JPH07162017A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JPH07162017A JPH07162017A JP30825093A JP30825093A JPH07162017A JP H07162017 A JPH07162017 A JP H07162017A JP 30825093 A JP30825093 A JP 30825093A JP 30825093 A JP30825093 A JP 30825093A JP H07162017 A JPH07162017 A JP H07162017A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 四極法による電気化学エッチングの際に生じ
るエッチングむらを除去する 【構成】 重り領域６と固定部５上にトレンチ１０を形
成し、その後トレンチ１０に拡散領域１を形成し、配線
９を設けてウエハ表面から重り領域６と固定部５の導通
をとることによって、重り領域６の電位を独立に設定で
きるので、重り領域６が周囲から絶縁されても電気化学
エッチング中に重り部に所定のバイアス電圧を印加しな
がらエッチングすることができる。
るエッチングむらを除去する 【構成】 重り領域６と固定部５上にトレンチ１０を形
成し、その後トレンチ１０に拡散領域１を形成し、配線
９を設けてウエハ表面から重り領域６と固定部５の導通
をとることによって、重り領域６の電位を独立に設定で
きるので、重り領域６が周囲から絶縁されても電気化学
エッチング中に重り部に所定のバイアス電圧を印加しな
がらエッチングすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度を検出する半導
体の製造方法に関するものである。
体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン異方性エッチング技術による加
速度センサにおいて、加速度の大きさによって変位する
重りをささえる梁部分の厚さの精度がその感度を決定
し、梁部分の厚さのばらつきがセンサ特性のばらつきと
なってしまうということが分かっている。そこで、梁厚
を決定する手段として、１９８７年の”国際会議トラン
スデューサー８７（ＴＲＡＮＳＤＵＳＥＲＳ’８７）”
の１１６頁から１１９頁に記載されたビー・クラック
（Ｂ．Ｋｌｏｅｃｋ）等による論文”シリコン薄膜形成
のための４極電気化学エッチング法（Ａ Ｎｏｖｅｌ
Ｆｏｕｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈ−ｓｔｏｐ Ｍｅｔｈｏｄｅ ｆ
ｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｆｏｒｍａ
ｔｉｏｎ）”で紹介された４極法と呼ばれる陽極酸化エ
ッチング（電気化学エッチング）法が知られている。こ
の方法はｐ型基板上にｎ型シリコンをエピタキシャル成
長した基板を用い、図４に示した様にｐ型シリコンで構
成される固定部５とｎ型エピタキシャル層２に逆バイア
スをかけながらエッチング液中でエッチングを行なう手
法である。この方法を用いるとｐ型シリコン側から異方
性エッチングがすすみ、ｐｎ接合面で自動的にエッチン
グを停止させることが出来る。従ってエピタキシャル層
の厚さをあらかじめ決めることで、梁の厚さを少ないば
らつきで決定することができる。
速度センサにおいて、加速度の大きさによって変位する
重りをささえる梁部分の厚さの精度がその感度を決定
し、梁部分の厚さのばらつきがセンサ特性のばらつきと
なってしまうということが分かっている。そこで、梁厚
を決定する手段として、１９８７年の”国際会議トラン
スデューサー８７（ＴＲＡＮＳＤＵＳＥＲＳ’８７）”
の１１６頁から１１９頁に記載されたビー・クラック
（Ｂ．Ｋｌｏｅｃｋ）等による論文”シリコン薄膜形成
のための４極電気化学エッチング法（Ａ Ｎｏｖｅｌ
Ｆｏｕｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈ−ｓｔｏｐ Ｍｅｔｈｏｄｅ ｆ
ｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｆｏｒｍａ
ｔｉｏｎ）”で紹介された４極法と呼ばれる陽極酸化エ
ッチング（電気化学エッチング）法が知られている。こ
の方法はｐ型基板上にｎ型シリコンをエピタキシャル成
長した基板を用い、図４に示した様にｐ型シリコンで構
成される固定部５とｎ型エピタキシャル層２に逆バイア
スをかけながらエッチング液中でエッチングを行なう手
法である。この方法を用いるとｐ型シリコン側から異方
性エッチングがすすみ、ｐｎ接合面で自動的にエッチン
グを停止させることが出来る。従ってエピタキシャル層
の厚さをあらかじめ決めることで、梁の厚さを少ないば
らつきで決定することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
エッチング方法ではシリコン異方性エッチングの際に、
重り領域６周囲のエッチングの進行によって、重り領域
６が電気的に切り放され、所定の逆バイアス電圧がかか
らない状態が生じる。これによって、エッチングのむら
が生じ、梁厚が不均一になるという問題がある。
エッチング方法ではシリコン異方性エッチングの際に、
重り領域６周囲のエッチングの進行によって、重り領域
６が電気的に切り放され、所定の逆バイアス電圧がかか
らない状態が生じる。これによって、エッチングのむら
が生じ、梁厚が不均一になるという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、常にエッチングのむらの
ない半導体加速度センサを製造する方法を提供すること
である。
ない半導体加速度センサを製造する方法を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、二種類以上の
導電性を有する積層構造からなる半導体加速度センサに
おいて、第二の導電性領域で構成される重り領域に電圧
を印加しながら梁を形成することを特徴とし、その印加
電圧のために第一の導電性領域を介して重り領域に導通
領域を設けることを特徴とする。導通領域としてはトレ
ンチ構造と拡散領域の少なくとも一つを設けることを特
徴とする。
導電性を有する積層構造からなる半導体加速度センサに
おいて、第二の導電性領域で構成される重り領域に電圧
を印加しながら梁を形成することを特徴とし、その印加
電圧のために第一の導電性領域を介して重り領域に導通
領域を設けることを特徴とする。導通領域としてはトレ
ンチ構造と拡散領域の少なくとも一つを設けることを特
徴とする。
【０００６】表面から重り領域の導通をとる前記構造に
よって、重り領域の電位を独立に設定できるので、重り
領域が周囲から絶縁されても電気化学エッチング中に重
り部に所定のバイアス電圧を印加できる。
よって、重り領域の電位を独立に設定できるので、重り
領域が周囲から絶縁されても電気化学エッチング中に重
り部に所定のバイアス電圧を印加できる。
【０００７】
【実施例】（実施例１）図１に本発明の半導体加速度セ
ンサの断面図を示す。本発明は重り領域６と固定部５上
に、シリコンエッチング技術によってトレンチ７、８を
形成し、その後トレンチ７、８に拡散を行い拡散領域１
および拡散領域９が重り領域６と固定部５にそれぞれ接
触するように形成することに特徴がある。なおトレンチ
７、８の深さは、拡散領域１が重り領域６と固定部５に
接触できる深さであればよいので必ずしもエピ層２を貫
通しなくてもよい。
ンサの断面図を示す。本発明は重り領域６と固定部５上
に、シリコンエッチング技術によってトレンチ７、８を
形成し、その後トレンチ７、８に拡散を行い拡散領域１
