JPH07155599A - 排ガス中の窒素酸化物除去用触媒およびその製造方法 - Google Patents
排ガス中の窒素酸化物除去用触媒およびその製造方法Info
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- JPH07155599A JPH07155599A JP5310829A JP31082993A JPH07155599A JP H07155599 A JPH07155599 A JP H07155599A JP 5310829 A JP5310829 A JP 5310829A JP 31082993 A JP31082993 A JP 31082993A JP H07155599 A JPH07155599 A JP H07155599A
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- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化チタンを触媒担体として用いた窒素酸化
物除去用触媒において、活性成分による酸化チタンの焼
結に基づく活性の低下を防止し、耐熱性の高い、高活性
の触媒を得る脱硝触媒の製造方法を提供する。 【構成】 担体基体としてのシリカ粒子またはシリカ成
形体にチタン酸エステルを被覆し、300℃以下の水蒸
気を含んだ雰囲気で乾燥し、シリカ基体上にチタン化合
物の薄膜または膜状微粒子を形成した後、これを大気中
で200℃以上700℃以下で予備焼成してシリカ表面
にチタニアの膜および/または膜状粒子を有する触媒担
体を構成し、これにバナジウム、タングステン、モリブ
デン、銅および鉄のうち少なくとも一種以上の触媒活性
成分を担持させた後、乾燥し、200℃以上700℃以
下で焼成する。 【効果】 チタニアの焼結による活性低下が防止でき、
比較的高温においても高活性の脱硝触媒が得られる。
物除去用触媒において、活性成分による酸化チタンの焼
結に基づく活性の低下を防止し、耐熱性の高い、高活性
の触媒を得る脱硝触媒の製造方法を提供する。 【構成】 担体基体としてのシリカ粒子またはシリカ成
形体にチタン酸エステルを被覆し、300℃以下の水蒸
気を含んだ雰囲気で乾燥し、シリカ基体上にチタン化合
物の薄膜または膜状微粒子を形成した後、これを大気中
で200℃以上700℃以下で予備焼成してシリカ表面
にチタニアの膜および/または膜状粒子を有する触媒担
体を構成し、これにバナジウム、タングステン、モリブ
デン、銅および鉄のうち少なくとも一種以上の触媒活性
成分を担持させた後、乾燥し、200℃以上700℃以
下で焼成する。 【効果】 チタニアの焼結による活性低下が防止でき、
比較的高温においても高活性の脱硝触媒が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、排ガス中の窒素酸化物
除去用触媒およびその製造方法に係り、特にチタニアを
担体とする触媒において、チタニアの焼結による触媒活
性の低下のない、耐熱性に優れた高活性の窒素酸化物除
去用触媒およびその製造方法に関する。
除去用触媒およびその製造方法に係り、特にチタニアを
担体とする触媒において、チタニアの焼結による触媒活
性の低下のない、耐熱性に優れた高活性の窒素酸化物除
去用触媒およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】燃焼排ガス中の窒素酸化物の処理に現在
用いられているのは、図6に示すような脱硝方法であ
る。この方法によると、ボイラ11の煙道の400℃前
後の適当な温度領域に脱硝触媒を内蔵した脱硝装置12
を設け、アンモニア導入部13からアンモニアを注入す
ることにより、該アンモニア(NH3)を還元剤として窒
素酸化物(ほとんどNOであるが、NO2 、N2 O他の
成分も存在するためNOXという)を窒素(N2 )と水
蒸気(H2 O)に分解した後、排ガス煙突14から排出
する。この際、前記反応における反応速度および反応率
を向上させるために脱硝触媒を利用している。脱硝触媒
の製造方法は一般的に、担体となる高比表面積(約10
0m2/g以上)酸化物に活性成分となる酸化物を担持さ
せた後、焼成している。この際、該担体、特にチタニア
に活性成分を均質に分散させることにより、より高活性
な触媒が得られる。そのため、例えば五酸化バナジウム
の場合は、バナジン酸塩を蓚酸に溶解させた後、硫酸根
を含むチタニアスラリと混合することにより、分散性を
よくしていた。
用いられているのは、図6に示すような脱硝方法であ
る。この方法によると、ボイラ11の煙道の400℃前
後の適当な温度領域に脱硝触媒を内蔵した脱硝装置12
を設け、アンモニア導入部13からアンモニアを注入す
ることにより、該アンモニア(NH3)を還元剤として窒
素酸化物(ほとんどNOであるが、NO2 、N2 O他の
成分も存在するためNOXという)を窒素(N2 )と水
蒸気(H2 O)に分解した後、排ガス煙突14から排出
する。この際、前記反応における反応速度および反応率
を向上させるために脱硝触媒を利用している。脱硝触媒
の製造方法は一般的に、担体となる高比表面積(約10
