JPH02130922A - 半導体基板エッチング装置 - Google Patents
半導体基板エッチング装置Info
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- JPH02130922A JPH02130922A JP63285285A JP28528588A JPH02130922A JP H02130922 A JPH02130922 A JP H02130922A JP 63285285 A JP63285285 A JP 63285285A JP 28528588 A JP28528588 A JP 28528588A JP H02130922 A JPH02130922 A JP H02130922A
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- substrate
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- H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板（ウェーハとも呼ぶ）のエツチン
グ処理装置に関するもので、特に半導体基板端面のエツ
チング処理に使用されるものである。
グ処理装置に関するもので、特に半導体基板端面のエツ
チング処理に使用されるものである。
（従来の技術）
半導体装置の製造に際して、半導体基板の端面のみをエ
ツチング処理する場合がある。 例えば大型電力用半導
体装置等では、オリエンテーションフラットを設けない
円板状のウェーハが半導体基板として用いられ、耐圧保
持のためウェーハ側面をウェーハ主表面に対して傾斜さ
せたベベル構造が施されることが多い、 このウェーハ
の傾斜側面にはベベル加工時の破砕欠陥が存在するので
、エツチングによりこれを除去する必要がある。
ツチング処理する場合がある。 例えば大型電力用半導
体装置等では、オリエンテーションフラットを設けない
円板状のウェーハが半導体基板として用いられ、耐圧保
持のためウェーハ側面をウェーハ主表面に対して傾斜さ
せたベベル構造が施されることが多い、 このウェーハ
の傾斜側面にはベベル加工時の破砕欠陥が存在するので
、エツチングによりこれを除去する必要がある。
このようなウェーハ端面のみをエツチング処理する従来
技術について図面を参照して以下説明する。
技術について図面を参照して以下説明する。
第３図（ａ）に示すように、ウェーハ１の一方の主表面
全体に刷毛で鮒エツチング液２を塗った後、ウェーハと
同径のふっ素樹脂製円板３に貼り付ける。 次にこの円
板３を下にして、熱板上に載置して数分間ベーキングし
てウェーハ１と円板３とを固着させる。 ベーキング後
、前記ウェーハの他方の主表面（パターン作成面）に刷
毛で耐エツチング液２を塗って、上記と同様にベーキン
グする。 上記作業ではウェーハ端面に耐エツチング液
が付着しないようにすることが重要なポイントである。
全体に刷毛で鮒エツチング液２を塗った後、ウェーハと
同径のふっ素樹脂製円板３に貼り付ける。 次にこの円
板３を下にして、熱板上に載置して数分間ベーキングし
てウェーハ１と円板３とを固着させる。 ベーキング後
、前記ウェーハの他方の主表面（パターン作成面）に刷
毛で耐エツチング液２を塗って、上記と同様にベーキン
グする。 上記作業ではウェーハ端面に耐エツチング液
が付着しないようにすることが重要なポイントである。
次に第３図（ｂ）に示すように、上記ふっ素樹脂製円板
付きウェーハをビンセット４で挟み、エツチング液槽５
のエツチング液６内に一定時間浸漬し、ウェーハ端面の
みのエツチングを行なう。
付きウェーハをビンセット４で挟み、エツチング液槽５
のエツチング液６内に一定時間浸漬し、ウェーハ端面の
みのエツチングを行なう。
エツチング処理後、水洗洗浄によりエツチング液を上記
円板性きウェーハから完全に除去する。
円板性きウェーハから完全に除去する。
更にボイル中の有機溶剤中に上記ウェーハを浸漬して、
ウェーハ１から円板３を剥がすと共に耐エツチング液も
除去する。 除去後、ウェーハをビンセットで挟み、流
水槽中で揺動し、洗浄する。
ウェーハ１から円板３を剥がすと共に耐エツチング液も
除去する。 除去後、ウェーハをビンセットで挟み、流
水槽中で揺動し、洗浄する。
洗浄後、第３図（ｃ）に示すように赤外線ランプ７の下
にウェーハを載置し乾燥を行なう。
にウェーハを載置し乾燥を行なう。
上記従来のエツチング処理手段には次のようなｒｒ！ｉ
題点が存在する。 （”１）ウェーハ端面に耐エツチ
ング液が付着しないよう、ウェーハの両生表面に耐エツ
チング液を塗るのに注意が必要で、塗布のための作業時
間が長い、 （２）ウェーハ端面に耐エツチング液が
付着しないようにふっ素樹脂製円板を貼り付けるのに時
