JPH0714841A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0714841A JPH0714841A JP5148908A JP14890893A JPH0714841A JP H0714841 A JPH0714841 A JP H0714841A JP 5148908 A JP5148908 A JP 5148908A JP 14890893 A JP14890893 A JP 14890893A JP H0714841 A JPH0714841 A JP H0714841A
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- Japan
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- silicon dioxide
- depositing
- hydrofluoric acid
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体基板上に形成されたアルミニウム配線
４上に配線パターン形成用のレジストパターン５を形成
する工程と、ドライエッチングによりアルミニウム配線
４を除去する工程と、ＷＦ6を含んだガスとアルミニウ
ム配線４を反応させアルミニウム配線４の露出した部分
にタングステン膜６を堆積する工程と、珪弗化水素酸
（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素
の飽和水溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜７を
堆積する工程と、前記レジスト５を除去したシリコン酸
化膜８を全面に堆積する工程とを含有する。 【効果】 段差なくアルミ配線上に二酸化珪素膜を堆積
することができる。
４上に配線パターン形成用のレジストパターン５を形成
する工程と、ドライエッチングによりアルミニウム配線
４を除去する工程と、ＷＦ6を含んだガスとアルミニウ
ム配線４を反応させアルミニウム配線４の露出した部分
にタングステン膜６を堆積する工程と、珪弗化水素酸
（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素
の飽和水溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜７を
堆積する工程と、前記レジスト５を除去したシリコン酸
化膜８を全面に堆積する工程とを含有する。 【効果】 段差なくアルミ配線上に二酸化珪素膜を堆積
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の層間絶縁膜
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化にともない
多層配線構造が用いられており、配線・配線間の層間絶
縁膜として多くの層間絶縁膜の形成方法が検討されてい
る。その一つに、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化
珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液
層成長法により層間絶縁膜を形成する方法がある。
多層配線構造が用いられており、配線・配線間の層間絶
縁膜として多くの層間絶縁膜の形成方法が検討されてい
る。その一つに、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化
珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液
層成長法により層間絶縁膜を形成する方法がある。
【０００３】ここで、液相成長法について簡単に説明す
る。珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）の水溶液にたとえばシ
リカゲル等のＳｉＯ2粉末を溶解して得た二酸化珪素の
飽和水溶液にホウ酸水溶液（Ｈ3ＢＯ3）を付加すること
によって基板表面へＳｉＯ2を析出することができる。
この反応は、一般に（化１）、（化２）の反応式で表さ
れる。
る。珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）の水溶液にたとえばシ
リカゲル等のＳｉＯ2粉末を溶解して得た二酸化珪素の
飽和水溶液にホウ酸水溶液（Ｈ3ＢＯ3）を付加すること
によって基板表面へＳｉＯ2を析出することができる。
この反応は、一般に（化１）、（化２）の反応式で表さ
れる。
【０００４】
【化１】
【０００５】
【化２】
【０００６】ＳｉＯ2粉末を加えることにより、（化
１）の反応は左の方向へ移動する。そして、ホウ酸を添
加することにより、（化２）の反応は右の方向へ移動
し、ＨＦを減少させる。したがって、（化１）の反応は
