JPH0715897B2 - ウエ−ハ端面エッチング方法及び装置 - Google Patents
ウエ−ハ端面エッチング方法及び装置Info
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- JPH0715897B2 JPH0715897B2 JP4279487A JP27948792A JPH0715897B2 JP H0715897 B2 JPH0715897 B2 JP H0715897B2 JP 4279487 A JP4279487 A JP 4279487A JP 27948792 A JP27948792 A JP 27948792A JP H0715897 B2 JPH0715897 B2 JP H0715897B2
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
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- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
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- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、周縁を面取りされた半
導体ウエ−ハの端面のみをエッチングするようにしたウ
エ−ハ端面エッチング方法及び装置に関するものであ
る。
導体ウエ−ハの端面のみをエッチングするようにしたウ
エ−ハ端面エッチング方法及び装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエ−ハを製造する際、スライシ
ングしたウエ−ハの周縁を機械加工により面取りする加
工が行われている。この面取り加工により端面は微細な
粗面となり、そのままだと汚れが付着したり、ダストが
発生したり、熱ひずみを生じる原因となる。
ングしたウエ−ハの周縁を機械加工により面取りする加
工が行われている。この面取り加工により端面は微細な
粗面となり、そのままだと汚れが付着したり、ダストが
発生したり、熱ひずみを生じる原因となる。
【０００３】そこで、従来、機械加工により面取りした
ウエ−ハの端面を平滑にするため、端面のみをエッチン
グ処理することが行われている。このような端面のエッ
チング処理としては、複数枚のウエ−ハを直接重ね合わ
せたり（特開昭６２−１３４９３５）、ウエ−ハ間に特
殊なスペ−サを介在させて積層し（特公平３−５７６１
２）、ウエ−ハの端面のみが露出するような状態にして
エッチング液に浸漬し、面取り部のみをエッチングする
方法が知られている。
ウエ−ハの端面を平滑にするため、端面のみをエッチン
グ処理することが行われている。このような端面のエッ
チング処理としては、複数枚のウエ−ハを直接重ね合わ
せたり（特開昭６２−１３４９３５）、ウエ−ハ間に特
殊なスペ−サを介在させて積層し（特公平３−５７６１
２）、ウエ−ハの端面のみが露出するような状態にして
エッチング液に浸漬し、面取り部のみをエッチングする
方法が知られている。
【０００４】上記の方法によれば、端面のエッチングを
することができるが、複数枚を積層する作業が面倒であ
り、自動化することがむずかしく、またウエ−ハ表面が
触れ合うので重ねるときや１枚づつ剥すときにウエ−ハ
を損傷するおそれがあった。
することができるが、複数枚を積層する作業が面倒であ
り、自動化することがむずかしく、またウエ−ハ表面が
触れ合うので重ねるときや１枚づつ剥すときにウエ−ハ
を損傷するおそれがあった。
【０００５】なお、ウエーハの端面が非接触状態で入り
込む溝部を有するローラを用い、該ローラの溝部内にエ
ッチング液を表面張力により保持し、ウエーハの端面を
このエッチング液に接触させてエッチングする装置も提
案されている（特開平１ー３１６９３６）。しかし、上
記装置では、ローラの溝部内に所定量のエッチング液を
表面張力により保持することがむずかしい。その上、一
般に、半導体ウエーハには、周縁の一部を直線状に切り
欠いてオリエンテーションフラットを形成してあるの
で、ウエーハを回転させながらその端面を常に非接触状
態でエッチング液に接触させるよう制御することは非常
に面倒である。また、ウエーハの端面を所望の形状にエ
ッチングすることができない。
込む溝部を有するローラを用い、該ローラの溝部内にエ
ッチング液を表面張力により保持し、ウエーハの端面を
このエッチング液に接触させてエッチングする装置も提
案されている（特開平１ー３１６９３６）。しかし、上
記装置では、ローラの溝部内に所定量のエッチング液を
表面張力により保持することがむずかしい。その上、一
般に、半導体ウエーハには、周縁の一部を直線状に切り
欠いてオリエンテーションフラットを形成してあるの
で、ウエーハを回転させながらその端面を常に非接触状
態でエッチング液に接触させるよう制御することは非常
に面倒である。また、ウエーハの端面を所望の形状にエ
ッチングすることができない。
【０００６】
【発明の解決課題】本発明は、そのような欠点を解消す
るようウエ−ハの端面を枚葉処理によりエッチングでき
るようにしたウエ−ハ端面エッチング方法及び装置を提
供することを目的とする。
るようウエ−ハの端面を枚葉処理によりエッチングでき
