JPH07163955A - 電機部品または電子部品の洗浄方法 - Google Patents
電機部品または電子部品の洗浄方法Info
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- JPH07163955A JPH07163955A JP34204293A JP34204293A JPH07163955A JP H07163955 A JPH07163955 A JP H07163955A JP 34204293 A JP34204293 A JP 34204293A JP 34204293 A JP34204293 A JP 34204293A JP H07163955 A JPH07163955 A JP H07163955A
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- Japan
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- cleaning
- hydrocarbon
- solvent
- parts
- hydrocarbon solvent
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄能力に優れ、しかも環境及び人体に対し
て安全な、炭化水素系溶剤による電機部品または電子部
品の洗浄方法を開発する。 【構成】 炭化水素系溶剤、好ましくは炭化水素系溶剤
中の芳香族系炭化水素の含有量が0〜20重量%でかつ
該溶剤の飽和炭化水素成分中のナフテン系炭化水素の分
率が30〜100%の炭化水素系溶剤を用いて40℃〜
150℃の温度範囲で電機部品または電子部品を洗浄す
ることを特徴とする電機部品または電子部品の洗浄方法
により目的を達成できる。
て安全な、炭化水素系溶剤による電機部品または電子部
品の洗浄方法を開発する。 【構成】 炭化水素系溶剤、好ましくは炭化水素系溶剤
中の芳香族系炭化水素の含有量が0〜20重量%でかつ
該溶剤の飽和炭化水素成分中のナフテン系炭化水素の分
率が30〜100%の炭化水素系溶剤を用いて40℃〜
150℃の温度範囲で電機部品または電子部品を洗浄す
ることを特徴とする電機部品または電子部品の洗浄方法
により目的を達成できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電機部品または電子部品
の洗浄方法に関するものであり、さらに詳しくは洗浄能
力に優れ、しかも環境及び人体に対して安全な、炭化水
素系溶剤による電機部品または電子部品の洗浄方法に関
するものである。
の洗浄方法に関するものであり、さらに詳しくは洗浄能
力に優れ、しかも環境及び人体に対して安全な、炭化水
素系溶剤による電機部品または電子部品の洗浄方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】金属部品、電機部品または電子部品など
の洗浄剤として、フロンが普及する以前はホワイトガソ
リン等が広く使用されていた。ホワイトガソリンとは炭
素数4〜9位の炭化水素で、石油を精製したものであ
り、洗浄性は非常に良く、後に汎用となるトリクロロエ
タンと同等であった。ホワイトガソリンは乾燥性も良
く、金属部品の脱脂、切り粉除去には最適であり、現在
でもかなり使用されている。しかし、ホワイトガソリン
は揮発性が良い反面、常温でも可燃性ガスがかなり発生
するので引火する危険性がある。また、成分にベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を含むので
環境衛生上問題となるおそれがある。
の洗浄剤として、フロンが普及する以前はホワイトガソ
リン等が広く使用されていた。ホワイトガソリンとは炭
素数4〜9位の炭化水素で、石油を精製したものであ
り、洗浄性は非常に良く、後に汎用となるトリクロロエ
