JPH07161299A

JPH07161299A - 真空気密容器

Info

Publication number: JPH07161299A
Application number: JP33988393A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Ito; 茂生伊藤; Takeshi Tonegawa; 武利根川; Teruo Watanabe; 照男渡辺
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1993-12-07
Filing date: 1993-12-07
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】高真空気密容器を作製することができると共
に、封着部の厚さの精度および基板水平方向の位置精度
が高く、さらに均一性のある真空気密容器を提供するこ
と。【構成】カソード基板３とサイド基板２とは従来の封
着方法であるフリットガラスを用いたフリットシール部
５により封着されている。カソード基板３に封着したサ
イド基板２の他面に接合用電極８を形成し、さらにその
上に薄膜ガラス７を蒸着する。一方、前面基板１の封着
部分には接合用電極６を形成する。そして、サイド基板
２と前面基板１とを貼り合わせ、比較的低温で加熱しな
がら接合用電極６と接合用電極８との間に数１０〜数１
０００ボルトの電圧Ｖを印加して、薄膜ガラス７と接合
用電極６とを陽極接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空気密容器に関する
ものであり、特に電界放出カソードを封入する真空気密
容器に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】真空気密容器は、真空雰囲気中で動作さ
せる装置を封入する容器として用いられているが、真空
雰囲気中で動作させる装置として電界放出カソードが知
られている。電界放出カソードとは、次に簡単に説明す
るように、コールドカソードの一種である。金属または
半導体表面の印加電界を１０⁹ ［Ｖ／ｍ］程度にすると
トンネル効果により、電子が障壁を通過して常温でも真
空中に電子放出が行われる。これを電界放出（Field Em
ission）と云い、このような原理で電子を放出するカソ
ードを電界放出カソード（Field Emission Cathode）と
呼んでいる。近年、半導体微細加工技術を駆使して、ミ
クロンサイズの電界放出カソードからなる面放出型の電
界放出カソードを作成することが可能となっており、電
界放出カソードはディスプレイ装置、ＣＲＴ、電子顕微
鏡や電子ビーム装置の電子源として適用することが提案
されている。

【０００３】図７に、適用例の一例である真空気密容器
内に、電界放出カソードを封入したディスプレイ装置を
示す。このディスプレイ装置（以下、ＦＥＤと記す）１
２０は、電界放出カソード１０４が形成されたカソード
基板１０１と、アノード電極１０５が形成された前面基
板１０２と、カソード基板１０１と前面基板１０２とを
対向配置するためのサイド基板１０３とからなってい
る。なお、電界放出カソード１０４とアノード電極１０
５とが真空雰囲気中に置かれるように、カソード基板１
０１、前面基板１０２およびサイド基板１０３とがそれ
ぞれフリットシール部１０６により封着されることによ
り、真空気密容器が形成されている。また、カソード基
板１０１，前面基板１０２およびサイド基板１０３は、
例えばガラス製とされている。

【０００４】このディスプレイ装置１２０の電界放出カ
ソード１０４とアノード電極１０５との部分を、拡大し
て同図の下方に図示している。この拡大図に図示するよ
うに、電界放出カソード１０４は、円錐状のエミッタコ
ーンを有するスピント（Spindt）型と呼ばれる電界放出
カソード（以下、ＦＥＣと記す）とされ、次に説明する
ように構成されている。カソード基板１０１上にカソー
ド電極１１１が形成されており、カソード電極１１１の
上には絶縁層１１２を介してゲ−ト電極１１３が設けら
れており、ゲート電極１１３および絶縁層１１２に形成
された丸い開口部の中に、エミッタコーン１１４が設け
られている。このエミッタコーン１１４の先端部分がゲ
ート電極１１３に開けられた開口部から臨むようにされ
る。

【０００５】このエミッタコーン１１４間のピッチは１
０ミクロン以下とすることが出来、このようなエミッタ
コーン１１４を数万ないし数１０万個を１枚のカソード
基板１０１上に設けることが出来る。このＦＥＣ１０４
においては、ゲート・カソード間の距離をサブミクロン
とすることが出来るため、ゲート・カソード間に僅か数
１０ボルトの電圧Ｖ_GEを印加することによりエミッタコ
ーン１１４から電子を放出することが出来る。このよう
にして、エミッタコーン１１４から放出された電子は、
ゲート電極１１３上に離隔して対向配置された前面基板
１０２に設けられた導電性酸化インジウム（ＩＴＯ）か
らなる透明電極１１６により捕集することが出来る。こ
の透明電極１１６には、正電圧Ｖ_A が印加されている。

