JPH09199065A - 画像形成装置およびその製造方法 - Google Patents
画像形成装置およびその製造方法Info
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- JPH09199065A JPH09199065A JP8006779A JP677996A JPH09199065A JP H09199065 A JPH09199065 A JP H09199065A JP 8006779 A JP8006779 A JP 8006779A JP 677996 A JP677996 A JP 677996A JP H09199065 A JPH09199065 A JP H09199065A
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- Japan
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- thin film
- image forming
- source substrate
- electron source
- forming apparatus
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像形成装置における電子源基板とフェース
プレートの封着時の温度を低温化することによって熱歪
や変形の小さい画像形成装置を製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 電子源基板と支持枠との封着を、電子源
基板上に形成された導電体薄膜と支持枠との陽極接合に
よる接合で行う。
プレートの封着時の温度を低温化することによって熱歪
や変形の小さい画像形成装置を製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 電子源基板と支持枠との封着を、電子源
基板上に形成された導電体薄膜と支持枠との陽極接合に
よる接合で行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は画像形成装置および
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来画像形成装置としてはＴＦＴ型やＭ
ＩＭ型の液晶型画像形成装置があるが、対角４０インチ
や６０インチの大画面パネルへ応用する場合、ＴＦＴ型
では画素毎に能動素子を形成する必要があり、大画面に
わたり高精細のパターニングを要求される。またＭＩＭ
型においては応答速度が遅いため動画を扱う画像形成装
置には不向きである。以上のように液晶型画像形成装置
の大画面化には技術的困難さがある。そこで大画面平面
型画像形成装置として電子線照射により蛍光体を発光さ
せ、画像を形成する蛍光体発光型画像形成装置が期待さ
れている。蛍光体発光型画像形成装置は、表面伝導型電
子放出素子、熱電子源などの電子放出素子と蛍光体の組
み合わせで描画する。
ＩＭ型の液晶型画像形成装置があるが、対角４０インチ
や６０インチの大画面パネルへ応用する場合、ＴＦＴ型
では画素毎に能動素子を形成する必要があり、大画面に
わたり高精細のパターニングを要求される。またＭＩＭ
型においては応答速度が遅いため動画を扱う画像形成装
置には不向きである。以上のように液晶型画像形成装置
の大画面化には技術的困難さがある。そこで大画面平面
型画像形成装置として電子線照射により蛍光体を発光さ
せ、画像を形成する蛍光体発光型画像形成装置が期待さ
れている。蛍光体発光型画像形成装置は、表面伝導型電
子放出素子、熱電子源などの電子放出素子と蛍光体の組
み合わせで描画する。
【０００３】表面伝導型電子放出素子の例としては、エ
リンソンの報告に記載のもの（M.I.Elinson, Radio En
g. Electron Phys., 10(1965)）などがある。表面伝導
型電子放出素子は基板上に形成された小面積の薄膜に膜
面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずること
を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子と
しては前記エリンソンらによるＳｎＯ2薄膜を用いたも
の、Ａｕ薄膜によるもの（G.Dittmer, "Thin Solid Fil
ms", 9, 317(1972)）等が報告されている。
リンソンの報告に記載のもの（M.I.Elinson, Radio En
g. Electron Phys., 10(1965)）などがある。表面伝導
型電子放出素子は基板上に形成された小面積の薄膜に膜
面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずること
を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子と
しては前記エリンソンらによるＳｎＯ2薄膜を用いたも
の、Ａｕ薄膜によるもの（G.Dittmer, "Thin Solid Fil
ms", 9, 317(1972)）等が報告されている。
【０００４】上述の表面伝導型電子放出素子は構造が単
純で製造も容易であることから大面積にわたり多数の素
子を配列できる利点がある。
純で製造も容易であることから大面積にわたり多数の素
子を配列できる利点がある。
【０００５】しかし、そのような表面伝導型電子放出素
子を用いた画像形成装置においても大面積化が進むにつ