タンと同等であった。ホワイトガソリンは乾燥性も良
く、金属部品の脱脂、切り粉除去には最適であり、現在
でもかなり使用されている。しかし、ホワイトガソリン
は揮発性が良い反面、常温でも可燃性ガスがかなり発生
するので引火する危険性がある。また、成分にベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を含むので
環境衛生上問題となるおそれがある。
【0003】その後普及したフロン113を代表とする
塩素、フッ素を含有するフロン系有機溶剤、およびトリ
クロロエチレン、トリクロロエタンなどの塩素系有機溶
剤はホワイトガソリンの欠点を改善した洗浄剤であった
といえる。しかしながら、塩素系およびフロン系の両洗
浄用有機溶剤は、オゾン層破壊物質としてその使用が規
制されることとなり、トリクロロエタンおよび特定フロ
ンは全廃のスケジュールが決定している。
塩素、フッ素を含有するフロン系有機溶剤、およびトリ
クロロエチレン、トリクロロエタンなどの塩素系有機溶
剤はホワイトガソリンの欠点を改善した洗浄剤であった
といえる。しかしながら、塩素系およびフロン系の両洗
浄用有機溶剤は、オゾン層破壊物質としてその使用が規
制されることとなり、トリクロロエタンおよび特定フロ
ンは全廃のスケジュールが決定している。
【0004】従って現在、様々な代替洗浄剤が開発され
ており、水系洗浄剤もそのひとつであるが、水系洗浄剤
は大がかりな設備が必要なことと多量の廃液処理が困難
であることから他の洗浄方法が嘱望されている。特に電
機部品または電子部品においては高い洗浄度が要求され
るうえ、半田付けした時に生ずるフラックス等の洗浄が
困難である。従来、これらの洗浄にはトリクロロエタン
などを用いた常温での洗浄方法が採用されていたが、ト
リクロロエタンは全廃の予定である。また、炭化水素系
溶剤は金属加工油など比較的洗浄の容易な汚れに対して
は一定の効果があるが、半田フラックスは洗浄できない
と考えられていた。しかしながら、トリクロロエタンな
どの代替品としての炭化水素系溶剤による洗浄が実現す
ればフロンなどと同じようなコンパクトな装置での洗浄
が可能で非常に経済的であり、廃液処理も水系溶剤に較
べて容易である。そこで本発明者等は炭化水素系溶剤に
よる半田フラックスなどの洗浄方法を鋭意研究した結
果、特定温度の炭化水素溶剤を用いることによって半田
フラックスなどを効果的に洗浄できることを見いだし、
さらに驚くべきことにその洗浄力は従来のトリクロロエ
タンなどを用いた常温での洗浄方法を凌ぐものであっ
た。
ており、水系洗浄剤もそのひとつであるが、水系洗浄剤
は大がかりな設備が必要なことと多量の廃液処理が困難
であることから他の洗浄方法が嘱望されている。特に電
機部品または電子部品においては高い洗浄度が要求され
るうえ、半田付けした時に生ずるフラックス等の洗浄が
困難である。従来、これらの洗浄にはトリクロロエタン
などを用いた常温での洗浄方法が採用されていたが、ト
リクロロエタンは全廃の予定である。また、炭化水素系
溶剤は金属加工油など比較的洗浄の容易な汚れに対して
は一定の効果があるが、半田フラックスは洗浄できない
と考えられていた。しかしながら、トリクロロエタンな
どの代替品としての炭化水素系溶剤による洗浄が実現す
ればフロンなどと同じようなコンパクトな装置での洗浄
が可能で非常に経済的であり、廃液処理も水系溶剤に較
べて容易である。そこで本発明者等は炭化水素系溶剤に
よる半田フラックスなどの洗浄方法を鋭意研究した結
果、特定温度の炭化水素溶剤を用いることによって半田
フラックスなどを効果的に洗浄できることを見いだし、
さらに驚くべきことにその洗浄力は従来のトリクロロエ
タンなどを用いた常温での洗浄方法を凌ぐものであっ
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、洗浄能力に
優れ、しかも環境及び人体に対して安全な、電機部品ま