【０００６】また、透明電極１１６には蛍光体１１５が
設けられており、透明電極１１６に捕集される電子によ
り励起されて発光される。この発光は前面基板１０２を
介して観察することができるようにされる。なお、カソ
ード基板１０１とサイド基板１０３、および前面基板１
０２とサイド基板１０３とは、低融点フリットガラスを
用いたフリットシール部１０６により封着されている。
このフリットシール部１０６により、前面基板１０２と
サイド基板１０３、およびカソード基板１０１とサイド
基板１０３とを封着する構成を拡大して図８に示す。

【０００７】この図に示すように、前面基板１０２とサ
イド基板１０３とを封着するには、低融点の粉状のフリ
ットガラスと溶剤とを混合し、ペースト状にしたフリッ
トガラスを前面基板１０２に印刷し、このフリットガラ
スを印刷した部分にサイド基板１０３を張り合せ、張り
合せた部分を加圧しながら加熱炉の中で加熱する。する
と、フリットガラスが溶融して前面基板１０２とサイド
基板１０３とが封着されるようになる。このようにして
封着された前面基板１０２とサイド基板１０３に、さら
にカソード基板１０１を封着して真空気密容器を作成す
るのであるが、この封着も前記と同様であり、低融点の
粉状のフリットガラスと溶剤とを混合し、ペースト状に
したフリットガラスを、引出電極１０７の形成されたカ
ソード基板１０１の上に印刷し、フリットガラスを印刷
した部分にサイド基板１０３を張り合せ、張り合せた部
分を加圧しながら加熱炉の中で加熱する。このようにし
てフリットガラスを溶融してカソード基板１０１とサイ
ド基板１０３とを封着することにより、真空気密容器を
作成している。

【０００８】次に、真空気密容器に設けた排気口から内
部を真空ポンプにより真空に引き、排気口を封止するこ
とにより容器内部を真空としている。また、チップレス
の真空気密容器においては、加熱炉の中を真空に引きな
がらシール部のフリットガラスを溶融して、カソード基
板１０１とサイド基板１０３とを封着するようにしてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フリッ
トガラスを用いて前面基板とサイド基板、あるいはカソ
ード基板とサイド基板とを封着して真空気密容器を作成
すると、内部を真空に引いても、フリットガラスが溶融
する時に溶剤等から発生されたガスが真空気密容器内に
残留したり、基板に付着したりすることから、高真空の
気密容器の作成が困難であるという問題点があった。ま
た、封着した時のフリットシール部の厚さは、ペースト
状のフリットガラスの印刷精度、フリットガラスが溶融
した時の厚さ（溶剤の量により変化する。）、および封
着部にかけられている圧力により変化するようになる。
この封着部にかけられる圧力は、加熱炉に入れた状態に
おいて圧力をかけなければならないことから、通常バネ
を使用してかけているため、常に一定の加圧力で加圧す
ることが困難であった。これらの要因により、フリット
シール部１０６の厚さを均一にすることが、技術的に困
難であるという問題点もあった。

【００１０】さらに、フリットガラスが溶融した時に基
板の位置が相互に水平方向にずれやすく、ミクロンオー
ダの位置精度が必要とされるディスプレイ装置を作製す
る時の歩留が低いという問題点があった。そこで、本発
明は高真空の気密容器を作成することができると共に、
封着部の厚さの精度、および横方向の位置精度が高く、
さらに均一性を有する真空気密容器を提供することを目
的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は前面基板とサイド基板との封着、あるいは
カソード基板とサイド基板との封着との少なくとも一方
を、陽極接合により封着するようにしたものである。ま
た、サイド基板を用いない真空気密容器にあっては、カ
ソード基板と前面基板とを陽極接合するようにしたもの
である。