るようにしたウエ−ハ端面エッチング方法及び装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題解決の手段】本発明によれば、ウエ−ハをチャッ
クで保持回転させながら、該ウエ−ハの端面にエッチン
グ液を含んだエッチングロ−ラを接触し、該端面のみに
エッチング液を付着させて端面エッチング処理を行うこ
とを特徴とするウエ−ハ端面エッチング方法及び装置が
提供され、上記目的が達成される。
クで保持回転させながら、該ウエ−ハの端面にエッチン
グ液を含んだエッチングロ−ラを接触し、該端面のみに
エッチング液を付着させて端面エッチング処理を行うこ
とを特徴とするウエ−ハ端面エッチング方法及び装置が
提供され、上記目的が達成される。
【０００８】また、上記ウエ−ハの端面に純水洗浄ロ−
ラを当接させて同時に純水洗浄できるようにしたウエ−
ハ端面エッチング方法及び装置が提供され、エッチング
作業の自動化が達成される。
ラを当接させて同時に純水洗浄できるようにしたウエ−
ハ端面エッチング方法及び装置が提供され、エッチング
作業の自動化が達成される。
【０００９】さらに、上記ウエ−ハの平面に、該平面か
ら周縁方向へ流れるガス流を形成し、エッチング液のガ
スがウエ−ハの平面に作用しないようにしたウエ−ハ端
面エッチング装置が提供される。
ら周縁方向へ流れるガス流を形成し、エッチング液のガ
スがウエ−ハの平面に作用しないようにしたウエ−ハ端
面エッチング装置が提供される。
【００１０】
【作用】ウエ−ハは裏面中央部をチャックに吸着保持し
た状態で回転し、その端面にはエッチングロ−ラが接触
した状態で回転する。該エッチングロ−ラの周面には、
例えば弗酸、硝酸、酢酸等の混酸から成るエッチング液
が供給されているので、上記ウエ−ハの端面には微量の
エッチング液が付着し、該端面のみがエッチングされ
る。
た状態で回転し、その端面にはエッチングロ−ラが接触
した状態で回転する。該エッチングロ−ラの周面には、
例えば弗酸、硝酸、酢酸等の混酸から成るエッチング液
が供給されているので、上記ウエ−ハの端面には微量の
エッチング液が付着し、該端面のみがエッチングされ
る。
【００１１】上記ウエ−ハの回転を正逆転させると、ウ
エ−ハの端面は均一で高精度な状態にエッチングされ
る。また、同時に上記エッチングロ−ラと対向する位置
等のウエ−ハの端面に純水洗浄ロ−ラを当接させて回転
すると、純水洗浄を行うことができる。
エ−ハの端面は均一で高精度な状態にエッチングされ
る。また、同時に上記エッチングロ−ラと対向する位置
等のウエ−ハの端面に純水洗浄ロ−ラを当接させて回転
すると、純水洗浄を行うことができる。
【００１２】上記ウエ−ハの平面に沿って周縁方向へ窒
素ガス等のガス流を生じさせておくと、上記エッチング
ロ−ラに供給されたエッチング液のガスによりウエ−ハ
の平面が曇ることもない。
素ガス等のガス流を生じさせておくと、上記エッチング
ロ−ラに供給されたエッチング液のガスによりウエ−ハ
の平面が曇ることもない。
【００１３】また、上記ウエ−ハ端面のエッチング形状
は、上記エッチングロ−ラとの接触部の形状により定め
られるから、該形状を変えることにより所望のエッチン
グ形状が得られる。
は、上記エッチングロ−ラとの接触部の形状により定め
られるから、該形状を変えることにより所望のエッチン
グ形状が得られる。
【００１４】
【実施例】以下実施例と共に説明する。図１，図２は本
発明の概略的構成を示す説明図であって、真空チャック
等のチャック手段（２）に吸着保持されて回転するウエ
−ハ（１）に隣接してエッチングユニット（３）と洗浄
ユニット（４）が設けられている。
発明の概略的構成を示す説明図であって、真空チャック
等のチャック手段（２）に吸着保持されて回転するウエ
−ハ（１）に隣接してエッチングユニット（３）と洗浄
ユニット（４）が設けられている。
【００１５】上記エッチングユニット（３）は、図３に
示すように、ウエ−ハ（１）の端面に対向して開口部
（５）を形成したユニット本体（６）を有し、該ユニッ
ト本体（６）内に上記開口部（５）に臨むエッチングロ
−ラ（７）と該エッチングロ−ラ（７）に接触する供給
ロ−ラ（８）が設けられている。該供給ロ−ラ（８）
は、モ−タ−（９）により回転され、歯車(10)，(11)を
介し上記エッチングロ−ラ（７）も回転する。これらの
ロ−ラ−の回転は比較的ゆっくりでよく、例えば０〜２
５０ｒｐｍの範囲で可変とし、常時は６０ｒｐｍ程度で
回転するようにすればよい。
示すように、ウエ−ハ（１）の端面に対向して開口部
（５）を形成したユニット本体（６）を有し、該ユニッ
ト本体（６）内に上記開口部（５）に臨むエッチングロ
−ラ（７）と該エッチングロ−ラ（７）に接触する供給
ロ−ラ（８）が設けられている。該供給ロ−ラ（８）
は、モ−タ−（９）により回転され、歯車(10)，(11)を
介し上記エッチングロ−ラ（７）も回転する。これらの
ロ−ラ−の回転は比較的ゆっくりでよく、例えば０〜２
５０ｒｐｍの範囲で可変とし、常時は６０ｒｐｍ程度で
回転するようにすればよい。
【００１６】上記供給ロ−ラ（８）とエッチングロ−ラ
（７）の周面には、エッチング液供給ノズル(12)から供
給したエッチング液を一時的に含むことができるよう塩
化ビニル樹脂、フッ素樹脂等のプラスチック材料その他
