０4 ポイズ付近
であって流動性に富むので、トラック規制溝へ、更にＩ
バー間の僅かな間隙へ流れ込む。一方前記薄板状ガラス
は、前記作業点Ｔｗ２での粘度は１０6 ポイズ付近なの
で流動性は少ない。従って薄板状ガラスは間隙から流れ
出すことはない。しかしＩバー同士を接着するには十分
高温であるので例えばアロンセラミックス等の耐熱性無
機接着剤にて仮固定した時の間隙がそのまま維持された
状態でガラス接着されるのである。
【００３８】ガラスモールド工程に使用する断面が円の
棒状ガラスの軟化点をＴｓ３、作業点をＴｗ３とする。
該棒状ガラスに使用するガラスの一例は、成分は鉛硼珪
酸系であり、熱膨張係数は１００〜１０５×１０-7／
℃、軟化点Ｔｓ３は４７０℃、作業点Ｔｗ３は６００℃
である。
棒状ガラスの軟化点をＴｓ３、作業点をＴｗ３とする。
該棒状ガラスに使用するガラスの一例は、成分は鉛硼珪
酸系であり、熱膨張係数は１００〜１０５×１０-7／
℃、軟化点Ｔｓ３は４７０℃、作業点Ｔｗ３は６００℃
である。
【００３９】ガラスモールド工程においては、Ｔｗ１−
Ｔｗ２＝０〜５０℃、Ｔｓ１−Ｔｓ２＝０〜５０℃、Ｔ
ｗ４−Ｔｗ１＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４−Ｔｓ１＝５０
〜１５０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ２＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４
−Ｔｓ２＝５０〜１５０℃、Ｔｗ２−Ｔｗ３＝１８０〜
３００℃、Ｔｓ２−Ｔｓ３＝１８０〜３００℃、Ｔｗ１
＝７８０〜９００℃により、第一ガラスボンディングで
得られたギャップ長が変化すること無く保持される。何
故ならばギャップ部の軟化点Ｔｓはガラスモールド工程
の作業点よりも十分に高いからである。
Ｔｗ２＝０〜５０℃、Ｔｓ１−Ｔｓ２＝０〜５０℃、Ｔ
ｗ４−Ｔｗ１＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４−Ｔｓ１＝５０
〜１５０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ２＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４
−Ｔｓ２＝５０〜１５０℃、Ｔｗ２−Ｔｗ３＝１８０〜
３００℃、Ｔｓ２−Ｔｓ３＝１８０〜３００℃、Ｔｗ１
＝７８０〜９００℃により、第一ガラスボンディングで
得られたギャップ長が変化すること無く保持される。何
故ならばギャップ部の軟化点Ｔｓはガラスモールド工程
の作業点よりも十分に高いからである。
【００４０】また、コアチップブランクがセンターシー
ルド部で折れ曲がるような現象は起こらない。何故なら
ばセンターシールド部のガラスの軟化点Ｔｓ２はガラス
モールド工程の作業点Ｔｗ３よりも十分に高いからであ
る。
ルド部で折れ曲がるような現象は起こらない。何故なら
ばセンターシールド部のガラスの軟化点Ｔｓ２はガラス
モールド工程の作業点Ｔｗ３よりも十分に高いからであ
る。
【００４１】以上４種のガラスの特性の関係は、Ｔｗ１
−Ｔｗ２＝０〜５０℃、Ｔｓ１−Ｔｓ２＝０〜５０℃、
Ｔｗ４−Ｔｗ１＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４−Ｔｓ１＝５
０〜１５０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ２＝５０〜１５０℃、Ｔｓ
４−Ｔｓ２＝５０〜１５０℃、Ｔｗ２−Ｔｗ３＝１８０
〜３００℃、Ｔｓ２−Ｔｓ３＝１８０〜３００℃、Ｔｗ
１＝７８０〜９００℃の範囲に設定される。
−Ｔｗ２＝０〜５０℃、Ｔｓ１−Ｔｓ２＝０〜５０℃、
Ｔｗ４−Ｔｗ１＝５０〜１５０℃、Ｔｓ４−Ｔｓ１＝５
０〜１５０℃、Ｔｗ４−Ｔｗ２＝５０〜１５０℃、Ｔｓ
４−Ｔｓ２＝５０〜１５０℃、Ｔｗ２−Ｔｗ３＝１８０
〜３００℃、Ｔｓ２−Ｔｓ３＝１８０〜３００℃、Ｔｗ
１＝７８０〜９００℃の範囲に設定される。
【００４２】
【発明の効果】上記の如く本発明によれば、Ｕバーまた
はＩバーの少なくとも一方の表面にＳｉＯ2 膜付けガラ
ス化を施したことにより、ガラスボンディング及びガラ
スモールド工程において信頼性に足るガラスの使用が可
能となった。
はＩバーの少なくとも一方の表面にＳｉＯ2 膜付けガラ
ス化を施したことにより、ガラスボンディング及びガラ
スモールド工程において信頼性に足るガラスの使用が可
能となった。
【００４３】このことによりもたらされる本発明の効果
は、第一に３回のガラスボンディングまたはガラスモー
ルド工程を経ても尚ギャップ長が変化しないということ
である。同様に３回のガラスボンディングまたはガラス
モールド工程を経ても尚センターシールド部からコアチ
ップが曲がったりしないということである。その結果、
ギャップ長精度及びアジマス精度の良い磁気ヘッドが得
られる。
は、第一に３回のガラスボンディングまたはガラスモー
ルド工程を経ても尚ギャップ長が変化しないということ
である。同様に３回のガラスボンディングまたはガラス
モールド工程を経ても尚センターシールド部からコアチ
ップが曲がったりしないということである。その結果、
ギャップ長精度及びアジマス精度の良い磁気ヘッドが得
られる。
【００４４】第二に有機接着剤を使用しないで、全てガ
ラスによって接合されているので、面ズレ現象発生の確
率が０であり、スライダーとコアチップの上面が全数同
一面に揃って加工されるので、電磁変換特性の劣化を起
こすスペーシングロスが発生せず、電磁変換特性のよい