再び右の方向へ移動し、ＳｉＯ2の析出が始まる。
１）の反応は左の方向へ移動する。そして、ホウ酸を添
加することにより、（化２）の反応は右の方向へ移動
し、ＨＦを減少させる。したがって、（化１）の反応は
再び右の方向へ移動し、ＳｉＯ2の析出が始まる。
【０００７】以下図面を参照しながら、上記した従来の
液相成長法による層間絶縁膜の形成方法の一例について
説明する。
液相成長法による層間絶縁膜の形成方法の一例について
説明する。
【０００８】図４は従来の液相成長法による層間絶縁膜
の形成方法の工程断面図を示すものである。図４におい
て、１はシリコン基板、２は絶縁膜、３はコンタクトホ
ール、４はアルミニウム配線、７は液相成長で堆積した
二酸化珪素膜（ＳｉＯ2）、１３は二酸化珪素膜、１４
はアルミニウム配線で生じる段差である。
の形成方法の工程断面図を示すものである。図４におい
て、１はシリコン基板、２は絶縁膜、３はコンタクトホ
ール、４はアルミニウム配線、７は液相成長で堆積した
二酸化珪素膜（ＳｉＯ2）、１３は二酸化珪素膜、１４
はアルミニウム配線で生じる段差である。
【０００９】図４（ａ）は、絶縁膜２上にアルミニウム
配線４が形成されており、アルミニウム配線４の表面を
含む全面に二酸化珪素膜１３が堆積されている。次に図
４（ｂ）に示すように液相成長によりＳｉＯ2膜（液層
成長二酸化珪素膜）７を堆積する（特開平３−１７５６
３５参照）。
配線４が形成されており、アルミニウム配線４の表面を
含む全面に二酸化珪素膜１３が堆積されている。次に図
４（ｂ）に示すように液相成長によりＳｉＯ2膜（液層
成長二酸化珪素膜）７を堆積する（特開平３−１７５６
３５参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪
素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液層
成長法では、（化１）、（化２）に示されるように水溶
液中に弗酸が存在するため、配線材料として用いられて
いるアルミニウム配線を溶解するという問題があった。
したがって、図４（ａ）のようにアルミニウム配線４を
シリコン酸化膜で覆ったあと、液相成長により二酸化珪
素膜７を堆積している。しかし、シリコン酸化膜１４上
のどの部分でも堆積速度が等しいため、図４（ｂ）に示
されるようにアルミニウム配線４による段差１５が生じ
る。この段差は、上層配線の信頼性を劣化させるばかり
でなく、上層でのパターン形成にも支障を与える。した
がって、この段差を低減するためには、たとえば、スピ
ンオングラス（ＳＯＧ）膜を堆積し、ドライエッチング
による全面エッチングによる平坦化を行なうという追加
の工程が必要となる。
うな構成では、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪
素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液層
成長法では、（化１）、（化２）に示されるように水溶
液中に弗酸が存在するため、配線材料として用いられて
いるアルミニウム配線を溶解するという問題があった。
したがって、図４（ａ）のようにアルミニウム配線４を
シリコン酸化膜で覆ったあと、液相成長により二酸化珪
素膜７を堆積している。しかし、シリコン酸化膜１４上
のどの部分でも堆積速度が等しいため、図４（ｂ）に示
されるようにアルミニウム配線４による段差１５が生じ
る。この段差は、上層配線の信頼性を劣化させるばかり
でなく、上層でのパターン形成にも支障を与える。した
がって、この段差を低減するためには、たとえば、スピ
ンオングラス（ＳＯＧ）膜を堆積し、ドライエッチング
による全面エッチングによる平坦化を行なうという追加
の工程が必要となる。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑み、アルミニウム
配線を溶解することなく平坦な層間絶縁膜を堆積できる
半導体装置の製造方法を提供するものである。
配線を溶解することなく平坦な層間絶縁膜を堆積できる
半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に形成されたアルミニウム膜上
に配線形成用のレジストパターンを形成する工程と、ド
ライエッチングにより前記アルミニウム膜を除去する工
程と、弗酸に不溶の金属を含んだガスと前記アルミニウ
ム膜を反応させ前記アルミニウム膜の露出した部分に前
記金属膜を堆積する工程と、珪弗化水素酸（Ｈ2Ｓｉ
Ｆ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水
溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工
程と、前記レジストを除去した後絶縁膜を全面に堆積す
る工程とを含有し、そのことにより上記目的が達成され
る。
