JPH07161567A - 電子部品の電極及びその製造方法 - Google Patents
電子部品の電極及びその製造方法Info
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- JPH07161567A JPH07161567A JP34154693A JP34154693A JPH07161567A JP H07161567 A JPH07161567 A JP H07161567A JP 34154693 A JP34154693 A JP 34154693A JP 34154693 A JP34154693 A JP 34154693A JP H07161567 A JPH07161567 A JP H07161567A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック等の基板表面に銀、パラジウム含
有銀の焼き付け等で形成された電極パターン上のみに無
電解ニッケルめっきにより良好な無電解ニッケルめっき
被膜を形成する。 【構成】 銀又はパラジウム含有銀ペーストを銀パター
ン印刷工程２で基板表面に設け、焼成工程３で焼成して
電極パターンを形成し、この電極パターンを酸性液処理
工程６で酸性液処理後に還元液処理工程８で還元液処理
し、その後、無電解ニッケルめっき工程９により無電解
ニッケルめっき被膜を前記電極パターン上に均一な膜厚
で形成する。
有銀の焼き付け等で形成された電極パターン上のみに無
電解ニッケルめっきにより良好な無電解ニッケルめっき
被膜を形成する。 【構成】 銀又はパラジウム含有銀ペーストを銀パター
ン印刷工程２で基板表面に設け、焼成工程３で焼成して
電極パターンを形成し、この電極パターンを酸性液処理
工程６で酸性液処理後に還元液処理工程８で還元液処理
し、その後、無電解ニッケルめっき工程９により無電解
ニッケルめっき被膜を前記電極パターン上に均一な膜厚
で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック等の基板表
面に形成される電子部品の電極及びその製造方法に関す
る。
面に形成される電子部品の電極及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＣ複合電子部品やセラミック多
層基板等のような基板表面に複数個の独立した微細電極
パターン［銀（Ａg）又はパラジウム（Ｐd）のうち少な
くとも１種類以上の組成ペーストを印刷、焼成により形
成したもの］を有する場合、はんだ付けにおける耐熱性
を確保するために、電気ニッケルめっき（Ｎi）を前記
微細電極パターン部分のみに施すことが行われている。
さらに、はんだ付着性を良くするために、通常は電気ニ
ッケルめっき後に電気錫（Ｓn）めっきを施し、その
後、洗浄、乾燥を行い製品とする。
層基板等のような基板表面に複数個の独立した微細電極
パターン［銀（Ａg）又はパラジウム（Ｐd）のうち少な
くとも１種類以上の組成ペーストを印刷、焼成により形
成したもの］を有する場合、はんだ付けにおける耐熱性
を確保するために、電気ニッケルめっき（Ｎi）を前記
微細電極パターン部分のみに施すことが行われている。
さらに、はんだ付着性を良くするために、通常は電気ニ
ッケルめっき後に電気錫（Ｓn）めっきを施し、その
後、洗浄、乾燥を行い製品とする。
【０００３】この種の電子部品の電極の製造方法の従来
例を図３に示す。まず、セラミック基板１（例えば縦７
mm×横１０mm×厚さ２mmの方形板）を受け入れて、銀パ
ターン印刷工程２で銀又はパラジウム含有銀ペースト
（Ａg又はＡg−Ｐd、ガラス、バインダー及び溶剤の混
合物）を用いて微細パターンをセラミック基板１の表面
に印刷する。印刷後、焼成工程３により９００℃で焼成
して銀又はパラジウム含有銀ペーストをセラミック基板
表面に焼き付けて微細電極パターンを形成する。それか
ら、オバーガラス印刷工程４でガラスペーストをセラミ
ック基板表面に印刷し（原則的には電極パターン部分を
よけて印刷するが電極パターンを部分的に覆う場合もあ
る）、焼成工程５により６００℃で焼成した後、水洗工