磁気ヘッドが得られる。
ラスによって接合されているので、面ズレ現象発生の確
率が０であり、スライダーとコアチップの上面が全数同
一面に揃って加工されるので、電磁変換特性の劣化を起
こすスペーシングロスが発生せず、電磁変換特性のよい
磁気ヘッドが得られる。
【００４５】第三に有機接着剤を使用しないで、全てガ
ラスによって接合されていること、及びガラスモールド
で使用されているガラスの軟化点が４７０℃と比較的高
温領域を使用できるので、磁気ヘッドの耐熱性や耐湿性
がよくなる。
ラスによって接合されていること、及びガラスモールド
で使用されているガラスの軟化点が４７０℃と比較的高
温領域を使用できるので、磁気ヘッドの耐熱性や耐湿性
がよくなる。
【００４６】第四に第一ガラスボンディングと第二ガラ
スボンディングでほぼ同一の作業点のガラスを使用でき
るので、工程が単純にできる。例えば第一ガラスボンデ
ィングと第二ガラスボンディングを同一の熱処理炉で同
時に処理するというも可能になる。
スボンディングでほぼ同一の作業点のガラスを使用でき
るので、工程が単純にできる。例えば第一ガラスボンデ
ィングと第二ガラスボンディングを同一の熱処理炉で同
時に処理するというも可能になる。
【００４７】第五に第一ガラスボンディングと第二ガラ
スボンディングでほぼ同一の作業点のガラスを使用でき
るため、ガラス処理工程が三工程あるにもかかわらず、
第一ガラスボンディングの作業点を９００℃以下にでき
るので、第一ガラスボンディングでフェライトの磁気特
性が劣化しない。
スボンディングでほぼ同一の作業点のガラスを使用でき
るため、ガラス処理工程が三工程あるにもかかわらず、
第一ガラスボンディングの作業点を９００℃以下にでき
るので、第一ガラスボンディングでフェライトの磁気特
性が劣化しない。
【００４８】第六に第二ガラスボンディングで使用する
薄板状ガラスの軟化点Ｔｓ４が、第二ガラスボンディン
グに使用する断面が長円の棒状ガラスの軟化点Ｔｓ２よ
り５０〜１５０℃高いので、第二ガラスボンディングで
のセンターシールドの形成が精度良く行われる。
薄板状ガラスの軟化点Ｔｓ４が、第二ガラスボンディン
グに使用する断面が長円の棒状ガラスの軟化点Ｔｓ２よ
り５０〜１５０℃高いので、第二ガラスボンディングで
のセンターシールドの形成が精度良く行われる。
【００４９】第七にガラスモールドの際、コアチップブ
ランクをスライダーの長孔に挿入するだけで、コアチッ
プのスライダーに対するギャップ位置やトラックセンタ
ー位置やアジマスなどが決まるので、作業が簡単であ
る。また高価な位置決め用の治工具や測定器類を必要と
しない。
ランクをスライダーの長孔に挿入するだけで、コアチッ
プのスライダーに対するギャップ位置やトラックセンタ
ー位置やアジマスなどが決まるので、作業が簡単であ
る。また高価な位置決め用の治工具や測定器類を必要と
しない。
【００５０】第八にガラスモールドの際、ＣＳ段差のバ
ラツキが少ないのでＣＳ段差の層別が不要である。この
ことは単に工数の削減効果のみならず、割れ欠けチッピ
ングや有害な残留歪みを発生させない。
ラツキが少ないのでＣＳ段差の層別が不要である。この
ことは単に工数の削減効果のみならず、割れ欠けチッピ
ングや有害な残留歪みを発生させない。
【００５１】この様に本発明によれば、電磁変換特性が
揃って良い、耐環境性の良い磁気ヘッドが、低コストで
得られる。上記実施例ではギャップ部形成のためのＳｉ
Ｏ2膜付けガラス化をＩバーの鏡面部に対してのみ施し
たが、前記ＳｉＯ2 膜付けガラス化はＵバーの鏡面部に
対してのみ施しても、あるいはＩバーとＵバーの両方の
鏡面部に対して施しても同様の効果が得られることは勿
論である。
揃って良い、耐環境性の良い磁気ヘッドが、低コストで
得られる。上記実施例ではギャップ部形成のためのＳｉ
Ｏ2膜付けガラス化をＩバーの鏡面部に対してのみ施し
たが、前記ＳｉＯ2 膜付けガラス化はＵバーの鏡面部に
対してのみ施しても、あるいはＩバーとＵバーの両方の
鏡面部に対して施しても同様の効果が得られることは勿
論である。
【図１】本発明の第一ガラスボンディング工程を示す部
分斜視図である。
分斜視図である。
【図２】従来の二体型スライダーを有するコアを示す斜
視図である。
視図である。
【図３】一体型スライダーを有するコアのガラスモール
ド工程を示す分解斜視図である。
ド工程を示す分解斜視図である。
【図４】二体型スライダーを有するコアを示す分解斜視
図でコアチップとスライダーをガラスで接合する場合で
ある。
図でコアチップとスライダーをガラスで接合する場合で
ある。
【図５】従来の第一ガラスボンディング工程を示す斜視
図である。
図である。
【図６】従来の第一ガラスボンディング工程を表す斜視
図である。
図である。
【図７】第二ガラスボンディング工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】接合がゆるんだコアチップを示す上面図であ
る。
る。
１、 Ｉバー １ａ、２ａ 鏡面部 ２ Ｕバー ３、６、７ ＧＢバー ４、１１、１８ 棒状ガラス ５ ＳｉＯ2 膜 ６ａ、７ａ トラック規制溝 ８ 間隙 ９ 薄板状ガラス １０ 耐熱性無機接着剤 １２ コアブロック １５ 一体型スライダー １６ 長孔 １７ コアチップブランク ｇ ギャップ長
Claims (2)
- 【請求項１】 バルク型コアチップと射出成形にて製造
された一体型スライダーとを有したフロッピーディスク
ドライブ装置であって、リードライト用及びイレーズ用
のＩバーとＵバーとを、互いの鏡面部を突き合わせて、
所定のギャップ長を決定し、リードライト用及びイレー
ズ用のＧＢバーを形成する第一ガラスボンディング工程