の適宜の耐薬品性を有する材料で形成した接触部片(1
3)，(14)が設けられている。図において、該接触部片
（13），(14)はプラスチックフォ−ム材料で弾性的に形
成してあるが、発泡材料でなくてもよく、またブラシ状
に形成してもよい。また、そのような弾性的な接触部片
を設けなくてもよい。
（７）の周面には、エッチング液供給ノズル(12)から供
給したエッチング液を一時的に含むことができるよう塩
化ビニル樹脂、フッ素樹脂等のプラスチック材料その他
の適宜の耐薬品性を有する材料で形成した接触部片(1
3)，(14)が設けられている。図において、該接触部片
（13），(14)はプラスチックフォ−ム材料で弾性的に形
成してあるが、発泡材料でなくてもよく、またブラシ状
に形成してもよい。また、そのような弾性的な接触部片
を設けなくてもよい。
【００１７】また、上記エッチングロ−ラ（７）には、
図４に示すように、ウエ−ハ（１）の端面が入り込む溝
(15)を形成してもよい。この場合には、供給ロ−ラ
（８）には該溝(15)に対応した隆起部(16)を形成すれば
よい。なお、該溝(15)の形状は、該溝に接触するウエー
ハの端面の形状に応じて変えられ、それにより所望の形
状に端面をエッチングすることができる。
図４に示すように、ウエ−ハ（１）の端面が入り込む溝
(15)を形成してもよい。この場合には、供給ロ−ラ
（８）には該溝(15)に対応した隆起部(16)を形成すれば
よい。なお、該溝(15)の形状は、該溝に接触するウエー
ハの端面の形状に応じて変えられ、それにより所望の形
状に端面をエッチングすることができる。
【００１８】図に示す実施例では、供給ロ−ラ（８）を
介してエッチング液をエッチングロ−ラ（７）に間接的
に供給しているので、エッチングロ−ラ（７）には均一
にエッチング液が供給される。なお、エッチング液は、
弗酸、硝酸、酢酸を適宜の割合で混合した混酸を用いて
いるが、アルカリエッチング液等目的に応じたものを使
用できる。この際、エッチング処理を早めるよう処理部
を加温することもできる。例えば、エッチング液自体や
上記ローラを加温することによりエッチング液を加温す
るようにしたり、上記チャック手段（２）やウエーハ
（１）の近傍にヒーター（図示略）を設けて上記ウエー
ハを加温するようにしてもよい。
介してエッチング液をエッチングロ−ラ（７）に間接的
に供給しているので、エッチングロ−ラ（７）には均一
にエッチング液が供給される。なお、エッチング液は、
弗酸、硝酸、酢酸を適宜の割合で混合した混酸を用いて
いるが、アルカリエッチング液等目的に応じたものを使
用できる。この際、エッチング処理を早めるよう処理部
を加温することもできる。例えば、エッチング液自体や
上記ローラを加温することによりエッチング液を加温す
るようにしたり、上記チャック手段（２）やウエーハ
（１）の近傍にヒーター（図示略）を設けて上記ウエー
ハを加温するようにしてもよい。
【００１９】上記エッチングロ−ラ等は、上述のように
耐薬品性を有する材料で作られるが、エッチング液によ
る劣化は避けられないので、各部品は容易に分解、組み
立てできるように構成するとよい。たとえば、上記エッ
チングロ−ラや供給ロ−ラと上記歯車を軸方向に抜差可
能に組み合せたり、上記ユニット本体の一部を開閉式に
して交換作業を容易にできるようにすることができる。
耐薬品性を有する材料で作られるが、エッチング液によ
る劣化は避けられないので、各部品は容易に分解、組み
立てできるように構成するとよい。たとえば、上記エッ
チングロ−ラや供給ロ−ラと上記歯車を軸方向に抜差可
能に組み合せたり、上記ユニット本体の一部を開閉式に
して交換作業を容易にできるようにすることができる。
【００２０】上記ユニット本体（６）内は、上記開口部
（５）からエッチング液のガスが流出しないよう構成し
てある。図においては、ユニット本体（６）の下方に設
けた排水路（６ａ）内に排気装置（図示略）を設け、上
記ユニット本体（６）内の空気を下方に排気するように
してある。
（５）からエッチング液のガスが流出しないよう構成し
てある。図においては、ユニット本体（６）の下方に設
けた排水路（６ａ）内に排気装置（図示略）を設け、上
記ユニット本体（６）内の空気を下方に排気するように
してある。
【００２１】上記エッチングユニット（３）は、装置本
体(17)に回動可能に設けられており、上記ウエ−ハ
（１）の端面に上記エッチングロ−ラ（７）が当接する
作動位置と、ウエ−ハ（１）から離れる後退位置に変位
できるようにエアシリンダ（25)等の適宜の駆動手段で
操作される。上記エッチングロ−ラ（７）がウエ−ハに
当接する際の圧力は適宜の圧力に設定することができ、
例えば、0.３Kg／cm2 〜３Kg／cm2 の範囲で可変とし、
常時は１Kg／cm2 程度の圧力にするとよい。このような
圧力は、上記駆動手段により調節することができる。
体(17)に回動可能に設けられており、上記ウエ−ハ
（１）の端面に上記エッチングロ−ラ（７）が当接する
作動位置と、ウエ−ハ（１）から離れる後退位置に変位
できるようにエアシリンダ（25)等の適宜の駆動手段で
操作される。上記エッチングロ−ラ（７）がウエ−ハに
当接する際の圧力は適宜の圧力に設定することができ、
例えば、0.３Kg／cm2 〜３Kg／cm2 の範囲で可変とし、
常時は１Kg／cm2 程度の圧力にするとよい。このような