間がかかる。 （３）エツチング液へ浸漬後、固化し
た耐エツチング液を除去するのに、ボイル中の有機溶剤
へ浸漬、次に流水洗浄、ランプ乾燥と後工程が大変であ
る。
題点が存在する。 （”１）ウェーハ端面に耐エツチ
ング液が付着しないよう、ウェーハの両生表面に耐エツ
チング液を塗るのに注意が必要で、塗布のための作業時
間が長い、 （２）ウェーハ端面に耐エツチング液が
付着しないようにふっ素樹脂製円板を貼り付けるのに時
間がかかる。 （３）エツチング液へ浸漬後、固化し
た耐エツチング液を除去するのに、ボイル中の有機溶剤
へ浸漬、次に流水洗浄、ランプ乾燥と後工程が大変であ
る。
（４）ウェーハからふっ素樹脂基板を剥がした後、例え
ばランプ乾燥等においてビンセットでウェーハを挟んで
セット、リセット等するので、ウェーハ端面が欠け（チ
ッピング）ることが多く、歩留り低下の原因となってい
る。 （５）ウェーへの両生表面の耐エツチング液の
塗布膜に膜厚のムラがあるため、製造歩留りが低下する
。 （６）耐エツチング液塗布、ふっ素樹脂円板貼り
付け、耐エツチング塗布層及び円板の剥がし作業及びラ
ンプ乾燥等、作業者による作業工程が多くあるため、自
動化が遅れていると共に作業時間が長い。
ばランプ乾燥等においてビンセットでウェーハを挟んで
セット、リセット等するので、ウェーハ端面が欠け（チ
ッピング）ることが多く、歩留り低下の原因となってい
る。 （５）ウェーへの両生表面の耐エツチング液の
塗布膜に膜厚のムラがあるため、製造歩留りが低下する
。 （６）耐エツチング液塗布、ふっ素樹脂円板貼り
付け、耐エツチング塗布層及び円板の剥がし作業及びラ
ンプ乾燥等、作業者による作業工程が多くあるため、自
動化が遅れていると共に作業時間が長い。
（７）エツチング液や有機溶剤の使用量が多い。
（８）有害な薬液を使うので公害上問題がある。
（９）工程が多く納期確保が困難である。
（発明が解決しようとする課題）
これまで述べたように、従来技術では、作業者による作
業工程が多く、ウェーハ端面のみをムラなく一様にエツ
チングすることが困難で、品質及び歩留り上問題がある
。 又エツチング、洗浄、乾燥等の諸工程に長時間を必
要とし、エツチング液、有機溶剤等の使用量が多く、人
体に対する作業の安全性にも問題がある。
業工程が多く、ウェーハ端面のみをムラなく一様にエツ
チングすることが困難で、品質及び歩留り上問題がある
。 又エツチング、洗浄、乾燥等の諸工程に長時間を必
要とし、エツチング液、有機溶剤等の使用量が多く、人
体に対する作業の安全性にも問題がある。
本発明の目的は、上記のような従来技術の諸問題点を解
決し、ウェーハ端面のみに対するエツチング処理をムラ
なく短時間で自動的に行なうことができ又エツチング処
理後の洗浄、乾燥工程も連続して自動的に実施できるよ
うにして、製造歩留りの向上、工程に要する時間の短縮
、薬液使用量の減少及び作業の安全性の向上が可能とな
る半導体基板エツチング装置を提供することである。
決し、ウェーハ端面のみに対するエツチング処理をムラ
なく短時間で自動的に行なうことができ又エツチング処
理後の洗浄、乾燥工程も連続して自動的に実施できるよ
うにして、製造歩留りの向上、工程に要する時間の短縮
、薬液使用量の減少及び作業の安全性の向上が可能とな
る半導体基板エツチング装置を提供することである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体基板エツチング装置は、＜ａ ＞半導体
基板（ウェー八ともいう）の直径より小さい直径を持ち
この基板の一方の主表面〈以下裏面と略記する）に接し
てこれを水平状態に保持する弾性シール部材を頂面外周
に組み付け、内部の排気通路となる中空部に連通して斜
め外方に向かって頂面に開口すると共に開口部が頂面の
中央から周縁に向かって一列に配設される複数の排気穴
を設けた回転可能な第１真空チャックと、 （ｂ ）
上記半導体基板の近傍で水平状態に設けられ、回転外側
面に前記基板の端面が非接触状態で入り込み端面を覆う
溝部を有するローラーと、 前記基板の端面に接触して
エツチングを行なうためのエツチング液を前記溝付きロ
ーラーの溝部に供給する手段とを有する半導体基板端面
エツチング機構（特願昭６３−１４９５９７号参照）と
、 （ｃ）水平方向及び上下方向に移動可能で、前記
半導体基板の他方の主表面（以下表面と略記する）を吸
着保持して前記第１真空チャックの頂面から所定間隔の
上方位置に移動できる回転又は非回転の第２真空チャッ
クと、 （ｄ ）第１真空チャックに保持された前記
半導体基板の側面に対向して配設され、この端面に洗浄
液を吹き付ける端面洗浄ノズルと、第１真空チャックの
頂面と第２真空チャックに保持された前記基板裏面とに
挟まれる前記所定間隔領域の側面に対向して配設され、
