JPH0714782A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0714782A JPH0714782A JP15405393A JP15405393A JPH0714782A JP H0714782 A JPH0714782 A JP H0714782A JP 15405393 A JP15405393 A JP 15405393A JP 15405393 A JP15405393 A JP 15405393A JP H0714782 A JPH0714782 A JP H0714782A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】縦型炉芯管を用いた薄膜形成装置の反応ガス導
入口から排気管に至る間の炉芯管内の反応ガスの流れを
整流させることにより、ウェハ面に当たるガスを均一に
し薄膜の面内均一性の向上を図る。 【構成】炉芯管２を支持する保温筒ベース７には、保温
筒５が載る部分の外周部に複数の排気孔８が均等に配置
されている。これにより、炉芯管２内にガス導入口２ａ
から導入された反応ガス１は炉芯管軸に対称となって流
れる。さらに、複数の排気孔８はアーム９の円形底面部
中央で集められ１本の排気管１０に接続されている。こ
の結果、整流された反応ガス１はウェハ４に対し面内均
一に供給され、形成された膜厚や拡散層抵抗等のウェハ
面内均一性が向上する。
入口から排気管に至る間の炉芯管内の反応ガスの流れを
整流させることにより、ウェハ面に当たるガスを均一に
し薄膜の面内均一性の向上を図る。 【構成】炉芯管２を支持する保温筒ベース７には、保温
筒５が載る部分の外周部に複数の排気孔８が均等に配置
されている。これにより、炉芯管２内にガス導入口２ａ
から導入された反応ガス１は炉芯管軸に対称となって流
れる。さらに、複数の排気孔８はアーム９の円形底面部
中央で集められ１本の排気管１０に接続されている。こ
の結果、整流された反応ガス１はウェハ４に対し面内均
一に供給され、形成された膜厚や拡散層抵抗等のウェハ
面内均一性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体ウェハに薄膜を形成するための縦型炉芯管を
有する半導体製造装置に関する。
特に半導体ウェハに薄膜を形成するための縦型炉芯管を
有する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置、特に気相成長装
置あるいは拡散炉においては、膜厚や拡散層抵抗のウェ
ハ面内均一性が要求されている。従来の縦型拡散炉を例
にとり、その主要部の構造を図２を用いて説明する。同
図（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ矢視図で
ある。
置あるいは拡散炉においては、膜厚や拡散層抵抗のウェ
ハ面内均一性が要求されている。従来の縦型拡散炉を例
にとり、その主要部の構造を図２を用いて説明する。同
図（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ矢視図で
ある。
【０００３】ウェハ４を搭載したボート３を保温筒５に
載せ、このボート３をアーム９の上下移動機構（図示せ
ず）により炉芯管２の下部開口から装填する。保温筒５
はシール材６および保温筒ベース７を介してアーム９上
に固定されている。そして、この炉芯管２の上方のガス
導入口２ａから反応ガス１を導入してウェハ４に供給
し、反応後の排ガスを炉芯管２の下部側壁に設けられた
排気管１０から排出する構造であった。
載せ、このボート３をアーム９の上下移動機構（図示せ
ず）により炉芯管２の下部開口から装填する。保温筒５
はシール材６および保温筒ベース７を介してアーム９上
に固定されている。そして、この炉芯管２の上方のガス
導入口２ａから反応ガス１を導入してウェハ４に供給
し、反応後の排ガスを炉芯管２の下部側壁に設けられた
排気管１０から排出する構造であった。
【０００４】このような構造においては、排気管１０が
横向きに１箇所設けられているだけなので、反応ガス１
の流れは炉芯管２の中心軸に対し非対称となり、ウェハ
面に均一に当たらず、膜厚や層抵抗の面内均一性に悪影
響を及ぼしていた。
横向きに１箇所設けられているだけなので、反応ガス１
の流れは炉芯管２の中心軸に対し非対称となり、ウェハ
面に均一に当たらず、膜厚や層抵抗の面内均一性に悪影
響を及ぼしていた。
【０００５】これを改善させるために、図３の縦断面図
に示すような薄膜気相成長装置においては、ウェハ４を
載せるサセプタ１１と、このサセプタを支持するシャフ
ト１５と、このシャフトを囲みパイプ取付治具を介して
取り付けられたパイプ１２と、このパイプに固定された
遮蔽板１３とを有し、ウェハ４は上下移動機構（図示せ
ず）によって上下するサセプタ１１により炉芯管２内に
出し入れされる。
に示すような薄膜気相成長装置においては、ウェハ４を
載せるサセプタ１１と、このサセプタを支持するシャフ
ト１５と、このシャフトを囲みパイプ取付治具を介して
取り付けられたパイプ１２と、このパイプに固定された
遮蔽板１３とを有し、ウェハ４は上下移動機構（図示せ
ず）によって上下するサセプタ１１により炉芯管２内に
出し入れされる。
【０００６】この炉芯管２の上方のガス導入口２ａから
反応ガス１をウェハ４に供給し、反応後の排ガスをシャ
フト１５を囲むパイプ１２内に流し、パイプ１２の下部
側壁に設けた複数の小孔１４から均等に排出することに
より炉芯管２中の反応ガス１の流れを均一にし、ウェハ
４上に均一な薄膜を成長させる装置が知られている（例
えば実開昭６１−１９２４４３号公報）。この複数の小
孔１４から出たガスは一つに集まって、炉芯管下部側壁
の排気管１０から排出される。
反応ガス１をウェハ４に供給し、反応後の排ガスをシャ
フト１５を囲むパイプ１２内に流し、パイプ１２の下部
側壁に設けた複数の小孔１４から均等に排出することに
より炉芯管２中の反応ガス１の流れを均一にし、ウェハ
４上に均一な薄膜を成長させる装置が知られている（例
えば実開昭６１−１９２４４３号公報）。この複数の小
孔１４から出たガスは一つに集まって、炉芯管下部側壁