たは電子部品の洗浄方法を提供するものである。
優れ、しかも環境及び人体に対して安全な、電機部品ま
たは電子部品の洗浄方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の問題
点に鑑み鋭意研究した結果、特定の炭化水素系溶剤を用
い、かつ特定洗浄条件で電機部品または電子部品を洗浄
することにより上記課題を解決することができることを
見いだして本発明を成すにいたった。
点に鑑み鋭意研究した結果、特定の炭化水素系溶剤を用
い、かつ特定洗浄条件で電機部品または電子部品を洗浄
することにより上記課題を解決することができることを
見いだして本発明を成すにいたった。
【0007】本発明の請求項1は、炭化水素系溶剤を用
いて40℃〜150℃の温度範囲で電機部品または電子
部品を洗浄することを特徴とする電機部品または電子部
品の洗浄方法である。
いて40℃〜150℃の温度範囲で電機部品または電子
部品を洗浄することを特徴とする電機部品または電子部
品の洗浄方法である。
【0008】本発明の請求項2は、炭化水素系溶剤中の
芳香族系炭化水素の含有量が0〜20重量%以下でかつ
該溶剤の飽和炭化水素成分中のナフテン系炭化水素の分
率が30〜100%の炭化水素系溶剤であることを特徴
とする請求項1に記載の電機部品または電子部品の洗浄
方法である。
芳香族系炭化水素の含有量が0〜20重量%以下でかつ
該溶剤の飽和炭化水素成分中のナフテン系炭化水素の分
率が30〜100%の炭化水素系溶剤であることを特徴
とする請求項1に記載の電機部品または電子部品の洗浄
方法である。
【0009】本発明の洗浄方法に用いられる炭化水素系
溶剤は特に限定されるものではなく、通常の鉱油系およ
び/または合成系炭化水素系溶剤として使用されている
ものであれば任意のものが使用できるが、中でも特に鉱
油系炭化水素系溶剤が好適に用いられる。
溶剤は特に限定されるものではなく、通常の鉱油系およ
び/または合成系炭化水素系溶剤として使用されている
ものであれば任意のものが使用できるが、中でも特に鉱
油系炭化水素系溶剤が好適に用いられる。
【0010】鉱油系炭化水素系溶剤としては、例えば、
原油を常圧蒸留または減圧蒸留して得られた溶剤留分
を、水素化精製、硫酸洗浄、白土処理等の精製処理を適
宜組み合わせて精製した、パラフィン系、ナフテン系お
よびアロマティック系などの溶剤留分が使用できる。特
に水素化精製によって硫黄分0.02%以下、窒素分
0.01%以下、塩素分0.01%以下にまで除去した
溶剤留分が好ましい。
原油を常圧蒸留または減圧蒸留して得られた溶剤留分
を、水素化精製、硫酸洗浄、白土処理等の精製処理を適
宜組み合わせて精製した、パラフィン系、ナフテン系お
よびアロマティック系などの溶剤留分が使用できる。特
に水素化精製によって硫黄分0.02%以下、窒素分
0.01%以下、塩素分0.01%以下にまで除去した
溶剤留分が好ましい。
【0011】また、合成系炭化水素系溶剤としては、例
えば、パラフィン系、ナフテン系及びアロマティック系
溶剤留分が使用できる。
えば、パラフィン系、ナフテン系及びアロマティック系
溶剤留分が使用できる。
【0012】ここでいうパラフィン系合成炭化水素系溶
剤としては、具体的には例えば、プロピレン、ブテンお
よびイソブチレンなどのオレフィンを単独で、またはそ
の混合物を重合して得られる低分子量オリゴマー、ある
いは更にその分子中に含まれる二重結合を水素化して製
造されるいわゆる合成イソパラフィンなどが挙げられ
る。
剤としては、具体的には例えば、プロピレン、ブテンお
よびイソブチレンなどのオレフィンを単独で、またはそ
の混合物を重合して得られる低分子量オリゴマー、ある
いは更にその分子中に含まれる二重結合を水素化して製
造されるいわゆる合成イソパラフィンなどが挙げられ
る。
【0013】またナフテン系合成炭化水素系溶剤として
は、具体的には例えば、α−メチルスチレンの2量体化
やベンゼン、トルエン、キシレンのスチレンによるアル