【００１２】

【作用】本発明によれば、封着時にガスが発生せず、高
真空の気密容器を形成することができる。さらに、封着
部が溶融することなく封着することのできる陽極接合層
とされているため、封着部の厚さを薄くすることができ
ると共に、基板水平方向にずれる恐れがないため、位置
精度の高い真空気密容器を作成することができるように
なる。

【００１３】

【実施例】本発明の真空気密容器の第１実施例における
封着部の部分を図１に示す。この図において、カソード
基板３とサイド基板２とは従来の封着方法であるフリッ
トガラスを用いたフリットシール部５により封着されて
いる。ただし、このフリットシール部５は前面基板１を
接合する前に行われることから、封着時に発生するガス
は真空気密容器内に残留する恐れはない。このフリット
シール部５は、引出電極４を保護層９により保護した
後、ペースト状のフリットガラスを印刷し、フリットガ
ラスを印刷した部分にサイド基板２張り合せ、張り合せ
た部分を加圧しながら加熱炉の中で過熱する。このよう
にして、フリットガラスを溶融してカソード基板３とサ
イド基板２とをフリットシール部５により封着する。こ
の引出電極４は電界放出カソードから引き出されるカソ
ード引出電極およびゲート引出電極等の電極である。

【００１４】次に、カソード基板３に封着したサイド基
板２の他面に、接合用電極８をスパッタリング等により
形成し、さらにその上に薄膜ガラス７を蒸着する。一
方、前面基板１の封着部分には接合用電極６がスパッタ
リング等により形成されている。このようにした状態に
おいて、サイド基板２と前面基板１とを貼り合わせ、両
基板間に加重を加えるとともに、比較的低温で加熱しな
がら接合用電極６と接合用電極８との間に数１０〜数１
０００Ｖの電圧Ｖを印加すると、薄膜ガラス７と接合用
電極６とが陽極接合されるようになる。

【００１５】この陽極接合とは、表面同士を密着させて
固相のまま接合する圧接の一種であり、平滑な表面を持
つ基板間で表面原子の結合を生じさせ接合する方法であ
る。すなわち、薄膜ガラス７と接合用電極６とを密着さ
せて、約摂氏３００度に加熱し、接合用電極６と接合用
電極８との間に数１０〜数１０００ボルトの電圧Ｖを印
加すると、この電圧Ｖを印加した直後は薄膜ガラス７に
電圧Ｖの大部分が掛かり、薄膜ガラス７内ではこの電界
によりイオンが移動し、薄膜ガラス７と接合用電極６と
のギャップ、および、その近傍に形成された空間電荷層
に電圧Ｖが掛かるようになる。すると、薄膜ガラス７と
接合用電極６との間に大きな静電引力が発生し、薄膜ガ
ラス７と接合用電極６とが引き寄せられるようになり、
前記空間電荷層に加わる電圧が増加し、最終的に薄膜ガ
ラス７の表面とが接合用電極６とが接触するようにな
る。この時、空間電荷層の酸素イオンが強電界により一
部移動し、界面で接合用電極６の原子と共有結合を生じ
て、薄膜ガラス７と接合用電極６とが接合するものと考
えられている。

【００１６】なお、陽極接合においては必ずしも接合部
分を加熱する必要はなく、イオンの拡散を生じやすいガ
ラスを用いると共に、静電引力を極力大きくすることに
より、室温においても陽極接合することが可能とされて
いる。このように陽極接合を用いて、サイド基板２と前
面基板１とを封着することにより作成した真空気密容器
内に、電界放出カソードとアノード電極とを封入するこ
とによりディスプレイ装置とした構成を図２に示す。こ
のディスプレイ装置（以下、ＦＥＤと記す）は、電界放
出カソード１１が形成されたカソード基板３と、アノー
ド電極１０が形成された前面基板１と、カソード基板３
と前面基板１とを対向配置するためのサイド基板２とか
らなっている。このカソード基板３とサイド基板２とは
フリットシール部５により封着され、前面基板１とサイ
ド基板２とは陽極接合により形成された接合層１３によ
り封着されている。なお、電界放出カソード１１とアノ
ード電極１０とは真空雰囲気中に置かれるよう容器内部
は真空に引かれている。また、カソード基板３，前面基
板１およびサイド基板２は、例えばガラス製とされてい
る。