この所定間隔領域に洗浄液を噴出する洗浄ノズルとを有
する半導体基板洗浄機槽と、 （ｅ ）回転する第１
真空チャックの前記複数の排気穴から乾燥ガスを前記半
導体基板の裏面に吹き付けて乾燥し、又第１真空チャッ
クに保持された前記半導体基板の表面を回転乾燥する半
導体基板乾燥機槽とを 具備することを特徴とするもの
である。
基板（ウェー八ともいう）の直径より小さい直径を持ち
この基板の一方の主表面〈以下裏面と略記する）に接し
てこれを水平状態に保持する弾性シール部材を頂面外周
に組み付け、内部の排気通路となる中空部に連通して斜
め外方に向かって頂面に開口すると共に開口部が頂面の
中央から周縁に向かって一列に配設される複数の排気穴
を設けた回転可能な第１真空チャックと、 （ｂ ）
上記半導体基板の近傍で水平状態に設けられ、回転外側
面に前記基板の端面が非接触状態で入り込み端面を覆う
溝部を有するローラーと、 前記基板の端面に接触して
エツチングを行なうためのエツチング液を前記溝付きロ
ーラーの溝部に供給する手段とを有する半導体基板端面
エツチング機構（特願昭６３−１４９５９７号参照）と
、 （ｃ）水平方向及び上下方向に移動可能で、前記
半導体基板の他方の主表面（以下表面と略記する）を吸
着保持して前記第１真空チャックの頂面から所定間隔の
上方位置に移動できる回転又は非回転の第２真空チャッ
クと、 （ｄ ）第１真空チャックに保持された前記
半導体基板の側面に対向して配設され、この端面に洗浄
液を吹き付ける端面洗浄ノズルと、第１真空チャックの
頂面と第２真空チャックに保持された前記基板裏面とに
挟まれる前記所定間隔領域の側面に対向して配設され、
この所定間隔領域に洗浄液を噴出する洗浄ノズルとを有
する半導体基板洗浄機槽と、 （ｅ ）回転する第１
真空チャックの前記複数の排気穴から乾燥ガスを前記半
導体基板の裏面に吹き付けて乾燥し、又第１真空チャッ
クに保持された前記半導体基板の表面を回転乾燥する半
導体基板乾燥機槽とを 具備することを特徴とするもの
である。
なお上記の半導体基板の端面は、基板の両生表面の周縁
部を含む基板側面をいう。
部を含む基板側面をいう。
（作用）
半導体基板端面エツチング機構のローラーの溝部には、
エツチング液供給手段例えばローラー近傍に設けられる
エツチング液供給ノズルから、エツチング液が供給され
る。 エツチング液は表面張力により溝部をほぼ満たし
て保持される。 ローラーの回転と第１真空チャックの
回転に伴い、基板端面は溝部を満たすエツチング液に接
触し、エツチング液の一部は基板端面に転移され、工・
ｙチング処理が行なわれる。 又ローラーと基板の回転
によりエツチング液は常に更新されるので一様で効率の
よいエツチング処理が行なわれる。
エツチング液供給手段例えばローラー近傍に設けられる
エツチング液供給ノズルから、エツチング液が供給され
る。 エツチング液は表面張力により溝部をほぼ満たし
て保持される。 ローラーの回転と第１真空チャックの
回転に伴い、基板端面は溝部を満たすエツチング液に接
触し、エツチング液の一部は基板端面に転移され、工・
ｙチング処理が行なわれる。 又ローラーと基板の回転
によりエツチング液は常に更新されるので一様で効率の
よいエツチング処理が行なわれる。
基板の表面の周縁に付着するエツチング液は、基板の回
転に伴う遠心力により周縁より内部には流入しない、
又基板の裏面に付着するエツチング液は、基板に密着す
る弾性シール部材により内部には侵入しない、 なお弾
性シール部材を設けないでチャックの頂面に直接基板を
吸着した場合には、試行結果によれば真空吸引力により
エツチング液が内部に侵入する現象がしばしば見られた
。
転に伴う遠心力により周縁より内部には流入しない、
又基板の裏面に付着するエツチング液は、基板に密着す
る弾性シール部材により内部には侵入しない、 なお弾
性シール部材を設けないでチャックの頂面に直接基板を
吸着した場合には、試行結果によれば真空吸引力により
エツチング液が内部に侵入する現象がしばしば見られた
。
弾性シール部材を付加することにより、エツチング領域
を基板の端面のみに確実に限定できる。
を基板の端面のみに確実に限定できる。
エツチング処理後、端面洗浄ノズルから吹き付ける洗浄
液により基板端面が洗浄される。
液により基板端面が洗浄される。
端面洗浄後、半導体基板は第２真空チャックにより吸着
保持され、第１真空チャックの頂面から所定間隔の上方
位置に移動し停止する。 半導体基板洗浄機槽の洗浄ノ
ズルから噴出される洗浄液により基板裏面及び第１真空
チャックの頂面の洗浄が行なわれる。 この洗浄作業中
、第１真空チャックの頂面に開口する排気穴から乾燥ガ
スが噴出し、洗浄液が排気穴へ流入するのを防止する。
保持され、第１真空チャックの頂面から所定間隔の上方
位置に移動し停止する。 半導体基板洗浄機槽の洗浄ノ