キル化により得られるジアリールアルカンをさらに核水
素化することにより製造されるいわゆる合成ナフテンな
どが挙げられる。
は、具体的には例えば、α−メチルスチレンの2量体化
やベンゼン、トルエン、キシレンのスチレンによるアル
キル化により得られるジアリールアルカンをさらに核水
素化することにより製造されるいわゆる合成ナフテンな
どが挙げられる。
【0014】またアロマティック系合成炭化水素系溶剤
としては、具体的には例えば、プロピレンオリゴマーで
ベンゼンをアルキル化することによって得られるハード
型アルキルベンゼンや、灯油より分離したノルマルパラ
フィンを脱水素化して得られるノルマルオレフィン、あ
るいはノルマルパラフィンを塩素化して得られる塩素化
パラフィンによってベンゼンをアルキル化して製造され
るソフト型アルキルベンゼンなどが挙げられる。
としては、具体的には例えば、プロピレンオリゴマーで
ベンゼンをアルキル化することによって得られるハード
型アルキルベンゼンや、灯油より分離したノルマルパラ
フィンを脱水素化して得られるノルマルオレフィン、あ
るいはノルマルパラフィンを塩素化して得られる塩素化
パラフィンによってベンゼンをアルキル化して製造され
るソフト型アルキルベンゼンなどが挙げられる。
【0015】これらの合成系炭化水素系溶剤は単独で使
用してもよく、また2種類以上併用してもよい。さらに
鉱油系炭化水素系溶剤との組み合わせでも使用できる。
用してもよく、また2種類以上併用してもよい。さらに
鉱油系炭化水素系溶剤との組み合わせでも使用できる。
【0016】本発明で用いる炭化水素系溶剤としては、
任意の沸点範囲のものが使用できるが、通常、50〜4
50℃、好ましくは120〜370℃、より好ましくは
140〜300℃の沸点範囲内の留分のものを用いるこ
とができる。沸点が50℃に満たない留分のものを用い
た場合、洗浄時に可燃性ガスがかなり発生するため引火
するおそれがある。また、この可燃性ガスが作業環境に
悪影響を及ぼす。また沸点が450℃を越える留分のも
のを用いた場合は洗浄力及び乾燥性が不充分である。
任意の沸点範囲のものが使用できるが、通常、50〜4
50℃、好ましくは120〜370℃、より好ましくは
140〜300℃の沸点範囲内の留分のものを用いるこ
とができる。沸点が50℃に満たない留分のものを用い
た場合、洗浄時に可燃性ガスがかなり発生するため引火
するおそれがある。また、この可燃性ガスが作業環境に
悪影響を及ぼす。また沸点が450℃を越える留分のも
のを用いた場合は洗浄力及び乾燥性が不充分である。
【0017】また、本発明で用いる炭化水素系溶剤とし
ては任意の引火点範囲のものが使用できるが、通常、2
0〜300℃、好ましくは40〜200℃、更に好まし
くは70〜150℃の引火点範囲内の留分のものを用い
ることができる。引火点が20℃に満たない留分のもの
を用いた場合、昇温洗浄を行う本発明においては引火の
おそれがある。さらに引火の危険性を減らす為には引火
点が70℃以上の留分のものを用いることが好ましい。
また、本発明で用いる炭化水素系溶剤の引火点は洗浄時
の液温度より高く設定することが安全上好ましい。あま
り高く設定すると洗浄力や乾燥性が不充分となるので、
洗浄力、乾燥性、引火性などを総合的に考慮して適宜選
択して設定することが好ましい。例えば、具体的には、
炭化水素系溶剤の引火点は洗浄時の液温度より約5℃、
好ましくは約10℃、より好ましくは約15℃以上高く
設定するのがよい。
ては任意の引火点範囲のものが使用できるが、通常、2
0〜300℃、好ましくは40〜200℃、更に好まし
くは70〜150℃の引火点範囲内の留分のものを用い
ることができる。引火点が20℃に満たない留分のもの
を用いた場合、昇温洗浄を行う本発明においては引火の
おそれがある。さらに引火の危険性を減らす為には引火
点が70℃以上の留分のものを用いることが好ましい。
また、本発明で用いる炭化水素系溶剤の引火点は洗浄時
