JPH02114636A - ウエハ処理用真空装置 - Google Patents
ウエハ処理用真空装置Info
- Publication number
- JPH02114636A JPH02114636A JP26867788A JP26867788A JPH02114636A JP H02114636 A JPH02114636 A JP H02114636A JP 26867788 A JP26867788 A JP 26867788A JP 26867788 A JP26867788 A JP 26867788A JP H02114636 A JPH02114636 A JP H02114636A
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- Japan
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- chamber
- wafer
- exhaust
- gas
- processing
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計J
この発明は、ウェハ処理用真空装置に関し、特に該装置
内へのガス注入、排気時における気流の乱れを防止する
構造に関するものである。
内へのガス注入、排気時における気流の乱れを防止する
構造に関するものである。
C従来の技術J
第3図は従来のウェハ処理用真空装置の一実施例を模式
的に示す断面図である。図において、(1)は一般に円
筒形構造をしたチャンバ、(2)は真空に引かれたチャ
ンバ(1)内に配置され所定の処理がなされるウェハ、
(3)はチャンバ(1)内に配置されたウェハ(2)を
固定するホルダ、(4)はウェハ(2)をチャンバ(υ
内に出し入れするための搬出口の開閉扉、(5)はチャ
ンバ(1)内へ例えばN2ガヌ等を注入するガス注入手
段、(6)はチャンバ(1)に設けられ、注入ガスの通
路となるガス注入管、(7)はガス注入管(6)に設け
られ、ガス注入量を調節するガス調節パルプ、(8)は
ガス注入管(6)に接続されである高純度のN2等のガ
ス供給源であり、ガス注入手段(5)はガス注入管(6
)、ガス調節バルブ(7)及びガス供給源(8)より構
成されている。(9)はチャンバ(1)内を真空にする
真空手段、(lO)はチャンバ(1)に設けられ、排気
の通路となる排気管、(11)は排気管(1o)に設け
られ、排気量を調節する排気調節ポンプ、(12)はチ
ャンバ(1)内の空気を排出する真空ポンプであり、真
空手段(9)は排気管(10)、排気調節パルプ(11
)及び真空ポンプ(12)より構成されている。(13
a) 、 (13b)はチャンバ(1)内の気流であり
、(13a)はガス注入時、(13b)は排気時の流れ
を示すり 次に動作について説明する。
的に示す断面図である。図において、(1)は一般に円
筒形構造をしたチャンバ、(2)は真空に引かれたチャ
ンバ(1)内に配置され所定の処理がなされるウェハ、
(3)はチャンバ(1)内に配置されたウェハ(2)を
固定するホルダ、(4)はウェハ(2)をチャンバ(υ
内に出し入れするための搬出口の開閉扉、(5)はチャ
ンバ(1)内へ例えばN2ガヌ等を注入するガス注入手
段、(6)はチャンバ(1)に設けられ、注入ガスの通
路となるガス注入管、(7)はガス注入管(6)に設け
られ、ガス注入量を調節するガス調節パルプ、(8)は
ガス注入管(6)に接続されである高純度のN2等のガ
ス供給源であり、ガス注入手段(5)はガス注入管(6
)、ガス調節バルブ(7)及びガス供給源(8)より構
成されている。(9)はチャンバ(1)内を真空にする
真空手段、(lO)はチャンバ(1)に設けられ、排気
の通路となる排気管、(11)は排気管(1o)に設け
られ、排気量を調節する排気調節ポンプ、(12)はチ