造方法は、半導体基板上に形成されたアルミニウム膜上
に配線形成用のレジストパターンを形成する工程と、ド
ライエッチングにより前記アルミニウム膜を除去する工
程と、弗酸に不溶の金属を含んだガスと前記アルミニウ
ム膜を反応させ前記アルミニウム膜の露出した部分に前
記金属膜を堆積する工程と、珪弗化水素酸（Ｈ2Ｓｉ
Ｆ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水
溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工
程と、前記レジストを除去した後絶縁膜を全面に堆積す
る工程とを含有し、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００１３】本発明の他の半導体装置の製造方法は、半
導体基板上に形成されたアルミニウム膜上に弗酸に不溶
でありかつ疎水性である膜を堆積する工程と、配線形成
用のレジストパターンを形成する工程と、ドライエッチ
ングにより前記弗酸に不溶でありかつ疎水性である膜と
前記アルミニウム膜を除去する工程と、前記レジストを
除去する工程と、弗酸に不溶の金属を含んだガスと前記
アルミニウム膜を反応させ前記アルミニウム膜の露出し
た部分に前記金属膜を堆積する工程と、珪弗化水素酸
（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素
の飽和水溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆
積する工程と、絶縁膜を全面に堆積する工程とを含有
し、そのことにより上記目的が達成される。
導体基板上に形成されたアルミニウム膜上に弗酸に不溶
でありかつ疎水性である膜を堆積する工程と、配線形成
用のレジストパターンを形成する工程と、ドライエッチ
ングにより前記弗酸に不溶でありかつ疎水性である膜と
前記アルミニウム膜を除去する工程と、前記レジストを
除去する工程と、弗酸に不溶の金属を含んだガスと前記
アルミニウム膜を反応させ前記アルミニウム膜の露出し
た部分に前記金属膜を堆積する工程と、珪弗化水素酸
（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素
の飽和水溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆
積する工程と、絶縁膜を全面に堆積する工程とを含有
し、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】本発明の他の半導体装置の製造方法は、半
導体基板上に形成されたアルミニウム膜上に弗酸に不溶
でありかつ疎水性である膜を堆積する工程と、配線パタ
ーン形成用のレジストパターンを形成する工程と、ドラ
イエッチングにより前記弗酸に不溶でありかつ疎水性で
ある膜と前記アルミニウム膜を除去する工程と、前記レ
ジストを除去する工程と、全面に第一の絶縁膜を形成す
る工程と、ドライエッチングにより前記弗酸に不溶であ
りかつ疎水性である膜が露出するまで前記第一の絶縁膜
を除去する工程と、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸
化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた
液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工程と、絶縁膜
を全面に堆積する工程とを含有し、そのことにより上記
目的が達成される。
導体基板上に形成されたアルミニウム膜上に弗酸に不溶
でありかつ疎水性である膜を堆積する工程と、配線パタ
ーン形成用のレジストパターンを形成する工程と、ドラ
イエッチングにより前記弗酸に不溶でありかつ疎水性で
ある膜と前記アルミニウム膜を除去する工程と、前記レ
ジストを除去する工程と、全面に第一の絶縁膜を形成す
る工程と、ドライエッチングにより前記弗酸に不溶であ
りかつ疎水性である膜が露出するまで前記第一の絶縁膜
を除去する工程と、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸
化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた
液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工程と、絶縁膜
を全面に堆積する工程とを含有し、そのことにより上記
目的が達成される。
【００１５】
【作用】本発明によれば、アルミニウム配線を弗酸に不
溶の材料で覆い、かつアルミニウム配線上面にはっ水性
の材料を形成することによって、アルミニウム配線の液
層成長時にアルミニウムの溶解なく、完全な平坦化が実
現できる。
溶の材料で覆い、かつアルミニウム配線上面にはっ水性
の材料を形成することによって、アルミニウム配線の液