0m2/g以上)酸化物に活性成分となる酸化物を担持さ
せた後、焼成している。この際、該担体、特にチタニア
に活性成分を均質に分散させることにより、より高活性
な触媒が得られる。そのため、例えば五酸化バナジウム
の場合は、バナジン酸塩を蓚酸に溶解させた後、硫酸根
を含むチタニアスラリと混合することにより、分散性を
よくしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記触媒にお
いては、活性成分が担体、特にチタニアの焼結を促進す
る働きをし、該担体の比表面積が30〜40m2/g程度
まで低下する場合があり、必ずしも効果は十分ではなか
った。一方、担体にシリカを用いた場合、担体としての
耐熱性は非常に優れているが、活性成分を担持してもチ
タニア担体程の活性は発現しないという問題があった。
いては、活性成分が担体、特にチタニアの焼結を促進す
る働きをし、該担体の比表面積が30〜40m2/g程度
まで低下する場合があり、必ずしも効果は十分ではなか
った。一方、担体にシリカを用いた場合、担体としての
耐熱性は非常に優れているが、活性成分を担持してもチ
タニア担体程の活性は発現しないという問題があった。
【0004】また、チタニア−シリカの二元系酸化物を
担体として用いることも効果的であり(特公昭57−3
0532号公報および特開昭54−66390号公
報)、本発明者の研究の結果では、特に焼結の防止に効
果がある。しかし、この方法では、活性成分がシリカと
チタニアのいずれの表面にも担持されるため、チタニア
のみの触媒担体よりも多量の触媒活性成分を担持する必
要があった。本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、担体表面に活性成分を担持する場合に(1)担
体が焼結しにくいこと、(2)原料が安価で製造工程が
簡単であることの2点が容易に実現できる脱硝触媒およ
びその製造方法を提供することにある。
担体として用いることも効果的であり(特公昭57−3
0532号公報および特開昭54−66390号公
報)、本発明者の研究の結果では、特に焼結の防止に効
果がある。しかし、この方法では、活性成分がシリカと
チタニアのいずれの表面にも担持されるため、チタニア
のみの触媒担体よりも多量の触媒活性成分を担持する必
要があった。本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、担体表面に活性成分を担持する場合に(1)担
体が焼結しにくいこと、(2)原料が安価で製造工程が
簡単であることの2点が容易に実現できる脱硝触媒およ
びその製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本願で特許請求する発明は以下のとおりである。 (1)排ガス中の窒素酸化物をアンモニアにより接触還
元除去する触媒において、担体基体としての高比表面積
を有するシリカ表面を、薄い層状または粒子状のチタニ
アで被覆した触媒担体に、バナジウム、タングステン、
モリブデン、銅および鉄のうちの一種以上からなる触媒
活性化合物が担持されていることを特徴とする排ガス中
の窒素酸化物除去用触媒。 (2)排ガス中の窒素酸化物をアンモニアにより接触還
元除去する触媒の製造方法において、シリカ粉末とチタ
ン酸エステルを混合し、水蒸気の存在する雰囲気中で乾
燥することによって、該シリカ粉末表面の一部または全
部をチタン酸皮膜および/または粒子で覆った後、20
0℃以上700℃以下で予備焼成することによって得た
触媒担体表面に、バナジウム(V)、タングステン
(W)、モリブデン(MO )、銅(Cu ) および鉄(F
e ) のうち1種類以上からなる金属、酸化物または硫酸
塩の一種以上を活性成分として担持し200℃以上70
0℃以下で焼成することを特徴とする排ガス中の窒素酸
化物除去用触媒の製造方法。 (3)上記(2)において、シリカ粉末とチタン酸エス
テルをSi /Ti 原子比が8/2から5/5の間の比率
になるように混合することを特徴とする排ガス中の窒素
酸化物除去用触媒の製造方法。 (4)上記(2)において、活性成分を硫酸塩または硫
酸とともに添加することを特徴とする排ガス中の窒素酸
化物除去用触媒の製造方法。 (5)排ガス中の窒素酸化物をアンモニアにより接触還
元除去する触媒の製造方法において、シリカ成形体にチ
タン酸エステルを含浸し、水蒸気の存在する雰囲気中で
乾燥することによって、該シリカ粉末表面の一部または
全部をチタン酸皮膜および/または粒子で覆った後、2
00℃以上700℃以下で予備焼成することよって得た
触媒担体表面に、バナジウム(V)、タングステン
(W)、モリブデン(MO )、銅(Cu )および鉄(F
e )のうち1種類以上からなる金属、酸化物または硫酸
塩の一種以上を活性成分としてシリコンおよびチタン原
子にたいして0.5/99.5以上40/60以下の割
合に担持し200℃以上700℃以下で焼成することを
特徴とする排ガス中の窒素酸化物除去用触媒の製造方
法。
本願で特許請求する発明は以下のとおりである。 (1)排ガス中の窒素酸化物をアンモニアにより接触還
元除去する触媒において、担体基体としての高比表面積