ャンバ(1)内の空気を排出する真空ポンプであり、真
空手段(9)は排気管(10)、排気調節パルプ(11
)及び真空ポンプ(12)より構成されている。(13
a) 、 (13b)はチャンバ(1)内の気流であり
、(13a)はガス注入時、(13b)は排気時の流れ
を示すり 次に動作について説明する。
先ず、開閉扉(4)を開けてウェハa)をチャンバα)
内のホルダ(3)にセットする。次に開閉扉(4)を閉
め、ガス調節パルプ(7)を閉じた状態で真空ポンプ(
12)により排気管(10)を通じてチャンバ(1)内
の排気が行なわれる。この際、排気調節パルプ(11)
により排気量の調節がなされ、初めは排気調節パルプ(
11)を少しだけ開けた状態で排気され、後に全開にし
て排気される。そうして、設定時間に達したとき、ある
いはチャンバ(1)内が設定真空度に達したならば、チ
ャンバ(1)内に設けられているウェハ処理手段(図示
せず)によるウェハ(2)の処理、例えばドフイエッチ
ングやスパッタリング等が施される。この後、排気調節
パルプ(11)を閉じてからガス調節パルプ(7)を開
き、高純度のN2等のガスがチャンバ(1)内に注入さ
れるが、排気の場合と同様にガス調節パルプ(7)Kよ
るガス注入量の調節がなされ、初めはガス調節パルプ(
7)を少しだけ開けた状態でガスが注入され、後に全開
にして注入される。このようにガス・排気調節パルプ(
7)、 (11)による流盆の調節が行われるのは、
ガス注入或は排気時に、できるだけチャンバ(1)内の
気流が乱れるのを防ぐためである。ウエハレ)の処理が
完了してガス注入手段(5)によりチャンバ(1)内の
気圧が外気圧と同じにされると、開閉扉(4)を開け、
ウェハC)はホルダ(3)からはずされて、チャンバα
)内から外部へ取り出される。
内のホルダ(3)にセットする。次に開閉扉(4)を閉
め、ガス調節パルプ(7)を閉じた状態で真空ポンプ(
12)により排気管(10)を通じてチャンバ(1)内
の排気が行なわれる。この際、排気調節パルプ(11)
により排気量の調節がなされ、初めは排気調節パルプ(
11)を少しだけ開けた状態で排気され、後に全開にし
て排気される。そうして、設定時間に達したとき、ある
いはチャンバ(1)内が設定真空度に達したならば、チ
ャンバ(1)内に設けられているウェハ処理手段(図示
せず)によるウェハ(2)の処理、例えばドフイエッチ
ングやスパッタリング等が施される。この後、排気調節
パルプ(11)を閉じてからガス調節パルプ(7)を開
き、高純度のN2等のガスがチャンバ(1)内に注入さ
れるが、排気の場合と同様にガス調節パルプ(7)Kよ
るガス注入量の調節がなされ、初めはガス調節パルプ(
7)を少しだけ開けた状態でガスが注入され、後に全開
にして注入される。このようにガス・排気調節パルプ(
7)、 (11)による流盆の調節が行われるのは、
ガス注入或は排気時に、できるだけチャンバ(1)内の
気流が乱れるのを防ぐためである。ウエハレ)の処理が
完了してガス注入手段(5)によりチャンバ(1)内の
気圧が外気圧と同じにされると、開閉扉(4)を開け、
ウェハC)はホルダ(3)からはずされて、チャンバα
)内から外部へ取り出される。
〔発明が解決しようとする課題1
上記のようなりエバ処理用真空装置では、ガス注入口と
排気口が各1つ設けられているだけの構造である為、チ
ャンバ(1)の形状、ガス注入管(6)、排気管(lO
)の取付は位置、ガス・排気調節パルプ(7) 、
(11)の調節具合等に影響され、ガス注入、排気の際
に気流(13a) 、 (13b)の矢印に示すように
チャンバ(1)内で気流の乱れが生じる。この際、チャ
ンバ(1)の内壁に付着している塵埃、例えば蒸着時に
生じる付着物や、ウェハC)をチャンバ(1)内に出し
入れする際に外部からチャンバ(1)内に入り込んだ埃
などは、この気流の乱れによって巻き上げられウェハ〇