れ、種々の問題が発生する。中でも電子源基板と内壁面
に蛍光体が配置されているフェースプレートを支持枠を
介して封着する工程は重要である。
子を用いた画像形成装置においても大面積化が進むにつ
れ、種々の問題が発生する。中でも電子源基板と内壁面
に蛍光体が配置されているフェースプレートを支持枠を
介して封着する工程は重要である。
【０００６】図４において１０１は電子放出素子を基板
上に作製した電子源基板、１０９はメタルバック１０７
と蛍光体１０８が内壁に形成されたフェースプレート、
１０５は支持枠、１０２は取り出し配線である。電子源
基板１０１と支持枠１０５およびフェースプレート１０
９は通常フリットガラス１０６を塗布して大気中で４０
０℃〜５００℃で焼成することにより封着されている。
上に作製した電子源基板、１０９はメタルバック１０７
と蛍光体１０８が内壁に形成されたフェースプレート、
１０５は支持枠、１０２は取り出し配線である。電子源
基板１０１と支持枠１０５およびフェースプレート１０
９は通常フリットガラス１０６を塗布して大気中で４０
０℃〜５００℃で焼成することにより封着されている。
【０００７】とりわけカラーのフェースプレートの場合
は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはなら
ず、十分な位置合わせを行う必要がある。
は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはなら
ず、十分な位置合わせを行う必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしフリットガラス
を用いた封着工程は４００℃〜５００℃という高温工程
のため、熱歪や変形、配線の劣化などが発生し、特に熱
歪や変形に伴う封着時の寸法精度の制限は高精細化に向
けて大きな問題になっている。
を用いた封着工程は４００℃〜５００℃という高温工程
のため、熱歪や変形、配線の劣化などが発生し、特に熱
歪や変形に伴う封着時の寸法精度の制限は高精細化に向
けて大きな問題になっている。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、画像形成装置における電
子源基板とフェースプレートの封着時の温度を低温化す
ることによって熱歪や変形の小さい画像形成装置を製造
する方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、画像形成装置における電
子源基板とフェースプレートの封着時の温度を低温化す
ることによって熱歪や変形の小さい画像形成装置を製造
する方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板上
に表面伝導型電子放出素子を複数配列した電子源基板；
内壁面に蛍光体を設けたフェースプレ−ト；ならびに電
子源基板とフェースプレートを支持する支持枠とからな
る画像形成装置において、電子源基板と支持枠との封着
が、電子源基板上に形成された導電体薄膜と支持枠との
陽極接合による接合で行われていることを特徴とする画
像形成装置を提供する。
に表面伝導型電子放出素子を複数配列した電子源基板；
内壁面に蛍光体を設けたフェースプレ−ト；ならびに電
子源基板とフェースプレートを支持する支持枠とからな
る画像形成装置において、電子源基板と支持枠との封着
が、電子源基板上に形成された導電体薄膜と支持枠との
陽極接合による接合で行われていることを特徴とする画
像形成装置を提供する。
【００１１】上記において、前記導電体薄膜は、Ａｌ、
Ｔｉ、ＮｉおよびＳｉから選択される１以上の元素と、
Ａｕ、ＰｔおよびＣｕから選択される１以上の元素を含
むことが好ましい。
Ｔｉ、ＮｉおよびＳｉから選択される１以上の元素と、
Ａｕ、ＰｔおよびＣｕから選択される１以上の元素を含
むことが好ましい。
【００１２】さらに本発明は、電子源基板上にＡｕ、Ｐ
ｔおよびＣｕから選択される１以上の元素を含む第１の
導電体薄膜を形成する工程と；該薄膜上にＡｌ、Ｔｉ、
ＮｉおよびＳｉから選択される１以上の元素を含む第２
の導電体薄膜を形成する工程と；電子源基板を加熱し
て、前記第１の薄膜と前記第２の薄膜の合金薄膜を形成
する工程と；該合金薄膜と支持枠を陽極接合する工程を
有することを特徴とする画像形成装置の製造方法を提供
する。
ｔおよびＣｕから選択される１以上の元素を含む第１の
導電体薄膜を形成する工程と；該薄膜上にＡｌ、Ｔｉ、
ＮｉおよびＳｉから選択される１以上の元素を含む第２
の導電体薄膜を形成する工程と；電子源基板を加熱し
て、前記第１の薄膜と前記第２の薄膜の合金薄膜を形成
する工程と；該合金薄膜と支持枠を陽極接合する工程を
有することを特徴とする画像形成装置の製造方法を提供
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。
【００１４】陽極接合法はガラスと導電材料もしくは導
電体薄膜を用いることによりガラスとガラス、半導体、
金属等の様々な材料を２００℃〜４００℃と比較的低温
で数１０〜数ｋＶ程度の電圧を印加することにより接合
できる方法である。
電体薄膜を用いることによりガラスとガラス、半導体、
金属等の様々な材料を２００℃〜４００℃と比較的低温
で数１０〜数ｋＶ程度の電圧を印加することにより接合
できる方法である。
【００１５】陽極接合法を用いることにより低温で封着
が可能であるばかりでなく、雰囲気の影響を受けにくい
（従来のフリットガラスによる封着では酸素が十分供給
されないと封着出来ない）等の利点もあり精度向上だけ
