JPH07161231A - 高誘電体 - Google Patents
高誘電体Info
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- JPH07161231A JPH07161231A JP30880793A JP30880793A JPH07161231A JP H07161231 A JPH07161231 A JP H07161231A JP 30880793 A JP30880793 A JP 30880793A JP 30880793 A JP30880793 A JP 30880793A JP H07161231 A JPH07161231 A JP H07161231A
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- JP
- Japan
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- cyanoethyl
- aromatic acyl
- high dielectric
- acyl group
- Prior art date
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- Pending
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- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のシアノエチル化物と比べて低い吸湿性
をもち、かつ比較的高誘電を維持する高誘電体を提供す
る。 【構成】 糖類、多糖類、ポリビニルアルコールまたは
これらの誘導体の水酸基を、シアノエチル基および一般
式 【化１】 （式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率が６０％以上で、かつ
芳香族アシル基の置換率が５〜４０％のものを用いる。
をもち、かつ比較的高誘電を維持する高誘電体を提供す
る。 【構成】 糖類、多糖類、ポリビニルアルコールまたは
これらの誘導体の水酸基を、シアノエチル基および一般
式 【化１】 （式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率が６０％以上で、かつ
芳香族アシル基の置換率が５〜４０％のものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分散型ＥＬ発光素子や
コンデンサー等の電気、電子部品として有用な高誘電体
に関するものである。
コンデンサー等の電気、電子部品として有用な高誘電体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、有機物の中で比較的高い誘電
率を有する化合物として、サッカロース、デンプン、セ
ルロース、プルラン、ポリビニルアルコール等にアクリ
ロニトリルを付加反応させることによって製造される各
種シアノエチル化物が知られており、これらは分散型Ｅ
Ｌ発光素子やコンデンサー等に利用されている。
率を有する化合物として、サッカロース、デンプン、セ
ルロース、プルラン、ポリビニルアルコール等にアクリ
ロニトリルを付加反応させることによって製造される各
種シアノエチル化物が知られており、これらは分散型Ｅ
Ｌ発光素子やコンデンサー等に利用されている。
【０００３】これらのシアノエチル化物は、原料である
糖類、多糖類、ポリビニルアルコールの有する水酸基の
８０〜９７％程度がシアノエチル基により置換されてお
り、残りの３〜２０％程度の水酸基が残存している。こ
の遊離の残存水酸基および極性基であるシアノエチル基
により、２５℃、相対湿度７５％において約４％程度の
吸湿性を有している。
糖類、多糖類、ポリビニルアルコールの有する水酸基の
８０〜９７％程度がシアノエチル基により置換されてお
り、残りの３〜２０％程度の水酸基が残存している。こ
の遊離の残存水酸基および極性基であるシアノエチル基
により、２５℃、相対湿度７５％において約４％程度の
吸湿性を有している。
【０００４】このため、電気、電子部品材料として使用
した場合、種々の問題が生ずる。例えば、分散型ＥＬ発
光素子の場合、蛍光体およびチタン酸バリウム等の無機
粉体を分散させるバインダーとして、上記シアノエチル
化物を用いるが、吸湿性が高いために蛍光体層内部に水
分が吸着され、その水分により蛍光体が経時的に劣化し
たり、輝度が低下するという問題点がある。また、コン
デンサー等の電気部品に適用した場合、吸湿により静電
容量や耐電圧が変化する等の問題点がある。
した場合、種々の問題が生ずる。例えば、分散型ＥＬ発
光素子の場合、蛍光体およびチタン酸バリウム等の無機
粉体を分散させるバインダーとして、上記シアノエチル
化物を用いるが、吸湿性が高いために蛍光体層内部に水
分が吸着され、その水分により蛍光体が経時的に劣化し
たり、輝度が低下するという問題点がある。また、コン
デンサー等の電気部品に適用した場合、吸湿により静電
容量や耐電圧が変化する等の問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
