JPH07153684A - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH07153684A JPH07153684A JP29716993A JP29716993A JPH07153684A JP H07153684 A JPH07153684 A JP H07153684A JP 29716993 A JP29716993 A JP 29716993A JP 29716993 A JP29716993 A JP 29716993A JP H07153684 A JPH07153684 A JP H07153684A
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜トランジスタ形成用の多結晶シリコン薄膜
中の酸素濃度を均一化して同一基板上に形成する薄膜ト
ランジスタのしきい値のばらつきを低減する。 【構成】低アルカリガラス基板１上に形成してａ−Ｓｉ
薄膜２の上にＬＰＣＶＤ法でＳｉＯ2 膜３を形成してａ
−Ｓｉ薄膜２の表面に酸素を拡散した後、ＳｉＯ2 膜３
を除去してエキシマレーザビーム４でアニールし、多結
晶シリコン薄膜５を形成する。
中の酸素濃度を均一化して同一基板上に形成する薄膜ト
ランジスタのしきい値のばらつきを低減する。 【構成】低アルカリガラス基板１上に形成してａ−Ｓｉ
薄膜２の上にＬＰＣＶＤ法でＳｉＯ2 膜３を形成してａ
−Ｓｉ薄膜２の表面に酸素を拡散した後、ＳｉＯ2 膜３
を除去してエキシマレーザビーム４でアニールし、多結
晶シリコン薄膜５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体薄膜の製造方法に
関し、特に薄膜トランジスタ用高移動度半導体薄膜の製
造方法に関する。
関し、特に薄膜トランジスタ用高移動度半導体薄膜の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ等に使用される薄膜ト
ランジスタは、水素化非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈと記す）膜を能動層として形成することが一般的
である。液晶ディスプレイの高精細化、明るさ向上のた
めの画素の高開口率化等にともない、能動層としてａ−
Ｓｉ：Ｈ膜に比べてキャリア移動度のより高い材料が求
められるようになっている。これは移動度の高い材料を
用いることによってトランジスタが占める面積を小さく
することができるからである。
ランジスタは、水素化非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈと記す）膜を能動層として形成することが一般的
である。液晶ディスプレイの高精細化、明るさ向上のた
めの画素の高開口率化等にともない、能動層としてａ−
Ｓｉ：Ｈ膜に比べてキャリア移動度のより高い材料が求
められるようになっている。これは移動度の高い材料を
用いることによってトランジスタが占める面積を小さく
することができるからである。
【０００３】液晶ディスプレイのようにガラス基板上に
半導体薄膜を形成する場合に、通常の半導体製造工程で
用いられるような六百数十度を超える高温プロセスを用
いることができず、レーザ等を用いシリコン薄膜のみを
限定してアニールする方法が主流となっている。特に、
ガラス基板上に成膜したアモルファスシリコン（以下ａ
−Ｓｉと記す）薄膜をエキシマレーザで熔融・再結晶化
した多結晶シリコン薄膜を能動層として使用すると移動
度１００ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ以上の良好な特性を示す多結
晶シリコン薄膜トランジスタを実現できる可能性があ
る。紫外短波長、超短パルスであるエキシマレーザはガ
ラス基板上に堆積されたａ−Ｓｉ膜の表面のみで吸収さ
れるため、ガラス基板への熱的ダメージを与えることな
く良好な多結晶シリコン薄膜を得ることができるという
利点がある。
半導体薄膜を形成する場合に、通常の半導体製造工程で
用いられるような六百数十度を超える高温プロセスを用
いることができず、レーザ等を用いシリコン薄膜のみを
限定してアニールする方法が主流となっている。特に、
ガラス基板上に成膜したアモルファスシリコン（以下ａ
−Ｓｉと記す）薄膜をエキシマレーザで熔融・再結晶化
した多結晶シリコン薄膜を能動層として使用すると移動
度１００ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ以上の良好な特性を示す多結
晶シリコン薄膜トランジスタを実現できる可能性があ
る。紫外短波長、超短パルスであるエキシマレーザはガ
ラス基板上に堆積されたａ−Ｓｉ膜の表面のみで吸収さ
れるため、ガラス基板への熱的ダメージを与えることな
く良好な多結晶シリコン薄膜を得ることができるという
利点がある。
【０００４】ところが、このような多結晶シリコン薄膜
を用いた薄膜トランジスタにおいては、そのゲート電圧
−ドレイン電流特性においてしきい値のマイナス方向へ
のシフトやしきい値特性の不均一性が生じるという問題