でなく、製造方法が簡便になる。
が可能であるばかりでなく、雰囲気の影響を受けにくい
（従来のフリットガラスによる封着では酸素が十分供給
されないと封着出来ない）等の利点もあり精度向上だけ
でなく、製造方法が簡便になる。
【００１６】導電体薄膜を支持枠に形成せず、電子源基
板上に形成するのは陽極接合の際に導電体薄膜へ電圧を
印加するための配線を容易に形成できるためである。
板上に形成するのは陽極接合の際に導電体薄膜へ電圧を
印加するための配線を容易に形成できるためである。
【００１７】また陽極接合では導電体薄膜としてＡｌ、
Ｔｉ等の酸化物を比較的容易に形成する材料が用いられ
る。しかしＡｌなどの酸化しやすい金属薄膜は接合時間
の経過とともにＡｌ薄膜に酸化物が形成され、接合不良
になる部分が発生しやすい。
Ｔｉ等の酸化物を比較的容易に形成する材料が用いられ
る。しかしＡｌなどの酸化しやすい金属薄膜は接合時間
の経過とともにＡｌ薄膜に酸化物が形成され、接合不良
になる部分が発生しやすい。
【００１８】このため接合強度を低下させる原因にな
る。これは接合面積が大きくなった場合に特に問題にな
ってくる。
る。これは接合面積が大きくなった場合に特に問題にな
ってくる。
【００１９】本発明はガラスと容易に接合可能なＡｌ、
Ｔｉ等をＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕと合金化することにより、導
電体薄膜の接合時の酸化を抑制し、安定した接合を実現
するものであり、これにより接合面積が大きい場合でも
接合強度の低下なく陽極接合による封着を可能とするも
のである。
Ｔｉ等をＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕと合金化することにより、導
電体薄膜の接合時の酸化を抑制し、安定した接合を実現
するものであり、これにより接合面積が大きい場合でも
接合強度の低下なく陽極接合による封着を可能とするも
のである。
【００２０】２層の導電体薄膜を合金化する温度は金属
の組み合わせによるが、ＡｕおよびＡｌでは１００℃程
度、ＡｕおよびＴｉでは２００℃以上、ＰｔとＡｌでは
３５０℃程度である。２層薄膜の合金化のための温度に
ついては、ポアトらによる記載などを参照する（Poate
et al, "THIN FILM-INTERDIFFUSION AND REACTION",Joh
n Wiley & Sons, Inc., 1978）。
の組み合わせによるが、ＡｕおよびＡｌでは１００℃程
度、ＡｕおよびＴｉでは２００℃以上、ＰｔとＡｌでは
３５０℃程度である。２層薄膜の合金化のための温度に
ついては、ポアトらによる記載などを参照する（Poate
et al, "THIN FILM-INTERDIFFUSION AND REACTION",Joh
n Wiley & Sons, Inc., 1978）。
【００２１】導電体薄膜の形成方法は真空蒸着、スパッ
タリング、ＣＶＤ等がある。導電体薄膜と基板との密着
性が弱い場合にはＣｒ等の密着層を設ける必要がある。
タリング、ＣＶＤ等がある。導電体薄膜と基板との密着
性が弱い場合にはＣｒ等の密着層を設ける必要がある。
【００２２】図３は電子源基板１０１の平面図である。
３０１は下配線、３０２は上配線、３０３は絶縁層、３
０４は素子電極、３０５は電子放出部を含む導電性薄膜
である。
３０１は下配線、３０２は上配線、３０３は絶縁層、３
０４は素子電極、３０５は電子放出部を含む導電性薄膜
である。
【００２３】素子電極３０４や上配線３０３、下配線３
０１は一般的な配線材料が用いられる。電子放出部を含
む導電性薄膜３０５は微粒子で構成された微粒子膜が好
ましく、その材料はＰｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＦｅＺｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐ
ｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓ
ｂ2Ｏ3等の酸化物；ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ6、Ｃｅ
Ｂ6、ＹＢ4、ＧｄＢ4等のホウ化物；ＴｉＣ、ＺｒＣ、
ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ等の炭化物；ＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＨｆＮ等の窒化物；Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体；カーボン等
があげられる。
０１は一般的な配線材料が用いられる。電子放出部を含
む導電性薄膜３０５は微粒子で構成された微粒子膜が好
ましく、その材料はＰｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＦｅＺｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐ
ｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓ
ｂ2Ｏ3等の酸化物；ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ6、Ｃｅ
Ｂ6、ＹＢ4、ＧｄＢ4等のホウ化物；ＴｉＣ、ＺｒＣ、
ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ等の炭化物；ＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＨｆＮ等の窒化物；Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体；カーボン等
があげられる。
【００２４】また電子放出基板の形成方法としては通常
の半導体プロセスを用いて形成することが出来る。
の半導体プロセスを用いて形成することが出来る。
【００２５】図１は本発明に関わる画像形成装置の構造
を示す図であり、図１（ａ）はその装置の支持枠周辺の
断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）を矢印の方向
から見た側面図である。
を示す図であり、図１（ａ）はその装置の支持枠周辺の
断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）を矢印の方向
から見た側面図である。
【００２６】１０１は電子源基板、１０２は取り出し配
線、１０３は絶縁層、１０４は導電体薄膜、１０５は支
持枠、１０６はフリットガラス、１０７はメタルバッ
ク、１０８は蛍光体、１０９はフェースプレートを示
す。
線、１０３は絶縁層、１０４は導電体薄膜、１０５は支
持枠、１０６はフリットガラス、１０７はメタルバッ
ク、１０８は蛍光体、１０９はフェースプレートを示
す。
【００２７】図２は、本発明の製造方法の１実施態様の
手順を示す工程図である。それを順を追って説明する。
手順を示す工程図である。それを順を追って説明する。
【００２８】電子源基板作製後（図２（ａ））、封着部
に絶縁層１０３を形成する。具体的にはスパッタリング
等でＳｉＯ2膜を形成し、パターニングおよびエッチン
グを行うことにより、封着部に絶縁層１０３を形成する
（図２（ｂ））。次に封着部の絶縁層を更にエッチング
し、配線による凹凸を平坦にする（図２（ｃ））。その
上に導電体薄膜１０４を形成する（図２（ｄ））。
に絶縁層１０３を形成する。具体的にはスパッタリング
等でＳｉＯ2膜を形成し、パターニングおよびエッチン
グを行うことにより、封着部に絶縁層１０３を形成する
（図２（ｂ））。次に封着部の絶縁層を更にエッチング
し、配線による凹凸を平坦にする（図２（ｃ））。その
上に導電体薄膜１０４を形成する（図２（ｄ））。
【００２９】この後一度加熱して導電体薄膜を合金化さ
せた後、支持枠と導電体薄膜に電圧を印加することによ
り陽極接合することができる。
せた後、支持枠と導電体薄膜に電圧を印加することによ
り陽極接合することができる。
【００３０】上述のように本発明の画像形成装置は電子
源基板と支持枠の封着を陽極接合により低温で行うた
め、封着時の熱歪や変形による位置精度の誤差を抑制で
きる。
源基板と支持枠の封着を陽極接合により低温で行うた
め、封着時の熱歪や変形による位置精度の誤差を抑制で
きる。
【００３１】また接合面積が大きくなっても安定に接合
を実現できるため、大面積化に有利である。さらに従来
のフリットガラスのように雰囲気に左右されないため、
製造が簡便になる利点もある。
を実現できるため、大面積化に有利である。さらに従来
のフリットガラスのように雰囲気に左右されないため、
製造が簡便になる利点もある。
【００３２】
【実施例】図３に示すような構成の電子源基板を形成し
た後、以下の手順で電子源基板とフェースプレートの接
合を行った。電子源基板は青板ガラスを基板として作製
したものである。そして、支持枠は青板ガラス、密着層
はＣｒ、第１の導電体薄膜はＡｕ、第２の導電体薄膜は
Ａｌとした。
た後、以下の手順で電子源基板とフェースプレートの接
合を行った。電子源基板は青板ガラスを基板として作製
したものである。そして、支持枠は青板ガラス、密着層
はＣｒ、第１の導電体薄膜はＡｕ、第２の導電体薄膜は
Ａｌとした。
【００３３】図２に示すように絶縁層１０３を平坦化し
た後、封着部のみに導電体薄膜が形成されるようにレジ
ストパターニングして、導電体薄膜Ｃｒ、Ａｕ、Ａｌを
順次電子ビーム蒸着により成膜した。密着層はＡｕと絶
縁層のＳｉＯ2との密着力を高めるためである。Ａｕの
膜厚は８５ｎｍ、Ａｌの膜厚は１５ｎｍとした。接合条
件は、接合温度が３５０℃、接合時の印加電圧が３００
Ｖ、接合時間が３０分である。
た後、封着部のみに導電体薄膜が形成されるようにレジ
ストパターニングして、導電体薄膜Ｃｒ、Ａｕ、Ａｌを
順次電子ビーム蒸着により成膜した。密着層はＡｕと絶
縁層のＳｉＯ2との密着力を高めるためである。Ａｕの
膜厚は８５ｎｍ、Ａｌの膜厚は１５ｎｍとした。接合条
件は、接合温度が３５０℃、接合時の印加電圧が３００
Ｖ、接合時間が３０分である。
【００３４】合金化のための熱処理は陽極接合する際の
加熱により行った。
加熱により行った。
【００３５】以上のように形成した画像形成装置は接合
後、高真空に排気することができた。
後、高真空に排気することができた。
【００３６】また導電体薄膜として以下の表１の組み合
わせについても同様の接合条件で陽極接合を行ったが、
いずれも安定に接合できた。
わせについても同様の接合条件で陽極接合を行ったが、
いずれも安定に接合できた。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、電子源基板と支持
枠との封着を陽極接合により行うことで、従来のフリッ
トガラスによる封着より低温での封着が可能となる。こ
れにより、電子源基板とフェースプレートの位置合わを