ズルから噴出される洗浄液により基板裏面及び第１真空
チャックの頂面の洗浄が行なわれる。 この洗浄作業中
、第１真空チャックの頂面に開口する排気穴から乾燥ガ
スが噴出し、洗浄液が排気穴へ流入するのを防止する。
又第１真空チャックは回転しているので、回転する排気
穴から噴出するガスの流れが洗浄液の流れに作用して、
洗浄を短時間に行なうことができる。
穴から噴出するガスの流れが洗浄液の流れに作用して、
洗浄を短時間に行なうことができる。
洗浄後、乾燥ガスのみ流して、第１真空チャックの頂面
と基板裏面の乾燥が行なわれる。 乾燥ガスが噴出する
排気穴は、回転するチャック頂面の中央から周縁に向か
って一列に開口しているので、被処理面を一様にしかも
短時間に乾燥することができる。 なおこの洗浄、乾燥
工程において、基板を保持する第２真空チャックは回転
しても又非回転であっても上記効果は得られるが、第２
真空チャックに、第１真空チャックの回転方向と逆方向
の回転を与えると上記効果は倍加され望ましい実施態様
である。
と基板裏面の乾燥が行なわれる。 乾燥ガスが噴出する
排気穴は、回転するチャック頂面の中央から周縁に向か
って一列に開口しているので、被処理面を一様にしかも
短時間に乾燥することができる。 なおこの洗浄、乾燥
工程において、基板を保持する第２真空チャックは回転
しても又非回転であっても上記効果は得られるが、第２
真空チャックに、第１真空チャックの回転方向と逆方向
の回転を与えると上記効果は倍加され望ましい実施態様
である。
次に再び半導体基板は第１真空チャックの弾性シール部
材上に密着保持され、洗浄ノズルより洗浄液を吹き付け
、基板表面の洗浄を行なう、 洗浄後、第１真空チャッ
クを高速回転し、基板表面の乾燥を行なう、 乾燥を短
時間で行なうため、第１真空チャックの回転は少なくと
も２０００ｒ、０．１１以上の高速回転とすることが望
ましい。
材上に密着保持され、洗浄ノズルより洗浄液を吹き付け
、基板表面の洗浄を行なう、 洗浄後、第１真空チャッ
クを高速回転し、基板表面の乾燥を行なう、 乾燥を短
時間で行なうため、第１真空チャックの回転は少なくと
も２０００ｒ、０．１１以上の高速回転とすることが望
ましい。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体基板エツチング装置の実施例
の構成を説明するための模式図であり、同図（ａ）は部
分断面を含む正面図で、同図（ｂ）は一部省略平面図で
ある。
の構成を説明するための模式図であり、同図（ａ）は部
分断面を含む正面図で、同図（ｂ）は一部省略平面図で
ある。
回転する第１真空チャック上ユは弾性シール部材１２（
本実施例では０リングを使用する。 以下０リングと記
す）を具備する。 符号１は端面をエツチング処理する
半導体基板（ウェーハ）である、 ０リング１２は、弾
性に富む部材からなり、その直径が基板１の直径より小
さく、基板１の一方の主表面（裏面と略記）ｌｂに密接
して基板１を水平状態に保持している。 ０リング１２
は、第１真空チャックの頂面１９の外周に切り欠きを設
け、この切り欠き部に組み付けられる。
本実施例では０リングを使用する。 以下０リングと記
す）を具備する。 符号１は端面をエツチング処理する
半導体基板（ウェーハ）である、 ０リング１２は、弾
性に富む部材からなり、その直径が基板１の直径より小
さく、基板１の一方の主表面（裏面と略記）ｌｂに密接
して基板１を水平状態に保持している。 ０リング１２
は、第１真空チャックの頂面１９の外周に切り欠きを設
け、この切り欠き部に組み付けられる。
第１真空チャックは中空の回転軸１６上に固着され、そ
の内部に回転軸の中空に連通して排気通路となる中空部
１４が設けられる。 又中空部１４と連通して斜め外方
に向かって４５度又は６０度の角度で頂面１９に開口す
る小さな排気穴１５が数個設けられる。 排気穴１５の
開口部は頂面１９の中央から周縁に向かって一列に配設
される（第１図（ｂ）参照）、 本実施例では前記開口
部は、頂面の中心から半径に沿って直線状に配列される
が、これに限定されない、 即ち上記配列は湾曲したり
、半径方向からずれていてもよく、又このような配列を
複数組設けても差支えない、 回転軸１６は、図示しな
い回転駆動装置に連結される。
の内部に回転軸の中空に連通して排気通路となる中空部
１４が設けられる。 又中空部１４と連通して斜め外方
に向かって４５度又は６０度の角度で頂面１９に開口す
る小さな排気穴１５が数個設けられる。 排気穴１５の
開口部は頂面１９の中央から周縁に向かって一列に配設
される（第１図（ｂ）参照）、 本実施例では前記開口
部は、頂面の中心から半径に沿って直線状に配列される
が、これに限定されない、 即ち上記配列は湾曲したり
、半径方向からずれていてもよく、又このような配列を