圧力は、上記駆動手段により調節することができる。
【００２２】なお、上記作動位置においては、エッチン
グユニット（３）をウエ−ハ（１）方向にばねや適宜の
錘等により付勢してあり、ウエ−ハのオリフラ(18)部分
にエッチングロ−ラ（７）が確実に接触するようにして
ある。このような付勢手段は、例えば上記駆動手段のエ
アシリンダ（25) とエッチングユニットの連結部に、ウ
エ−ハ方向にエッチングユニットを回転させるようコイ
ルばね(26)を設けることにより構成される。
グユニット（３）をウエ−ハ（１）方向にばねや適宜の
錘等により付勢してあり、ウエ−ハのオリフラ(18)部分
にエッチングロ−ラ（７）が確実に接触するようにして
ある。このような付勢手段は、例えば上記駆動手段のエ
アシリンダ（25) とエッチングユニットの連結部に、ウ
エ−ハ方向にエッチングユニットを回転させるようコイ
ルばね(26)を設けることにより構成される。
【００２３】上記のようにしてエッチングロ−ラ（７）
に供給されるエッチング液は、上記の如き混酸を用いる
と激しいガスを生じ、局所排気では不充分な場合がある
ので、そのようなガスがウエ−ハ（１）の表面や裏面に
流れないよう上記ウエ−ハ（１）の平面に沿い上記エッ
チングユニット（３）の開口部（５）に向けて流れるガ
ス流を形成する手段が設けられている。
に供給されるエッチング液は、上記の如き混酸を用いる
と激しいガスを生じ、局所排気では不充分な場合がある
ので、そのようなガスがウエ−ハ（１）の表面や裏面に
流れないよう上記ウエ−ハ（１）の平面に沿い上記エッ
チングユニット（３）の開口部（５）に向けて流れるガ
ス流を形成する手段が設けられている。
【００２４】図においては、ウエ−ハ（１）の裏面側及
び表面側に、ウエーハの周縁に沿ってリング状の吹出口
(19)、（20) を周縁方向に向けて形成し、リング状に窒
素ガス等のガスを裏面及び表面に吹出すようにしてあ
る。なお、ウエ−ハの表面側からのノズル（20) は、上
記エッチングユニット（３）のユニット本体（６）の外
方の適宜位置に上記開口部（５）に向けて設け、該ノズ
ルからガスを表面に吹出すようにしてもよい（図３）。
また、上記ウエ−ハの表面を後工程でポリッシングする
ような場合は、上記表面側の吹出ノズルを用いない場合
もある。
び表面側に、ウエーハの周縁に沿ってリング状の吹出口
(19)、（20) を周縁方向に向けて形成し、リング状に窒
素ガス等のガスを裏面及び表面に吹出すようにしてあ
る。なお、ウエ−ハの表面側からのノズル（20) は、上
記エッチングユニット（３）のユニット本体（６）の外
方の適宜位置に上記開口部（５）に向けて設け、該ノズ
ルからガスを表面に吹出すようにしてもよい（図３）。
また、上記ウエ−ハの表面を後工程でポリッシングする
ような場合は、上記表面側の吹出ノズルを用いない場合
もある。
【００２５】また、上記ユニット本体（６）の開口部
（５）の内側に真空吸引装置を設けてユニット本体
（６）の内側を真空作用により強い減圧状態にしたり、
上記開口部にエアカ−テンを形成しても、エッチング液
のガスの流出を防止することができる。
（５）の内側に真空吸引装置を設けてユニット本体
（６）の内側を真空作用により強い減圧状態にしたり、
上記開口部にエアカ−テンを形成しても、エッチング液
のガスの流出を防止することができる。
【００２６】上記洗浄ユニット（４）は、図５に示すよ
うに、装置本体(17)に回動可能に設けられた洗浄ユニッ
ト本体(21)に、純水洗浄ロ−ラ(22)を設け、該ロ−ラ(2
2)を回転するモ−タ−(23)を具備している。そして、適
宜位置に設けた純水ノズル(24)（図２）からウエ−ハの
表面や裏面等に純水を供給しながら上記ロ−ラ(22)をウ
エ−ハ（１）の端面に接触させ、該端面を洗浄するよう
にしている。なお、図において該洗浄ロ−ラ(22)は、ブ
ラシであるが、フォ−ム材料等の弾性体を周面に設けた
有弾性のロ−ラ等を用いることもある。
うに、装置本体(17)に回動可能に設けられた洗浄ユニッ
ト本体(21)に、純水洗浄ロ−ラ(22)を設け、該ロ−ラ(2
2)を回転するモ−タ−(23)を具備している。そして、適
宜位置に設けた純水ノズル(24)（図２）からウエ−ハの
表面や裏面等に純水を供給しながら上記ロ−ラ(22)をウ
エ−ハ（１）の端面に接触させ、該端面を洗浄するよう
にしている。なお、図において該洗浄ロ−ラ(22)は、ブ
ラシであるが、フォ−ム材料等の弾性体を周面に設けた
有弾性のロ−ラ等を用いることもある。
【００２７】該洗浄ユニット（４）をウエ−ハ（１）の
端面に接触する圧力は、上記エッチングユニット（３）
の接触圧力とほぼ同程度に構成するとよい。該洗浄ユニ
ットを回転させる駆動手段やウエ−ハ方向に付勢する付
勢手段は、図示を省略してあるが、上記エッチングユニ
ットとほぼ同様に構成すればよい。なお、該洗浄ユニッ
ト（４）は、エッチングユニット（３）と同時にウエ−
ハ（１）の端面に接触させているが、エッチングユニッ
トによってエッチング液をウエ−ハの端面に付着させた
後に接触させるようにしてもよい。
端面に接触する圧力は、上記エッチングユニット（３）
の接触圧力とほぼ同程度に構成するとよい。該洗浄ユニ
ットを回転させる駆動手段やウエ−ハ方向に付勢する付
勢手段は、図示を省略してあるが、上記エッチングユニ
ットとほぼ同様に構成すればよい。なお、該洗浄ユニッ