を有するシリカ表面を、薄い層状または粒子状のチタニ
アで被覆した触媒担体に、バナジウム、タングステン、
モリブデン、銅および鉄のうちの一種以上からなる触媒
活性化合物が担持されていることを特徴とする排ガス中
の窒素酸化物除去用触媒。 (2)排ガス中の窒素酸化物をアンモニアにより接触還
元除去する触媒の製造方法において、シリカ粉末とチタ
ン酸エステルを混合し、水蒸気の存在する雰囲気中で乾
燥することによって、該シリカ粉末表面の一部または全
部をチタン酸皮膜および/または粒子で覆った後、20
0℃以上700℃以下で予備焼成することによって得た
触媒担体表面に、バナジウム(V)、タングステン
(W)、モリブデン(MO )、銅(Cu ) および鉄(F
e ) のうち1種類以上からなる金属、酸化物または硫酸
塩の一種以上を活性成分として担持し200℃以上70
0℃以下で焼成することを特徴とする排ガス中の窒素酸
化物除去用触媒の製造方法。 (3)上記(2)において、シリカ粉末とチタン酸エス
テルをSi /Ti 原子比が8/2から5/5の間の比率
になるように混合することを特徴とする排ガス中の窒素
酸化物除去用触媒の製造方法。 (4)上記(2)において、活性成分を硫酸塩または硫
酸とともに添加することを特徴とする排ガス中の窒素酸
化物除去用触媒の製造方法。 (5)排ガス中の窒素酸化物をアンモニアにより接触還
元除去する触媒の製造方法において、シリカ成形体にチ
タン酸エステルを含浸し、水蒸気の存在する雰囲気中で
乾燥することによって、該シリカ粉末表面の一部または
全部をチタン酸皮膜および/または粒子で覆った後、2
00℃以上700℃以下で予備焼成することよって得た
触媒担体表面に、バナジウム(V)、タングステン
(W)、モリブデン(MO )、銅(Cu )および鉄(F
e )のうち1種類以上からなる金属、酸化物または硫酸
塩の一種以上を活性成分としてシリコンおよびチタン原
子にたいして0.5/99.5以上40/60以下の割
合に担持し200℃以上700℃以下で焼成することを
特徴とする排ガス中の窒素酸化物除去用触媒の製造方
法。
【0006】
【作用】耐熱性に優れ焼結しにくい高比表面積(100
m2/g以上)シリカを担体基材として用い、その表面を
チタニアでコーティングする。その際、チタニアコーテ
ィング原料として工業用原料であるチタン酸エステル
(Ti(OR)4 :Rはアルキル基またはアリール基)を
用いることにより、300℃以下の水蒸気を含んだ低温
乾燥でチタン酸エステルが加水分解および縮合する。チ
タン酸エステルの粘度によっては、アルコールまたはケ
トンによって希釈してもよい。乾燥温度は20℃以上3
00℃以下であればよいが、50℃以上200℃以下が
望ましい。これは、チタン酸エステルの加水分解の際、
温度が低いと反応速度が遅くなるため、処理時間が長く
なるからであり、また、温度が高すぎると該反応速度が
早くなりすぎ粒子状のチタニアしか生成しなくなるから
である。乾燥により、アルキル基またはアリール基を含
んだチタン化合物薄膜状および/または膜状微粒子の大
きな分子がシリカ表面に形成される。しかし、この後、
乾燥温度以上かつ200℃から700℃以下望ましくは
350℃以上550℃以下で焼成することにより、アル
キル基またはアリール基が分解する際に、該分子はシリ
カ上に付着し、かつ十分な容積の微細な細孔をもつチタ
ニアになる。このようにシリカ上に分散したチタニア
は、本発明者の実験によると活性成分を担持して焼成し
ても焼結しにくい特性を示す。原因は不明であるが、図
7に示すように、本発明触媒におけるチタニアは該シリ
カ表面に膜および/または膜状粒子として存在している
ため、平面方向に選択的な物質移動するため、従来のチ
タニア担体のような3次元的な物質移動による焼結が進
展した場合に比べて熱的な変化を起こしにくいものと考
えられる。
m2/g以上)シリカを担体基材として用い、その表面を
チタニアでコーティングする。その際、チタニアコーテ
ィング原料として工業用原料であるチタン酸エステル
(Ti(OR)4 :Rはアルキル基またはアリール基)を
用いることにより、300℃以下の水蒸気を含んだ低温
乾燥でチタン酸エステルが加水分解および縮合する。チ
タン酸エステルの粘度によっては、アルコールまたはケ
トンによって希釈してもよい。乾燥温度は20℃以上3
00℃以下であればよいが、50℃以上200℃以下が
望ましい。これは、チタン酸エステルの加水分解の際、
温度が低いと反応速度が遅くなるため、処理時間が長く
なるからであり、また、温度が高すぎると該反応速度が
早くなりすぎ粒子状のチタニアしか生成しなくなるから
である。乾燥により、アルキル基またはアリール基を含
んだチタン化合物薄膜状および/または膜状微粒子の大
きな分子がシリカ表面に形成される。しかし、この後、
乾燥温度以上かつ200℃から700℃以下望ましくは
350℃以上550℃以下で焼成することにより、アル
キル基またはアリール基が分解する際に、該分子はシリ
カ上に付着し、かつ十分な容積の微細な細孔をもつチタ
ニアになる。このようにシリカ上に分散したチタニア
は、本発明者の実験によると活性成分を担持して焼成し
ても焼結しにくい特性を示す。原因は不明であるが、図