複数組設けても差支えない、 回転軸１６は、図示しな
い回転駆動装置に連結される。
回転軸重６の回転数は可変で、所望により２０００ｒ、
ｐ、１１以上の高速回転が可能な回転駆動装置を使用す
る。 又回転軸の中空の一端はパルプ１７を介して真空
バイグラインに、スバルプ１８を介してＮ２ガスパイプ
ラインにそれぞれ並列に接続される。
ｐ、１１以上の高速回転が可能な回転駆動装置を使用す
る。 又回転軸の中空の一端はパルプ１７を介して真空
バイグラインに、スバルプ１８を介してＮ２ガスパイプ
ラインにそれぞれ並列に接続される。
半導体基板端面エツチング機構２１は、回転軸２２に固
着されるローラー２１と、エツチング液供給手段くエツ
チング液供給ノズル）２３とを具備する。 ローラー２
１は基板ｌの近傍で水平状態に設けられる。 又ローラ
ー２１の外側面には、基板１の端面が非接触状態で入り
込む溝部２ｉａ、即ち溝部２１ａによって基板端面が覆
われる形状の溝部２１ａが形成される。 エツチング液
供給手段２３は、ローラー２１の近傍に設けられるノズ
ルで、回転するローラー２１の溝部２１ａにエツチング
液を供給する。 なおエツチング液供給手段は、上記実
施例に限定されない、 例えば回転軸２２及びローラー
２１を経て溝部２１ａに開口するエツチング液供給路を
これらの内部に設ける等その池の手段を用いても良い、
回転軸２２は図示しない回転駆動装置に連結され、所
望回転数の回転をローラー２１に与える。
着されるローラー２１と、エツチング液供給手段くエツ
チング液供給ノズル）２３とを具備する。 ローラー２
１は基板ｌの近傍で水平状態に設けられる。 又ローラ
ー２１の外側面には、基板１の端面が非接触状態で入り
込む溝部２ｉａ、即ち溝部２１ａによって基板端面が覆
われる形状の溝部２１ａが形成される。 エツチング液
供給手段２３は、ローラー２１の近傍に設けられるノズ
ルで、回転するローラー２１の溝部２１ａにエツチング
液を供給する。 なおエツチング液供給手段は、上記実
施例に限定されない、 例えば回転軸２２及びローラー
２１を経て溝部２１ａに開口するエツチング液供給路を
これらの内部に設ける等その池の手段を用いても良い、
回転軸２２は図示しない回転駆動装置に連結され、所
望回転数の回転をローラー２１に与える。
第２真空チャック３１は、基板１を挟んで第１真空チャ
ック上上と対向する上方位置に設けられ、水平方向及び
上、下方向に移動可能な図示しない駆動装置に連結され
る。 又この駆動装置は、所望により回転機構を具備し
、後述の基板の洗浄、乾燥工程において第２真空チャッ
クを回転する。
ック上上と対向する上方位置に設けられ、水平方向及び
上、下方向に移動可能な図示しない駆動装置に連結され
る。 又この駆動装置は、所望により回転機構を具備し
、後述の基板の洗浄、乾燥工程において第２真空チャッ
クを回転する。
又第２真空チャック３１の内部には、図示しない真空パ
イプラインに連結し吸着面３３に開口する排気穴３２が
設けられる。 ス所望により吸着面３３の外周に弾性シ
ール部材を組み込む、 第２真空チャックは、基板１の
他方の主表面（表面と略記＞ｌａを吸着保持し、第１真
空チャック１１の頂面Ｉ９から所定間隔の上方位置に基
板を移動し停止できるようになっている。
イプラインに連結し吸着面３３に開口する排気穴３２が
設けられる。 ス所望により吸着面３３の外周に弾性シ
ール部材を組み込む、 第２真空チャックは、基板１の
他方の主表面（表面と略記＞ｌａを吸着保持し、第１真
空チャック１１の頂面Ｉ９から所定間隔の上方位置に基
板を移動し停止できるようになっている。
半導体基板洗浄機積土ユは、端面洗浄ノズル４２と洗浄
ノズル４３を具備している。 端面洗浄ノズル４２は、
第１真空チャック上ユに保持された基板１の側面に対向
する位置に設けられ、側面を含む端面に洗浄液を吹き付
けることができる。
ノズル４３を具備している。 端面洗浄ノズル４２は、
第１真空チャック上ユに保持された基板１の側面に対向
する位置に設けられ、側面を含む端面に洗浄液を吹き付
けることができる。
又、洗浄ノズル４３は、第１真空チャックの頂面１９と
、第２真空チャック３１に吸着保持された基板１の裏面
との間の前記所定間隔領域の側面に対向する位置に設け
られ、この領域に洗浄液を噴出する。
、第２真空チャック３１に吸着保持された基板１の裏面
との間の前記所定間隔領域の側面に対向する位置に設け
られ、この領域に洗浄液を噴出する。
半導体基板乾燥機槽は、前述の第１真空チャック上１の
中空部１４に連通ずる排気穴１５及びバルブ１８を介し
て連結されるＮ２ガスパイプラインと回転軸１６に結合
される図示しない高速回転可能な回転駆動装置等を具備
する。
中空部１４に連通ずる排気穴１５及びバルブ１８を介し
て連結されるＮ２ガスパイプラインと回転軸１６に結合