【００１７】このディスプレイ装置の電界放出カソード
１１は、前記図７に示すように、円錐状のエミッタコー
ンを有するスピント（Spindt）型と呼ばれる電界放出カ
ソードとされている。このスピント型のＦＥＣ１１は、
前記説明したように構成されているため、エミッタコー
ン間のピッチを１０ミクロン以下とすることが出来、こ
のようなエミッタコーンを数万ないし数１０万個をカソ
ード基板３上に設けることが出来る。このＦＥＣ１１に
おいては、ゲート・カソード間の距離をサブミクロンと
することが出来るため、ゲート・カソード間に僅か数１
０ボルトの電圧Ｖ_GEを印加することによりエミッタコー
ンから電子を放出することが出来る。このようにしてエ
ミッタコーンから放出された電子は、前記図７に示すよ
うに、カソード基板３上に離隔して配置された前面基板
１に設けられたアノード電極１０を構成するＩＴＯから
なる透明電極により捕集することが出来る。この透明電
極には、正電圧Ｖ_A が印加されている。

【００１８】また、透明電極には蛍光体が塗布されてお
り、透明電極に捕集される電子により励起されて発光さ
れる。この発光は前面基板１を介して観察することがで
きるようにされる。さらに、電界放出カソード１１から
の引出電極４は、左方向に突出されているカソード基板
３上に真空気密容器内部からシール部５を介して引き出
されており、アノード電極１０からの引出電極４は右方
向に突出されている前面基板１上に真空気密容器内部か
ら接合層１３を介して引き出されている。なお、真空気
密容器内にはゲッター１２が形成されており、このゲッ
ター１２により容器内部を高真空に保持するようにして
いる。また、アノード電極１０が複数に分割されている
場合は、図１に示したようにＳＯＧ（Spin on Glass ）
法等により、絶縁層を形成した上に接合用電極を設けれ
ばよい。

【００１９】さらに、平面型の電界放出カソード２１を
真空気密容器内に封入した変形例を図３に示す。この図
に示す装置は、平面型の電界放出カソード２１が形成さ
れたカソード基板３と、偏向電極２０が形成された前面
基板１と、カソード基板３と前面基板１とを対向配置す
るためのサイド基板２とからなっている。なお、電界放
出カソード２１と偏向電極２０とは真空雰囲気中に置か
れている。また、カソード基板３，前面基板１およびサ
イド基板２は、例えばガラス製とされている。この平面
型の電界放出カソードを拡大して図３の下方に示してい
る。この図において、カソード基板３上には金属製の膜
状のアノード２２とゲート２３とがスパッタリング等に
より形成されており、さらにカソード基板３上に、絶縁
層２５を介してエミッタ２４が形成されている。このエ
ミッタ２４のゲート２３に対向する先端部は櫛歯状ある
いは三角状とされており、サブミクロンの間隔とされた
エミッタ２４とゲート２３との間に僅か数１０ボルトの
電圧Ｖ_GEを印加することにより、エミッタ２４から電子
を放出することが出来る。このようにして、エミッタ２
４から放出された電子は、正電圧が印加されているアノ
ード２２により捕集されるようにされる。

【００２０】また、偏向電極２０は、エミッタ２４から
放出された電子をアノード２２に偏向するための電極で
ある。さらに、アノードは２分割されており、これによ
り磁気センサ装置として動作するようになる。なお、真
空気密容器内にはゲッター１２が形成されており、この
ゲッター１２により容器内部を高真空に保持するように
している。前記の説明においてはカソード基板３とサイ
ド基板２とをフリットガラスを用いたフリットシール部
５により封着していたが、カソード基板３とサイド基板
２も陽極接合により封着してもよく、このようにする構
成を図４に示す。陽極接合は、前記したように接合する
表面が平滑であることが必須の用件であるが、カソード
基板３には引出電極４が形成されて平滑とされていない
ため、カソード基板３上を平滑する処理を最初に行う。
この処理は、まず、カソード基板３をスピンナーより回
転させた状態において、けい素化合物を有機溶剤により
溶解した溶液をカソード基板３上に滴下することによ
り、カソード基板３上にけい素化合物溶液の薄い膜を形
成する。次に、加熱処理を行い表面が平滑なシール部３
０とすることにより、カソード基板３上を平滑にする。
そして、このシール部３０の上に接合用電極３１をスパ
ッタリング等により形成する。