の液温度より高く設定することが安全上好ましい。あま
り高く設定すると洗浄力や乾燥性が不充分となるので、
洗浄力、乾燥性、引火性などを総合的に考慮して適宜選
択して設定することが好ましい。例えば、具体的には、
炭化水素系溶剤の引火点は洗浄時の液温度より約5℃、
好ましくは約10℃、より好ましくは約15℃以上高く
設定するのがよい。
【0018】また、本発明で用いる炭化水素系溶剤とし
ては任意の粘度のものが使用できるが、通常、0.5〜
10mm2/s(@40 ℃)、好ましくは1〜3mm2/s(@40 ℃)
である。
ては任意の粘度のものが使用できるが、通常、0.5〜
10mm2/s(@40 ℃)、好ましくは1〜3mm2/s(@40 ℃)
である。
【0019】また、本発明で用いる炭化水素系溶剤とし
ては任意のアニリン点のものが使用できるが、通常、2
0〜100℃、好ましくは40〜90℃、更に好ましく
は60〜75℃である。
ては任意のアニリン点のものが使用できるが、通常、2
0〜100℃、好ましくは40〜90℃、更に好ましく
は60〜75℃である。
【0020】また、本発明で用いる炭化水素系溶剤とし
ては任意のカウリブタノール価のものが使用できるが、
通常、20〜50、好ましくは20〜40である。
ては任意のカウリブタノール価のものが使用できるが、
通常、20〜50、好ましくは20〜40である。
【0021】また、本発明で用いる炭化水素系溶剤とし
ては、上記に例示したようなものが使用可能であるが、
パラフィン系やナフテン系などの飽和炭化水素系溶剤は
臭気や肌荒れ性が少ないためアロマティック系より好ま
しい。中でもナフテン系の炭化水素系溶剤は洗浄力が良
いため、より好ましい。
ては、上記に例示したようなものが使用可能であるが、
パラフィン系やナフテン系などの飽和炭化水素系溶剤は
臭気や肌荒れ性が少ないためアロマティック系より好ま
しい。中でもナフテン系の炭化水素系溶剤は洗浄力が良
いため、より好ましい。
【0022】より具体的には、炭化水素系溶剤中、溶出
クロマトグラフィー分析による芳香族系炭化水素の組成
は0〜20重量%、好ましくは0〜10重量%、更に好
ましくは0〜2重量%、特に好ましくは0重量%であ
る。芳香族系炭化水素の組成が20重量%を越える場合
には労働安全衛生法上、および環境安全性上問題がある
ため好ましくなく、芳香族系炭化水素の組成は少ない程
好ましい。
クロマトグラフィー分析による芳香族系炭化水素の組成
は0〜20重量%、好ましくは0〜10重量%、更に好
ましくは0〜2重量%、特に好ましくは0重量%であ
る。芳香族系炭化水素の組成が20重量%を越える場合
には労働安全衛生法上、および環境安全性上問題がある
ため好ましくなく、芳香族系炭化水素の組成は少ない程
好ましい。
【0023】また溶出クロマトグラフィー分析により分
離された飽和炭化水素成分中、質量分析計によるタイプ
分析によるナフテン系炭化水素の組成は30〜100
%、好ましくは40〜100%、より好ましくは60〜
100%、更に好ましくは70〜100%である。ナフ
テン系炭化水素の組成が30%に満たない場合には洗浄
力が充分でないため好ましくない。
離された飽和炭化水素成分中、質量分析計によるタイプ
分析によるナフテン系炭化水素の組成は30〜100
%、好ましくは40〜100%、より好ましくは60〜
100%、更に好ましくは70〜100%である。ナフ
テン系炭化水素の組成が30%に満たない場合には洗浄
力が充分でないため好ましくない。
【0024】本発明で言う質量分析計によるタイプ分析
を以下に説明する。試料の前処理は溶出クロマトグラフ
ィー分析により、飽和分、芳香族分に分別する。前処理
法の概略は以下の通りである。 径18mm、長さ980mmの溶出クロマト用吸着管
に、約175℃、3時間の乾燥により活性化された呼び
径74〜149μmシリカゲル(富士デビソン化学