および拡散領域９が重り領域６と固定部５にそれぞれ接
触するように形成することに特徴がある。なおトレンチ
７、８の深さは、拡散領域１が重り領域６と固定部５に
接触できる深さであればよいので必ずしもエピ層２を貫
通しなくてもよい。
【０００８】この様な構造を形成することにより、ウエ
ハ表面から重り領域６と固定部５の導通をとることが可
能になるので、固定部５から重り領域６にかけて配線３
を設ける事により重り領域６がシリコン異方性エッチン
グによって固定部５から孤立しても重り領域６と固定部
５を電気的に接続し続ける事が可能になる。この結果、
固定部５に所定のバイアス電圧を印加する事によりエッ
チングのむらを除去する事が可能になる。
ハ表面から重り領域６と固定部５の導通をとることが可
能になるので、固定部５から重り領域６にかけて配線３
を設ける事により重り領域６がシリコン異方性エッチン
グによって固定部５から孤立しても重り領域６と固定部
５を電気的に接続し続ける事が可能になる。この結果、
固定部５に所定のバイアス電圧を印加する事によりエッ
チングのむらを除去する事が可能になる。
【０００９】（実施例２）図２に第二の実施例を示し
た。重り領域に対して表面から導通をとるために、拡散
領域１が重り領域と接触する深さまで形成されている。
図３も同様に重り領域６に対して表面から導通をとるた
めに、トレンチ７が重り領域６到達する深さまで形成さ
れている。
た。重り領域に対して表面から導通をとるために、拡散
領域１が重り領域と接触する深さまで形成されている。
図３も同様に重り領域６に対して表面から導通をとるた
めに、トレンチ７が重り領域６到達する深さまで形成さ
れている。
【００１０】図３は本発明の別な実施例を表わしてお
り、表面から重り領域６の導通をとるための構造として
トレンチ７もしくは拡散領域１が形成されている。
り、表面から重り領域６の導通をとるための構造として
トレンチ７もしくは拡散領域１が形成されている。
【００１１】
【発明の効果】本発明の様に、電気化学エッチングの際
に重り領域６をバイアスする事によって、エッチングむ
らが除去され、梁を均一に形成することが可能になる。
また、重り領域に所定の電圧を印加する事によって重り
領域をより正確に形成することも可能になる。
に重り領域６をバイアスする事によって、エッチングむ
らが除去され、梁を均一に形成することが可能になる。
また、重り領域に所定の電圧を印加する事によって重り
領域をより正確に形成することも可能になる。
【図１】第一の発明の半導体加速度センサの断面図であ
る。
る。
【図２】第二の発明の半導体加速度センサの断面図であ
る。
る。
【図３】第三の発明の半導体加速度センサの断面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体加速度センサの断面図である。
１ 拡散領域 ２ エピタキシャル層 ３ 配線 ４ 梁（エピタキシャル層） ５ 固定部（ウエハ基板） ６ 重り（ウエハ基板） ７ トレンチ ８ トレンチ ９ 拡散領域 １０ 絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 二種類以上の導電性を有する積層構造か
らなる半導体加速度センサにおいて、第二の導電性領域
で構成される重り領域に電圧を印加しながら梁を形成す
ることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項２】 第一の導電性領域を介して重り領域に電
圧を印加するための導通領域を設けることを特徴とする
請求項１記載の半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項３】 重り領域の導通をとるためにトレンチ構
造と拡散領域の少なくとも一つを設けることを特徴とす
る請求項２記載の半導体加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308250A JP2596351B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体加速度センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308250A JP2596351B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体加速度センサとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162017A true JPH07162017A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2596351B2 JP2596351B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17978751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5308250A Expired - Lifetime JP2596351B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体加速度センサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596351B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250869A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | ピエゾ抵抗素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105437753B (zh) * | 2015-12-25 | 2018-05-11 | 江苏华宇印涂设备集团有限公司 | 电动前规装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292071A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
| JPH0496227A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-27 | Nissan Motor Co Ltd | エッチング方法 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP5308250A patent/JP2596351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292071A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
| JPH0496227A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-27 | Nissan Motor Co Ltd | エッチング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250869A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | ピエゾ抵抗素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2596351B2 (ja) | 1997-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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