使用されていたものよりも低い吸湿性をもつ高誘電体を
提供することにある。
使用されていたものよりも低い吸湿性をもつ高誘電体を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
の解決のために鋭意検討した結果、糖類、多糖類、ポリ
ビニルアルコールまたはこれらの誘導体の水酸基を、シ
アノエチル基および一般式
の解決のために鋭意検討した結果、糖類、多糖類、ポリ
ビニルアルコールまたはこれらの誘導体の水酸基を、シ
アノエチル基および一般式
【化２】 （式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率が６０％以上で、かつ
芳香族アシル基の置換率が５〜４０％であるものが、従
来使用されていたものよりも低い吸湿性を示す高誘電体
であることを見いだし、本発明に想到した。以下、本発
明を詳細に説明する。
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率が６０％以上で、かつ
芳香族アシル基の置換率が５〜４０％であるものが、従
来使用されていたものよりも低い吸湿性を示す高誘電体
であることを見いだし、本発明に想到した。以下、本発
明を詳細に説明する。
【０００７】本発明の高誘電体は、原料である糖類、多
糖類、ポリビニルアルコール、またはこれらの誘電体の
水酸基を、シアノエチル基および一般式
糖類、ポリビニルアルコール、またはこれらの誘電体の
水酸基を、シアノエチル基および一般式
【化３】 （式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率を６０％以上、好まし
くは６５％以上、より好ましくは７０％以上とする必要
がある。６０％未満であると、誘電率が著しく低下して
しまう。また、芳香族アシル基の置換率は、５〜４０
％、好ましくは１０〜２０％とする必要がある。５％未
満であると、期待される吸湿性の低下が不十分となり、
４０％を越えると、誘電率が著しく低下してしまい、本
発明の目的を達成することができない。
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率を６０％以上、好まし
くは６５％以上、より好ましくは７０％以上とする必要
がある。６０％未満であると、誘電率が著しく低下して
しまう。また、芳香族アシル基の置換率は、５〜４０
％、好ましくは１０〜２０％とする必要がある。５％未
満であると、期待される吸湿性の低下が不十分となり、
４０％を越えると、誘電率が著しく低下してしまい、本
発明の目的を達成することができない。
【０００８】本発明に使用される芳香族アシル基は、一
般式
般式
【化４】 （式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示されるものであり、例えば、ベンゾイル
基、フルオロベンゾイル、クロロベンゾイル、ブロモベ
ンゾイル等のハロゲノベンゾイル基、メチルベンゾイ
ル、エチルベンゾイル、プロピルベンゾイル、ブチルベ
ンゾイル等のアルキルベンゾイル基、トリフルオロメチ
ルベンゾイル、パーフルオロエチルベンゾイル、トリク
ロロメチルベンゾイル等のハロゲン化アルキルベンゾイ
ル基等が挙げられる。この中でも、特にフルオロベンゾ
イル、トリフルオロメチルベンゾイル等のフッ素置換芳
香族アシル基を用いた場合、フッ素の持つ強い溌水作用
によってより大きな吸湿性の低下の効果が発揮される。
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示されるものであり、例えば、ベンゾイル
基、フルオロベンゾイル、クロロベンゾイル、ブロモベ
ンゾイル等のハロゲノベンゾイル基、メチルベンゾイ
ル、エチルベンゾイル、プロピルベンゾイル、ブチルベ
ンゾイル等のアルキルベンゾイル基、トリフルオロメチ
ルベンゾイル、パーフルオロエチルベンゾイル、トリク
ロロメチルベンゾイル等のハロゲン化アルキルベンゾイ
ル基等が挙げられる。この中でも、特にフルオロベンゾ
イル、トリフルオロメチルベンゾイル等のフッ素置換芳
香族アシル基を用いた場合、フッ素の持つ強い溌水作用
によってより大きな吸湿性の低下の効果が発揮される。
【０００９】本発明に示す高誘電体を得るには、まず所
望のシアノエチル基置換度を有するシアノエチル化物を
調製する。シアノエチル化物は、原料である糖類、多糖
類、ポリビニルアルコール、またはこれらの誘導体を水
酸化ナトリウム等のアルカリ触媒の存在下にアクリロニ
トリルと反応させることにより得られる。アシル化は、
所望の芳香族アシル基を有するアシル化剤を用いること
により行なわれる。例えば、得られたシアノエチル化物
を溶媒に分散または溶解した後、酸補足剤の存在下に塩
化ベンゾイル、塩化フルオロベンゾイル、塩化トリフル
オロメチルベンゾイル等の芳香族アシルクロライドをア
シル化剤として添加し反応させる方法がある。上記反応
に用いられる溶媒としては、例えば、アセトン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルエチル
ケトン、ジメチルアセトアミド、ピリジン等が挙げられ
る。
望のシアノエチル基置換度を有するシアノエチル化物を