があった。このように不均一性を生む原因の一つとして
シリコン膜中への酸素拡散が挙げられる。即ちレーザ照
射工程においては、レーザの照射時にガラス基板全体が
加熱されることは無いものの、シリコン薄膜との界面が
加熱されるため、ガラス基板の構成原子がシリコン膜中
に拡散するという現象が生じる。一般に用いられる低ア
ルカリガラス基板は二酸化シリコンに代表される酸化物
を主成分として構成され、異種元素である酸素原子の拡
散が生じ易い。酸素拡散は形成される多結晶シリコン薄
膜のダングリングボンドを終端し電気伝導特性を向上さ
せるか、過度の酸素拡散は欠陥を生成し特性をを劣化さ
せる。特に、膜厚方向に対し基板側の方がシリコン膜表
面に比べ酸素濃度が高く、酸素の存在に起因する欠陥密
度の膜厚方向への違いが生じるため、シリコンの膜厚方
向に電荷分布の不均一が生じるという問題がある。
を用いた薄膜トランジスタにおいては、そのゲート電圧
−ドレイン電流特性においてしきい値のマイナス方向へ
のシフトやしきい値特性の不均一性が生じるという問題
があった。このように不均一性を生む原因の一つとして
シリコン膜中への酸素拡散が挙げられる。即ちレーザ照
射工程においては、レーザの照射時にガラス基板全体が
加熱されることは無いものの、シリコン薄膜との界面が
加熱されるため、ガラス基板の構成原子がシリコン膜中
に拡散するという現象が生じる。一般に用いられる低ア
ルカリガラス基板は二酸化シリコンに代表される酸化物
を主成分として構成され、異種元素である酸素原子の拡
散が生じ易い。酸素拡散は形成される多結晶シリコン薄
膜のダングリングボンドを終端し電気伝導特性を向上さ
せるか、過度の酸素拡散は欠陥を生成し特性をを劣化さ
せる。特に、膜厚方向に対し基板側の方がシリコン膜表
面に比べ酸素濃度が高く、酸素の存在に起因する欠陥密
度の膜厚方向への違いが生じるため、シリコンの膜厚方
向に電荷分布の不均一が生じるという問題がある。
【０００５】一方で、紫外線短パルスレーザであるエキ
シマレーザを照射した結果、シリコン膜表面近傍におい
て酸素の離脱が生じ、より大きな酸素濃度分布の不均
一、即ち電荷分布の不均一が生じるという問題も明らか
にされている。このようにして形成された膜厚方向への
電荷分布の不均一性は、電界効果型トランジスタである
薄膜トランジスタの特性に大きく影響を及ぼす。その結
果、上記多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタ
においては、上記電荷分布の高低差によりしきい値特性
が同一基板面内においても±１５％以上と大きく変動す
るという問題があった。
シマレーザを照射した結果、シリコン膜表面近傍におい
て酸素の離脱が生じ、より大きな酸素濃度分布の不均
一、即ち電荷分布の不均一が生じるという問題も明らか
にされている。このようにして形成された膜厚方向への
電荷分布の不均一性は、電界効果型トランジスタである
薄膜トランジスタの特性に大きく影響を及ぼす。その結
果、上記多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタ
においては、上記電荷分布の高低差によりしきい値特性
が同一基板面内においても±１５％以上と大きく変動す
るという問題があった。
【０００６】このような問題を解決する手段として、従
来温度制御や表面平坦化を目的として行われてきた酸化
シリコン膜（以下ＳｉＯ2 膜と記す）をキャップ層とす
るレーザアニール方法がある。このＳｉＯ2 膜を透過す
る波長のレーザを用いることによって、ＳｉＯ2 膜を透
過しａ−Ｓｉ膜をレーザビームで照射することが可能と
なり、ａ−Ｓｉ膜表面がＳｉＯ2 膜で覆われるため、ａ
−Ｓｉ膜とガラス基板との界面と同様にアニール時にＳ
ｉＯ2 膜からの酸素拡散が生じ、かつ表面近傍の酸素離
脱を防ぐ利点がある。
来温度制御や表面平坦化を目的として行われてきた酸化
シリコン膜（以下ＳｉＯ2 膜と記す）をキャップ層とす
るレーザアニール方法がある。このＳｉＯ2 膜を透過す
る波長のレーザを用いることによって、ＳｉＯ2 膜を透
過しａ−Ｓｉ膜をレーザビームで照射することが可能と
なり、ａ−Ｓｉ膜表面がＳｉＯ2 膜で覆われるため、ａ
−Ｓｉ膜とガラス基板との界面と同様にアニール時にＳ
ｉＯ2 膜からの酸素拡散が生じ、かつ表面近傍の酸素離
脱を防ぐ利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体薄膜
の製造方法は、屈折率の異なる材料の２層構造であるた
め、ＳｉＯ2 膜厚の変化に応じて反射率、即ち実効的な
照射エネルギー強度が変化する。特に、液晶ディスプレ
イ等の大面積基板上においては、ＳｉＯ2 膜の厚さを均
一化することが困難であるため、照射エネルギーが不均
一となって多結晶シリコン膜中の酸素濃度の均一性が低
下するという問題点があった。
の製造方法は、屈折率の異なる材料の２層構造であるた
め、ＳｉＯ2 膜厚の変化に応じて反射率、即ち実効的な
照射エネルギー強度が変化する。特に、液晶ディスプレ
イ等の大面積基板上においては、ＳｉＯ2 膜の厚さを均