される図示しない高速回転可能な回転駆動装置等を具備
する。
次に上記の半導体基板エツチング装置の動作について第
２図を参照して説明する。 第２図（ａ）に示すように
、先ず第１真空チャック上１上に、半導体基板１を載置
し、バルブ１７を開いてチャック内部を排気し、真空に
より基板１を保持する。
２図を参照して説明する。 第２図（ａ）に示すように
、先ず第１真空チャック上１上に、半導体基板１を載置
し、バルブ１７を開いてチャック内部を排気し、真空に
より基板１を保持する。
図示しないそれぞれの回転駆動装置を付勢し、第１真空
チャック上土及びローラー２１を第１図（ｂ）に示すよ
うに回転方向が互いに逆になるように回転する。 エツ
チング液供給ノズル２３より供給されるエツチング液は
、ローラー２１の溝部２１ａに表面張力により保持され
る。 溝部２１ａは基板１の端面を覆うように配置され
ているので、ローラーの回転と基板の回転に伴い、端面
はエツチング液に接触し、エツチング液は端面に転移し
、端面のみエツチング処理が行なわれる。
チャック上土及びローラー２１を第１図（ｂ）に示すよ
うに回転方向が互いに逆になるように回転する。 エツ
チング液供給ノズル２３より供給されるエツチング液は
、ローラー２１の溝部２１ａに表面張力により保持され
る。 溝部２１ａは基板１の端面を覆うように配置され
ているので、ローラーの回転と基板の回転に伴い、端面
はエツチング液に接触し、エツチング液は端面に転移し
、端面のみエツチング処理が行なわれる。
同図（ｂ）に示すように、エツチング処理後、端面洗浄
ノズル４２より洗浄液（例えば純水）が回転する基板１
の端面に吹き付けられ、基板１の端面は洗浄され、エツ
チング液は除去される。
ノズル４２より洗浄液（例えば純水）が回転する基板１
の端面に吹き付けられ、基板１の端面は洗浄され、エツ
チング液は除去される。
次に同図（ｃ）に示すように、端面洗浄後、第１真空チ
ャックＬ上の上方に移動してきた第２真空チャック３１
が下降し、基板１を真空吸着により第１真空チャックＬ
１より受は取り、保持すると共にバルブ１７を閉じる。
ャックＬ上の上方に移動してきた第２真空チャック３１
が下降し、基板１を真空吸着により第１真空チャックＬ
１より受は取り、保持すると共にバルブ１７を閉じる。
保持後基板１の裏面１ｂと第１真空チャックの頂面１
９との間に所定の間隔ができるまで上昇し停止する。
次に図示しない回転駆動装置により、第１真空チャック
Ｌ１及び第２真空チャック３１に、回転方向が互いに逆
方向の回転を与え、又Ｎ２ガス用のバルブ１８を開き排
気穴１５がら外へ向かってＮ２ガスを噴出させると共に
洗浄ノズル４３より洗浄液を所定間隔領域に噴出する。
９との間に所定の間隔ができるまで上昇し停止する。
次に図示しない回転駆動装置により、第１真空チャック
Ｌ１及び第２真空チャック３１に、回転方向が互いに逆
方向の回転を与え、又Ｎ２ガス用のバルブ１８を開き排
気穴１５がら外へ向かってＮ２ガスを噴出させると共に
洗浄ノズル４３より洗浄液を所定間隔領域に噴出する。
第１真空チャックの頂面とこれと逆回転する基板１の
裏面１ｂとは、噴出するＮ２ガスと吹き付けられる洗浄
液とにより、短時間に洗浄される。 洗浄液が排気穴に
流入しないことは勿論である。 洗浄後、Ｎ２ガスを数
秒間流して乾燥が行なわれる。
裏面１ｂとは、噴出するＮ２ガスと吹き付けられる洗浄
液とにより、短時間に洗浄される。 洗浄液が排気穴に
流入しないことは勿論である。 洗浄後、Ｎ２ガスを数
秒間流して乾燥が行なわれる。
乾燥後、バルブ１８を閉じてＮ２ガスを止め、第２真空
チャック３１は下降し、同図（ｄ）に示すように基板１
を第１真空チャック上土の０リング１２上に移載し、バ
ルブ１７を開いて基板１を真空吸着する。 吸＊１＊、
回転する基板ｌへ洗浄ノズル４３より洗浄液を吹き付け
、基板１の表面１ａの洗浄を行なう、 洗浄後、第１真
空チャック上上に３０００ｒ、ｐ、ｍの高速回転を与え
、基板１の表面１ａの乾燥を行なう。
チャック３１は下降し、同図（ｄ）に示すように基板１
を第１真空チャック上土の０リング１２上に移載し、バ
ルブ１７を開いて基板１を真空吸着する。 吸＊１＊、
回転する基板ｌへ洗浄ノズル４３より洗浄液を吹き付け
、基板１の表面１ａの洗浄を行なう、 洗浄後、第１真
空チャック上上に３０００ｒ、ｐ、ｍの高速回転を与え
、基板１の表面１ａの乾燥を行なう。
上記実施例の半導体基板エツチング装置を使用した結果
、次の効果が得られる。
、次の効果が得られる。
（１）溝付きローラーの溝部より基板の端面にエツチン
グ液を供給し、遠心力及び弾性シール部材（０リング）
で基板の表裏面へのエツチング液の浸入を防いでいるの
で、エツチングされる領域は基板端面に限定され、歩留
りが向上した。
グ液を供給し、遠心力及び弾性シール部材（０リング）