調製する。シアノエチル化物は、原料である糖類、多糖
類、ポリビニルアルコール、またはこれらの誘導体を水
酸化ナトリウム等のアルカリ触媒の存在下にアクリロニ
トリルと反応させることにより得られる。アシル化は、
所望の芳香族アシル基を有するアシル化剤を用いること
により行なわれる。例えば、得られたシアノエチル化物
を溶媒に分散または溶解した後、酸補足剤の存在下に塩
化ベンゾイル、塩化フルオロベンゾイル、塩化トリフル
オロメチルベンゾイル等の芳香族アシルクロライドをア
シル化剤として添加し反応させる方法がある。上記反応
に用いられる溶媒としては、例えば、アセトン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルエチル
ケトン、ジメチルアセトアミド、ピリジン等が挙げられ
る。
【００１０】出発原料としての糖類、多糖類、ポリビニ
ルアルコールまたはこれらの誘導体としては、例えば、
サッカロース、ソルビトール、キシリトール等の糖類、
セルロース、デンプン、プルラン等の多糖類、ヒドロキ
シエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等
のヒドロキシアルキルセルロース、ヒドロキシプロピル
デンプン等のヒドロキシアルキルデンプン、セルロー
ス、プルランまたはデンプンとグリシドールとの反応に
よって得られるジヒドロキシプロピルセルロース、ジヒ
ドロキシプロピルプルラン、ジヒドロキシプロピルデン
プン等のジヒドロキシアルキル多糖類等が挙げられる。
セルロースとしては、再生セルロース、粉末セルロー
ス、微結晶セルロース等が挙げられる。デンプンとして
は、じゃがいもデンプン、米デンプン、とうもろこしデ
ンプン、デキストリン、アミロース、アミロペクチン等
が挙げられる。
ルアルコールまたはこれらの誘導体としては、例えば、
サッカロース、ソルビトール、キシリトール等の糖類、
セルロース、デンプン、プルラン等の多糖類、ヒドロキ
シエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等
のヒドロキシアルキルセルロース、ヒドロキシプロピル
デンプン等のヒドロキシアルキルデンプン、セルロー
ス、プルランまたはデンプンとグリシドールとの反応に
よって得られるジヒドロキシプロピルセルロース、ジヒ
ドロキシプロピルプルラン、ジヒドロキシプロピルデン
プン等のジヒドロキシアルキル多糖類等が挙げられる。
セルロースとしては、再生セルロース、粉末セルロー
ス、微結晶セルロース等が挙げられる。デンプンとして
は、じゃがいもデンプン、米デンプン、とうもろこしデ
ンプン、デキストリン、アミロース、アミロペクチン等
が挙げられる。
【００１１】酸補足剤としては、ピリジン、トリエチル
アミン等の有機塩基性物質が用いられる。
アミン等の有機塩基性物質が用いられる。
【００１２】芳香族アシル基のアシル化反応条件として
は、１００℃以下の温度で行なうことが好ましい。温度
が１００℃を越えた場合、製品の着色等の不都合が生ず
る。また、添加するアシル化剤の量は、目的とする置換
度によって異なるが、原料が有する水酸基に対して、ア
シル化剤のモル数が１．０モル以上、特に１．５モル以
上が好ましい。これが原料水酸基に対して１．０モル未
満のときは、変性度を十分大きくすることができない。
は、１００℃以下の温度で行なうことが好ましい。温度
が１００℃を越えた場合、製品の着色等の不都合が生ず
る。また、添加するアシル化剤の量は、目的とする置換
度によって異なるが、原料が有する水酸基に対して、ア
シル化剤のモル数が１．０モル以上、特に１．５モル以
上が好ましい。これが原料水酸基に対して１．０モル未
満のときは、変性度を十分大きくすることができない。
【００１３】本発明の高誘電体が、従来のシアノエチル
化物と比べて低い吸湿性を有し、かつ比較的高誘電を維
持しているのは、その構造中に電子吸引性基であるシア
ノエチル基と疎水性基である芳香族アシル基を合わせ持
つことに起因する。すなわち、シアノエチル基により高
い誘電率を得、かつ芳香族アシル基の疎水性により分子
内部への水の侵入を阻んでいるためと考えられる。芳香
族アシル基にフッ素含有のものを用いると、フッ素の持
つ溌水作用によって、より吸湿性を低下させることが可
能である。
化物と比べて低い吸湿性を有し、かつ比較的高誘電を維
持しているのは、その構造中に電子吸引性基であるシア
ノエチル基と疎水性基である芳香族アシル基を合わせ持
つことに起因する。すなわち、シアノエチル基により高
い誘電率を得、かつ芳香族アシル基の疎水性により分子
内部への水の侵入を阻んでいるためと考えられる。芳香
族アシル基にフッ素含有のものを用いると、フッ素の持
つ溌水作用によって、より吸湿性を低下させることが可
能である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によって
さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記
載に限定されるものではない。
さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記
載に限定されるものではない。
【００１５】実施例１ 無水グルコース単位当たり２．６モルのシアノエチル基