【００２１】さらに、サイド基板２には接合用電極８−
２をスパッタリング等により形成し、その上に薄膜ガラ
ス７−２を形成する。このようにした状態において、サ
イド基板２とカソード基板３とを貼り合わせ、比較的低
温で加熱しながら接合用電極８−２と接合用電極３１と
の間に数１０〜数１０００ボルトの電圧Ｖを印加する
と、薄膜ガラス７−２と接合用電極３１とが陽極接合さ
れるようになる。また、サイド基板２と前面基板１も陽
極接合されるが、この方法は前記図１の説明で説明した
とおりであるので、その説明は省略する。なお、薄膜ガ
ラスは陽極接合される一方の接合用電極上に形成されて
いれば良いので、サイド基板２に限定して薄膜ガラスを
形成する必要はなく、これに替えて前面基板１あるいは
カソード基板３に形成してもよい。したがって、図２及
び図３において前面基板１とカソード基板２が入れ替わ
った構成でもよい。

【００２２】次に、本発明の真空気密容器の第２実施例
を図５に示す。この真空気密容器はサイド基板を設ける
ことに替えて、前面基板４０にエッチング等により凹部
を形成するようにしたものである。このように凹部を形
成した基板と平な基板とにより形成される容器を成形容
器と呼び、前記図２および図３に示すようにサイド基板
を使用する容器を組立容器と呼んでいる。成形容器とす
ると、図５に示すように封着部である接合層４２の数を
半分に減らすことができるようになる。この接合層４２
は、例えば容器内を真空に引きながら陽極接合すること
により形成されている。この接合層４２の構成を図６に
示す。

【００２３】この図において、カソード基板３をスピン
ナーより回転させた状態において、けい素化合物を有機
溶剤により溶解した溶液を、引出電極４９を形成したカ
ソード基板３上に滴下することにより、カソード基板３
上にけい素化合物溶液の薄い膜を形成する。次に加熱処
理を行い、表面が平滑なシール部４７としてカソード基
板３上を平滑にする。そして、このシール部４７の上に
接合用電極４６をスパッタリング等により形成すると共
に、さらにその上に薄膜ガラス４５を蒸着等により形成
する。一方、前面基板４０をスピンナーより回転させた
状態において、けい素化合物を有機溶剤により溶解した
溶液を、引出電極４８を形成した前面基板４０の周辺部
に滴下することにより、前面基板４０の周辺部上にけい
素化合物溶液の薄い膜を形成する。次に加熱処理を行
い、表面が平滑なシール部４３として、前面基板４０の
周辺部上を平滑にする。そして、このシール部４３の上
に接合用電極４４をスパッタリング等により形成する。

【００２４】このようにした状態において、前面基板４
０とカソード基板３とを貼り合わせ、加重を両基板間に
加えるとともに、比較的低温で加熱しながら接合用電極
４４と接合用電極４６との間に数１０〜数１０００ボル
トの電圧Ｖを印加すると、薄膜ガラス４５と接合用電極
４４とが陽極接合されて、真空気密容器が形成されるよ
うになる。なお、薄膜ガラス４５はカソード基板３に替
えて前面基板４０に形成するようにしてもよい。なお、
真空気密容器内にはゲッター１２が形成されており、こ
のゲッター１２により容器内部を高真空に保持するよう
にしている。この真空容器を用いて、図７に示すような
スピント型の電界放出カソード１１とアノード電極１０
からなるディスプレイ装置を図５に示すように構成する
が、図３に示す平面型の電界放出カソードと偏向電極か
らなる磁気センサを構成してもよい。

【００２５】以上説明においては、本発明にかかる真空
気密容器を電界放出カソードを電子源とするディスプレ
イ装置に限定して説明したが、これに限らず熱陰極を有
するディスプレイ装置に適用することもできる。また、
本発明の真空気密容器を室温陽極接合を用いて封着する
ようにすると、チャンバーを使用することなく、常温で
観察しながら精密な封着を行うことができる。したがっ
て、封着部にかける圧力をバネに替わる手段によりかけ
ることができ、一定の圧力を常に掛けながら高精度の真
空気密容器を作成することができ、その後排気封止を行
うこともできる。また、封着はフリットガラスではな
く、溶剤の含まれない薄膜ガラスにより行われているた
め、チャンバー内で封着と排気・封止を行う場合は、封
止時にほとんどガスが発生せず、容器内を高真空にする
ことができるようになる。