程１４でセラミック基板を水洗（洗浄）する。その後、
電気ニッケルめっき工程１５でワット浴にて６０分間電
気ニッケルめっきを前記微細電極パターン上に施して電
気ニッケルめっき被膜を形成し、水洗工程１０で水洗
（洗浄）する。それから、電気錫めっき工程１１で中性
錫浴にて電気錫めっき被膜（膜厚１〜１０μｍ）を前記
電気ニッケルめっき被膜上に形成し、水洗工程１２で水
洗（洗浄）した後、乾燥工程１３により１２０℃で１時
間乾燥処理を実行する。
例を図３に示す。まず、セラミック基板１（例えば縦７
mm×横１０mm×厚さ２mmの方形板）を受け入れて、銀パ
ターン印刷工程２で銀又はパラジウム含有銀ペースト
（Ａg又はＡg−Ｐd、ガラス、バインダー及び溶剤の混
合物）を用いて微細パターンをセラミック基板１の表面
に印刷する。印刷後、焼成工程３により９００℃で焼成
して銀又はパラジウム含有銀ペーストをセラミック基板
表面に焼き付けて微細電極パターンを形成する。それか
ら、オバーガラス印刷工程４でガラスペーストをセラミ
ック基板表面に印刷し（原則的には電極パターン部分を
よけて印刷するが電極パターンを部分的に覆う場合もあ
る）、焼成工程５により６００℃で焼成した後、水洗工
程１４でセラミック基板を水洗（洗浄）する。その後、
電気ニッケルめっき工程１５でワット浴にて６０分間電
気ニッケルめっきを前記微細電極パターン上に施して電
気ニッケルめっき被膜を形成し、水洗工程１０で水洗
（洗浄）する。それから、電気錫めっき工程１１で中性
錫浴にて電気錫めっき被膜（膜厚１〜１０μｍ）を前記
電気ニッケルめっき被膜上に形成し、水洗工程１２で水
洗（洗浄）した後、乾燥工程１３により１２０℃で１時
間乾燥処理を実行する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、電気
ニッケルめっき工程１５は、ワット浴で回転式バレルを
用い、微細電極パターンを形成後のセラミック基板をス
チール等の球状ビーズと混合状態にした後に通電すると
いう一般的な電気バレルめっき方法で実施されている。
このため、微細電極パターンが有するパターンの面積、
セラミック基板内の位置等により各パターン間でのニッ
ケル膜厚のばらつきが大きく（０.１〜２０μｍ程
度）、０.２μｍ未満のニッケル膜厚のパターン部分は
はんだ耐熱性が悪く、また膜厚が１０μｍより厚いパタ
ーン部分は電解めっき中にニッケルめっき膜が平面方向
に成長（めっき伸び現象）し易く、パターン間で短絡す
る危険性が高くなるという問題があった。
ニッケルめっき工程１５は、ワット浴で回転式バレルを
用い、微細電極パターンを形成後のセラミック基板をス
チール等の球状ビーズと混合状態にした後に通電すると
いう一般的な電気バレルめっき方法で実施されている。
このため、微細電極パターンが有するパターンの面積、
セラミック基板内の位置等により各パターン間でのニッ
ケル膜厚のばらつきが大きく（０.１〜２０μｍ程
度）、０.２μｍ未満のニッケル膜厚のパターン部分は
はんだ耐熱性が悪く、また膜厚が１０μｍより厚いパタ
ーン部分は電解めっき中にニッケルめっき膜が平面方向
に成長（めっき伸び現象）し易く、パターン間で短絡す
る危険性が高くなるという問題があった。
【０００５】また、無電解ニッケルめっきを用いようと
しても、通常の方法では微細電極パターン上にニッケル
が析出せず、塩化パラジウム溶液等の前処理法を用いた
場合、パターン部分以外にもニッケルが析出してしまう
問題があった。
しても、通常の方法では微細電極パターン上にニッケル
が析出せず、塩化パラジウム溶液等の前処理法を用いた
場合、パターン部分以外にもニッケルが析出してしまう
問題があった。
【０００６】本発明の第１の目的は、セラミック等の基
板上に銀、パラジウム含有銀の焼き付け等で形成された
電極パターン上のみに無電解ニッケルめっきにより良好
な無電解ニッケルめっき被膜を形成した電子部品の電極
及びその製造方法を提供することにある。
板上に銀、パラジウム含有銀の焼き付け等で形成された
電極パターン上のみに無電解ニッケルめっきにより良好
な無電解ニッケルめっき被膜を形成した電子部品の電極