層成長時にアルミニウムの溶解なく、完全な平坦化が実
現できる。
【００１６】
【実施例】（実施例１）図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明
の第１の実施例の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。以下に、図１を参照して本実施例の半導体装
置の製造方法を説明する。
の第１の実施例の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。以下に、図１を参照して本実施例の半導体装
置の製造方法を説明する。
【００１７】まず、図１（ａ）ではシリコン基板１に達
するコンタクトホール３を有するＢＰＳＧ膜２上にアル
ミニウム配線４を堆積し、フォトリソグラフィによって
所望の配線パターンを形成し、ドライエッチングによっ
てアルミニウム配線４を配線パターンにエッチングす
る。
するコンタクトホール３を有するＢＰＳＧ膜２上にアル
ミニウム配線４を堆積し、フォトリソグラフィによって
所望の配線パターンを形成し、ドライエッチングによっ
てアルミニウム配線４を配線パターンにエッチングす
る。
【００１８】次に、図１（ｂ）ではフォトレジスト５を
除去する前に基板を１６０℃から２００℃程度に加熱
し、六弗化タングステン（ＷＦ6）をソースガスに用い
て化学気相成長（ＣＶＤ）法により、タングステン膜６
を堆積する。この時、ＷＦ6はアルミニウム膜とは反応
するが、フォトレジスト５及び下地の絶縁膜２と反応し
ない（化（３））。
除去する前に基板を１６０℃から２００℃程度に加熱
し、六弗化タングステン（ＷＦ6）をソースガスに用い
て化学気相成長（ＣＶＤ）法により、タングステン膜６
を堆積する。この時、ＷＦ6はアルミニウム膜とは反応
するが、フォトレジスト５及び下地の絶縁膜２と反応し
ない（化（３））。
【００１９】
【化３】
【００２０】その結果、図１（ｂ）に示されるようにア
ルミニウム配線の側壁にのみ選択的にタングステン膜６
が堆積される。
ルミニウム配線の側壁にのみ選択的にタングステン膜６
が堆積される。
【００２１】次に、図１（ｃ）では珪弗化水素酸に二酸
化珪素粉末を溶解して得た、飽和もしくは過飽和水溶液
を用いた液相成長法によって二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜
を堆積する。この時、アルミニウム配線の側壁には（化
３）で示されるように、タングステン（Ｗ）膜６と弗化
アルミニウム（ＡｌＦ3）が形成されており、このどち
らの物質も液相成長時に生成される弗酸（ＨＦ）に不溶
である。また、フォトレジスト５は弗酸（ＨＦ）に不溶
で、かつ疎水性であるためアルミニウム配線上には液相
成長によるＳｉＯ2膜は堆積されない。したがって、図
１（ｃ）に示されるようにアルミニウム配線４以外の絶
縁膜上に均一にＳｉＯ2膜をアルミニウム配線４の膜厚
まで堆積する。
化珪素粉末を溶解して得た、飽和もしくは過飽和水溶液
を用いた液相成長法によって二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜
を堆積する。この時、アルミニウム配線の側壁には（化
３）で示されるように、タングステン（Ｗ）膜６と弗化
アルミニウム（ＡｌＦ3）が形成されており、このどち
らの物質も液相成長時に生成される弗酸（ＨＦ）に不溶
である。また、フォトレジスト５は弗酸（ＨＦ）に不溶
で、かつ疎水性であるためアルミニウム配線上には液相
成長によるＳｉＯ2膜は堆積されない。したがって、図
１（ｃ）に示されるようにアルミニウム配線４以外の絶
縁膜上に均一にＳｉＯ2膜をアルミニウム配線４の膜厚
まで堆積する。
【００２２】次に、図１（ｄ）ではフォトレジストの除
去を行ない、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜８
を堆積し、図１（ｅ）では第一のアルミニウム配線４に
達するようにスルーホール９を開孔後、第二のアルミニ
ウム配線１０を形成する。
去を行ない、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜８
を堆積し、図１（ｅ）では第一のアルミニウム配線４に
達するようにスルーホール９を開孔後、第二のアルミニ
ウム配線１０を形成する。
【００２３】（実施例２）図２（ａ）〜（ｅ）は、本発
明の第２の実施例の半導体装置の製造方法を示す工程断
面図である。以下に、図２を参照して本実施例の半導体
装置の製造方法を説明する。
明の第２の実施例の半導体装置の製造方法を示す工程断
面図である。以下に、図２を参照して本実施例の半導体
装置の製造方法を説明する。
【００２４】まず、図２（ａ）ではシリコン基板１に達
するコンタクトホール３を有する絶縁膜２上にスパッタ
法あるいはＣＶＤ法によりアルミニウム配線４を堆積