)に付着してウェハ(2)を汚染するという問題点があ
った。
排気口が各1つ設けられているだけの構造である為、チ
ャンバ(1)の形状、ガス注入管(6)、排気管(lO
)の取付は位置、ガス・排気調節パルプ(7) 、
(11)の調節具合等に影響され、ガス注入、排気の際
に気流(13a) 、 (13b)の矢印に示すように
チャンバ(1)内で気流の乱れが生じる。この際、チャ
ンバ(1)の内壁に付着している塵埃、例えば蒸着時に
生じる付着物や、ウェハC)をチャンバ(1)内に出し
入れする際に外部からチャンバ(1)内に入り込んだ埃
などは、この気流の乱れによって巻き上げられウェハ〇
)に付着してウェハ(2)を汚染するという問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ガス注入、排気時にチャンバ(1)内での気
流の乱れを少なくして、ウェハ(2)が汚染されるのを
防ぐ構造のウェハ処理用真空装置を得ることを目的とす
る。
たもので、ガス注入、排気時にチャンバ(1)内での気
流の乱れを少なくして、ウェハ(2)が汚染されるのを
防ぐ構造のウェハ処理用真空装置を得ることを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段1
この発明に係るウェハ処理用真空装置は、ガス注入手段
により処理室へガスが注入されるとき該処理室内の気流
を整流する第1の整流手段と、真空手段により上記処理
室内の空気が排出されるとき該処理室内の気流を整流す
る第2の整流手段とを設けて構成したものである。
により処理室へガスが注入されるとき該処理室内の気流
を整流する第1の整流手段と、真空手段により上記処理
室内の空気が排出されるとき該処理室内の気流を整流す
る第2の整流手段とを設けて構成したものである。
〔作用;
この発明においては、ウェハの処理室内へガスが注入さ
れるときには第1の整流手段により該処理室内の気流が
整流され、上記処理案内の空気が排出されるときには第
2の整流手段により上記処理室内の気流が整流される。
れるときには第1の整流手段により該処理室内の気流が
整流され、上記処理案内の空気が排出されるときには第
2の整流手段により上記処理室内の気流が整流される。
このため、上記処理室の内壁に付着している塵埃がはが
されることがなく、上記処理室内に配置されているウェ
ハの汚染が防止される。
されることがなく、上記処理室内に配置されているウェ
ハの汚染が防止される。
〔実施例j
第1図はこの発明の一実施例を模式的に示すウェハ処理
用真空装置の断面図であり、(1)〜(13)は従来例
におけるものと同じものである。
用真空装置の断面図であり、(1)〜(13)は従来例
におけるものと同じものである。
図において、(14)はガス注入手段(5)からN2ガ
スが注入されるチャンバ(1)内の加圧室、(15)は
ウェハ(2)が配置され、その処理がなされるチャンバ
(1)内の処理室、(16)は真空手段(9)から空気
が排出されるチャンバα)内の排気室、(17)は加圧
室(14)と処理室(15)間に両室(14)、 (1
5)間を分離して設けられ、加圧室(14)へ注入され
たN2ガスを処理室(15)へ整流して送るために設け
られた第1の整流手段(18)は第1のフィルタであり
、処理室(15)の内気(13a)の流れを低速度の整
流とする機能を有する。
スが注入されるチャンバ(1)内の加圧室、(15)は
ウェハ(2)が配置され、その処理がなされるチャンバ
(1)内の処理室、(16)は真空手段(9)から空気
が排出されるチャンバα)内の排気室、(17)は加圧
室(14)と処理室(15)間に両室(14)、 (1
5)間を分離して設けられ、加圧室(14)へ注入され
たN2ガスを処理室(15)へ整流して送るために設け
られた第1の整流手段(18)は第1のフィルタであり