7に示すように、本発明触媒におけるチタニアは該シリ
カ表面に膜および/または膜状粒子として存在している
ため、平面方向に選択的な物質移動するため、従来のチ
タニア担体のような3次元的な物質移動による焼結が進
展した場合に比べて熱的な変化を起こしにくいものと考
えられる。
【0007】本発明は、化石燃料を燃焼させる際に発生
するNO、NO2 等の窒素酸化物に対して、NH3 を還
元剤として、N2 およびH2 Oに分解する作用を有する
バナジウム(V)、タングステン(W)、モリブデン
(MO ) 、銅(Cu )、スズ(Sn )、鉄(Fe )およ
びニッケル(Ni )のうち1種類以上の原子からなる金
属、酸化物または硫酸塩の一種以上からなる活性成分を
シリカ上のチタニア膜および/または粒子上に担持させ
た触媒とその製造方法に関するものである。
するNO、NO2 等の窒素酸化物に対して、NH3 を還
元剤として、N2 およびH2 Oに分解する作用を有する
バナジウム(V)、タングステン(W)、モリブデン
(MO ) 、銅(Cu )、スズ(Sn )、鉄(Fe )およ
びニッケル(Ni )のうち1種類以上の原子からなる金
属、酸化物または硫酸塩の一種以上からなる活性成分を
シリカ上のチタニア膜および/または粒子上に担持させ
た触媒とその製造方法に関するものである。
【0008】本発明はいずれの場合においてもシリカ基
材上にチタニア膜および/または粒子を載せる際に、シ
リカとして高比表面積なシリカ粉末を、チタニア原料と
してはチタン酸エステルを用いることにより、混練後の
乾燥処理を、水蒸気が含まれている雰囲気で行なってい
る。この際、水蒸気濃度は高い方が加水分解の進展は早
いが、水蒸気濃度が低い場合でも、処理時間を長くする
ことにより同等の効果が得られる。
材上にチタニア膜および/または粒子を載せる際に、シ
リカとして高比表面積なシリカ粉末を、チタニア原料と
してはチタン酸エステルを用いることにより、混練後の
乾燥処理を、水蒸気が含まれている雰囲気で行なってい
る。この際、水蒸気濃度は高い方が加水分解の進展は早
いが、水蒸気濃度が低い場合でも、処理時間を長くする
ことにより同等の効果が得られる。
【0009】また、予備焼成温度および焼成温度は高い
方が熱的な安定性は増すが、担体の焼結現象が発生し、
比表面積が低下する場合もあるので、通常、350℃以
上550℃以下が好ましい。なお、活性成分を担持した
後、焼成温度以下の温度で水分を乾燥してもよい。な
お、以下の実施例は担体原料として高比表面積シリカ
(初期比表面積200m2/g)粉末とチタン酸エステル
としてチタン酸テトライソプロポキシド(以下、TTI
Pという)を用いているが、本発明はシリカ原料は粉末
である必要はなく、ハニカム、粒状または板状等種々の
形状の焼成体やシリカゲルであっても、比表面積が同等
であれば効果も同等であるし、チタン酸エステルもチタ
ン酸テトラステアリルやチタン酸テトラブチルのような
他のものでもかまわない。ただし、分子量の大きいチタ
ン酸エステルは融点も高くなるので、乾燥温度を融点以
上にする必要が生じる。
方が熱的な安定性は増すが、担体の焼結現象が発生し、
比表面積が低下する場合もあるので、通常、350℃以
上550℃以下が好ましい。なお、活性成分を担持した
後、焼成温度以下の温度で水分を乾燥してもよい。な
お、以下の実施例は担体原料として高比表面積シリカ
(初期比表面積200m2/g)粉末とチタン酸エステル
としてチタン酸テトライソプロポキシド(以下、TTI
Pという)を用いているが、本発明はシリカ原料は粉末
である必要はなく、ハニカム、粒状または板状等種々の
形状の焼成体やシリカゲルであっても、比表面積が同等
であれば効果も同等であるし、チタン酸エステルもチタ
ン酸テトラステアリルやチタン酸テトラブチルのような
他のものでもかまわない。ただし、分子量の大きいチタ
ン酸エステルは融点も高くなるので、乾燥温度を融点以
上にする必要が生じる。
【0010】また、活性成分についても、バナジウムを
含んだもの以外でも、特許請求の範囲に記したものは活
性を発現するので使用可能である。さらに、硫酸塩を活
性成分として用いることおよび/または硫酸を添加する
ことによりさらに高活性化できる。また、同じ量の担体
にたいする活性成分の添加量は、多いほうが高活性であ
るが、一定量以上添加すると担体の割合が減少し、該担
体と活性成分との相互作用が減少するため逆に活性は低
下する。本発明では活性成分の割合は担体原子との比で
0.5/99.5以上40/60以下、望ましくは1/
99から20/80である。
含んだもの以外でも、特許請求の範囲に記したものは活
性を発現するので使用可能である。さらに、硫酸塩を活
性成分として用いることおよび/または硫酸を添加する
ことによりさらに高活性化できる。また、同じ量の担体
にたいする活性成分の添加量は、多いほうが高活性であ
るが、一定量以上添加すると担体の割合が減少し、該担
体と活性成分との相互作用が減少するため逆に活性は低
下する。本発明では活性成分の割合は担体原子との比で
0.5/99.5以上40/60以下、望ましくは1/
99から20/80である。
【0011】
【実施例】次に、本発明を実施例によってさらに詳細に