及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】また、本発明の第２の目的は、セラミック
等の基板上に銀、パラジウム含有銀の焼き付け等で形成
された電極パターンの前処理を適切に実行することによ
り、その電極パターン上のみに無電解ニッケルめっきに
より良好な無電解ニッケルめっき被膜を形成するための
電子部品の電極の製造方法を提供することにある。
等の基板上に銀、パラジウム含有銀の焼き付け等で形成
された電極パターンの前処理を適切に実行することによ
り、その電極パターン上のみに無電解ニッケルめっきに
より良好な無電解ニッケルめっき被膜を形成するための
電子部品の電極の製造方法を提供することにある。
【０００８】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施例において明らかにする。
の実施例において明らかにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品の電極は、基板表面に形成された
銀又はパラジウムの少なくともいずれかを含む電極パタ
ーンと、該電極パターン上に形成された無電解ニッケル
めっき被膜とを有する構成となっている。
に、本発明の電子部品の電極は、基板表面に形成された
銀又はパラジウムの少なくともいずれかを含む電極パタ
ーンと、該電極パターン上に形成された無電解ニッケル
めっき被膜とを有する構成となっている。
【００１０】また、前記無電解ニッケルめっき被膜上に
錫又ははんだめっき被膜を形成してもよい。
錫又ははんだめっき被膜を形成してもよい。
【００１１】さらに、前記無電解ニッケルめっき被膜は
ニッケル以外にホウ素又はリンの少なくともいずれかを
重量比で０.１〜１５％含有していても差し支えない。
ニッケル以外にホウ素又はリンの少なくともいずれかを
重量比で０.１〜１５％含有していても差し支えない。
【００１２】本発明に係る電子部品の電極の製造方法
は、銀又はパラジウムの少なくともいずれかを含む導体
ペーストを基板表面に設けて焼成して電極パターンを形
成する工程と、前記基板表面の前記電極パターンを酸性
液処理した後に還元液処理し、その後、無電解ニッケル
めっきにより無電解ニッケルめっき被膜を前記電極パタ
ーン上に形成する工程とを備えることを特徴としてい
る。
は、銀又はパラジウムの少なくともいずれかを含む導体
ペーストを基板表面に設けて焼成して電極パターンを形
成する工程と、前記基板表面の前記電極パターンを酸性
液処理した後に還元液処理し、その後、無電解ニッケル
めっきにより無電解ニッケルめっき被膜を前記電極パタ
ーン上に形成する工程とを備えることを特徴としてい
る。
【００１３】前記酸性液処理で用いる酸性液は、塩酸、
硫酸、硝酸、スルファミン酸のうち少なくとも１種類を
含むもの（水溶液）とし、前記還元液処理で用いる還元
液は、次亜リン酸、ジメチルアンミンボラン（ＤＭＡ
Ｂ）、ホルマリン、ヒドラジンのうち少なくとも１種類
を含むもの（水溶液）としてもよい。
硫酸、硝酸、スルファミン酸のうち少なくとも１種類を
含むもの（水溶液）とし、前記還元液処理で用いる還元
液は、次亜リン酸、ジメチルアンミンボラン（ＤＭＡ
Ｂ）、ホルマリン、ヒドラジンのうち少なくとも１種類
を含むもの（水溶液）としてもよい。
【００１４】
【作用】本発明においては、基板表面に形成された銀又
はパラジウムの少なくともいずれかを含む電極パターン
上に、無電解ニッケルめっきによって膜厚のばらつきの
小さい良好な無電解ニッケルめっき被膜を形成すること
ができる。換言すれば、パターン間の膜厚のばらつきを
非常に小さくでき、はんだ耐熱性（はんだ付け時のパタ
ーンの劣化防止）についての信頼性を向上させることが
できる。
はパラジウムの少なくともいずれかを含む電極パターン
上に、無電解ニッケルめっきによって膜厚のばらつきの
小さい良好な無電解ニッケルめっき被膜を形成すること
ができる。換言すれば、パターン間の膜厚のばらつきを
非常に小さくでき、はんだ耐熱性（はんだ付け時のパタ
ーンの劣化防止）についての信頼性を向上させることが
できる。
【００１５】また、ニッケルめっき被膜の膜厚を均一化
することで、微細な電極パターンであってもパターン間