の排気管１０から排出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来装置のうち図３に
示したような改善された薄膜気相成長装置によると、炉
芯管２のガス導入口２ａから排気管１０までのガス流路
は依然として軸対称となっていないため、排気管１０に
近い側の小孔１４と遠い側の小孔１４とでは、反応ガス
１が排気管１０から排出されるまでの距離が異なり、炉
芯管２内において反応ガス１は完全には軸対称に整流さ
れないという問題点があった。
示したような改善された薄膜気相成長装置によると、炉
芯管２のガス導入口２ａから排気管１０までのガス流路
は依然として軸対称となっていないため、排気管１０に
近い側の小孔１４と遠い側の小孔１４とでは、反応ガス
１が排気管１０から排出されるまでの距離が異なり、炉
芯管２内において反応ガス１は完全には軸対称に整流さ
れないという問題点があった。
【０００８】また、遮蔽板１３と炉芯管２の内壁との間
は、ウェハ４を出し入れする構造上、必ずある程度の余
裕をもって隙間を開けなければならないため、この隙間
から反応ガス１が漏れ、炉芯管２内の反応ガス１は流れ
が一層乱れてしまうという問題点があった。
は、ウェハ４を出し入れする構造上、必ずある程度の余
裕をもって隙間を開けなければならないため、この隙間
から反応ガス１が漏れ、炉芯管２内の反応ガス１は流れ
が一層乱れてしまうという問題点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、反応ガスおよび熱によりウェハ面に薄膜を形成させ
る縦型炉芯管を備え、この炉芯管の反応ガス導入口から
排気管に至る間のガス流を整流させるための複数の排気
孔を炉芯管を支持している保温筒ベースに均等配置し、
薄膜のウェハ面内均一性の向上を図っている。
は、反応ガスおよび熱によりウェハ面に薄膜を形成させ
る縦型炉芯管を備え、この炉芯管の反応ガス導入口から
排気管に至る間のガス流を整流させるための複数の排気
孔を炉芯管を支持している保温筒ベースに均等配置し、
薄膜のウェハ面内均一性の向上を図っている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の主要部を示す図で、同図
（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ矢視図であ
る。
る。図１は本発明の一実施例の主要部を示す図で、同図
（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ矢視図であ
る。
【００１１】図１は炉芯管２の開口部を下方に向けた縦
型拡散炉であるが、炉芯管２には排気口を設けていない
ため従来よりも製作が容易である。保温筒ベース７に
は、保温筒５が載る部分の外周部に複数の排気孔８を等
分に配置して設けたので、炉芯管２内のガス流はガス導
入口２ａから排気管１０に至るまでの間、完全に軸対称
となっている。
型拡散炉であるが、炉芯管２には排気口を設けていない
ため従来よりも製作が容易である。保温筒ベース７に
は、保温筒５が載る部分の外周部に複数の排気孔８を等
分に配置して設けたので、炉芯管２内のガス流はガス導
入口２ａから排気管１０に至るまでの間、完全に軸対称
となっている。
【００１２】また、保温筒ベース７の少なくとも最外周
部には、炉芯管２の開口端と保温筒ベース７との間から
ガスが漏れないようにシール材６が装着されている。さ
らに、保温筒ベース７を支持し上下移動（機構は図示せ
ず）するアーム９には、排気ガスがアーム９の円形底面
部中央に集まるように１本の排気管１０が接続されてお
り、排気ガスの流れがより均一になるように構成されて
いる。複数の排気孔８は保温筒ベース７上の保温筒５と
炉芯管２との間の円周に沿って均等に開けられ、アーム
９にもこれらの孔と重なるように孔を開けてある。そし
て、保温筒ベース７に突起を設け、アーム９には窪みを
設け、これらをはめ合わせてずれないようにしている。
部には、炉芯管２の開口端と保温筒ベース７との間から
ガスが漏れないようにシール材６が装着されている。さ
らに、保温筒ベース７を支持し上下移動（機構は図示せ
ず）するアーム９には、排気ガスがアーム９の円形底面
部中央に集まるように１本の排気管１０が接続されてお
り、排気ガスの流れがより均一になるように構成されて
いる。複数の排気孔８は保温筒ベース７上の保温筒５と
炉芯管２との間の円周に沿って均等に開けられ、アーム
９にもこれらの孔と重なるように孔を開けてある。そし
て、保温筒ベース７に突起を設け、アーム９には窪みを
設け、これらをはめ合わせてずれないようにしている。
【００１３】本実施例によれば、炉芯管内の反応ガスを
整流することにより、膜厚や拡散層抵抗等のウェハ面内
均一性が従来の２倍程度向上する。例えば、１５ｎｍの
膜厚の面内均一性が、従来は最大値と最小値との差で
０．６ｎｍあったのが０．３ｎｍと小さくなり、面内均
一性の向上が得られた。
整流することにより、膜厚や拡散層抵抗等のウェハ面内
均一性が従来の２倍程度向上する。例えば、１５ｎｍの
膜厚の面内均一性が、従来は最大値と最小値との差で
０．６ｎｍあったのが０．３ｎｍと小さくなり、面内均
一性の向上が得られた。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、炉芯管お
よび保温筒を支持する保温筒ベースに複数の排気孔を均
等配置し、この排気孔をベース底面中央で１本に集め排
気管に接続することにより、反応ガス流は完全に炉芯管
の入口から出口に向かって炉芯管の軸対称となり、反応
ガスは整流されてウェハ面に対し均一に当てることがで
きるという効果がある。
よび保温筒を支持する保温筒ベースに複数の排気孔を均
等配置し、この排気孔をベース底面中央で１本に集め排
気管に接続することにより、反応ガス流は完全に炉芯管
の入口から出口に向かって炉芯管の軸対称となり、反応
ガスは整流されてウェハ面に対し均一に当てることがで
きるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の主要部を示す図で、同図