ト（４）は、エッチングユニット（３）と同時にウエ−
ハ（１）の端面に接触させているが、エッチングユニッ
トによってエッチング液をウエ−ハの端面に付着させた
後に接触させるようにしてもよい。
【００２８】而して、適宜の搬送手段により上記チャッ
ク（２）上に搬入され、該チャック（２）により保持さ
れたウエ−ハ（１）は、例えば０〜２００ｒｐｍの範囲
内で、好ましくは３０ｒｐｍ程度のゆっくりした回転数
で回転される。そして、上記エッチングユニット（３）
を回動させてエッチングロ−ラ（７）をウエ−ハ（１）
の端面に接触すると共に上記洗浄ユニット（４）も回動
させて純水洗浄ロ−ラ(22)をウエ−ハの端面に接触させ
る。上記エッチングロ−ラ（７）と純水洗浄ロ−ラ(22)
の接触圧力は回転中一定とする。なお、ウエ−ハとエッ
チングロ−ラ及び洗浄ロ−ラの回転方向は逆方向にして
あるが、同方向に回転させてもよい。
ク（２）上に搬入され、該チャック（２）により保持さ
れたウエ−ハ（１）は、例えば０〜２００ｒｐｍの範囲
内で、好ましくは３０ｒｐｍ程度のゆっくりした回転数
で回転される。そして、上記エッチングユニット（３）
を回動させてエッチングロ−ラ（７）をウエ−ハ（１）
の端面に接触すると共に上記洗浄ユニット（４）も回動
させて純水洗浄ロ−ラ(22)をウエ−ハの端面に接触させ
る。上記エッチングロ−ラ（７）と純水洗浄ロ−ラ(22)
の接触圧力は回転中一定とする。なお、ウエ−ハとエッ
チングロ−ラ及び洗浄ロ−ラの回転方向は逆方向にして
あるが、同方向に回転させてもよい。
【００２９】上記のような状態でエッチングロ−ラ
（７）によりウエ−ハの端面にエッチング液を付着し、
一方向に例えば５回転程度ウエ−ハを回転したら、次に
は逆方向に同程度回転させれば、ウエ−ハの端面は確実
にエッチングされる。その後、上記エッチングユニット
等は後退し、ウエ−ハの両面を純水リンスし、水切、ス
ピンドライをした後、適宜の搬送手段で該ウエ−ハをチ
ャック手段から取り出し、次のウエ−ハを搬入すればよ
い。
（７）によりウエ−ハの端面にエッチング液を付着し、
一方向に例えば５回転程度ウエ−ハを回転したら、次に
は逆方向に同程度回転させれば、ウエ−ハの端面は確実
にエッチングされる。その後、上記エッチングユニット
等は後退し、ウエ−ハの両面を純水リンスし、水切、ス
ピンドライをした後、適宜の搬送手段で該ウエ−ハをチ
ャック手段から取り出し、次のウエ−ハを搬入すればよ
い。
【００３０】上記実施例においては、エッチングロ−ラ
は１つであるが、複数設けることもできる。複数のエッ
チングロ−ラとしては、図１に示すようなエッチングユ
ニットを複数設けてもよい。図６には、エッチングロ−
ラを、供給ローラ（27) に接触して回転する１対のエッ
チングロ−ラ（28) 、(28)で構成した実施例が示されて
いる。このようなエッチングロ−ラ（28) 、(28)は、上
記供給ローラ（27) に比べて直径の小さなものが良い。
そのようにすれば、第一の供給ローラ（29) から上記供
給ローラ（27) を介して新鮮なエッチング液が絶えず小
さなエッチングロ−ラ（28) 、(28)に供給され、効率よ
くエッチング処理することができる。なお、第一の供給
ローラ（29) を省いてもよい。この場合は上記供給ロー
ラ（27)にエッチング液を直接供給すればよい。図にお
いては、上記エッチングロ−ラ（28) 、(28)を有するエ
ッチングユニット(30)を２ヶ所に設け、かつ洗浄ロ−ラ
（31) を含む洗浄ユニットも２ヶ所設けてあるが、図１
に示すようにそれぞれ一ヶ所に設けてもよい。これらの
エッチングユニットや洗浄ユニットの駆動手段は、上記
実施例と同様であるので、図示を省いてある。その他ウ
エーハの表面、裏面に窒素ガスを吹き出すノズルの構成
等は上記実施例と同様である。
は１つであるが、複数設けることもできる。複数のエッ
チングロ−ラとしては、図１に示すようなエッチングユ
ニットを複数設けてもよい。図６には、エッチングロ−
ラを、供給ローラ（27) に接触して回転する１対のエッ
チングロ−ラ（28) 、(28)で構成した実施例が示されて
いる。このようなエッチングロ−ラ（28) 、(28)は、上
記供給ローラ（27) に比べて直径の小さなものが良い。
そのようにすれば、第一の供給ローラ（29) から上記供
給ローラ（27) を介して新鮮なエッチング液が絶えず小
さなエッチングロ−ラ（28) 、(28)に供給され、効率よ
くエッチング処理することができる。なお、第一の供給
ローラ（29) を省いてもよい。この場合は上記供給ロー
ラ（27)にエッチング液を直接供給すればよい。図にお
いては、上記エッチングロ−ラ（28) 、(28)を有するエ
ッチングユニット(30)を２ヶ所に設け、かつ洗浄ロ−ラ
（31) を含む洗浄ユニットも２ヶ所設けてあるが、図１
に示すようにそれぞれ一ヶ所に設けてもよい。これらの
エッチングユニットや洗浄ユニットの駆動手段は、上記
実施例と同様であるので、図示を省いてある。その他ウ
エーハの表面、裏面に窒素ガスを吹き出すノズルの構成
等は上記実施例と同様である。
【００３１】なお、上記１対のエッチングロ−ラ（28)
、(28)の軸（32) 、(32)を取り付けたフレーム(33)
は、上記供給ローラ（27) の軸（34) に揺動可能に取り
付けられている。この構成により、上記１対のエッチン