の短絡の危険性を無くすことができる。
することで、微細な電極パターンであってもパターン間
の短絡の危険性を無くすことができる。
【００１６】さらに、無電解ニッケルめっき工程を採用
することで、従来の電気ニッケルめっき工程に比べ、ニ
ッケルめっきに要する時間が１／１０程度に短縮でき、
工程の能力向上を図ることができる。
することで、従来の電気ニッケルめっき工程に比べ、ニ
ッケルめっきに要する時間が１／１０程度に短縮でき、
工程の能力向上を図ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明に係る電子部品の電極及びその
製造方法の実施例を図面に従って説明する。
製造方法の実施例を図面に従って説明する。
【００１８】図１及び図２を用いて本発明の実施例を説
明する。まず、セラミック基板１（例えば縦７mm×横１
０mm×厚さ２mmの方形板）を受け入れて、銀パターン印
刷工程２で銀又はパラジウム含有銀ペースト（Ａg又は
Ａg−Ｐd、ガラス、バインダー及び溶剤の混合物）を用
いて微細パターンをセラミック基板１の表面に印刷す
る。印刷後、焼成工程３により９００℃で焼成して銀又
はパラジウム含有銀ペーストをセラミック基板表面に焼
き付けて図２のように微細電極パターン２１をセラミッ
ク基板１上に形成する。それから、オバーガラス印刷工
程４でガラスペーストをセラミック基板表面に印刷し、
焼成工程５により６００℃で焼成する。ここまでの工程
は、図３の従来例と同様である。
明する。まず、セラミック基板１（例えば縦７mm×横１
０mm×厚さ２mmの方形板）を受け入れて、銀パターン印
刷工程２で銀又はパラジウム含有銀ペースト（Ａg又は
Ａg−Ｐd、ガラス、バインダー及び溶剤の混合物）を用
いて微細パターンをセラミック基板１の表面に印刷す
る。印刷後、焼成工程３により９００℃で焼成して銀又
はパラジウム含有銀ペーストをセラミック基板表面に焼
き付けて図２のように微細電極パターン２１をセラミッ
ク基板１上に形成する。それから、オバーガラス印刷工
程４でガラスペーストをセラミック基板表面に印刷し、
焼成工程５により６００℃で焼成する。ここまでの工程
は、図３の従来例と同様である。
【００１９】その後、無電解ニッケルめっきの前処理工
程として、酸性液処理工程６を実施する。すなわち、焼
成工程５を終了した微細電極パターン２１を形成後のセ
ラミック基板１を３０℃で５％濃度の塩酸（ＨＣl）中
に１分間浸漬する。この酸性液処理工程６では電極パタ
ーン２１の強度を低下させないように酸性液の濃度及び
浸漬時間を設定する。酸性液処理工程６を終了したセラ
ミック基板は水洗工程７で水洗（洗浄）される。
程として、酸性液処理工程６を実施する。すなわち、焼
成工程５を終了した微細電極パターン２１を形成後のセ
ラミック基板１を３０℃で５％濃度の塩酸（ＨＣl）中
に１分間浸漬する。この酸性液処理工程６では電極パタ
ーン２１の強度を低下させないように酸性液の濃度及び
浸漬時間を設定する。酸性液処理工程６を終了したセラ
ミック基板は水洗工程７で水洗（洗浄）される。
【００２０】それから、無電解ニッケルめっきのもう１
つの前処理工程として、還元液処理工程８を実施する。
すなわち、微細電極パターン２１を有するセラミック基
板１を３０℃で２０％濃度のＤＭＡＢ（ジメチルアンミ
ンボラン）水溶液中に１分間浸漬する。
つの前処理工程として、還元液処理工程８を実施する。
すなわち、微細電極パターン２１を有するセラミック基
板１を３０℃で２０％濃度のＤＭＡＢ（ジメチルアンミ
ンボラン）水溶液中に１分間浸漬する。
【００２１】その後、無電解ニッケルめっき工程９を実
行する。すなわち、ニッケル（Ｎi）−ホウ素（Ｂ）の
二元合金めっき浴を用いて、６０℃で５分間、無電解め
っきを実行し、図２のように微細電極パターン２１上
に、ニッケル以外にホウ素を重量比で０.１〜１５％含
有する無電解ニッケルめっき被膜２２を１μｍ形成す
る。無電解ニッケルめっき工程９を終了したセラミック
基板は水洗工程１０で水洗（洗浄）される。
行する。すなわち、ニッケル（Ｎi）−ホウ素（Ｂ）の
二元合金めっき浴を用いて、６０℃で５分間、無電解め