、処理室(15)の内気(13a)の流れを低速度の整
流とする機能を有する。
(19)は第1のダンパ、(20)は第1のフィルタ(
18)及び第1のダンパ(19)間に設けられた第1の
空間であり、第1のダンパ(19)はガス注入手段(5
)により加圧室(14)へN2ガスが注入されるとき、
第1の空間(20)内の圧力を平均化する機能を有する
。なお、第1の整流手段(17)は第1のフィルタ(1
8)、第1のダンパ(19)及び第1の空間(20)で
構成されている。(21)は処理室(15)と排気室(
16)間に両室(15)、 (16)間を分離して設
けられ、排気室(16)の空気が排出されるとき処理室
(15)の空気を整流して排出するために設けられた第
2の整流手段、(22)は第2のフィルタであり、処理
室(15)の内気(13b)の流れを低速度の整流とす
る機能を有する。
18)及び第1のダンパ(19)間に設けられた第1の
空間であり、第1のダンパ(19)はガス注入手段(5
)により加圧室(14)へN2ガスが注入されるとき、
第1の空間(20)内の圧力を平均化する機能を有する
。なお、第1の整流手段(17)は第1のフィルタ(1
8)、第1のダンパ(19)及び第1の空間(20)で
構成されている。(21)は処理室(15)と排気室(
16)間に両室(15)、 (16)間を分離して設
けられ、排気室(16)の空気が排出されるとき処理室
(15)の空気を整流して排出するために設けられた第
2の整流手段、(22)は第2のフィルタであり、処理
室(15)の内気(13b)の流れを低速度の整流とす
る機能を有する。
(23)は第2のダンパ、(24)は第2のフィルタ(
22)及び第2のダンパ(23)間に設けられた第2の
空間であり、第2のダンパ(23)は真空手段(9)に
より排気室(16)内の空気が排出されるとき、第2の
空間(24)内の圧力を平均化する機能を有する。
22)及び第2のダンパ(23)間に設けられた第2の
空間であり、第2のダンパ(23)は真空手段(9)に
より排気室(16)内の空気が排出されるとき、第2の
空間(24)内の圧力を平均化する機能を有する。
なお、第2の整流手段(21)は第2のフィルタ(22
)、第2のダンパ(23)及び第2の空間(24)で構
成されている。
)、第2のダンパ(23)及び第2の空間(24)で構
成されている。
、第2図は、第1及び第2に示すダンパ(19)、
(23)の平面図であり、図において(25)は疎密に
設けられた開口である。図より明らかなように、第1及
び第2のダンパ(19)、 (23)はそれぞれ開口
(25)の疎に形成された側がガス注入管(6)或は排
気管(10)側に配置され、第1の空間(20)或は第
2の空間(24)の圧力の平均化が図られている。
(23)の平面図であり、図において(25)は疎密に
設けられた開口である。図より明らかなように、第1及
び第2のダンパ(19)、 (23)はそれぞれ開口
(25)の疎に形成された側がガス注入管(6)或は排
気管(10)側に配置され、第1の空間(20)或は第
2の空間(24)の圧力の平均化が図られている。
なお、第1及び第2のフィルタ(18) 、 (22
)はガス注入量或は排気量に応じて、ポアサイ1050
5〜100μm程度のものが選定される。
)はガス注入量或は排気量に応じて、ポアサイ1050
5〜100μm程度のものが選定される。
次に動作について説明する。
先ず、開閉扉(4)を開けてウェハ(2)を処理室(1
5)内のホルダ(3)にセットする。次に開閉扉(4)
を閉め、ガス調節バルブ(6)を閉じた状態で真空ボン
デ(12)により排気管(10)を通じてチャンバ(1
)内の排気が行われる。この際、排気調節バルブ(11
)より排気量の調節がなされ、始めは排気調節バルブ(
11)を少しだけ開けた状態で排気され、後に全開にし
て排気される。そうすると、チャンバ(1)内で第1.
第2の整流手段(17) 、 (21)を境にして加
圧室(14)、処理室(15)、排気室(16)のそれ
ぞれに圧力差が生じて、第11第2のフィルター(18
)、 (22)の全面を均一に排気が流れ、処理室(
15)では全面ダウンフローの形で徐々に排気がなされ
る。
5)内のホルダ(3)にセットする。次に開閉扉(4)
を閉め、ガス調節バルブ(6)を閉じた状態で真空ボン
デ(12)により排気管(10)を通じてチャンバ(1
)内の排気が行われる。この際、排気調節バルブ(11
)より排気量の調節がなされ、始めは排気調節バルブ(
11)を少しだけ開けた状態で排気され、後に全開にし
て排気される。そうすると、チャンバ(1)内で第1.
第2の整流手段(17) 、 (21)を境にして加
圧室(14)、処理室(15)、排気室(16)のそれ
ぞれに圧力差が生じて、第11第2のフィルター(18
)、 (22)の全面を均一に排気が流れ、処理室(
15)では全面ダウンフローの形で徐々に排気がなされ
る。
そうして、設定時間に達つしたとき、或はチャンバ(1
)内が設定真空度に達つしたならば、チャンバ(1)内
に設けられている処理手段(図示せず)によるウェハ(
2)の処理が施される。この後、排気調節バルブ(11
)を閉じてからガス調節バルブ(7)を開けて、ガスが
チャンバ(1)内に注入されるが、排気の場合と同様に
ガス調節バルブ(7)によるガス注入量の調節がなされ
る。これにより、排気時と同様に処理室(15)では全
面ダウンフローの形でガスの注入がなされる。チャンバ
(1)内の気圧が外気圧と同じになると、開閉扉(4)
を開け、ウェハ(2)はホルダ(3)からはずされて、
チャンバ(1)内から外部へ取り出される。
)内が設定真空度に達つしたならば、チャンバ(1)内
に設けられている処理手段(図示せず)によるウェハ(
2)の処理が施される。この後、排気調節バルブ(11
)を閉じてからガス調節バルブ(7)を開けて、ガスが
チャンバ(1)内に注入されるが、排気の場合と同様に
ガス調節バルブ(7)によるガス注入量の調節がなされ
る。これにより、排気時と同様に処理室(15)では全
面ダウンフローの形でガスの注入がなされる。チャンバ
(1)内の気圧が外気圧と同じになると、開閉扉(4)
を開け、ウェハ(2)はホルダ(3)からはずされて、
チャンバ(1)内から外部へ取り出される。
なお、上記実施例では第1.第2のフィルタ(18)、
(22)を通る流量が全面で均一になるように第1
.第2のダンパ(19) 、 (23)を設けたが、
第1第2のフィルタ(18) 、 (22)が圧力損
失の高いものであれば、第1.第2のダンパ(19)、
(23)かなくとも整流効果があるので、第1.第
2の整流手段としてダンパ(19)、 (23)はな
くてもよい。
(22)を通る流量が全面で均一になるように第1
.第2のダンパ(19) 、 (23)を設けたが、
第1第2のフィルタ(18) 、 (22)が圧力損
失の高いものであれば、第1.第2のダンパ(19)、
(23)かなくとも整流効果があるので、第1.第
2の整流手段としてダンパ(19)、 (23)はな
くてもよい。
【発明の効果j
以上のように、この発明によれば、チャンバ内にガス注
入或はチャンバ内の空気を排出する際、ウェハ処理室の
気流を整流する第1及び第2の整流手段をチャンバ内に
設けたので、塵埃によるウェハの汚染を防止できるウェ
ハ処理用真空装置dlが得られるという効果がある。
入或はチャンバ内の空気を排出する際、ウェハ処理室の
気流を整流する第1及び第2の整流手段をチャンバ内に
設けたので、塵埃によるウェハの汚染を防止できるウェ
ハ処理用真空装置dlが得られるという効果がある。
第1図はこの発明のウェハ処理用真空装置の一実施例を
模式的に示す断面図、第2図はこの発明の第1及び第2
のダンパの平面図、第3図は従来のウェハ処理用真空装
置の一実施例を模式的に示す断面図である。 図において、(1)はチャンバ、C)はウェハ、(5)
はガス注入手段、(9)は真空手段、(15)は処理室
、(17)は第1の整流手段、 (21)は第2の整流手段で ある。 なお、 各図中、 同一符号は同一、 又は相当のも のを示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 手 続 補 正 書(自発) 第3図 1、事件の表示 特願昭 号 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
称 (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 4、代 理 人 5、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面。 6、 補正の内容 (1)明細書の第2頁第19行に「排気調節ポンプ、」
とあるのを「排気調節バルブ」に訂正する。 (2)明細書の第5頁第5行に「問題点があった。」と
あるのを「問題点があった。」に訂正する。 (3)明細書の第8頁第15行に「ガス調節バルブ(6
)」とあるのを「ガス調節バルブ(7)」に訂正する。 (4)明細書の第9頁第6行に「達つしたとき、」とあ
るのを「達したとき、」に訂正する。 (5)明細書の第9頁第7行に「達つしたならは、」と
あるのを「達したならば、」に訂正する。 (6)図面中筒1図を別紙のとおり訂正する。 7 添付書類の目録 (1)訂正図面(第1図) 1通以上
模式的に示す断面図、第2図はこの発明の第1及び第2