グロ−ラ（28) 、(28)は、ウエーハ（１）のオリエンテ
ーションフラット（18) に接触する際、該オリエンテー
ションフラット（18) に沿って揺動し、該オリエンテー
ションフラット（18) 部分に確実に接触してエッチング
することができる。
、(28)の軸（32) 、(32)を取り付けたフレーム(33)
は、上記供給ローラ（27) の軸（34) に揺動可能に取り
付けられている。この構成により、上記１対のエッチン
グロ−ラ（28) 、(28)は、ウエーハ（１）のオリエンテ
ーションフラット（18) に接触する際、該オリエンテー
ションフラット（18) に沿って揺動し、該オリエンテー
ションフラット（18) 部分に確実に接触してエッチング
することができる。
【００３２】なお、本発明による端面エッチング処理
は、機械的面取り加工の後、表面ポリッシング加工前の
いずれの段階で行ってもよい。また、半導体製造におけ
るどのような段階においても、所望により使用すること
ができる。
は、機械的面取り加工の後、表面ポリッシング加工前の
いずれの段階で行ってもよい。また、半導体製造におけ
るどのような段階においても、所望により使用すること
ができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され、枚葉処
理によりウエ−ハの端面をエッチングすることができ、
ウエ−ハを損傷するおそれもなく、全自動で処理するこ
とができ、従来の積層エッチング方法に比べて高い表面
精度が得られる。
理によりウエ−ハの端面をエッチングすることができ、
ウエ−ハを損傷するおそれもなく、全自動で処理するこ
とができ、従来の積層エッチング方法に比べて高い表面
精度が得られる。
【図１】本発明の概略的構成を示す平面からみた説明
図。
図。
【図２】本発明の概略的構成を示す正面からみた説明
図。
図。
【図３】主としてエッチングユニット部を示す断面図。
【図４】エッチングロ−ラ等の他の実施例を示す正面
図。
図。
【図５】主として洗浄ユニット部を示す断面図。
【図６】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図７】図６に示すエッチングロ−ラ部分の平面図。
１ ウエ−ハ ２ チャック手段 ３ エッチングユニット ４ 洗浄ユニット ５ 開口部 ７ エッチングロ−ラ ８ 供給ロ−ラ 13 エッチング液供給ロ−ラ 22 純水洗浄ロ−ラ 27 供給ロ−ラ 28 エッチングロ−ラ
Claims (8)
- 【請求項１】 ウエ−ハと該ウエ−ハの端面に接触する
エッチングロ−ラを接触状態で回転し、該エッチングロ
−ラの周面にエッチング液を供給し、該エッチングロ−
ラを介して上記ウエ−ハの端面にエッチング液を付着
し、エッチング処理を行うことを特徴とするウエ−ハ端
面エッチング方法。 - 【請求項２】 上記ウエ−ハの端面にエッチング液を付
着後、上記ウエ−ハの端面を純水洗浄ロ−ラで洗浄する
ことを含む請求項１に記載のウエ−ハ端面エッチング方
法。 - 【請求項３】 ウエ−ハを保持回転するチャック手段、
該ウエ−ハの端面に対向して開口し内部に該開口に臨む
エッチングロ−ラと該エッチングロ−ラの周面にエッチ
ング液を供給する手段を有するエッチングユニット、及
び上記ウエ−ハの平面に沿い上記エッチングユニットの
開口に向けて流れるガス流を形成する手段を具備するウ
エ−ハ端面エッチング装置。 - 【請求項４】 上記エッチング液を供給する手段は、上
記エッチングロ−ラに接触して回転しエッチング液を該
エッチングロ−ラに供給する供給ロ−ラを含む請求項３
に記載のウエ−ハ端面エッチング装置。 - 【請求項５】 上記ウエ−ハの端面に接触し該端面を洗
浄する純水洗浄ロ−ラを有する洗浄ユニットを具備する
請求項３に記載のウエ−ハ端面エッチング装置。 - 【請求項６】 上記エッチングロ−ラは、ウエーハの端
面に同時に接触する複数のエッチングロ−ラで構成され
ている請求項３に記載のウエ−ハ端面エッチング装置。 - 【請求項７】 上記エッチングロ−ラは、１つの供給ロ
−ラに接触して回転する一対のエッチングロ−ラで構成
されている請求項３に記載のウエ−ハ端面エッチング装
置。 - 【請求項８】 上記一対のエッチングロ−ラは、上記供
給ロ−ラに対して揺動可能に設けられている請求項７に
記載のウエ−ハ端面エッチング装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4279487A JPH0715897B2 (ja) | 1991-11-20 | 1992-09-24 | ウエ−ハ端面エッチング方法及び装置 |
| TW081108018A TW209307B (ja) | 1991-11-20 | 1992-10-08 | |
| EP92118964A EP0544131B1 (en) | 1991-11-20 | 1992-11-05 | Method and apparatus for etching an edge face of a wafer |
| DE69217843T DE69217843T2 (de) | 1991-11-20 | 1992-11-05 | Methode und Vorrichtung zum Ätzen des Randes einer Halbleiterscheibe |