一化することが困難であるため、照射エネルギーが不均
一となって多結晶シリコン膜中の酸素濃度の均一性が低
下するという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体薄膜の製
造方法は、絶縁基板上にアモルファスシリコン薄膜を形
成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜の表面に
酸素を供給する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜
にレーザビームを照射してアニールし膜厚方向の酸素濃
度分布を調整した多結晶シリコン膜を形成する工程とを
含んで構成される。
造方法は、絶縁基板上にアモルファスシリコン薄膜を形
成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜の表面に
酸素を供給する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜
にレーザビームを照射してアニールし膜厚方向の酸素濃
度分布を調整した多結晶シリコン膜を形成する工程とを
含んで構成される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、低アルカ
リガラス基板１の上にＬＰＣＶＤ（減圧化学気相成長）
法により温度４５０〜６００℃でａ−Ｓｉ薄膜２を１０
０ｎｍの厚さに堆積した後、ＬＰＣＶＤ法によりａ−Ｓ
ｉ薄膜２の表面にＳｉＯ2 膜３を１００ｎｍの厚さに堆
積する。
リガラス基板１の上にＬＰＣＶＤ（減圧化学気相成長）
法により温度４５０〜６００℃でａ−Ｓｉ薄膜２を１０
０ｎｍの厚さに堆積した後、ＬＰＣＶＤ法によりａ−Ｓ
ｉ薄膜２の表面にＳｉＯ2 膜３を１００ｎｍの厚さに堆
積する。
【００１２】このとき、低アルカリガラス基板１および
ＳｉＯ2 膜３中の酸素がａ−Ｓｉ薄膜２へ拡散してａ−
Ｓｉ薄膜２の低アルカリガラス基板１およびＳｉＯ2 膜
３と接しているそれぞれの表面側の酸素濃度が上昇す
る。
ＳｉＯ2 膜３中の酸素がａ−Ｓｉ薄膜２へ拡散してａ−
Ｓｉ薄膜２の低アルカリガラス基板１およびＳｉＯ2 膜
３と接しているそれぞれの表面側の酸素濃度が上昇す
る。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
膜３を弗酸により除去した後、波長λ＝３０８ｎｍのエ
キシマレーザ（Ｘｅｃｌ）４によりａ−Ｓｉ薄膜２を照
射してアニールし、多結晶シリコン薄膜５を形成する。
このときのエキシマレーザ４の照射強度は、４００ｍＪ
／ｃｍ2 で１箇所当りの照射パルス回数は５ショットで
ある。その結果、膜厚方向の酸素濃度の高低差が減少
し、欠陥密度の膜厚方向の差を縮小させることができ
る。
膜３を弗酸により除去した後、波長λ＝３０８ｎｍのエ
キシマレーザ（Ｘｅｃｌ）４によりａ−Ｓｉ薄膜２を照
射してアニールし、多結晶シリコン薄膜５を形成する。
このときのエキシマレーザ４の照射強度は、４００ｍＪ
／ｃｍ2 で１箇所当りの照射パルス回数は５ショットで
ある。その結果、膜厚方向の酸素濃度の高低差が減少
し、欠陥密度の膜厚方向の差を縮小させることができ
る。
【００１４】このようにして形成された多結晶シリコン
薄膜を用いてプレーナ型ｎチャネル薄膜トランジスタを
形成したところ、移動度１２０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ、しき
い値電圧３．５Ｖで且つ同一基板内のしきい値特性の変
動が±６％以内に収まるという良好な薄膜トランジスタ
が得られた。
薄膜を用いてプレーナ型ｎチャネル薄膜トランジスタを
形成したところ、移動度１２０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ、しき
い値電圧３．５Ｖで且つ同一基板内のしきい値特性の変
動が±６％以内に収まるという良好な薄膜トランジスタ
が得られた。
【００１５】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、第１の実
施例と同様の工程で低アルカリガラス基板１の上に温度
４５０〜６００℃のＬＰＣＶＤ法でａ−Ｓｉ薄膜２を１
００ｎｍの厚さに堆積した後、酸素イオン６を加速電圧
１８ｋｅＶ、ドーズ量５×１０14ｃｍ-2でイオン注入
し、ａ−Ｓｉ薄膜２の表面近傍の酸素濃度を高める。
施例と同様の工程で低アルカリガラス基板１の上に温度
４５０〜６００℃のＬＰＣＶＤ法でａ−Ｓｉ薄膜２を１
００ｎｍの厚さに堆積した後、酸素イオン６を加速電圧
１８ｋｅＶ、ドーズ量５×１０14ｃｍ-2でイオン注入
し、ａ−Ｓｉ薄膜２の表面近傍の酸素濃度を高める。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、エキシマ
レーザ４でａ−Ｓｉ薄膜２を照射し、多結晶シリコン薄
膜５を形成する。このときの照射強度は４００ｍＪ／ｃ
ｍ2１箇所当りの照射パルス回数は３ショットである。
レーザ４でａ−Ｓｉ薄膜２を照射し、多結晶シリコン薄
膜５を形成する。このときの照射強度は４００ｍＪ／ｃ
ｍ2１箇所当りの照射パルス回数は３ショットである。
【００１８】このようにして形成された多結晶シリコン
薄膜を用い第１の実施例と同様に形成したプレーナ型ｎ
チャネル薄膜トランジスタでは、移動度１１０ｃｍ2 ／
Ｖｓｅｃ、しきい値電圧３．５Ｖで且つ同一基板内のし
きい値変動を±７％以内に収めることができた。
薄膜を用い第１の実施例と同様に形成したプレーナ型ｎ
チャネル薄膜トランジスタでは、移動度１１０ｃｍ2 ／
Ｖｓｅｃ、しきい値電圧３．５Ｖで且つ同一基板内のし
きい値変動を±７％以内に収めることができた。
【００１９】なお、イオン注入時に酸素イオンの質量分
離を厳密に行う必要はなく、従って、酸素ガスプラズマ
によるイオンドーピング技術を用いて酸素原子の導入を
行うことも可能である。
離を厳密に行う必要はなく、従って、酸素ガスプラズマ
によるイオンドーピング技術を用いて酸素原子の導入を
行うことも可能である。
【００２０】図３は本発明の第３の実施例を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【００２１】図３に示すように、第１の実施例と同様の
工程で低アルカリガラス基板１の上にＬＰＣＶＤ法によ
りａ−Ｓｉ薄膜２を１００ｎｍの厚さに堆積した後、塩
酸：過酸化水素：水＝１：１：６（ｍｏｌ比）の混合液
体又は硝酸水溶液を１１０℃に加熱した酸性溶液中で処
理しａ−Ｓｉ薄膜２の表面に厚さ０．１〜数ｎｍのＳｉ
Ｏ2 膜７を形成する。次に、エキシマレーザ４でＳｉＯ
2 膜７およびａ−Ｓｉ薄膜２を照射強度４００ｍＪ／ｃ
ｍ2 、１箇所当りの照射パルス回数３ショットで照射
し、多結晶シリコン薄膜を形成する。
工程で低アルカリガラス基板１の上にＬＰＣＶＤ法によ
りａ−Ｓｉ薄膜２を１００ｎｍの厚さに堆積した後、塩
酸：過酸化水素：水＝１：１：６（ｍｏｌ比）の混合液
体又は硝酸水溶液を１１０℃に加熱した酸性溶液中で処
理しａ−Ｓｉ薄膜２の表面に厚さ０．１〜数ｎｍのＳｉ
Ｏ2 膜７を形成する。次に、エキシマレーザ４でＳｉＯ
2 膜７およびａ−Ｓｉ薄膜２を照射強度４００ｍＪ／ｃ
ｍ2 、１箇所当りの照射パルス回数３ショットで照射
し、多結晶シリコン薄膜を形成する。
【００２２】ここで、ＳｉＯ2 膜７は膜厚が非常に薄い
ため、ａ−Ｓｉ薄膜２へのレーザの照射エネルギー強度
のばらつきを生ずることなく面内の均一なレーザアニー
ルができる。
ため、ａ−Ｓｉ薄膜２へのレーザの照射エネルギー強度
のばらつきを生ずることなく面内の均一なレーザアニー
ルができる。
【００２３】このようにして形成された多結晶シリコン
膜を用いてプレーナ型ｎチャネル薄膜トランジスタを形
成した場合に移動度１２０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ、しきい値
電圧３．４Ｖで且つ同一基板内のしきい値特性の変動が
±５％以内に収まるという良好な薄膜トランジスタが得
られた。
膜を用いてプレーナ型ｎチャネル薄膜トランジスタを形
成した場合に移動度１２０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ、しきい値
電圧３．４Ｖで且つ同一基板内のしきい値特性の変動が
±５％以内に収まるという良好な薄膜トランジスタが得
られた。
【００２４】なお、本実施例でａ−Ｓｉ薄膜２を硝酸水
溶液で処理した場合には、低アルカリガラス基板１が硝
酸によるダメージを受けるため、ａ／Ｓｉ薄膜を低アル
カリガラス基板１の表裏に堆積してダメージを防いでい
る。
溶液で処理した場合には、低アルカリガラス基板１が硝
酸によるダメージを受けるため、ａ／Ｓｉ薄膜を低アル
カリガラス基板１の表裏に堆積してダメージを防いでい
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アモルフ
ァスシリコン薄膜の表面に酸素を供給した後、レーザビ
ームアニールで多結晶シリコン薄膜を形成することによ
り、従来例のレーザアニールと同時に酸素を供給するた
めのアモルファスシリコン薄膜上のＳｉＯ2 膜を必要と
せず、従ってレーザビームの照射エネルギーの同一基板
面内のばらつきを抑えることができ、多結晶シリコン膜
中の酸素濃度の不均一性を低減できるという効果を有す
る。
ァスシリコン薄膜の表面に酸素を供給した後、レーザビ
ームアニールで多結晶シリコン薄膜を形成することによ
り、従来例のレーザアニールと同時に酸素を供給するた
めのアモルファスシリコン薄膜上のＳｉＯ2 膜を必要と
せず、従ってレーザビームの照射エネルギーの同一基板
面内のばらつきを抑えることができ、多結晶シリコン膜
中の酸素濃度の不均一性を低減できるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図３】本発明の第３の実施例を説明するための断面
図。
図。
１ 低アルカリガラス基板 ２ ａ−Ｓｉ薄膜 ３，７ ＳｉＯ2 膜 ４ エキシマレーザビーム ５ 多結晶シリコン薄膜 ６ 酸素イオン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板上にアモルファスシリコン薄膜