を有する磁気ヘッドの製造方法において、予めＵバーと
Ｉバーの少なくとも一方のバーの鏡面部にＳｉＯ2 を膜
付けし、該ＳｉＯ2 膜の表面にアルカリ金属を拡散させ
る処理を施した後、リードライト用及びイレーズ用のＩ
バーとＵバーとを接合したことを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項２】 高さが等しくなるように加工されたリー
ドライト用及びイレーズ用のＧＢバーを互いのＩバーが
向かい合うように配置し、両Ｉバー間に僅かな間隙を設
け、該間隙に薄板状のガラスを挟み、リードライト用及
びイレーズ用のＧＢバーに予め加工されたトラック規制
溝を所定の位置関係となるように位置決めし、リードラ
イト用及びイレーズ用のＧＢバーの長手方向の両端を耐
熱性無機接着剤にて仮固定し、前記の如く位置決めされ
たリードライト用及びイレーズ用のＧＢバーの上に棒状
ガラスを乗せ、該棒状ガラスを溶融することによりコア
ブロックを形成する第二ガラスボンディング工程に使用
する棒状ガラスの作業点は、前記第一ガラスボンディン
グ工程で使用する棒状ガラスの作業点とほぼ同じである
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174784A JPH0714112A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US08/261,963 US5628106A (en) | 1993-06-22 | 1994-06-17 | Method of manufacturing magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174784A JPH0714112A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714112A true JPH0714112A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15984614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174784A Pending JPH0714112A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5628106A (ja) |
| JP (1) | JPH0714112A (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3912483A (en) * | 1968-09-25 | 1975-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of making a magnetic head |
| JPS5827565B2 (ja) * | 1977-09-19 | 1983-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPS5671818A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-15 | Tdk Corp | Manufacture of magnetic head and centrifugal heating furnace used for its manufacture |
| JPS56137517A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Tdk Corp | Magnetic head and its manufacture |
| JPS5930227A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| CA1247737A (en) * | 1984-03-16 | 1988-12-28 | Yoshihiko Kawai | Magnetic head |
| JPS61233405A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| DE3626307A1 (de) * | 1986-08-02 | 1988-02-11 | Grundig Emv | Verfahren zur befestigung eines video-magnetkopfes |
| US4885020A (en) * | 1987-02-05 | 1989-12-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing glass fiber |
| GB2217508B (en) * | 1988-03-29 | 1992-08-19 | Hitachi Metals Ltd | Flying-type magnetic head |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP5174784A patent/JPH0714112A/ja active Pending
-
1994
- 1994-06-17 US US08/261,963 patent/US5628106A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5628106A (en) | 1997-05-13 |
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