っきを実行し、図２のように微細電極パターン２１上
に、ニッケル以外にホウ素を重量比で０.１〜１５％含
有する無電解ニッケルめっき被膜２２を１μｍ形成す
る。無電解ニッケルめっき工程９を終了したセラミック
基板は水洗工程１０で水洗（洗浄）される。
【００２２】以後の工程は図３の従来例と同様であり、
図２のように、電気錫めっき工程１１で中性錫浴にて厚
み１〜１０μｍの電気錫めっき被膜２３を前記無電解ニ
ッケルめっき被膜２２上に形成し、水洗工程１２で水洗
（洗浄）した後、乾燥工程１３により１２０℃で１時間
乾燥処理を実行することで製品が得られる。
図２のように、電気錫めっき工程１１で中性錫浴にて厚
み１〜１０μｍの電気錫めっき被膜２３を前記無電解ニ
ッケルめっき被膜２２上に形成し、水洗工程１２で水洗
（洗浄）した後、乾燥工程１３により１２０℃で１時間
乾燥処理を実行することで製品が得られる。
【００２３】この場合、得られた製品（但し、電気錫め
っき膜厚３〜５μｍ）の１×２mm形状のパターン部分に
直径０.５mmのリード線をはんだ付けし、垂直方向引張
強度を複数回測定した平均値は５.０ｋｇ／２mm2であっ
た。これは、電気ニッケルめっき試料（同様に電気錫め
っきを施したもの）のはんだ付け強度の平均値５.２ｋ
ｇ／２mm2と比較しても遜色の無い結果である。
っき膜厚３〜５μｍ）の１×２mm形状のパターン部分に
直径０.５mmのリード線をはんだ付けし、垂直方向引張
強度を複数回測定した平均値は５.０ｋｇ／２mm2であっ
た。これは、電気ニッケルめっき試料（同様に電気錫め
っきを施したもの）のはんだ付け強度の平均値５.２ｋ
ｇ／２mm2と比較しても遜色の無い結果である。
【００２４】上記実施例では、酸性液処理工程６で用い
る酸性液として塩酸を例示したが、酸性液は、塩酸、硫
酸、硝酸、スルファミン酸のうち少なくとも１種類を含
む水溶液を使用可能であり、異なる酸性液を用いて酸性
液処理工程を複数回繰り返すことも可能である。また、
還元液処理工程８で用いる還元液としてＤＭＡＢ（ジメ
チルアンミンボラン）を水に溶解したものを例示した
が、還元液は、次亜リン酸、ジメチルアンミンボラン、
ホルマリン、ヒドラジンのうち少なくとも１種類を水に
溶解した水溶液が使用可能であり、異なる還元液を用い
て還元液処理工程を複数回繰り返すことも可能である。
酸性液や還元液の濃度、処理温度、処理時間は電極パタ
ーン２１の強度を低下させない範囲内で適宜変更するこ
ともできる。
る酸性液として塩酸を例示したが、酸性液は、塩酸、硫
酸、硝酸、スルファミン酸のうち少なくとも１種類を含
む水溶液を使用可能であり、異なる酸性液を用いて酸性
液処理工程を複数回繰り返すことも可能である。また、
還元液処理工程８で用いる還元液としてＤＭＡＢ（ジメ
チルアンミンボラン）を水に溶解したものを例示した
が、還元液は、次亜リン酸、ジメチルアンミンボラン、
ホルマリン、ヒドラジンのうち少なくとも１種類を水に
溶解した水溶液が使用可能であり、異なる還元液を用い
て還元液処理工程を複数回繰り返すことも可能である。
酸性液や還元液の濃度、処理温度、処理時間は電極パタ
ーン２１の強度を低下させない範囲内で適宜変更するこ
ともできる。
【００２５】さらに、上記実施例では、無電解ニッケル
めっき工程９において、無電解ニッケルめっきをニッケ
ル−ホウ素の二元合金めっき浴を用いて実行すること
で、ホウ素を重量比で０.１〜１５％含有する無電解ニ
ッケルめっき被膜２２が得られたが、ニッケル（Ｎi）
−リン（Ｐ）の二元合金めっき浴を用いて無電解ニッケ
ルめっきを施すことによりリンを重量比で０.１〜１５
％含有する無電解ニッケルめっき被膜２２を形成しても
よい。また、ニッケル−ホウ素の二元合金めっき浴を用
いた無電解ニッケルめっきと、ニッケル−リンの二元合
金めっき浴を用いた無電解ニッケルめっきとを組み合わ
せて（複数回ニッケルめっきを行って）ホウ素及びリン
をそれぞれ重量比で０.１〜１５％含有する無電解ニッ
ケルめっき被膜２２を形成するようにしてもよい。な
お、無電解ニッケルめっきにおいて、ニッケル−ホウ素
又はニッケル−リンの二元合金めっき浴を用いた場合、
ホウ素又はリンが０．１％以上含有されるが、ホウ素又