（置換率８７％）を含有するシアノエチルプルラン（信
越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｓ）４０ｇをアセト
ン２００ｇに溶解した後、ピリジン５０ｇを加え、７０
℃にて攪拌しながら塩化ベンゾイル２２．５ｇを約２０
分間で滴下し、４時間反応させた。放冷後、１０ｇのメ
タノールを加えて反応を停止させ、次いで反応液をメタ
ノール中に攪拌しながら投入し、沈澱物を得た。得られ
た沈澱物をヘキサンにて洗浄し、真空下８０℃にて１２
時間乾燥させ、淡黄色の４２．２ｇの精製生成物を得
た。これを元素分析したところ、窒素含量が１０．８２
重量％であり、無水グルコース単位当たり０．３７モル
（置換率１１％）の芳香族アシル基を含有するシアノエ
チルプルランベンゾエート（ＣｙＥＰＬ／ＢＺと示
す。）が得られたことがわかった。
（置換率８７％）を含有するシアノエチルプルラン（信
越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｓ）４０ｇをアセト
ン２００ｇに溶解した後、ピリジン５０ｇを加え、７０
℃にて攪拌しながら塩化ベンゾイル２２．５ｇを約２０
分間で滴下し、４時間反応させた。放冷後、１０ｇのメ
タノールを加えて反応を停止させ、次いで反応液をメタ
ノール中に攪拌しながら投入し、沈澱物を得た。得られ
た沈澱物をヘキサンにて洗浄し、真空下８０℃にて１２
時間乾燥させ、淡黄色の４２．２ｇの精製生成物を得
た。これを元素分析したところ、窒素含量が１０．８２
重量％であり、無水グルコース単位当たり０．３７モル
（置換率１１％）の芳香族アシル基を含有するシアノエ
チルプルランベンゾエート（ＣｙＥＰＬ／ＢＺと示
す。）が得られたことがわかった。
【００１６】次に、これをジメチルホルムアミドに溶解
し、アルミニウムシート上にキャスティングし、１００
℃で２時間、次いで１２０℃で２時間乾燥し、厚さ約５
０μｍのフィルムを作成した。このフィルムの表面にア
ルミを蒸着して測定試料をつくり、ＬＦインピーダンス
アナライザ４１９２型（横河ＨＰ社製；商品名）を用い
て２０℃雰囲気下で静電容量を測定した。この値より比
誘電率を測定したところ、１６であった。また、２５℃
にて相対湿度７５％の雰囲気下に上記精製生成物を放置
し、平衡吸湿量を測定したところ、２．２％であった。
し、アルミニウムシート上にキャスティングし、１００
℃で２時間、次いで１２０℃で２時間乾燥し、厚さ約５
０μｍのフィルムを作成した。このフィルムの表面にア
ルミを蒸着して測定試料をつくり、ＬＦインピーダンス
アナライザ４１９２型（横河ＨＰ社製；商品名）を用い
て２０℃雰囲気下で静電容量を測定した。この値より比
誘電率を測定したところ、１６であった。また、２５℃
にて相対湿度７５％の雰囲気下に上記精製生成物を放置
し、平衡吸湿量を測定したところ、２．２％であった。
【００１７】実施例２ 塩化ベンゾイルに代えて塩化フルオロベンゾイル２５．
４ｇとした他は、実施例１と同様にして反応を行ない、
後処理を行なったところ、淡黄色の精製生成物４３．７
ｇを得た。これを元素分析したところ、窒素含量が１
０．５２重量％であり、無水グルコース単位当たり０．
３８モル（置換率１２％）の芳香族アシル基を含有する
シアノエチルプルランフルオロベンゾエート（ＣｙＥＰ
Ｌ／ＦＢと示す。）が得られたことがわかった。このも
のの比誘電率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法
で求めたところ、比誘電率が１５であり、平衡吸湿量が
１．８％であった。
４ｇとした他は、実施例１と同様にして反応を行ない、
後処理を行なったところ、淡黄色の精製生成物４３．７
ｇを得た。これを元素分析したところ、窒素含量が１
０．５２重量％であり、無水グルコース単位当たり０．
３８モル（置換率１２％）の芳香族アシル基を含有する
シアノエチルプルランフルオロベンゾエート（ＣｙＥＰ
Ｌ／ＦＢと示す。）が得られたことがわかった。このも
のの比誘電率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法
で求めたところ、比誘電率が１５であり、平衡吸湿量が
１．８％であった。
【００１８】実施例３ 塩化ベンゾイルに代えて塩化トリフルオロメチルベンゾ
イル３３．４ｇとした他は、実施例１と同様にして反応
を行ない、後処理を行なったところ、淡黄色の精製生成
物４５．９ｇを得た。これを元素分析したところ、窒素
含量が９．８９重量％であり、無水グルコース単位当た
り０．３７モル（置換率１１％）の芳香族アシル基を含
有するシアノエチルプルラントリフルオロメチルベンゾ
エート（ＣｙＥＰＬ／ＴＦと示す。）が得られたことが
わかった。このものの比誘電率および平衡吸湿量を実施
例１と同様の方法で求めたところ、比誘電率が１５であ
り、平衡吸湿量が１．５％であった。
イル３３．４ｇとした他は、実施例１と同様にして反応
を行ない、後処理を行なったところ、淡黄色の精製生成
物４５．９ｇを得た。これを元素分析したところ、窒素
含量が９．８９重量％であり、無水グルコース単位当た
り０．３７モル（置換率１１％）の芳香族アシル基を含
有するシアノエチルプルラントリフルオロメチルベンゾ