で基板の表裏面へのエツチング液の浸入を防いでいるの
で、エツチングされる領域は基板端面に限定され、歩留
りが向上した。
（２）基板のエツチング端面にしかエツチング液を供給
しないため、薬液の使用量は約２０分の１以下と大幅な
節約がはかれた。
しないため、薬液の使用量は約２０分の１以下と大幅な
節約がはかれた。
（３）エツチング液は常に新液が基板端面に供給される
ので、エツチング、ムラが無くなった。
ので、エツチング、ムラが無くなった。
（４）エツチング後の基板端面へ直接洗浄液が吹き付け
られるので、短時間で洗浄ができ、洗浄液も少量ですむ
。
られるので、短時間で洗浄ができ、洗浄液も少量ですむ
。
（５）基板ＪＩ面と第１真空チャック頂面との洗浄は、
回転する頂面の一列に配置された排気穴から外へ向かう
Ｎ２ガスの流れと、吹き付けられる洗浄液とで行われる
ので、洗浄が一様に短時間にできる。 又その乾燥もＮ
２ガスの流れにより短時間でできた。
回転する頂面の一列に配置された排気穴から外へ向かう
Ｎ２ガスの流れと、吹き付けられる洗浄液とで行われる
ので、洗浄が一様に短時間にできる。 又その乾燥もＮ
２ガスの流れにより短時間でできた。
（６）エツチング→洗浄→乾燥を自動的に同−位置で行
なうため、従来技術で見られた基板取り扱い時の基板の
欠け（チッピング）は皆無となった。
なうため、従来技術で見られた基板取り扱い時の基板の
欠け（チッピング）は皆無となった。
（７）従来技術の人体に存寄な有機溶剤（トリクレン）
の使用が無くなり、作業の安全性が向上すると共に公害
上の問題も無くなった。
の使用が無くなり、作業の安全性が向上すると共に公害
上の問題も無くなった。
（８）耐エツチング液塗布、及びその除去作業が不要と
なり、工程が短縮されると共に薬液が不要により大幅に
ランニングコストが下がった。
なり、工程が短縮されると共に薬液が不要により大幅に
ランニングコストが下がった。
［発明の効果］
これまで述べたように、本発明の半導体基板エツチング
装置によれば、従来技術の諸問題点は解決され、基板端
面のみにエツチング処理を限定し、ムラなく短時間で自
動的にエツチング処理を行なうことができる。 スエッ
チング処理後の洗浄、乾燥工程も連続して自動的に実施
できるようになり、従来技術に比し、製造歩留りの向上
、工程に要する時間の短縮、薬液使用量の減少及び作業
の安全性の向上が可能となる。
装置によれば、従来技術の諸問題点は解決され、基板端
面のみにエツチング処理を限定し、ムラなく短時間で自
動的にエツチング処理を行なうことができる。 スエッ
チング処理後の洗浄、乾燥工程も連続して自動的に実施
できるようになり、従来技術に比し、製造歩留りの向上
、工程に要する時間の短縮、薬液使用量の減少及び作業
の安全性の向上が可能となる。
第１図は本発明の半導体基板上・ツチング装置の一実施
例の構成を説明するための模式図で、同図（ａ）は部分
断面を含む正面図、同図（ｂ）は−部省略平面図、第２
図は第１図に示す半導体基板エツチング装置の動作を説
明するための図、第３図は従来の半導体基板エツチング
処理の工程の説明図である。 １・・・半導体基板、 １ａ・・・半導体基板の他方の
主表面（表面）、 １ｂ・・・半導体基板の一方の主表
面（裏面）、 １土・・・第１真空チャック、１２・・
・弾性シール部材（Ｏリング）、 １４・・・中空部、
１５・・・排気穴、 １６・・・回転軸、 １９・・
・頂面、 左ユ・・・半導体基板端面エツチング機構、
２１・・・ローラー ２１ａ・・・溝部、 ２２・・
・回転軸、 ２３・・・エツチング液供給手段（ノズル
）、３１・・・第２真空チャック、 土工・・・半導体
基板洗浄機槽、 ４２・・・端面洗浄ノズル、 ４３・
・・洗浄ノズル。 （ａ） （ｂ） （ｂ） 第 図 第２図
例の構成を説明するための模式図で、同図（ａ）は部分
断面を含む正面図、同図（ｂ）は−部省略平面図、第２
図は第１図に示す半導体基板エツチング装置の動作を説
明するための図、第３図は従来の半導体基板エツチング
処理の工程の説明図である。 １・・・半導体基板、 １ａ・・・半導体基板の他方の
主表面（表面）、 １ｂ・・・半導体基板の一方の主表
面（裏面）、 １土・・・第１真空チャック、１２・・
・弾性シール部材（Ｏリング）、 １４・・・中空部、
１５・・・排気穴、 １６・・・回転軸、 １９・・
・頂面、 左ユ・・・半導体基板端面エツチング機構、
２１・・・ローラー ２１ａ・・・溝部、 ２２・・
・回転軸、 ２３・・・エツチング液供給手段（ノズル
）、３１・・・第２真空チャック、 土工・・・半導体
基板洗浄機槽、 ４２・・・端面洗浄ノズル、 ４３・
・・洗浄ノズル。 （ａ） （ｂ） （ｂ） 第 図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １（ａ）半導体基板の直径より小さい直径を持ちこの半