はリンが１５％より多い場合は得られるニッケルめっき
被膜２２の特性（導電性等）が劣化するので好ましくな
い。前記無電解ニッケルめっき被膜２２は、１μｍの場
合を例示したが、０.２μｍ以上で１０μｍ以下の範囲
の適切な膜厚に設定すればよい。なお、０.２μｍ未満
でははんだ耐熱性が悪化し、１０μｍより厚いと微細パ
ターンの場合に短絡の可能性がでてきて好ましくない。
めっき工程９において、無電解ニッケルめっきをニッケ
ル−ホウ素の二元合金めっき浴を用いて実行すること
で、ホウ素を重量比で０.１〜１５％含有する無電解ニ
ッケルめっき被膜２２が得られたが、ニッケル（Ｎi）
−リン（Ｐ）の二元合金めっき浴を用いて無電解ニッケ
ルめっきを施すことによりリンを重量比で０.１〜１５
％含有する無電解ニッケルめっき被膜２２を形成しても
よい。また、ニッケル−ホウ素の二元合金めっき浴を用
いた無電解ニッケルめっきと、ニッケル−リンの二元合
金めっき浴を用いた無電解ニッケルめっきとを組み合わ
せて（複数回ニッケルめっきを行って）ホウ素及びリン
をそれぞれ重量比で０.１〜１５％含有する無電解ニッ
ケルめっき被膜２２を形成するようにしてもよい。な
お、無電解ニッケルめっきにおいて、ニッケル−ホウ素
又はニッケル−リンの二元合金めっき浴を用いた場合、
ホウ素又はリンが０．１％以上含有されるが、ホウ素又
はリンが１５％より多い場合は得られるニッケルめっき
被膜２２の特性（導電性等）が劣化するので好ましくな
い。前記無電解ニッケルめっき被膜２２は、１μｍの場
合を例示したが、０.２μｍ以上で１０μｍ以下の範囲
の適切な膜厚に設定すればよい。なお、０.２μｍ未満
でははんだ耐熱性が悪化し、１０μｍより厚いと微細パ
ターンの場合に短絡の可能性がでてきて好ましくない。
【００２６】なお、無電解ニッケルめっき処理工程９に
おいて、ホウ素を含有する無電解ニッケルめっきを実行
する場合、還元液処理工程８で用いる還元液としてＤＭ
ＡＢ水溶液がとくに望ましく、リンを含有する無電解ニ
ッケルめっきを実行する場合は還元液として次亜リン酸
水溶液がとくに望ましい。
おいて、ホウ素を含有する無電解ニッケルめっきを実行
する場合、還元液処理工程８で用いる還元液としてＤＭ
ＡＢ水溶液がとくに望ましく、リンを含有する無電解ニ
ッケルめっきを実行する場合は還元液として次亜リン酸
水溶液がとくに望ましい。
【００２７】以下の表１は、無電解ニッケルめっき工程
９の前段階で実施する前処理の有無とニッケルめっき種
類、ニッケルめっき析出性及びはんだ付け強度との関係
を示すものである。
９の前段階で実施する前処理の有無とニッケルめっき種
類、ニッケルめっき析出性及びはんだ付け強度との関係
を示すものである。
【００２８】
【表１】 （但し、還元液処理の時間は全て３０秒〜１分であ
る。）この表１から、前処理を全く行わない試料Ｎｏ.
１は、セラミック基板表面に形成された微細電極パター
ン上にＮi−Ｂが析出せず、同様に酸性液処理と還元液
処理の一方のみしか実行しない試料Ｎｏ.２，３の場合
も微細電極パターン上にＮi−Ｂが析出しないことが判
る。また、本発明の実施例にて説明したように、酸性液
処理と還元液処理の両方を実行した試料Ｎｏ.４〜９の
場合には、Ｎi−Ｂ又はＮi−Ｐを微細電極パターン上の
みに良好に析出させることができ、めっき時間を適切に
設定することで１〜１.５μｍのニッケルめっき膜厚が
得られた。はんだ付け強度（ｋｇ／２mm2）は、無電解
ニッケルめっき後に３〜５μｍの電気錫めっきを施した
試料の１×２mm形状のパターン部分に直径０.５mmのリ
ード線をはんだ付けし、垂直方向引張強度を複数回測定
した平均値である。なお、電気ニッケルめっき試料（同
様に電気錫めっきを施したもの）のはんだ付け強度の平
均値は５.２ｋｇ／２mm2である。これらのことから、試
料Ｎｏ.４〜９のうち試料Ｎｏ.５を除いて電気ニッケル
めっきの場合に比して実質的に遜色のないはんだ付け強
度が得られていることが判る。試料Ｎｏ.５のはんだ付
け強度の低下は、酸性液としての塩酸の濃度が濃すぎた
ことに原因があるものと推察される。
る。）この表１から、前処理を全く行わない試料Ｎｏ.