（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ矢視図であ
る。
（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ矢視図であ
る。
【図２】従来の半導体製造装置の主要部を示す図で、同
図（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ矢視図で
ある。
図（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ矢視図で
ある。
【図３】従来の半導体製造装置の他の例を示す縦断面図
である。
である。
１ 反応ガス ２ 炉芯管 ２ａ ガス導入口 ３ ボート ４ ウェハ ５ 保温筒 ６ シール材 ７ 保温筒ベース ８ 排気孔 ９ アーム １０ 排気管 １１ サセプタ １２ パイプ １３ 遮蔽板 １４ 小孔 １５ シャフト
Claims (3)
- 【請求項１】 縦型炉芯管内にウェハを収納し反応ガス
および熱によりウェハ面に薄膜を形成させる半導体製造
装置において、前記炉芯管の反応ガス導入側から排気側
に至るガス流を整流させるための複数の排気孔を、前記
炉芯管を支持する保温筒ベースに均等配置したことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記複数の排気孔は前記保温筒ベース上
の中央部に設置された保温筒と前記炉芯管内壁との間に
配置されている請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記複数の排気孔は前記保温筒ベースを
載せるアーム中央部で１本の排気管に集められている請
求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154053A JP2536406B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154053A JP2536406B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714782A true JPH0714782A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2536406B2 JP2536406B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=15575889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154053A Expired - Fee Related JP2536406B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536406B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389449B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-06-27 | 주성엔지니어링(주) | 대칭형 유로블럭을 가지는 진공판 |
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| JP2006310857A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Asm Internatl Nv | 炉のドアプレート |
| KR101347721B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2014-01-03 | (주)제니스월드 | 콜렉터 제조장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154722A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPH02114636A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ処理用真空装置 |
| JPH03212932A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JPH04209794A (ja) * | 1990-12-10 | 1992-07-31 | Hitachi Cable Ltd | 気相膜成長装置 |
| JPH04240185A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相成長装置 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154053A patent/JP2536406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| KR100966519B1 (ko) * | 2002-03-15 | 2010-06-29 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. | 다수의 원주 채널을 가진 프로세스 튜브 지지 슬리브 |
| JP2006310857A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Asm Internatl Nv | 炉のドアプレート |
| KR101347721B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2014-01-03 | (주)제니스월드 | 콜렉터 제조장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2536406B2 (ja) | 1996-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960514 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |