JPH07141696A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07141696A JPH07141696A JP5285350A JP28535093A JPH07141696A JP H07141696 A JPH07141696 A JP H07141696A JP 5285350 A JP5285350 A JP 5285350A JP 28535093 A JP28535093 A JP 28535093A JP H07141696 A JPH07141696 A JP H07141696A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 123
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 9
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(O)(F)F CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017090 AlO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100040141 Aminopeptidase O Human genes 0.000 description 1
- 108050008333 Aminopeptidase O Proteins 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温高湿の環境下においても充分な耐久性を
有する光記録媒体を提供する。 【構成】 ＳｉＯ2 防湿層６を有する光記録媒体１にお
いて、前記ＳｉＯ2 防湿層６を光透過性の樹脂からなる
被膜７で被覆する。
有する光記録媒体を提供する。 【構成】 ＳｉＯ2 防湿層６を有する光記録媒体１にお
いて、前記ＳｉＯ2 防湿層６を光透過性の樹脂からなる
被膜７で被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体に関し、特に
ＳｉＯ2 防湿層を有する光記録媒体に関する。
ＳｉＯ2 防湿層を有する光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は、一般に記憶容量が大き
く、しかも書込みまたは読み出しが非接触で行われる
等、優れた特徴を有することから広く普及するに至って
いる。
く、しかも書込みまたは読み出しが非接触で行われる
等、優れた特徴を有することから広く普及するに至って
いる。
【０００３】ここで、光記録媒体の記録層を水分あるい
は酸素から保護するため、ＳｉＯ2、ＡｌＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 等の透明な膜を記録層の両面に設けることは一般に
知られている。
は酸素から保護するため、ＳｉＯ2、ＡｌＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 等の透明な膜を記録層の両面に設けることは一般に
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光記録媒体においては、高温高湿の環境下にお
ける耐久性が不充分であるという問題がある。
た従来の光記録媒体においては、高温高湿の環境下にお
ける耐久性が不充分であるという問題がある。
【０００５】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たものであり、高温高湿の環境下においても充分な耐久
性を有する光記録媒体の提供を目的とする。
たものであり、高温高湿の環境下においても充分な耐久
性を有する光記録媒体の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、次の知見をまず得
た。
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、次の知見をまず得
た。
【０００７】すなわち、本発明者らは、図６に示すよう
なポリカーボネート基板２ａの片面に記録層３、反射膜
層４および保護膜層５を順次積層して形成してなる光記
録媒体１について水分の侵入経路の特定を行ったとこ
ろ、基板読取り面側であるポリカーボネート基板２ａ側
から水分が侵入し、記録層３あるいは記録層３の記録部
分が劣化することが判明した。
なポリカーボネート基板２ａの片面に記録層３、反射膜
層４および保護膜層５を順次積層して形成してなる光記
録媒体１について水分の侵入経路の特定を行ったとこ
ろ、基板読取り面側であるポリカーボネート基板２ａ側
から水分が侵入し、記録層３あるいは記録層３の記録部
分が劣化することが判明した。
【０００８】このことに基づき、図１に示すように、基
板読取り面側であるポリカーボネート基板２ａ上にＳｉ
Ｏ2 等からなる防湿層６を設けることにより、高温高湿
の環境下における光記録媒体１の耐久性が向上すること
を第一に見出した。
板読取り面側であるポリカーボネート基板２ａ上にＳｉ
Ｏ2 等からなる防湿層６を設けることにより、高温高湿
の環境下における光記録媒体１の耐久性が向上すること
を第一に見出した。
【０００９】さらに、本発明者らは、上述した基板読取
り面側であるポリカーボネート基板上にＳｉＯ2 等から
なる防湿層を設けた光記録媒体について、高温高湿の環
境下における耐久性をさらに向上させるべく鋭意検討を
重ねた結果、次の知見を得た。
り面側であるポリカーボネート基板上にＳｉＯ2 等から
なる防湿層を設けた光記録媒体について、高温高湿の環
境下における耐久性をさらに向上させるべく鋭意検討を
重ねた結果、次の知見を得た。
【００１０】すなわち、ＳｉＯ2 等からなる防湿層を設
けた光記録媒体においては、高温高湿の環境下において
ＳｉＯ2 防湿層自体の劣化が生じてしまう。具体的に
は、高温高湿の環境下においてＳｉＯ2 防湿層上に結露
が生じ、この結露の生じた部分のＳｉＯ2 防湿層に局所
的なひび割れあるいは微小な穴あきが発生する。これに
伴い、局所的に記録層あるいは記録層の記録部分が水分
により劣化し、再生した信号にも局所的なうねりが生じ
てしまう。
けた光記録媒体においては、高温高湿の環境下において
ＳｉＯ2 防湿層自体の劣化が生じてしまう。具体的に
は、高温高湿の環境下においてＳｉＯ2 防湿層上に結露
が生じ、この結露の生じた部分のＳｉＯ2 防湿層に局所
的なひび割れあるいは微小な穴あきが発生する。これに
伴い、局所的に記録層あるいは記録層の記録部分が水分
により劣化し、再生した信号にも局所的なうねりが生じ
てしまう。
【００１１】本発明者らは、かかる知見に基づきさらに
研究を重ねた結果、ＳｉＯ2 防湿層を光透過性の樹脂か
らなる被膜で被覆すると、ＳｉＯ2 防湿層上に直接結露
が生じることがなくなり、防湿層自体の劣化を防止で
き、したがって高温高湿の環境下においても充分な耐久
性を有する光記録媒体を提供しうることを第二に見出し
本発明を完成するに至った。
研究を重ねた結果、ＳｉＯ2 防湿層を光透過性の樹脂か
らなる被膜で被覆すると、ＳｉＯ2 防湿層上に直接結露
が生じることがなくなり、防湿層自体の劣化を防止で
き、したがって高温高湿の環境下においても充分な耐久
性を有する光記録媒体を提供しうることを第二に見出し
本発明を完成するに至った。
【００１２】すなわち、本第一発明に係る光記録媒体
は、記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面上に
ＳｉＯ2 防湿層を形成してなる構成としてある。また、
本第二発明に係る光記録媒体は、ＳｉＯ2 防湿層を有す
る光記録媒体において、前記ＳｉＯ2 防湿層を光透過性
の樹脂からなる被膜で被覆した構成としてある。
は、記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面上に
ＳｉＯ2 防湿層を形成してなる構成としてある。また、
本第二発明に係る光記録媒体は、ＳｉＯ2 防湿層を有す
る光記録媒体において、前記ＳｉＯ2 防湿層を光透過性
の樹脂からなる被膜で被覆した構成としてある。
【００１３】さらに、本第二発明に係る光記録媒体は、
記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面上にＳｉ
Ｏ2 防湿層を形成してなる光記録媒体において、少なく
ともＳｉＯ2 防湿層の表面上に光透過性の樹脂からなる
被膜を形成した構成としてある。
記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面上にＳｉ
Ｏ2 防湿層を形成してなる光記録媒体において、少なく
ともＳｉＯ2 防湿層の表面上に光透過性の樹脂からなる
被膜を形成した構成としてある。
【００１４】さらにまた、本第二発明に係る光記録媒体
は、上記光記録媒体において、上記光透過性の樹脂が紫
外線硬化樹脂である構成としてある。
は、上記光記録媒体において、上記光透過性の樹脂が紫
外線硬化樹脂である構成としてある。
【００１５】
【作用】本第一発明の光記録媒体は、記録層を形成した
面と反対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成
してあるので、基板読取り面側である光透過性基板側か
らの水分の侵入を防止でき、したがって、記録層あるい
は記録層の記録部分の劣化を防止できる。
面と反対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成
してあるので、基板読取り面側である光透過性基板側か
らの水分の侵入を防止でき、したがって、記録層あるい
は記録層の記録部分の劣化を防止できる。
【００１６】また、本第二発明の光記録媒体は、光記録
媒体におけるＳｉＯ2 防湿層を光透過性の樹脂からなる
被膜で被覆してあるので、ＳｉＯ2 防湿層上に直接結露
が生じることがなく、ＳｉＯ2 防湿層自体の劣化を防止
できる。したがって、光記録媒体の信頼性を確保するこ
とができ、安定した再生信号を得ることができる。
媒体におけるＳｉＯ2 防湿層を光透過性の樹脂からなる
被膜で被覆してあるので、ＳｉＯ2 防湿層上に直接結露
が生じることがなく、ＳｉＯ2 防湿層自体の劣化を防止
できる。したがって、光記録媒体の信頼性を確保するこ
とができ、安定した再生信号を得ることができる。
【００１７】以下、本発明の光記録媒体について詳細に
説明する。まず、本第一発明の光記録媒体について説明
する。本第一発明の光記録媒体の構造については、光透
過性基板面上に記録層を有し、記録層を形成した面と反
対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成した光
記録媒体であれば特に制限されず、片面タイプおよび両
面タイプのいずれであっても良い。
説明する。まず、本第一発明の光記録媒体について説明
する。本第一発明の光記録媒体の構造については、光透
過性基板面上に記録層を有し、記録層を形成した面と反
対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成した光
記録媒体であれば特に制限されず、片面タイプおよび両
面タイプのいずれであっても良い。
【００１８】また、本第一発明の光記録媒体の構造（層
構成）も特に制限されないが、例えば、図１に示すよう
に、光透過性の基板２の片面に記録層３、反射膜層４お
よび保護膜層５を順次積層して形成し、光透過性の基板
２の他面にＳｉＯ2 防湿層６を形成してなる構造の光記
録媒体１が例示される。
構成）も特に制限されないが、例えば、図１に示すよう
に、光透過性の基板２の片面に記録層３、反射膜層４お
よび保護膜層５を順次積層して形成し、光透過性の基板