し、続いて窒化チタン（ＴｉＮ）を堆積する。次に、フ
ォトリソグラフィによって所望の配線パターンを形成
し、ドライエッチングによってアルミニウム配線４を配
線パターンにエッチングする（図２（ｂ））。
するコンタクトホール３を有する絶縁膜２上にスパッタ
法あるいはＣＶＤ法によりアルミニウム配線４を堆積
し、続いて窒化チタン（ＴｉＮ）を堆積する。次に、フ
ォトリソグラフィによって所望の配線パターンを形成
し、ドライエッチングによってアルミニウム配線４を配
線パターンにエッチングする（図２（ｂ））。
【００２５】次に、図２（ｃ）ではフォトレジスト５を
除去した後、基板を１６０゜Ｃから２００゜Ｃ程度に加熱
し、六弗化タングステン（ＷＦ6）をソースガスに用い
て化学気相成長（ＣＶＤ）法により、タングステン膜６
を堆積する。この時、ＷＦ6はアルミニウム膜と反応す
るが、ＴｉＮ膜１１及び下地の絶縁膜２と反応しない
（化（３））。その結果、図２（ｃ）ではアルミニウム
配線の側壁にのみ選択的にタングステン膜６が堆積され
る。
除去した後、基板を１６０゜Ｃから２００゜Ｃ程度に加熱
し、六弗化タングステン（ＷＦ6）をソースガスに用い
て化学気相成長（ＣＶＤ）法により、タングステン膜６
を堆積する。この時、ＷＦ6はアルミニウム膜と反応す
るが、ＴｉＮ膜１１及び下地の絶縁膜２と反応しない
（化（３））。その結果、図２（ｃ）ではアルミニウム
配線の側壁にのみ選択的にタングステン膜６が堆積され
る。
【００２６】次に、図２（ｄ）では珪弗化水素酸に二酸
化珪素粉末を溶解して得た、飽和もしくは過飽和水溶液
を用いた液相成長法によって二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜
を堆積する。この時、アルミニウム配線の側壁には化
（３）で示されるように、タングステン（Ｗ）膜６と弗
化アルミニウム（ＡｌＦ3）が形成されており、このど
ちらの物質も液相成長時に生成される弗酸（ＨＦ）に不
溶である。また、アルミニウム配線上部のＴｉＮ膜１１
は弗酸（ＨＦ）に不溶で、かつ疎水性であるためＴｉＮ
膜１１上すなわちアルミニウム配線上には液相成長によ
るＳｉＯ2膜は堆積されない。したがって、図２（ｄ）
に示されるようにアルミニウム配線４以外の絶縁膜上に
均一にＳｉＯ2膜をアルミニウム配線４の膜厚まで堆積
することができる。
化珪素粉末を溶解して得た、飽和もしくは過飽和水溶液
を用いた液相成長法によって二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜
を堆積する。この時、アルミニウム配線の側壁には化
（３）で示されるように、タングステン（Ｗ）膜６と弗
化アルミニウム（ＡｌＦ3）が形成されており、このど
ちらの物質も液相成長時に生成される弗酸（ＨＦ）に不
溶である。また、アルミニウム配線上部のＴｉＮ膜１１
は弗酸（ＨＦ）に不溶で、かつ疎水性であるためＴｉＮ
膜１１上すなわちアルミニウム配線上には液相成長によ
るＳｉＯ2膜は堆積されない。したがって、図２（ｄ）
に示されるようにアルミニウム配線４以外の絶縁膜上に
均一にＳｉＯ2膜をアルミニウム配線４の膜厚まで堆積
することができる。
【００２７】次に、図２（ｅ）ではプラズマＣＶＤ法に
より二酸化珪素膜１８を堆積し、第一のアルミニウム配
線４に達するようにスルーホール９を開孔後、第二のア
ルミニウム配線１０を形成する。
より二酸化珪素膜１８を堆積し、第一のアルミニウム配
線４に達するようにスルーホール９を開孔後、第二のア
ルミニウム配線１０を形成する。
【００２８】（実施例３）図３（ａ）〜（ｅ）は、本発
明の第３の実施例の半導体装置の製造方法を示す工程断
面図である。以下に、図３を参照して本実施例の半導体
装置の製造方法を説明する。
明の第３の実施例の半導体装置の製造方法を示す工程断
面図である。以下に、図３を参照して本実施例の半導体
装置の製造方法を説明する。
【００２９】まず、図３（ａ）ではシリコン基板１に達
するコンタクトホール３を有する絶縁膜２上にスパッタ
法あるいはＣＶＤ法によりアルミニウム膜４を、続いて
窒化チタン（ＴｉＮ）１１を堆積し、フォトリソグラフ
ィによって所望の配線パターンを形成した後、ドライエ
ッチングによってアルミニウム膜４を配線パターンにエ
ッチングする。
するコンタクトホール３を有する絶縁膜２上にスパッタ
法あるいはＣＶＤ法によりアルミニウム膜４を、続いて
窒化チタン（ＴｉＮ）１１を堆積し、フォトリソグラフ
ィによって所望の配線パターンを形成した後、ドライエ
ッチングによってアルミニウム膜４を配線パターンにエ
ッチングする。
【００３０】つぎに、図３（ｂ）ではオゾン（Ｏ3）と
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をソースガスとする
ＣＶＤ法によって約５０〜２００ｎｍ程度の二酸化珪素
膜（Ｏ3／ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜１２）を堆積し、図３