導体基板の一方の主表面に接して該基板を水平状態に保
持する弾性シール部材を頂面外周に組み付け、内部の排
気通路となる中空部に連通して斜め外方に向かって前記
頂面に開口すると共に開口部が前記頂面の中央から周縁
に向かって一列に配設される複数の排気穴を設けた回転
可能な第１の真空チャックと、 （ｂ）上記半導体基板の近傍で水平状態に設けられ、回
転外側面に前記半導体基板の端面が非接触状態で入り込
む溝部を有するローラーと、前記半導体基板の端面に接
触してエッチングを行なうためのエッチング液を前記溝
付きローラーの溝部に供給する手段とを有する半導体基
板端面エッチング機構と、 （ｃ）水平方向及び上下方向に移動可能で、前記半導体
基板の他方の主表面を吸着保持して前記第１真空チャッ
クの前記頂面から所定間隔の上方位置に移動できる回転
又は非回転の第２真空チャックと、 （ｄ）第１真空チャックに保持された前記半導体基板の
側面に対向して配設され、この側面を含む端面に洗浄液
を吹き付ける端面洗浄ノズルと、第１真空チャックの頂
面と第２真空チャックに保持された前記半導体基板の一
方の主表面とに挟まれる前記所定間隔領域の側面に対向
して配設され、前記所定間隔領域に洗浄液を噴出する洗
浄ノズルとを有する半導体基板洗浄機槽と、 （ｅ）回転する第１真空チャックの前記複数の排気穴か
ら乾燥ガスを前記半導体基板の一方の主表面に吹き付け
て乾燥し、又第１真空チャックに保持された前記半導体
基板の他方の主表面を回転乾燥する半導体基板乾燥機槽
とを 具備することを特徴とする半導体基板エッチング装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285285A JPH02130922A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体基板エッチング装置 |
| US07/433,165 US4968375A (en) | 1988-11-11 | 1989-11-08 | Etching apparatus |
| DE68927870T DE68927870T2 (de) | 1988-11-11 | 1989-11-10 | Ätzvorrichtung und Verfahren zu deren Anwendung |
| EP89120883A EP0368334B1 (en) | 1988-11-11 | 1989-11-10 | Etching apparatus and method of using the same |
| KR1019890016354A KR920010730B1 (ko) | 1988-11-11 | 1989-11-11 | 반도체기판 에칭장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285285A JPH02130922A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体基板エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130922A true JPH02130922A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH0435901B2 JPH0435901B2 (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=17689536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63285285A Granted JPH02130922A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体基板エッチング装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4968375A (ja) |
| EP (1) | EP0368334B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02130922A (ja) |
| KR (1) | KR920010730B1 (ja) |
| DE (1) | DE68927870T2 (ja) |
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| JP2020072210A (ja) * | 2018-11-01 | 2020-05-07 | 東邦化成株式会社 | エッチング装置 |
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