２の他面にＳｉＯ2 防湿層６を形成してなる構造の光記
録媒体１が例示される。
【００１９】本第一発明に係る光記録媒体においては、
少なくとも、記録層を形成した面と反対側の光透過性基
板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成してあればよい。これ
は、記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面側か
ら水分が侵入するからである。したがって、本第一発明
に係る光記録媒体においては、記録層を形成した面と反
対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成したも
のであれば、それ以外の部分にＳｉＯ2 防湿層を形成し
たものであってもよい。
少なくとも、記録層を形成した面と反対側の光透過性基
板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成してあればよい。これ
は、記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面側か
ら水分が侵入するからである。したがって、本第一発明
に係る光記録媒体においては、記録層を形成した面と反
対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成したも
のであれば、それ以外の部分にＳｉＯ2 防湿層を形成し
たものであってもよい。
【００２０】上記ＳｉＯ2 防湿層は、通常、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等で形
成される。その場合、蒸着源あるいはターゲット材とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とするガラス板等が使用される。
また、ＳｉＯ2 防湿層の膜厚は、通常、５０〜５００ｎ
ｍとされる。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等で形
成される。その場合、蒸着源あるいはターゲット材とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とするガラス板等が使用される。
また、ＳｉＯ2 防湿層の膜厚は、通常、５０〜５００ｎ
ｍとされる。
【００２１】上述したように、本第一発明の光記録媒体
の他の構造については、特に制限されないが、例えば光
透過性の基板上に記録膜が形成されたいわゆる単層膜構
造であってもよいし、あるいは記録層上にさらに反射膜
層、保護膜層が設けられた構造であってもよい。
の他の構造については、特に制限されないが、例えば光
透過性の基板上に記録膜が形成されたいわゆる単層膜構
造であってもよいし、あるいは記録層上にさらに反射膜
層、保護膜層が設けられた構造であってもよい。
【００２２】ここで、光透過性の基板は、ディスク形状
をなし、基板の片側平面には、通常、トラッキング用の
プリピットまたはプリグルーブが、同心円状にまたはス
パイラル状に形成されている。このようなプリピットま
たはプリグルーブを有する基板としては、例えばポリカ
ーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル樹脂
（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン樹脂（ＡＰ
Ｏ）、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料により一体的に形
成された射出成形樹脂基板や、ガラス基板等が挙げられ
る。また、一体的に形成された射出成形樹脂基板に限ら
ず、いわゆる２Ｐ（photo-polymer ）法で形成した基板
であってもよい。このような基板の厚さは、通常、１．
０〜１．５mm程度である。
をなし、基板の片側平面には、通常、トラッキング用の
プリピットまたはプリグルーブが、同心円状にまたはス
パイラル状に形成されている。このようなプリピットま
たはプリグルーブを有する基板としては、例えばポリカ
ーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル樹脂
（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン樹脂（ＡＰ
Ｏ）、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料により一体的に形
成された射出成形樹脂基板や、ガラス基板等が挙げられ
る。また、一体的に形成された射出成形樹脂基板に限ら
ず、いわゆる２Ｐ（photo-polymer ）法で形成した基板
であってもよい。このような基板の厚さは、通常、１．
０〜１．５mm程度である。
【００２３】上記光透過性の基板上に形成される記録層
（記録膜）の材料は、光記録媒体の記録再生方式（再生
専用型、追記型、書換型等）によって異なる。例えば、
追記型光ディスクの記録膜の材料としては、Ｔｅ−Ｃ，
Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ，ＴｅＯｘなどの金属系薄膜や、フタ
ロシアニン系，シアニン系，メチン系などの有機染料薄
膜等が挙げられる。
（記録膜）の材料は、光記録媒体の記録再生方式（再生
専用型、追記型、書換型等）によって異なる。例えば、
追記型光ディスクの記録膜の材料としては、Ｔｅ−Ｃ，
Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ，ＴｅＯｘなどの金属系薄膜や、フタ
ロシアニン系，シアニン系，メチン系などの有機染料薄
膜等が挙げられる。
【００２４】また、書換型光ディスクの記録膜の材料と
しては、希土類−遷移金属合金等を使用する光磁気記録