説明する。図1は本発明に基づいて作成した触媒粒子断
面の模式図である。チタニア1は細孔を有す高比表面積
なシリカ2を薄い層状または粒子状に覆っている。その
表面に活性成分3が担持されているが、表面のほとんど
をチタニア1が覆っているため、ほとんどの活性成分は
チタニア1上に担持されている。 実施例1 製造工程を図2に示す。まず、図3に示すような電気炉
4内部にエアポンプ5と蒸発器6で発生させた10%水
蒸気を供給する。この際、定量ポンプ7で蒸発器6に水
を供給することにより供給ガス8の絶対湿度が10%に
なるように制御した。結露しないように電気炉を約10
0℃に加熱した状態で、内部の湿度が一定になった後、
高比表面積シリカ粉末とTTIPのSi /Ti 原子比が
7/3になるように混練した原料を、るつぼ9に入れ、
電気炉内で150℃で2時間、ときおり、試料10を攪
拌しながら乾燥した。その後、大気中550℃で2時間
予備焼成した後、得られた担体粉末と活性成分として硫
酸バナジル粉末をV/(S i +Ti )原子比が15/8
5になるように水(原料粉末すべてに対して30 wt
%)とともに混練し、φ10×5t 成形した後、150
℃で2時間大気中で乾燥した後、大気中550℃で2時
間焼成した。 実施例2 実施例1と同じ装置を用い、予備焼成および焼成温度を
200℃にした以外は全く同じ条件で試験を行なった。
説明する。図1は本発明に基づいて作成した触媒粒子断
面の模式図である。チタニア1は細孔を有す高比表面積
なシリカ2を薄い層状または粒子状に覆っている。その
表面に活性成分3が担持されているが、表面のほとんど
をチタニア1が覆っているため、ほとんどの活性成分は
チタニア1上に担持されている。 実施例1 製造工程を図2に示す。まず、図3に示すような電気炉
4内部にエアポンプ5と蒸発器6で発生させた10%水
蒸気を供給する。この際、定量ポンプ7で蒸発器6に水
を供給することにより供給ガス8の絶対湿度が10%に
なるように制御した。結露しないように電気炉を約10
0℃に加熱した状態で、内部の湿度が一定になった後、
高比表面積シリカ粉末とTTIPのSi /Ti 原子比が
7/3になるように混練した原料を、るつぼ9に入れ、
電気炉内で150℃で2時間、ときおり、試料10を攪
拌しながら乾燥した。その後、大気中550℃で2時間
予備焼成した後、得られた担体粉末と活性成分として硫
酸バナジル粉末をV/(S i +Ti )原子比が15/8
5になるように水(原料粉末すべてに対して30 wt
%)とともに混練し、φ10×5t 成形した後、150
℃で2時間大気中で乾燥した後、大気中550℃で2時
間焼成した。 実施例2 実施例1と同じ装置を用い、予備焼成および焼成温度を
200℃にした以外は全く同じ条件で試験を行なった。
【0012】実施例3 実施例1と同じ装置を用い、予備焼成および焼成温度を
700℃にした以外は全く同じ条件で試験を行なった。 実施例4 実施例1と同じ装置を用い、乾燥時の内部湿度を100
%水蒸気にし、乾燥時間を30分にした以外は全く同じ
条件で試験を行なった。 実施例5 実施例1と同じ装置を用い、パラタングステン酸アンモ
ン水溶液を原子比W/(Si +Ti )=15/85で活
性成分として添加した以外は全く同じ条件で試験を行な
った。 実施例6 実施例1と同じ装置を用い、モリブデン酸アンモン水溶
液を原子比MO /(S i +Ti )=15/85で活性成
分とした以外は全く同じ条件で試験を行なった。 実施例7 実施例1と同じ装置を用い、硫酸銅水溶液を原子比Cu
/(Si +Ti )=15/85で活性成分とした以外は
全く同じ条件で試験を行なった。 実施例8 実施例1と同じ装置を用い、硫酸鉄を原子比Fe /(S
i +Ti )=15/85で活性成分とした以外は全く同
じ条件で試験を行なった。 実施例9 担体基材として、高比表面積シリカペレット(比表面積
約150m2/g、φ10×5t 、350℃焼成品)を用
いた以外は実施例1と全く同じ条件で試験を行なった。
700℃にした以外は全く同じ条件で試験を行なった。 実施例4 実施例1と同じ装置を用い、乾燥時の内部湿度を100
%水蒸気にし、乾燥時間を30分にした以外は全く同じ
条件で試験を行なった。 実施例5 実施例1と同じ装置を用い、パラタングステン酸アンモ
ン水溶液を原子比W/(Si +Ti )=15/85で活
性成分として添加した以外は全く同じ条件で試験を行な
った。 実施例6 実施例1と同じ装置を用い、モリブデン酸アンモン水溶
液を原子比MO /(S i +Ti )=15/85で活性成
分とした以外は全く同じ条件で試験を行なった。 実施例7 実施例1と同じ装置を用い、硫酸銅水溶液を原子比Cu
/(Si +Ti )=15/85で活性成分とした以外は
全く同じ条件で試験を行なった。 実施例8 実施例1と同じ装置を用い、硫酸鉄を原子比Fe /(S
i +Ti )=15/85で活性成分とした以外は全く同
じ条件で試験を行なった。 実施例9 担体基材として、高比表面積シリカペレット(比表面積
約150m2/g、φ10×5t 、350℃焼成品)を用
いた以外は実施例1と全く同じ条件で試験を行なった。