精度良く行うことができる。また、接合面積が大きい場
合にも安定に接合することができ、さらに雰囲気等に影
響されないため、製造装置も簡便になり、産業上有利で
ある。
枠との封着を陽極接合により行うことで、従来のフリッ
トガラスによる封着より低温での封着が可能となる。こ
れにより、電子源基板とフェースプレートの位置合わを
精度良く行うことができる。また、接合面積が大きい場
合にも安定に接合することができ、さらに雰囲気等に影
響されないため、製造装置も簡便になり、産業上有利で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の画像形成装置の１実施態様の構造を示
す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は
（ａ）を矢印方向から見た側面図である。
す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は
（ａ）を矢印方向から見た側面図である。
【図２】本発明の画像形成装置の製造方法の１実施態様
の手順を示す工程図である。
の手順を示す工程図である。
【図３】本発明の画像形成装置の１例の電子源基板の模
式的平面図である。
式的平面図である。
【図４】従来の画像形成装置の断面図である。
１０１ 電子源基板 １０２ 取り出し配線 １０３ 絶縁層 １０４ 導電体薄膜 １０５ 支持体 １０６ フリットガラス １０７ メタルバック １０８ 蛍光体 １０９ フェースプレート ３０１ 下配線 ３０２ 上配線 ３０３ 絶縁層 ３０４ 素子電極 ３０５ 導電性薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に表面伝導型電子放出素子
を複数配列した電子源基板；内壁面に蛍光体を設けたフ
ェースプレ−ト；ならびに電子源基板とフェースプレー
トを支持する支持枠とからなる画像形成装置において、
電子源基板と支持枠との封着が、電子源基板上に形成さ
れた導電体薄膜と支持枠との陽極接合による接合で行わ
れていることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】 前記導電体薄膜が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉお
よびＳｉから選択される１以上の元素と、Ａｕ、Ｐｔお
よびＣｕから選択される１以上の元素を含む請求項１記
載の画像形成装置。 - 【請求項３】 電子源基板上にＡｕ、ＰｔおよびＣｕか
ら選択される１以上の元素を含む第１の導電体薄膜を形
成する工程と；該薄膜上にＡｌ、Ｔｉ、ＮｉおよびＳｉ
から選択される１以上の元素を含む第２の導電体薄膜を
形成する工程と；電子源基板を加熱して、前記第１の薄
膜と前記第２の薄膜の合金薄膜を形成する工程と；該合
金薄膜と支持枠を陽極接合する工程を有することを特徴
とする画像形成装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006779A JPH09199065A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 画像形成装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006779A JPH09199065A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 画像形成装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199065A true JPH09199065A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11647671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8006779A Pending JPH09199065A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 画像形成装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199065A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310043A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-11-04 | Sharp Corp | 電子放出デバイス |
| JPH07122189A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Sony Corp | 電界放出型フラットディスプレイ装置の製法 |
| JPH07161299A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | Futaba Corp | 真空気密容器 |
| JPH07307260A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Canon Inc | 接合体及びその形成法 |
-
1996
- 1996-01-18 JP JP8006779A patent/JPH09199065A/ja active Pending
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