材料、アモルファス／結晶間の相変化を利用する相変化
型記録材料、光照射による変色を利用するフォトクロミ
ック材料、波長多重記録方式を利用するフォトケミカル
ホールバーニング材料等が挙げられる。
しては、希土類−遷移金属合金等を使用する光磁気記録
材料、アモルファス／結晶間の相変化を利用する相変化
型記録材料、光照射による変色を利用するフォトクロミ
ック材料、波長多重記録方式を利用するフォトケミカル
ホールバーニング材料等が挙げられる。
【００２５】これらの記録膜の形成方法や膜厚は、記録
膜材料に応じ適宜選択される。なお、上述した各種記録
膜材料のうち好ましいものとして、例えば、次の一般式
（１）で表わされる有機色素である金属フタロシアニン
が挙げられる。
膜材料に応じ適宜選択される。なお、上述した各種記録
膜材料のうち好ましいものとして、例えば、次の一般式
（１）で表わされる有機色素である金属フタロシアニン
が挙げられる。
【００２６】
【化１】 ［ただし、式（１）において、ｍは０〜２の整数、Ｒ1
〜Ｒ4 は水素原子、炭素数１２〜２１の直鎖アルキル
基、ＳＯ2 ＮＨ−（ＣＨ2 ）3 −Ｎ−（Ｃ2 Ｈ5 ） 2 、
ＳＯ2 ＮＨ−（ＣＨ2 )3 −Ｎ−（ＣＨ3 ）2 およびＯ
−（ＣＨ2 ）19−ＯＨのいずれかを表す。］上記式
（１）で表わされる金属フタロシアニンは、光の照射に
より会合状態を生じるものであり、会合状態の記録部と
非会合状態の非記録部との光の反射率あるいは透過率の
差を利用して記録、再生を行うものである。
〜Ｒ4 は水素原子、炭素数１２〜２１の直鎖アルキル
基、ＳＯ2 ＮＨ−（ＣＨ2 ）3 −Ｎ−（Ｃ2 Ｈ5 ） 2 、
ＳＯ2 ＮＨ−（ＣＨ2 )3 −Ｎ−（ＣＨ3 ）2 およびＯ
−（ＣＨ2 ）19−ＯＨのいずれかを表す。］上記式
（１）で表わされる金属フタロシアニンは、光の照射に
より会合状態を生じるものであり、会合状態の記録部と
非会合状態の非記録部との光の反射率あるいは透過率の
差を利用して記録、再生を行うものである。
【００２７】光の照射によって会合状態を生じる色素材
料を含有する記録膜は、例えば、色素材料を含有する溶
媒を用い、スピンコート法等の常用手段により基板上に
塗設される。
料を含有する記録膜は、例えば、色素材料を含有する溶
媒を用い、スピンコート法等の常用手段により基板上に
塗設される。
【００２８】記録膜の厚さは、通常、１０〜１０００ｎ
ｍ程度である。なお、塗布に用いられる溶媒としては、
公知の種々のものが用いられ、例えばテトラフルオロプ
ロパノール、メタノール、イソホロン、エチルセルソル
ブ、メチルセルソルブ、ジアセトンアルコール、シクロ
ヘキサノン、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。
ｍ程度である。なお、塗布に用いられる溶媒としては、
公知の種々のものが用いられ、例えばテトラフルオロプ
ロパノール、メタノール、イソホロン、エチルセルソル
ブ、メチルセルソルブ、ジアセトンアルコール、シクロ
ヘキサノン、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。
【００２９】記録膜の上に設けられることのある光反射
膜は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属から構
成され、このものは真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等で成膜される。
膜は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属から構
成され、このものは真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等で成膜される。
【００３０】この光反射膜の上に設けられることのある
保護膜は、一般に、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法
により塗設した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化させて
形成されるものである。その他、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜の形
成材料に用いられる。
保護膜は、一般に、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法
により塗設した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化させて
形成されるものである。その他、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜の形
成材料に用いられる。
【００３１】次に、本第二発明の光記録媒体について説
明する。本第二発明の光記録媒体は、ＳｉＯ2 防湿層を
有する光記録媒体において、前記ＳｉＯ2 防湿層を光透
過性の樹脂からなる被膜で被覆したことを特徴とする。
明する。本第二発明の光記録媒体は、ＳｉＯ2 防湿層を
有する光記録媒体において、前記ＳｉＯ2 防湿層を光透
過性の樹脂からなる被膜で被覆したことを特徴とする。
【００３２】ここで、ＳｉＯ2 防湿層の形成箇所は、本
発明の目的がＳｉＯ2 防湿層自体の劣化を防止すること
であるため、特に制限されない。ＳｉＯ2 防湿層の形成
箇所としては、光記録媒体における最外層（光記録媒体
の片面あるいは両面および／または側面）等が挙げられ
る。なお、上述した本第一発明を考慮すると、少なくと
も記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面上にＳ
ｉＯ2 防湿層を形成することが好ましい。
発明の目的がＳｉＯ2 防湿層自体の劣化を防止すること
であるため、特に制限されない。ＳｉＯ2 防湿層の形成