【0013】実施例10 活性成分として、メタバナジン酸アンモンの蓚酸溶液を
用いた以外は実施例1と全く同じ条件で試験を行なっ
た。 実施例11 担体用のSi /Ti 原子比が5/5である以外は実施例
と全く同じ条件で試験を行なった。 実施例12 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で0.5
/99.5である以外は実施例と全く同じ条件で試験を
行なった。 実施例13 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で40/
60である以外は実施例と全く同じ条件で試験を行なっ
た。
用いた以外は実施例1と全く同じ条件で試験を行なっ
た。 実施例11 担体用のSi /Ti 原子比が5/5である以外は実施例
と全く同じ条件で試験を行なった。 実施例12 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で0.5
/99.5である以外は実施例と全く同じ条件で試験を
行なった。 実施例13 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で40/
60である以外は実施例と全く同じ条件で試験を行なっ
た。
【0014】比較例1 乾燥時に10%水蒸気の代わりに窒素を送った以外は実
施例1と同じ条件で処理を行なった。 比較例2 触媒担体として、該高比表面積シリカ粉末のみを用いた
以外は水蒸気中での乾燥も含めて実施例1と同じ条件で
処理を行なった。 比較例3 触媒担体として、TTIPのみを用いた以外は水蒸気中
での乾燥も含めて実施例1と同じ条件で処理を行なっ
た。 比較例4 触媒担体原料として、四塩化ケイ素および四塩化チタン
を用い、アンモニア共沈法による混合物を用いた以外は
水蒸気中での乾燥も含めて実施例1と同じ条件で処理を
行なった。 比較例5 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で50/
50である以外は実施例1と全く同じ条件で試験を行な
った。 比較例6 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で0.1
/99.9である以外は実施例1と全く同じ条件で試験
を行なった。 比較例7 予備焼成温度を750℃にした以外は実施例1と同じ条
件で処理を行なった。 比較例8 焼成温度を750℃にした以外は実施例1と同じ条件で
処理を行なった。
施例1と同じ条件で処理を行なった。 比較例2 触媒担体として、該高比表面積シリカ粉末のみを用いた
以外は水蒸気中での乾燥も含めて実施例1と同じ条件で
処理を行なった。 比較例3 触媒担体として、TTIPのみを用いた以外は水蒸気中
での乾燥も含めて実施例1と同じ条件で処理を行なっ
た。 比較例4 触媒担体原料として、四塩化ケイ素および四塩化チタン
を用い、アンモニア共沈法による混合物を用いた以外は
水蒸気中での乾燥も含めて実施例1と同じ条件で処理を
行なった。 比較例5 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で50/
50である以外は実施例1と全く同じ条件で試験を行な
った。 比較例6 活性成分の添加量がV/(Si +Ti )原子比で0.1
/99.9である以外は実施例1と全く同じ条件で試験
を行なった。 比較例7 予備焼成温度を750℃にした以外は実施例1と同じ条
件で処理を行なった。 比較例8 焼成温度を750℃にした以外は実施例1と同じ条件で
処理を行なった。
【0015】図4に実施例1と比較例1〜8の相対的な
活性の比較値を示す。測定は、模擬燃焼排ガスで実験を
行なった。排ガスの組成はCO2 :500 ppm、NOX
濃度:200 ppm、O2 濃度:3.0%で残りは窒素ガ
スであった。脱硝実験は温度350℃、ガス流速17 m
/hの条件下で行ない、触媒入口のNH3 /NOX 比は1
で実施した。いずれも比較例に比べて実施例1は活性が
2倍以上と明らかに優れていることがわかる。特に、比
較例4と実施例1の差は担体単位重量当たりの活性成分
担持量が同じならば、本発明の担体の方が二元系酸化物
よりも優れていることを示している。また、比較例2お
よび3がいずれも低活性なことは、本発明の触媒担体
は、いずれか一方の担体成分が効果を示すのではなく、
複合化されてはじめて効果的となることを示している。
活性の比較値を示す。測定は、模擬燃焼排ガスで実験を
行なった。排ガスの組成はCO2 :500 ppm、NOX
濃度:200 ppm、O2 濃度:3.0%で残りは窒素ガ
スであった。脱硝実験は温度350℃、ガス流速17 m
/hの条件下で行ない、触媒入口のNH3 /NOX 比は1
で実施した。いずれも比較例に比べて実施例1は活性が
2倍以上と明らかに優れていることがわかる。特に、比
較例4と実施例1の差は担体単位重量当たりの活性成分
担持量が同じならば、本発明の担体の方が二元系酸化物
よりも優れていることを示している。また、比較例2お
よび3がいずれも低活性なことは、本発明の触媒担体
は、いずれか一方の担体成分が効果を示すのではなく、
複合化されてはじめて効果的となることを示している。