のダンパの平面図、第3図は従来のウェハ処理用真空装
置の一実施例を模式的に示す断面図である。 図において、(1)はチャンバ、C)はウェハ、(5)
はガス注入手段、(9)は真空手段、(15)は処理室
、(17)は第1の整流手段、 (21)は第2の整流手段で ある。 なお、 各図中、 同一符号は同一、 又は相当のも のを示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 手 続 補 正 書(自発) 第3図 1、事件の表示 特願昭 号 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
称 (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 4、代 理 人 5、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面。 6、 補正の内容 (1)明細書の第2頁第19行に「排気調節ポンプ、」
とあるのを「排気調節バルブ」に訂正する。 (2)明細書の第5頁第5行に「問題点があった。」と
あるのを「問題点があった。」に訂正する。 (3)明細書の第8頁第15行に「ガス調節バルブ(6
)」とあるのを「ガス調節バルブ(7)」に訂正する。 (4)明細書の第9頁第6行に「達つしたとき、」とあ
るのを「達したとき、」に訂正する。 (5)明細書の第9頁第7行に「達つしたならは、」と
あるのを「達したならば、」に訂正する。 (6)図面中筒1図を別紙のとおり訂正する。 7 添付書類の目録 (1)訂正図面(第1図) 1通以上
Claims (1)
- (1)チャンバと、該チャンバ内の処理室へのガス注入
手段、及び該処理室の真空手段とを備え、該処理室内に
設置されたウェハ処理手段により、該処理室を真空状態
にしてウェハの処理がなされるウェハ処理用真空装置に
おいて、上記ガス注入手段により上記処理室へガスが注
入されるとき上記処理室内の気流を整流する第1の整流
手段と、上記真空手段により上記処理室内の空気が排出
されるとき上記処理室内の気流を整流する第2の整流手
段とが上記チャンバ内に備えられていることを特徴とす
るウェハ処理用真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26867788A JPH02114636A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | ウエハ処理用真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26867788A JPH02114636A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | ウエハ処理用真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114636A true JPH02114636A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17461859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26867788A Pending JPH02114636A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | ウエハ処理用真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114636A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0517872A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-26 | Sharp Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH0714782A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| US5423936A (en) * | 1992-10-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching system |
| US6991701B2 (en) | 1994-04-20 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| CN108962779A (zh) * | 2017-05-19 | 2018-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法 |
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1988
- 1988-10-25 JP JP26867788A patent/JPH02114636A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0517872A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-26 | Sharp Corp | 薄膜形成装置 |
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