箇所としては、光記録媒体における最外層（光記録媒体
の片面あるいは両面および／または側面）等が挙げられ
る。なお、上述した本第一発明を考慮すると、少なくと
も記録層を形成した面と反対側の光透過性基板面上にＳ
ｉＯ2 防湿層を形成することが好ましい。
【００３３】上記ＳｉＯ2 防湿層は、通常、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等で形
成される。その場合、蒸着源あるいはターゲット材とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とするガラス板等が使用される。
また、ＳｉＯ2 防湿層の膜厚は、通常、５０〜５００ｎ
ｍとされる。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等で形
成される。その場合、蒸着源あるいはターゲット材とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とするガラス板等が使用される。
また、ＳｉＯ2 防湿層の膜厚は、通常、５０〜５００ｎ
ｍとされる。
【００３４】本発明の光記録媒体は、上記ＳｉＯ2 防湿
層を光透過性の樹脂からなる被膜（光透過性樹脂層）で
さらに被覆したことを特徴とする。ここで、ＳｉＯ2 防
湿層上に被覆される光透過性の樹脂としては、光記録媒
体における書込みおよび読出しに用いられる光を透過す
る性質を有する樹脂であって、耐候性（特に耐湿性）を
有する樹脂であれば特に制限されない。
層を光透過性の樹脂からなる被膜（光透過性樹脂層）で
さらに被覆したことを特徴とする。ここで、ＳｉＯ2 防
湿層上に被覆される光透過性の樹脂としては、光記録媒
体における書込みおよび読出しに用いられる光を透過す
る性質を有する樹脂であって、耐候性（特に耐湿性）を
有する樹脂であれば特に制限されない。
【００３５】ＳｉＯ2 防湿層上に被覆される光透過性の
樹脂としては、例えば、フォトポリマー等が挙げられ
る。ここで、フォトポリマーは、微粒子や不純物を含ま
ず純度が高く、光透過性に対する信頼性が高く、また取
扱いも容易であることから好適に使用される。
樹脂としては、例えば、フォトポリマー等が挙げられ
る。ここで、フォトポリマーは、微粒子や不純物を含ま
ず純度が高く、光透過性に対する信頼性が高く、また取
扱いも容易であることから好適に使用される。
【００３６】フォトポリマーとしては、具体的には、紫
外線硬化樹脂、遠紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、Ｘ
線硬化樹脂、その他各種フォトレジストや感光性樹脂等
が挙げられる。
外線硬化樹脂、遠紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、Ｘ
線硬化樹脂、その他各種フォトレジストや感光性樹脂等
が挙げられる。
【００３７】光透過性樹脂層の形成箇所は、ＳｉＯ2 防
湿層上であるが、すべてのＳｉＯ2防湿層上の全面を被
覆する場合に限られない。上述したように、ＳｉＯ2 防
湿層の形成箇所は一様ではなく、例えば光記録媒体の片
面あるいは両面および／または側面に形成される。した
がって、これらのＳｉＯ2 防湿層の全部または一部に光
透過性樹脂層を形成してもよい。
湿層上であるが、すべてのＳｉＯ2防湿層上の全面を被
覆する場合に限られない。上述したように、ＳｉＯ2 防
湿層の形成箇所は一様ではなく、例えば光記録媒体の片
面あるいは両面および／または側面に形成される。した
がって、これらのＳｉＯ2 防湿層の全部または一部に光
透過性樹脂層を形成してもよい。
【００３８】この場合、上述したように、上述した本第
一発明を考慮すると、少なくとも記録層を形成した面と
反対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成し、
このＳｉＯ2 防湿膜の表面上に光透過性の樹脂からなる
光透過性樹脂層を形成することが好ましい。これは、水
分は主として記録層を形成した面と反対側のポリカーボ
ネート基板面上に形成したＳｉＯ2 防湿層の表面から侵
入しているからであり、また、かかる部分のＳｉＯ2 防
湿層上に直接結露が生じＳｉＯ2 防湿層自体が劣化して
この部分から水分が侵入するのを防止できるからであ
る。
一発明を考慮すると、少なくとも記録層を形成した面と
反対側の光透過性基板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成し、
このＳｉＯ2 防湿膜の表面上に光透過性の樹脂からなる
光透過性樹脂層を形成することが好ましい。これは、水
分は主として記録層を形成した面と反対側のポリカーボ
ネート基板面上に形成したＳｉＯ2 防湿層の表面から侵
入しているからであり、また、かかる部分のＳｉＯ2 防
湿層上に直接結露が生じＳｉＯ2 防湿層自体が劣化して
この部分から水分が侵入するのを防止できるからであ
る。
【００３９】ＳｉＯ2 防湿層上に被覆される光透過性樹
脂層の形成方法としては、例えば、スピンコート法、ロ
ールコート法、スプレイコート法等が挙げられる。ま
た、上記光透過性樹脂層の膜厚は、通常、１μｍ〜１０
０μｍとされる。
脂層の形成方法としては、例えば、スピンコート法、ロ
ールコート法、スプレイコート法等が挙げられる。ま
た、上記光透過性樹脂層の膜厚は、通常、１μｍ〜１０
０μｍとされる。
【００４０】本第二発明の光記録媒体の構造について
は、ＳｉＯ2 防湿層を有する光記録媒体であれば特に制
限されず、片面タイプおよび両面タイプのいずれであっ
ても良い。また、例えば光透過性の基板上に記録膜が形
成されたいわゆる単層膜構造であってもよいし、あるい
は記録層上にさらに反射膜層、保護膜層が設けられた構
造であってもよい。
は、ＳｉＯ2 防湿層を有する光記録媒体であれば特に制
限されず、片面タイプおよび両面タイプのいずれであっ
ても良い。また、例えば光透過性の基板上に記録膜が形
成されたいわゆる単層膜構造であってもよいし、あるい
は記録層上にさらに反射膜層、保護膜層が設けられた構
造であってもよい。
【００４１】本発明の光記録媒体の構造（層構成）とし
ては、例えば、図２に示すように、光透過性の基板２の
片面に記録層３、反射膜層４および保護膜層５を順次積
層して形成し、光透過性の基板２の他面にＳｉＯ2 防湿
層６および光透過性の樹脂からなる被膜（光透過性樹脂
層）７を順次形成してなる構造の光記録媒体１が例示さ
れる。
ては、例えば、図２に示すように、光透過性の基板２の
片面に記録層３、反射膜層４および保護膜層５を順次積
層して形成し、光透過性の基板２の他面にＳｉＯ2 防湿
層６および光透過性の樹脂からなる被膜（光透過性樹脂
層）７を順次形成してなる構造の光記録媒体１が例示さ
れる。
【００４２】なお、上記光透過性の基板２、記録層（記
録膜）３、光反射膜４、保護膜５等の形成材料、形成方
法等は、上述した第一発明と同様である。
録膜）３、光反射膜４、保護膜５等の形成材料、形成方
法等は、上述した第一発明と同様である。
【００４３】
【実施例】以下、実施例にもとづき本発明をさらに具体
的に説明する。水分侵入経路の確認 水分侵入経路の確認は、図６に示すような光透過性の基
板２の片面に記録層３、反射膜層４および保護膜層５を
順次積層してなる光記録媒体１を使用し、アルミ箔８お
よびパラフィン９を用いて行った。
的に説明する。水分侵入経路の確認 水分侵入経路の確認は、図６に示すような光透過性の基
板２の片面に記録層３、反射膜層４および保護膜層５を
順次積層してなる光記録媒体１を使用し、アルミ箔８お
よびパラフィン９を用いて行った。
【００４４】すなわち、まず、（１）図３（ａ）に示す
ように、記録層を形成した面と反対側の光透過性基板２
表面上をアルミ箔８で被覆し、光透過性基板２の端面２
ｂをパラフィン９で被覆して、記録層に対して保護膜層
５側を露出させてなる光記録媒体、（２）図３（ｂ）に
示すように、保護膜層５表面上をアルミ箔８で被覆し、
光透過性基板２の端面２ｂをパラフィン９で被覆して、
記録層に対して光透過性基板２側を露出させてなる光記
録媒体、（３）図３（ｃ）に示すように、記録層を形成
した面と反対側の光透過性基板２表面上をアルミ箔８で
被覆するとともに、保護膜層５表面上をアルミ箔８で被
覆し、アルミ箔８の端部８ａをパラフィン９で被覆し
て、記録層に対して光透過性基板２の端面２ｂを露出さ
せてなる光記録媒体、および（４）アルミ箔およびパラ
フィンを使用しない、図３（ｄ）および図６に示すよう
な光記録媒体（従来の光記録媒体）、をそれぞれ作成し
た。
ように、記録層を形成した面と反対側の光透過性基板２
表面上をアルミ箔８で被覆し、光透過性基板２の端面２
ｂをパラフィン９で被覆して、記録層に対して保護膜層
５側を露出させてなる光記録媒体、（２）図３（ｂ）に
示すように、保護膜層５表面上をアルミ箔８で被覆し、
光透過性基板２の端面２ｂをパラフィン９で被覆して、
記録層に対して光透過性基板２側を露出させてなる光記
録媒体、（３）図３（ｃ）に示すように、記録層を形成
した面と反対側の光透過性基板２表面上をアルミ箔８で
被覆するとともに、保護膜層５表面上をアルミ箔８で被
覆し、アルミ箔８の端部８ａをパラフィン９で被覆し
て、記録層に対して光透過性基板２の端面２ｂを露出さ
せてなる光記録媒体、および（４）アルミ箔およびパラ
フィンを使用しない、図３（ｄ）および図６に示すよう
な光記録媒体（従来の光記録媒体）、をそれぞれ作成し
た。
【００４５】次いで、上記各光記録媒体に、記録周波数
９．３ＭＨｚ（単一周波数）、線速度１１．０ｍ／ｓｅ
ｃの条件で記録を行った後、４５℃、９０％ＲＨの環境
下に各光記録媒体を５０時間放置し、その後、ＲＦ振幅
の初期値に対する変化割合およびキャリアレベルの減少
について調べることにより、水分侵入経路の確認を行っ
た。この結果を表１に示す。
９．３ＭＨｚ（単一周波数）、線速度１１．０ｍ／ｓｅ
ｃの条件で記録を行った後、４５℃、９０％ＲＨの環境
下に各光記録媒体を５０時間放置し、その後、ＲＦ振幅
の初期値に対する変化割合およびキャリアレベルの減少
について調べることにより、水分侵入経路の確認を行っ
た。この結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】 表１から明らかなように、水分は記録層を形成した面と
反対側の光透過性基板表面側から侵入していることがわ
かる。したがって、ＳｉＯ2 防湿層を形成する場合、少
なくとも記録層を形成した面と反対側の光透過性基板表
面側にＳｉＯ2防湿層を形成するとよいことがわかる。光記録媒体の作成 下記の式（２）で表わされるＳｉ−フタロシアニンをジ
アセトンアルコール溶媒中に溶解し、スピンコート法に
より直径２００ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）射出成
形基板（厚さ１．２mm、単純スパイラルグルーブ付き、
トラックピッチ（ＴＰ）＝１．６μｍ、半値幅０．４〜
０．６μｍ、グルーブ深さ６００〜８００Å）上に約１
０００Åの厚さに塗布し、記録膜を形成した。
反対側の光透過性基板表面側から侵入していることがわ
かる。したがって、ＳｉＯ2 防湿層を形成する場合、少
なくとも記録層を形成した面と反対側の光透過性基板表
面側にＳｉＯ2防湿層を形成するとよいことがわかる。光記録媒体の作成 下記の式（２）で表わされるＳｉ−フタロシアニンをジ
アセトンアルコール溶媒中に溶解し、スピンコート法に
より直径２００ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）射出成
形基板（厚さ１．２mm、単純スパイラルグルーブ付き、
トラックピッチ（ＴＰ）＝１．６μｍ、半値幅０．４〜
０．６μｍ、グルーブ深さ６００〜８００Å）上に約１
０００Åの厚さに塗布し、記録膜を形成した。
【００４７】
【化２】 次いで、上記のようにして基板上に設けた記録膜上に、
さらに厚さ１０００ÅのＡｕ膜からなる光反射膜（純度
９９．９９％）および厚さ１０μｍの紫外線硬化性樹脂
（ダイキュアクリア：大日本インキ化学工業（株）社
製）からなる保護膜を、基板側からこの順に形成した。
さらに、記録膜／光反射膜／保護膜を形成した面と反対
側のポリカーボネート基板面上に、ガラス板（７０５
９：コーニング社製）を被蒸着材として真空蒸着法によ
り厚さ５００ÅのＳｉＯ2 防湿膜を形成して、光記録媒
体を作製し一供試材料とした。
さらに厚さ１０００ÅのＡｕ膜からなる光反射膜（純度
９９．９９％）および厚さ１０μｍの紫外線硬化性樹脂
（ダイキュアクリア：大日本インキ化学工業（株）社
製）からなる保護膜を、基板側からこの順に形成した。
さらに、記録膜／光反射膜／保護膜を形成した面と反対
側のポリカーボネート基板面上に、ガラス板（７０５
９：コーニング社製）を被蒸着材として真空蒸着法によ
り厚さ５００ÅのＳｉＯ2 防湿膜を形成して、光記録媒
体を作製し一供試材料とした。
【００４８】さらに、上記光記録媒体のＳｉＯ2 防湿膜
上に、厚さ１０μｍの紫外線硬化性樹脂（ダイキュアク
リア：大日本インキ化学工業（株）製）からなる光透過
性樹脂層を形成してなる光記録媒体を作製し、他の供試
材料とした。環境加速試験（ＲＦエンベロープの変化） ＳｉＯ2 防湿膜上に形成する光透過性の樹脂からなる被
膜の有無による記録層の劣化を調べるため、上記で作製
した二つの供試材料を用い、環境加速試験を行い、Ｒ
top （ＲＦエンベロープの一番明るい部分、ＧＮＤから
の電位）、ＲＦ振幅（ＲＦエンベロープの幅）の初期値
に対する変化割合およびキャリアレベルの減少（初期値
を０とした場合）の測定を行った。なお、測定はディス
クの半径方向に沿って内側（半径５５ｍｍ），中間（半
径７５ｍｍ），外側（半径９０ｍｍ）の位置のスパイラ
ルグルーブ上で行った。
上に、厚さ１０μｍの紫外線硬化性樹脂（ダイキュアク
リア：大日本インキ化学工業（株）製）からなる光透過
性樹脂層を形成してなる光記録媒体を作製し、他の供試
材料とした。環境加速試験（ＲＦエンベロープの変化） ＳｉＯ2 防湿膜上に形成する光透過性の樹脂からなる被
膜の有無による記録層の劣化を調べるため、上記で作製
した二つの供試材料を用い、環境加速試験を行い、Ｒ
top （ＲＦエンベロープの一番明るい部分、ＧＮＤから
の電位）、ＲＦ振幅（ＲＦエンベロープの幅）の初期値
に対する変化割合およびキャリアレベルの減少（初期値
を０とした場合）の測定を行った。なお、測定はディス
クの半径方向に沿って内側（半径５５ｍｍ），中間（半
径７５ｍｍ），外側（半径９０ｍｍ）の位置のスパイラ
ルグルーブ上で行った。
【００４９】なお、記録・再生条件は、波長７８４ｎ
ｍ、レンズ開口数（ＮＡ）０．５のピックアップを用
い、記録・再生線速度１１．０ｍ／ｓｅｃ、記録時レー
ザ出力１０ｍＷ（レンズ出射）、記録周波数９．３ＭＨ
ｚ（単一周波数）および再生時読出しパワー０．５ｍＷ
の条件で各光記録媒体について記録・再生を行なった。
ｍ、レンズ開口数（ＮＡ）０．５のピックアップを用
い、記録・再生線速度１１．０ｍ／ｓｅｃ、記録時レー
ザ出力１０ｍＷ（レンズ出射）、記録周波数９．３ＭＨ
ｚ（単一周波数）および再生時読出しパワー０．５ｍＷ
の条件で各光記録媒体について記録・再生を行なった。
【００５０】この結果を図４、図５および表２に示す。
なお、これらの図中、縦軸の単位はｍＶ、横軸は時間軸
を示し、図示ＡはＲＦエンベロープの一周期を表わす。
なお、これらの図中、縦軸の単位はｍＶ、横軸は時間軸
を示し、図示ＡはＲＦエンベロープの一周期を表わす。
【００５１】
【表２】 図４、図５および表２から明らかなように、水分はＳｉ
Ｏ2 防湿膜の表面から侵入していることがわかる。Ｓｉ
Ｏ2 防湿膜上に光透過性の樹脂からなる保護膜を形成し
ない光記録媒体は、ＲＦ振幅の減少が大きく（表２）、
再生した信号にも局所的なうねりが生ずる（図５）こと
がわかる。
Ｏ2 防湿膜の表面から侵入していることがわかる。Ｓｉ
Ｏ2 防湿膜上に光透過性の樹脂からなる保護膜を形成し
ない光記録媒体は、ＲＦ振幅の減少が大きく（表２）、
再生した信号にも局所的なうねりが生ずる（図５）こと
がわかる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体によれば、記録層を形成した面と反対側の光透過性基
板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成してあるので、基板読取
り面側である光透過性基板側からの水分の侵入を防止で
き、したがって、記録層あるいは記録層の記録部分の劣
化を防止できる。
体によれば、記録層を形成した面と反対側の光透過性基
板面上にＳｉＯ2 防湿層を形成してあるので、基板読取
り面側である光透過性基板側からの水分の侵入を防止で
き、したがって、記録層あるいは記録層の記録部分の劣
化を防止できる。
【００５３】また、本発明の光記録媒体によれば、光記
録媒体におけるＳｉＯ2 防湿層を光透過性の樹脂からな
る被膜で被覆してあるので、ＳｉＯ2 防湿層上に直接結
露が生じることがなく、防湿層自体の劣化を防止でき、
したがって、光記録媒体の信頼性を確保することがで
き、安定した再生信号を得ることができる。すなわち、
高温高湿の環境下においても充分な耐久性を有する光記
録媒体を提供できる。
録媒体におけるＳｉＯ2 防湿層を光透過性の樹脂からな
る被膜で被覆してあるので、ＳｉＯ2 防湿層上に直接結
露が生じることがなく、防湿層自体の劣化を防止でき、
したがって、光記録媒体の信頼性を確保することがで
き、安定した再生信号を得ることができる。すなわち、
高温高湿の環境下においても充分な耐久性を有する光記
録媒体を提供できる。
【図１】本発明の光記録媒体の一構成例を示す部分断面
図である。
図である。