を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜の表
面に酸素を供給する工程と、前記アモルファスシリコン
薄膜にレーザビームを照射してアニールし膜厚方向の酸
素濃度分布を調整した多結晶シリコン膜を形成する工程
とを含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 アモルファスシリコン薄膜の上に減圧化
学気相成長法により酸化シリコン膜を堆積して前記アモ
ルファスシリコン薄膜の表面に酸素を供給した後前記酸
化シリコン膜を剥離する工程を含む請求項１記載の半導
体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 アモルファスシリコン薄膜の表面に酸素
イオンをイオン注入して前記アモルファスシリコン薄膜
の表面に酸素を供給する請求項１記載の半導体薄膜の製
造方法。 - 【請求項４】 アモルファスシリコン薄膜の表面を酸性
溶液中で処理し前記アモルファスシリコン薄膜の表面に
酸素を供給する請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297169A JP2701711B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297169A JP2701711B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153684A true JPH07153684A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2701711B2 JP2701711B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=17843083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5297169A Expired - Lifetime JP2701711B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701711B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017505A (ja) * | 2001-04-23 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100404701B1 (ko) * | 2000-09-25 | 2003-11-10 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시용 박막 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| CN106876249A (zh) * | 2017-02-23 | 2017-06-20 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 | 一种二氧化硅厚膜的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124423A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5885520A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-21 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP5297169A patent/JP2701711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124423A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5885520A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-21 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| US6670638B2 (en) | 2000-09-25 | 2003-12-30 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display element and method of manufacturing the same |
| JP2003017505A (ja) * | 2001-04-23 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701711B2 (ja) | 1998-01-21 |
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