（ｃ）ではアルミニウム配線の側壁にＯ３／ＴＥＯＳ−
ＳｉＯ2膜１２がサイドウォールとして残るように、ド
ライエッチングによってエッチバックを行なう。
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をソースガスとする
ＣＶＤ法によって約５０〜２００ｎｍ程度の二酸化珪素
膜（Ｏ3／ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜１２）を堆積し、図３
（ｃ）ではアルミニウム配線の側壁にＯ３／ＴＥＯＳ−
ＳｉＯ2膜１２がサイドウォールとして残るように、ド
ライエッチングによってエッチバックを行なう。
【００３１】次に、図３（ｄ）では珪弗化水素酸に二酸
化珪素粉末を溶解して得た、飽和もしくは過飽和水溶液
を用いた液相成長法によって二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜
を堆積する。この時、アルミニウム配線の側壁にはＯ3
／ＴＥＯＳーＳｉＯ2１２によるサイドウォールが形成
されており、液相成長時に生成される弗酸（ＨＦ）に不
溶である。また、アルミニウム配線上部のＴｉＮ膜１１
は弗酸（ＨＦ）に不溶で、かつ疎水性であるためＴｉＮ
膜１１上すなわちアルミニウム配線上には液相成長によ
るＳｉＯ2膜は堆積されない。したがって、図３（ｄ）
に示されるようにアルミニウム配線４以外の絶縁膜上に
均一にＳｉＯ2膜をアルミニウム配線４の膜厚まで堆積
することができる。
化珪素粉末を溶解して得た、飽和もしくは過飽和水溶液
を用いた液相成長法によって二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜
を堆積する。この時、アルミニウム配線の側壁にはＯ3
／ＴＥＯＳーＳｉＯ2１２によるサイドウォールが形成
されており、液相成長時に生成される弗酸（ＨＦ）に不
溶である。また、アルミニウム配線上部のＴｉＮ膜１１
は弗酸（ＨＦ）に不溶で、かつ疎水性であるためＴｉＮ
膜１１上すなわちアルミニウム配線上には液相成長によ
るＳｉＯ2膜は堆積されない。したがって、図３（ｄ）
に示されるようにアルミニウム配線４以外の絶縁膜上に
均一にＳｉＯ2膜をアルミニウム配線４の膜厚まで堆積
することができる。
【００３２】次に、図３（ｅ）ではプラズマＣＶＤ法に
よりシリコン酸化膜８を堆積し、第一のアルミニウム配
線４に達するようにスルーホール９を開孔後、第二のア
ルミニウム配線１０を形成する。
よりシリコン酸化膜８を堆積し、第一のアルミニウム配
線４に達するようにスルーホール９を開孔後、第二のア
ルミニウム配線１０を形成する。
【００３３】以上のような本発明を用いて層間絶縁膜を
形成すると、従来のアルミニウム配線による段差１４は
存在しないため、信頼性の良い第二の配線１４を形成で
きる。
形成すると、従来のアルミニウム配線による段差１４は
存在しないため、信頼性の良い第二の配線１４を形成で
きる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アルミニ
ウム配線が液相成長中に溶解することなく二酸化珪素膜
が形成でき、完全に平坦化することができる。
ウム配線が液相成長中に溶解することなく二酸化珪素膜
が形成でき、完全に平坦化することができる。
【図１】本発明の第一の実施例における半導体装置の製
造方法の工程断面図
造方法の工程断面図
【図２】本発明の第二の実施例における半導体装置の製
造方法の工程断面図
造方法の工程断面図
【図３】本発明の第三の実施例における半導体装置の製
造方法の工程断面図
造方法の工程断面図
【図４】従来の液相成長法による層間絶縁膜の形成方法
の工程断面図
の工程断面図
１ シリコン基板 ２ ＢＰＳＧ膜 ３ コンタクトホール ４ 第一のアルミニウム配線 ５ フォトレジスト ６ タングステン膜 ７ 液相成長二酸化珪素膜 ８ シリコン酸化膜 ９ スルーホール １０ 第二のアルミニウム膜 １１ ＴｉＮ膜 １２ Ｏ3／ＴＥＯＳ二酸化珪素膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 航作 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に形成されたアルミニウム膜
上に配線形成用のレジストパターンを形成する工程と、
ドライエッチングにより前記アルミニウム膜を除去する
工程と、弗酸に不溶の金属を含んだガスと前記アルミニ
ウム膜を反応させ前記アルミニウム膜の露出した部分に
前記金属膜を堆積する工程と、珪弗化水素酸（Ｈ2Ｓｉ
Ｆ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水
溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工
程と、前記レジストを除去した後、絶縁膜を全面に堆積
する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体基板上に形成されたアルミニウム膜
上に弗酸に不溶でありかつ疎水性である膜を堆積する工
程と、配線形成用のレジストパターンを形成する工程
と、ドライエッチングにより前記弗酸に不溶でありかつ
疎水性である膜と前記アルミニウム膜を除去する工程
と、前記レジストを除去する工程と、弗酸に不溶の金属
を含んだガスと前記アルミニウム膜を反応させ前記アル
ミニウム膜の露出した部分に前記金属膜を堆積する工程
と、珪弗化水素酸（Ｈ2ＳｉＦ6）に二酸化珪素を溶解し
て得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液層成長により
二酸化珪素膜を堆積する工程と、絶縁膜を全面に堆積す
る工程とを備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体基板上に形成されたアルミニウム膜
上に弗酸に不溶でありかつ疎水性である膜を堆積する工
程と、配線形成用のレジストパターンを形成する工程
と、ドライエッチングにより前記弗酸に不溶でありかつ
疎水性である膜と前記アルミニウム膜を除去する工程
と、前記レジストを除去する工程と、全面に第一の絶縁
膜を形成する工程と、ドライエッチングにより前記弗酸
に不溶でありかつ疎水性である膜が露出するまで前記第
一の絶縁膜を除去する工程と、珪弗化水素酸（Ｈ2Ｓｉ
Ｆ6）に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水
溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工
程と、絶縁膜を全面に堆積する工程とを備えた半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】金属を含んだガスが六弗化タングステンで
あることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148908A JPH0714841A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148908A JPH0714841A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714841A true JPH0714841A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15463356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148908A Pending JPH0714841A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714841A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778823A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH07153755A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN111312868A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-06-19 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led芯片的刻蚀方法 |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5148908A patent/JPH0714841A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778823A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH07153755A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN111312868A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-06-19 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led芯片的刻蚀方法 |
| CN111312868B (zh) * | 2020-04-03 | 2021-07-09 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led芯片的刻蚀方法 |
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