【図２】本発明の光記録媒体の他の構成例を示す部分断
面図である。
面図である。
【図３】水分侵入経路の確認に使用した光記録媒体をそ
れぞれ示す部分断面図である。
れぞれ示す部分断面図である。
【図４】本発明の光記録媒体における環境加速試験前後
のＲＦエンベロープの変化を表す図である。
のＲＦエンベロープの変化を表す図である。
【図５】従来の光記録媒体における環境加速試験前後の
ＲＦエンベロープの変化を表す図である。
ＲＦエンベロープの変化を表す図である。
【図６】従来の光記録媒体の一構成例を示す部分断面図
である。
である。
１…光記録媒体 ２…光透過性の基板 ２ａ…ポリカーボネート基板 ３…記録層 ４…反射膜層 ５…保護膜層 ６…ＳｉＯ2 防湿層 ７…光透過性樹脂からなる被膜 ８…アルミ箔 ９…パラフィン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０９Ｂ 47/22 (72)発明者 田中 覚 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 柳沢 秀一 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 松井 文雄 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 記録層を形成した面と反対側の光透過性
基板面上にＳｉＯ2防湿層を形成してなることを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2 防湿層を有する光記録媒体にお
いて、前記ＳｉＯ2防湿層を光透過性の樹脂からなる被
膜で被覆したことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層を形成した面と反対側の光透過性
基板面上にＳｉＯ2防湿層を形成してなる光記録媒体に
おいて、少なくともＳｉＯ2 防湿層の表面上に光透過性
の樹脂からなる被膜を形成したことを特徴とする光記録
媒体。 - 【請求項４】 前記光透過性の樹脂が紫外線硬化樹脂で
ある請求項２または３記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285350A JPH07141696A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285350A JPH07141696A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07141696A true JPH07141696A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17690428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5285350A Pending JPH07141696A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07141696A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000013106A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| WO2000070606A1 (de) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen von hybrid-disks und hybrid-disk |
| EP1318512A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same, and method for recording and/or reproducing optical information |
| JP2012103958A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Kitagawa Ind Co Ltd | 透明導電フィルム |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5285350A patent/JPH07141696A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000013106A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| WO2000070606A1 (de) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen von hybrid-disks und hybrid-disk |
| EP1318512A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same, and method for recording and/or reproducing optical information |
| US6863946B2 (en) | 2001-12-07 | 2005-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same, and method for recording and/or reproducing optical information |
| JP2012103958A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Kitagawa Ind Co Ltd | 透明導電フィルム |
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