| KR1019920021049A KR0121548B1 (ko) | 1991-11-20 | 1992-11-10 | 웨이퍼단면 에칭방법 및 에칭장치 |
| US07/978,626 US6063232A (en) | 1991-11-20 | 1992-11-19 | Method and apparatus for etching an edge face of a wafer |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-329765 | 1991-11-20 | ||
| JP32976591 | 1991-11-20 | ||
| JP4279487A JPH0715897B2 (ja) | 1991-11-20 | 1992-09-24 | ウエ−ハ端面エッチング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206102A JPH05206102A (ja) | 1993-08-13 |
| JPH0715897B2 true JPH0715897B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=26553355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4279487A Expired - Fee Related JPH0715897B2 (ja) | 1991-11-20 | 1992-09-24 | ウエ−ハ端面エッチング方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6063232A (ja) |
| EP (1) | EP0544131B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0715897B2 (ja) |
| KR (1) | KR0121548B1 (ja) |
| DE (1) | DE69217843T2 (ja) |
| TW (1) | TW209307B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413436B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
| DE19854743A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe |
| JP3395696B2 (ja) | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
| US6523553B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge cleaning method and apparatus |
| JP2000331975A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Ebara Corp | ウエハ洗浄装置 |
| US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| KR20010021299A (ko) * | 1999-08-14 | 2001-03-15 | 조셉 제이. 스위니 | 스크루버에서의 후면부 에칭 |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| KR100430737B1 (ko) * | 2001-10-08 | 2004-05-10 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 에지 표면 에칭처리장치 |
| US6824612B2 (en) * | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| KR100481277B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-04-07 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 및 방법 |
| US20040132295A1 (en) * | 2002-11-01 | 2004-07-08 | Basol Bulent M. | Method and device to remove unwanted material from the edge region of a workpiece |
| DE10302611B4 (de) * | 2003-01-23 | 2011-07-07 | Siltronic AG, 81737 | Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild |
| JP4544876B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2010-09-15 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20050252547A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for liquid chemical delivery |