【0016】一方、実施例1〜13についても上記脱硝
率測定法で計測し比較した。結果を図5に示す。いずれ
も、図4に示した比較例と比べると活性面で優れてお
り、実施例1の脱硝率に比べて85%以上であった。高
温で焼成するとやや触媒活性は低めであるが、熱的な安
定性は増大するので、使用温度が高い場合は利用でき
る。また、実施例1と10を比較すると、活性成分に硫
酸塩を用いると活性が向上するが、硫酸根を添加した場
合、若干排ガス中のSO2 酸化率は上昇するので、その
場合(SO2 含有量の多い排ガス)は、硫酸を含まない
金属または酸化物系の活性成分を用いる必要がある。
率測定法で計測し比較した。結果を図5に示す。いずれ
も、図4に示した比較例と比べると活性面で優れてお
り、実施例1の脱硝率に比べて85%以上であった。高
温で焼成するとやや触媒活性は低めであるが、熱的な安
定性は増大するので、使用温度が高い場合は利用でき
る。また、実施例1と10を比較すると、活性成分に硫
酸塩を用いると活性が向上するが、硫酸根を添加した場
合、若干排ガス中のSO2 酸化率は上昇するので、その
場合(SO2 含有量の多い排ガス)は、硫酸を含まない
金属または酸化物系の活性成分を用いる必要がある。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、比較的安価な高比表面
積シリカを基体としてこれにチタニアを被覆したもの
を、脱硝触媒の触媒担体として利用することができる。
また得られた脱硝触媒は450℃以上の比較的高温な使
用条件でも高活性でかつ長寿命であるため、高温脱硝用
触媒として好適に使用可能である。
積シリカを基体としてこれにチタニアを被覆したもの
を、脱硝触媒の触媒担体として利用することができる。
また得られた脱硝触媒は450℃以上の比較的高温な使
用条件でも高活性でかつ長寿命であるため、高温脱硝用
触媒として好適に使用可能である。
【図1】本発明の脱硝触媒の基本的な構造を示す概念
図。
図。
【図2】本発明の触媒の製造工程を示す図。
【図3】実施例1の触媒の製造装置を示す概観図。
【図4】実施例1と比較例1〜8の触媒活性を比較した
図。
図。
【図5】実施例1から13の触媒活性を示した図。
【図6】従来の脱硝装置を示す概略図。
【図7】本発明における焼結防止機構を示す概略図。
1…チタニア、2…シリカ、3…活性成分、4…電気
炉、5…エアポンプ、6…蒸発器、7…水定量供給ポン
プ、8…供給ガス、9…るつぼ、10…試料、11…ボ
イラ、12…脱硝装置、13…アンモニア導入部、14
…排ガス煙突。
炉、5…エアポンプ、6…蒸発器、7…水定量供給ポン
プ、8…供給ガス、9…るつぼ、10…試料、11…ボ
イラ、12…脱硝装置、13…アンモニア導入部、14
…排ガス煙突。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B01J 23/22 ZAB A 9342−4G 23/28 ZAB A 9342−4G 23/30 ZAB A 9342−4G 23/72 ZAB A 9342−4G 23/74 ZAB 9342−4G 23/745 27/053 ZAB A 9342−4G 9342−4G B01J 23/74 301 A
Claims (5)
- 【請求項1】 排ガス中の窒素酸化物をアンモニアによ
り接触還元除去する触媒において、担体基体としての高
比表面積を有するシリカ表面を、薄い層状または粒子状
のチタニアで被覆した触媒担体に、バナジウム、タング
ステン、モリブデン、銅および鉄のうちの一種以上から
なる触媒活性化合物が担持されていることを特徴とする
排ガス中の窒素酸化物除去用触媒。 - 【請求項2】 排ガス中の窒素酸化物をアンモニアによ
り接触還元除去する触媒の製造方法において、シリカ粉
末とチタン酸エステルを混合し、水蒸気の存在する雰囲
気中で乾燥することによって、該シリカ粉末表面の一部
または全部をチタン酸皮膜および/または粒子で覆った
後、200℃以上700℃以下で予備焼成することによ
って得た触媒担体表面に、バナジウム(V)、タングス
テン(W)、モリブデン(MO )、銅(Cu ) および鉄
(Fe ) のうち1種類以上からなる金属、酸化物または
硫酸塩の一種以上を活性成分として担持し200℃以上
700℃以下で焼成することを特徴とする排ガス中の窒
素酸化物除去用触媒の製造方法。 - 【請求項3】 請求項2において、シリカ粉末とチタン
酸エステルをSi /Ti 原子比が8/2から5/5の間
の比率になるように混合することを特徴とする排ガス中
の窒素酸化物除去用触媒の製造方法。 - 【請求項4】 請求項2において、活性成分を硫酸塩ま
たは硫酸とともに添加することを特徴とする排ガス中の
窒素酸化物除去用触媒の製造方法。 - 【請求項5】 排ガス中の窒素酸化物をアンモニアによ
り接触還元除去する触媒の製造方法において、シリカ成
形体にチタン酸エステルを含浸し、水蒸気の存在する雰
囲気中で乾燥することによって、該シリカ粉末表面の一
部または全部をチタン酸皮膜および/または粒子で覆っ
た後、200℃以上700℃以下で予備焼成することよ
って得た触媒担体表面に、バナジウム(V)、タングス