１は、セラミック基板表面に形成された微細電極パター
ン上にＮi−Ｂが析出せず、同様に酸性液処理と還元液
処理の一方のみしか実行しない試料Ｎｏ.２，３の場合
も微細電極パターン上にＮi−Ｂが析出しないことが判
る。また、本発明の実施例にて説明したように、酸性液
処理と還元液処理の両方を実行した試料Ｎｏ.４〜９の
場合には、Ｎi−Ｂ又はＮi−Ｐを微細電極パターン上の
みに良好に析出させることができ、めっき時間を適切に
設定することで１〜１.５μｍのニッケルめっき膜厚が
得られた。はんだ付け強度（ｋｇ／２mm2）は、無電解
ニッケルめっき後に３〜５μｍの電気錫めっきを施した
試料の１×２mm形状のパターン部分に直径０.５mmのリ
ード線をはんだ付けし、垂直方向引張強度を複数回測定
した平均値である。なお、電気ニッケルめっき試料（同
様に電気錫めっきを施したもの）のはんだ付け強度の平
均値は５.２ｋｇ／２mm2である。これらのことから、試
料Ｎｏ.４〜９のうち試料Ｎｏ.５を除いて電気ニッケル
めっきの場合に比して実質的に遜色のないはんだ付け強
度が得られていることが判る。試料Ｎｏ.５のはんだ付
け強度の低下は、酸性液としての塩酸の濃度が濃すぎた
ことに原因があるものと推察される。
【００２９】以上の実施例及び表１の結果から明らかな
ように、無電解ニッケルめっきの前処理として、セラミ
ック基板上に印刷、焼き付けられた微細電極パターンの
強度を損なわないように酸性液処理と還元液処理の両方
を実行することで、膜厚が均一でかつはんだ付け強度が
良好な無電解ニッケルめっき被膜を前記微細電極パター
ン上のみに析出させ、形成できる。このため、微細パタ
ーンであっても、パターン間短絡の危険性がなくなる。
また、従来の電気ニツケルめっき工程に要する時間に比
べ、所要時間を１／１０程度に短縮でき、工程の能力増
強が可能である。
ように、無電解ニッケルめっきの前処理として、セラミ
ック基板上に印刷、焼き付けられた微細電極パターンの
強度を損なわないように酸性液処理と還元液処理の両方
を実行することで、膜厚が均一でかつはんだ付け強度が
良好な無電解ニッケルめっき被膜を前記微細電極パター
ン上のみに析出させ、形成できる。このため、微細パタ
ーンであっても、パターン間短絡の危険性がなくなる。
また、従来の電気ニツケルめっき工程に要する時間に比
べ、所要時間を１／１０程度に短縮でき、工程の能力増
強が可能である。
【００３０】なお、上記実施例では、電気錫めっき工程
１１で無電解ニッケルめっき後に電気錫めっきで電気錫
めっき被膜２３を形成するが、はんだ付着性を良好とす
るために電気錫めっきの代わりに電気はんだ（Ｐb−Ｓ
n）めっきによる電気はんだめっき被膜を形成するよう
にしても差し支えない。電気錫めっき又は電気はんだめ
っきの場合のめっき膜厚は、はんだ付け時のはんだ濡れ
性を確保するために前記無電解ニッケルめっき被膜２２
よりも通常大きく、数μｍ程度である。電気錫めっき又
ははんだめっき被膜が１０μｍ以上では微細パターンの
場合にパターン短絡の恐れがでてくるので望ましくな
い。
１１で無電解ニッケルめっき後に電気錫めっきで電気錫
めっき被膜２３を形成するが、はんだ付着性を良好とす
るために電気錫めっきの代わりに電気はんだ（Ｐb−Ｓ
n）めっきによる電気はんだめっき被膜を形成するよう
にしても差し支えない。電気錫めっき又は電気はんだめ
っきの場合のめっき膜厚は、はんだ付け時のはんだ濡れ
性を確保するために前記無電解ニッケルめっき被膜２２
よりも通常大きく、数μｍ程度である。電気錫めっき又
ははんだめっき被膜が１０μｍ以上では微細パターンの
場合にパターン短絡の恐れがでてくるので望ましくな
い。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板表面に形成された銀又はパラジウムの少なくともい
ずれかを含む電極パターン上に、無電解ニッケルめっき
によって膜厚のばらつきの小さい良好な無電解ニッケル
めっき被膜を形成することができ、パターン間の膜厚の
ばらつきを小さくして、はんだ耐熱性についての信頼性
の向上を図ることができる。また、無電解ニッケルめっ
き被膜の膜厚を均一化することで、微細な電極パターン
が基板表面に形成されている場合であってもパターン間
の短絡の危険性を無くすことができる。さらに、無電解
ニッケルめっき工程を採用することで、従来の電気ニッ
ケルめっき工程に比べ、ニッケルめっきに要する時間を
短縮でき、工程の能力向上を図ることができる。
基板表面に形成された銀又はパラジウムの少なくともい
ずれかを含む電極パターン上に、無電解ニッケルめっき
によって膜厚のばらつきの小さい良好な無電解ニッケル
めっき被膜を形成することができ、パターン間の膜厚の
ばらつきを小さくして、はんだ耐熱性についての信頼性
の向上を図ることができる。また、無電解ニッケルめっ
き被膜の膜厚を均一化することで、微細な電極パターン
が基板表面に形成されている場合であってもパターン間
の短絡の危険性を無くすことができる。さらに、無電解
ニッケルめっき工程を採用することで、従来の電気ニッ
ケルめっき工程に比べ、ニッケルめっきに要する時間を
短縮でき、工程の能力向上を図ることができる。
【図１】本発明に係る電子部品の電極及びその製造方法
の実施例を示す工程図である。
の実施例を示す工程図である。
【図２】実施例における基板、電極パターン及び被膜を
示す拡大断面図である。
示す拡大断面図である。
【図３】従来例の工程図である。
１ セラミック基板 ６ 酸性液処理工程 ８ 還元液処理工程 ９ 無電解ニッケルめっき工程 １１ 電気錫めっき工程 ２１ 微細電極パターン ２２ 無電解ニッケルめっき被膜 ２３ 電気錫めっき被膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｃ 6921−4Ｅ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板表面に形成された銀又はパラジウム