エート（ＣｙＥＰＬ／ＴＦと示す。）が得られたことが
わかった。このものの比誘電率および平衡吸湿量を実施
例１と同様の方法で求めたところ、比誘電率が１５であ
り、平衡吸湿量が１．５％であった。
【００１９】実施例４ 無水グルコース単位当たり２．３モルのシアノエチル基
（置換率７７％）と１．４５モルのヒドロキシエチル基
を含有するシアノエチルヒドロキシエチルセルロース
（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｅ）３０ｇを用
い、塩化ベンゾイルに代えて塩化トリフルオロメチルベ
ンゾイル３２．５ｇとした他は、実施例１と同様にして
反応を行ない、後処理を行なったところ、淡黄色の精製
生成物３５．５ｇを得た。これを元素分析したところ、
窒素含量が７．１４重量％であり、無水グルコース単位
当たり０．６０モル（置換率２０％）の芳香族アシル基
を含有するシアノエチルヒドロキシエチルセルロースト
リフルオロメチルベンゾエート（ＣｙＥＨＥＣ／ＴＦと
示す。）が得られたことがわかった。このものの比誘電
率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で求めたと
ころ、比誘電率が１５であり、平衡吸湿量が１．３％で
あった。
（置換率７７％）と１．４５モルのヒドロキシエチル基
を含有するシアノエチルヒドロキシエチルセルロース
（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｅ）３０ｇを用
い、塩化ベンゾイルに代えて塩化トリフルオロメチルベ
ンゾイル３２．５ｇとした他は、実施例１と同様にして
反応を行ない、後処理を行なったところ、淡黄色の精製
生成物３５．５ｇを得た。これを元素分析したところ、
窒素含量が７．１４重量％であり、無水グルコース単位
当たり０．６０モル（置換率２０％）の芳香族アシル基
を含有するシアノエチルヒドロキシエチルセルロースト
リフルオロメチルベンゾエート（ＣｙＥＨＥＣ／ＴＦと
示す。）が得られたことがわかった。このものの比誘電
率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で求めたと
ころ、比誘電率が１５であり、平衡吸湿量が１．３％で
あった。
【００２０】実施例５ シアノエチルプルランに代えて、ポリビニルアルコール
の水酸基の７７％がシアノエチル基と置換されているシ
アノエチルポリビニルアルコール（信越化学工業製、シ
アノレジンＣＲ−Ｖ）３０ｇを用い、塩化ベンゾイルに
代えて塩化フルオロベンゾイル４０ｇとした他は、実施
例１と同様にして反応を行ない、後処理を行なったとこ
ろ、淡黄色の精製生成物３６．２ｇを得た。これを元素
分析したところ、窒素含量が１０．１重量％であり、ポ
リビニルアルコールの水酸基の１８％（置換率１８％）
の芳香族アシル基を含有するシアノエチルポリビニルア
ルコールフルオロベンゾエート（ＣｙＥＰＶＡ／ＦＢと
示す。）が得られたことがわかった。このものの比誘電
率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で求めたと
ころ、比誘電率が１５であり、平衡吸湿量が１．８％で
あった。
の水酸基の７７％がシアノエチル基と置換されているシ
アノエチルポリビニルアルコール（信越化学工業製、シ
アノレジンＣＲ−Ｖ）３０ｇを用い、塩化ベンゾイルに
代えて塩化フルオロベンゾイル４０ｇとした他は、実施
例１と同様にして反応を行ない、後処理を行なったとこ
ろ、淡黄色の精製生成物３６．２ｇを得た。これを元素
分析したところ、窒素含量が１０．１重量％であり、ポ
リビニルアルコールの水酸基の１８％（置換率１８％）
の芳香族アシル基を含有するシアノエチルポリビニルア
ルコールフルオロベンゾエート（ＣｙＥＰＶＡ／ＦＢと
示す。）が得られたことがわかった。このものの比誘電
率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で求めたと
ころ、比誘電率が１５であり、平衡吸湿量が１．８％で
あった。
【００２１】比較例１ 実施例１で用いたものと同一のシアノエチルプルラン
（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｓ）の比誘電率
および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で求めたとこ
ろ、比誘電率が１８であり、平衡吸湿量が４．５％であ
った。
（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｓ）の比誘電率
および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で求めたとこ
ろ、比誘電率が１８であり、平衡吸湿量が４．５％であ
った。
【００２２】比較例２ 実施例４で用いたものと同一のシアノエチルヒドロキシ
エチルセルロース（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ
−Ｅ）の比誘電率および平衡吸湿量を実施例１と同様の
方法で求めたところ、比誘電率が１８であり、平衡吸湿
量が４．２％であった。