【００２６】

【発明の効果】本発明は以上のように構成されているた
め、封止時にガスが発生せず、高真空の気密容器を形成
することができる。さらに、封着部が溶融することなく
封着できる陽極接合層とされているため、封着部の厚さ
を薄くすることができると共に、基板水平方向の位置精
度の高い真空気密容器を作製することができるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の真空気密容器の封着部を
示す図である。

【図２】本発明の第１実施例の真空気密容器を用いたデ
ィスプレイ装置を示す図である。

【図３】本発明の真空気密容器を用いた磁気センサ装置
を示す図である。

【図４】本発明の第１実施例の真空気密容器の封着部の
変形例を示す図である。

【図５】本発明の第２実施例の真空気密容器を用いたデ
ィスプレイ装置を示す図である。

【図６】本発明の第２実施例の真空気密容器の封着部を
示す図である。

【図７】従来の真空気密容器を用いたディスプレイ装置
を示す図である。

【図８】従来の真空気密容器の封着部を示す図である。

【符号の説明】

１，４０，１０２前面基板２，１０３サイド基板３，１０１カソード基板４，４８，４９，１０７引出電極５，１０６フリットシール部６，８，８−１，８−２，３１，４４，４６接合用電
極７，７−１，７−２，４５薄膜ガラス９保護層１０，１０５アノード電極１１，２１，１０４電界放出カソード１２ゲッター１３，４２接合層２０偏向電極２２アノード２３ゲート２４エミッタ２５，１１２絶縁層３０，４３，４７シール部１１１カソード電極１１３ゲート電極１１４エミッタコーン１１５蛍光体１１６透明電極１２０ＦＥＤ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】周縁部を残して収納凹部が形成された第１
の基板と、この第１の基板の周辺部と接合される第２の
基板とを備え、上記収納凹部と上記第２の上記基板とに
より真空収納部を形成する真空気密容器において、上記周辺部に第１の接合用電極が形成され、上記周辺部
と接合される第２の基板の部分に第２の接合用電極が形
成され、上記第１の接合用電極あるいは第２の接合用電
極のいずれかの上に薄膜ガラスを形成することにより、
上記周辺部と第２の基板とを陽極接合することを特徴と
する真空気密容器。
【請求項２】第１の基板に収納凹部が形成されるよう周
縁部に接合されたサイド基板と、このサイド基板の上に
接合される第２の基板とを備え、上記サイド基板、上記
第１の基板および上記第２の上記基板とにより、真空収
納部を形成する真空気密容器において、上記サイド板の一面に第１の接合用電極が形成され、上
記第１の基板の接合部分に第２の接合用電極が形成さ
れ、上記第１の接合用電極あるいは第２の接合用電極の
いずれかの上に薄膜ガラスを形成することにより、少な
くとも上記サイド基板と上記第１の基板とを陽極接合す
ることを特徴とする真空気密容器。
【請求項３】上記第２の基板と上記サイド基板とが、低
融点フリットガラスを用いたフリットシール部により接
合されていることを特徴とする請求項２記載の真空気密
容器。
【請求項４】上記第２の基板と上記サイド基板とが陽極
接合されていることを特徴とする請求項２記載の真空気
密容器。
【請求項５】上記真空収納部を形成する上下のいずれか
の一面に電界放出カソードが形成され、他面に蛍光体が
塗布されたアノード電極が形成されていることを特徴と
する請求項１ないし４のいずれかに記載の真空気密容
器。
【請求項６】上記電界放出カソードがスピント型である
ことを特徴とする請求項５記載の真空気密容器。
【請求項７】上記真空収納部を形成する上下のいずれか
の一面に、平面型の電界放出カソードが形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
真空気密容器。
【請求項８】上記真空空間部の他面に偏向電極が形成さ
れていることを特徴とする請求項７記載の真空気密容
器。