の少なくともいずれかを含む電極パターンと、該電極パ
ターン上に形成された無電解ニッケルめっき被膜とを有
することを特徴とする電子部品の電極。 - 【請求項２】 前記無電解ニッケルめっき被膜上に錫又
ははんだめっき被膜を形成した請求項１記載の電子部品
の電極。 - 【請求項３】 前記無電解ニッケルめっき被膜はニッケ
ル以外にホウ素又はリンの少なくともいずれかを重量比
で０.１〜１５％含有する請求項１又は２記載の電子部
品の電極。 - 【請求項４】 銀又はパラジウムの少なくともいずれか
を含む導体ペーストを基板表面に設けて焼成して電極パ
ターンを形成する工程と、 前記基板表面の前記電極パターンを酸性液処理した後に
還元液処理し、その後、無電解ニッケルめっきにより無
電解ニッケルめっき被膜を前記電極パターン上に形成す
る工程とを備えることを特徴とする電子部品の電極の製
造方法。 - 【請求項５】 前記無電解ニッケルめっき被膜上に、錫
又ははんだの電気めっきにより錫又ははんだめっき被膜
を形成した請求項４記載の電子部品の電極の製造方法。 - 【請求項６】 前記無電解ニッケルめっきにより、ニッ
ケル以外にホウ素又はリンの少なくともいずれかを重量
比で０.１〜１５％含有する無電解ニッケルめっき被膜
を形成する請求項４又は５記載の電子部品の電極の製造
方法。 - 【請求項７】 前記酸性液処理で用いる酸性液が、塩
酸、硫酸、硝酸、スルファミン酸のうち少なくとも１種
類を含むものであり、前記還元液処理で用いる還元液
が、次亜リン酸、ジメチルアンミンボラン、ホルマリ
ン、ヒドラジンのうち少なくとも１種類を含むものであ
る請求項４，５又は６記載の電子部品の電極の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34154693A JPH07161567A (ja) | 1993-12-11 | 1993-12-11 | 電子部品の電極及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34154693A JPH07161567A (ja) | 1993-12-11 | 1993-12-11 | 電子部品の電極及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161567A true JPH07161567A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18346911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34154693A Pending JPH07161567A (ja) | 1993-12-11 | 1993-12-11 | 電子部品の電極及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161567A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239852A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-05 | Hideo Honma | 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤 |
| US6780456B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-08-24 | Murata Manufactruing Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic part, electronic part and electroless plating method |
| WO2018135325A1 (ja) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 富士通株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法及び電子装置 |
-
1993
- 1993-12-11 JP JP34154693A patent/JPH07161567A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239852A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-05 | Hideo Honma | 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤 |
| US6780456B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-08-24 | Murata Manufactruing Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic part, electronic part and electroless plating method |
| WO2018135325A1 (ja) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 富士通株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法及び電子装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020219 |