エチルセルロース（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ
−Ｅ）の比誘電率および平衡吸湿量を実施例１と同様の
方法で求めたところ、比誘電率が１８であり、平衡吸湿
量が４．２％であった。
【００２３】比較例３ 実施例５で用いたものと同一のシアノエチルポリビニル
アルコール（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｖ）
の比誘電率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で
求めたところ、比誘電率が１６であり、平衡吸湿量が
４．１％であった。
アルコール（信越化学工業製、シアノレジンＣＲ−Ｖ）
の比誘電率および平衡吸湿量を実施例１と同様の方法で
求めたところ、比誘電率が１６であり、平衡吸湿量が
４．１％であった。
【００２４】以上の結果を下の表−１に示す。
【表１】
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、従来のシアノエチル化
物と比べて低い吸湿性をもち、かつ比較的高誘電を維持
する高誘電体を得ることができる。電気、電子部品の中
に本発明の高誘電体を用いた場合、より高い信頼性を得
ることができ、工業的に広く応用することができる。
物と比べて低い吸湿性をもち、かつ比較的高誘電を維持
する高誘電体を得ることができる。電気、電子部品の中
に本発明の高誘電体を用いた場合、より高い信頼性を得
ることができ、工業的に広く応用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｆ 8/10 8/30 116/06 Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｃ (72)発明者 名倉 茂広 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内
Claims (1)
- 【請求項１】 糖類、多糖類、ポリビニルアルコールま
たはこれらの誘導体の水酸基を、シアノエチル基および
一般式 【化１】 （式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはハロゲン化アルキル基を表し、Ａｒは、芳香核を
表す。）で示される芳香族アシル基により置換したもの
であり、シアノエチル基の置換率が６０％以上で、かつ
芳香族アシル基の置換率が５〜４０％であることを特徴
とする高誘電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30880793A JPH07161231A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 高誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30880793A JPH07161231A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 高誘電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161231A true JPH07161231A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17985553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30880793A Pending JPH07161231A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 高誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006309988A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Fujikura Ltd | 高誘電率絶縁ゴムおよびこれを利用した電力ケーブル接続部 |
| JP2010013642A (ja) * | 2008-06-12 | 2010-01-21 | General Electric Co <Ge> | 高温ポリマー複合材料およびこの材料を製造する方法 |
-
1993
- 1993-12-09 JP JP30880793A patent/JPH07161231A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006309988A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Fujikura Ltd | 高誘電率絶縁ゴムおよびこれを利用した電力ケーブル接続部 |
| JP2010013642A (ja) * | 2008-06-12 | 2010-01-21 | General Electric Co <Ge> | 高温ポリマー複合材料およびこの材料を製造する方法 |
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