| JP3933670B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2007-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
| JP2009117762A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Kazuo Tanabe | ウエーハエッジのエッチング方法及び装置。 |
| WO2009124060A1 (en) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for etching the edge of a silicon wafer |
| KR20110099108A (ko) | 2008-11-19 | 2011-09-06 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 반도체 웨이퍼의 에지를 스트리핑하기 위한 방법 및 시스템 |
| US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
| DE102013210057A1 (de) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Siltronic Ag | Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe |
| DE102013212850A1 (de) | 2013-07-02 | 2013-09-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4718202A (en) * | 1980-01-31 | 1988-01-12 | Pacific Western Systems, Inc. | Method and apparatus for rounding the edges of semiconductive wafers |
| US4838289A (en) * | 1982-08-03 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for edge cleaning |
| US4439244A (en) * | 1982-08-03 | 1984-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method of material removal having a fluid filled slot |
| JPS5958827A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置 |
| US4510176A (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-09 | At&T Bell Laboratories | Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer |
| CH671116A5 (ja) * | 1986-10-13 | 1989-07-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| IT1229640B (it) * | 1987-06-29 | 1991-09-04 | S G S Microelettronica S P A O | Processo di conformazione del bordo di fette di materiale semiconduttore e relativa apparecchiatura |
| JPH0637024B2 (ja) * | 1987-08-23 | 1994-05-18 | エムテック株式会社 | オリエンテ−ションフラットの研削方法及び装置 |
| JPH02130922A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Toshiba Corp | 半導体基板エッチング装置 |
| US5128281A (en) * | 1991-06-05 | 1992-07-07 | Texas Instruments Incorporated | Method for polishing semiconductor wafer edges |
-
1992
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- 1992-11-05 EP EP92118964A patent/EP0544131B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 1992-11-19 US US07/978,626 patent/US6063232A/en not_active Expired - Fee Related
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