テン(W)、モリブデン(MO )、銅(Cu )および鉄
(Fe )のうち1種類以上からなる金属、酸化物または
硫酸塩の一種以上を活性成分としてシリコンおよびチタ
ン原子にたいして0.5/99.5以上40/60以下
の割合に担持し200℃以上700℃以下で焼成するこ
とを特徴とする排ガス中の窒素酸化物除去用触媒の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310829A JPH07155599A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 排ガス中の窒素酸化物除去用触媒およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310829A JPH07155599A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 排ガス中の窒素酸化物除去用触媒およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07155599A true JPH07155599A (ja) | 1995-06-20 |
Family
ID=18009909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5310829A Pending JPH07155599A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 排ガス中の窒素酸化物除去用触媒およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07155599A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0799792A1 (en) * | 1996-04-03 | 1997-10-08 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process and catalyst for preparation of nitrous oxide |
| CN104549398A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种微孔陶瓷催化剂及其制备方法 |
| CN111495379A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 南京赤博环保科技有限公司 | 一种脱硝催化剂及其制备方法和应用 |
| CN117463356A (zh) * | 2023-10-27 | 2024-01-30 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种复合功能涂层催化剂及其制备方法 |
| CN117753406A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-03-26 | 嘉庚创新实验室 | 催化剂、催化剂的制备方法及其应用 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP5310829A patent/JPH07155599A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0799792A1 (en) * | 1996-04-03 | 1997-10-08 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process and catalyst for preparation of nitrous oxide |
| CN104549398A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种微孔陶瓷催化剂及其制备方法 |
| CN104549398B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-03-15 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种微孔陶瓷催化剂及其制备方法 |
| CN111495379A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 南京赤博环保科技有限公司 | 一种脱硝催化剂及其制备方法和应用 |
| CN117463356A (zh) * | 2023-10-27 | 2024-01-30 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种复合功能涂层催化剂及其制备方法 |
| CN117753406A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-03-26 | 嘉庚创新实验室 | 催化剂、催化剂的制备方法及其应用 |
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