(株)製grade923)120gを充填する。 n−ペンタン75mlを注入し、シリカゲルを予め湿
す。 試料約2gを精秤し、等容量のn−ペンタンで希釈
し、得られた試料溶液を注入する。 試料溶液の液面がシリカゲル上端に達したとき、飽和
炭化水素成分を分離するためn−ペンタン140mlを
注入し、吸着管の下端より溶出液を回収する。 n−ペンタンの液面がシリカゲルの上端に達したと
き、芳香族炭化水素成分を分離するためベンゼン120
mlを注入し、吸着管の下端より溶出液を回収する。 ベンゼンの液面がシリカゲルの上端に達したとき、樹
脂炭化水素成分を分離するためメタノール120mlを
注入し、吸着管の下端より溶出液を回収する。 各溶出液区分からロータリーエバポレーターにより溶
媒を注意深く留去し、冷却精秤する。 こうして試料中の飽和炭化水素成分(パラフィンおよび
ナフテン系炭化水素成分)、芳香族炭化水素成分および
樹脂炭化水素成分(硫黄、窒素、酸素などを比較的多く
含む炭化水素成分)の重量比率が計算できる。分別され
た飽和炭化水素成分はその後質量分析計で測定される。
質量分析におけるイオン化方法としてはガラスリザーバ
を使用したFIイオン化法が用いられる。質量分析計は
日本電子(株)製JMS−AX505Hを用いた。測定
条件を以下に示す。 加速電圧:3.0kV カソード電圧:−5〜−6kV、 分解能:約500 エミッター:カーボン エミッター電流:5mA 測定範囲:質量数35〜700 Sub Oven温度:300℃ セパレータ温度:300℃ Main Oven温度:350℃ 試料注入量:1μl
を以下に説明する。試料の前処理は溶出クロマトグラフ
ィー分析により、飽和分、芳香族分に分別する。前処理
法の概略は以下の通りである。 径18mm、長さ980mmの溶出クロマト用吸着管
に、約175℃、3時間の乾燥により活性化された呼び
径74〜149μmシリカゲル(富士デビソン化学
(株)製grade923)120gを充填する。 n−ペンタン75mlを注入し、シリカゲルを予め湿
す。 試料約2gを精秤し、等容量のn−ペンタンで希釈
し、得られた試料溶液を注入する。 試料溶液の液面がシリカゲル上端に達したとき、飽和
炭化水素成分を分離するためn−ペンタン140mlを
注入し、吸着管の下端より溶出液を回収する。 n−ペンタンの液面がシリカゲルの上端に達したと
き、芳香族炭化水素成分を分離するためベンゼン120
mlを注入し、吸着管の下端より溶出液を回収する。 ベンゼンの液面がシリカゲルの上端に達したとき、樹
脂炭化水素成分を分離するためメタノール120mlを
注入し、吸着管の下端より溶出液を回収する。 各溶出液区分からロータリーエバポレーターにより溶
媒を注意深く留去し、冷却精秤する。 こうして試料中の飽和炭化水素成分(パラフィンおよび
ナフテン系炭化水素成分)、芳香族炭化水素成分および
樹脂炭化水素成分(硫黄、窒素、酸素などを比較的多く
含む炭化水素成分)の重量比率が計算できる。分別され
た飽和炭化水素成分はその後質量分析計で測定される。
質量分析におけるイオン化方法としてはガラスリザーバ
を使用したFIイオン化法が用いられる。質量分析計は
日本電子(株)製JMS−AX505Hを用いた。測定
条件を以下に示す。 加速電圧:3.0kV カソード電圧:−5〜−6kV、 分解能:約500 エミッター:カーボン エミッター電流:5mA 測定範囲:質量数35〜700 Sub Oven温度:300℃ セパレータ温度:300℃ Main Oven温度:350℃ 試料注入量:1μl
【0025】上記質量分析法により得られた分子イオン
同位体補正後、ナフテン分とパラフィン分に分類・整理
し、それぞれのイオン強度の分率を求め、組成結果とす
る。タイプ分析法によるデータ処理の詳細は「日石レビ
ュー」VOL.33/NO.4,第196号, P135〜142 の特に
「2.2.3データ処理」の項に記載されている。こう
して飽和炭化水素成分中のナフテン分およびパラフィン
分のイオン強度の分率が計算できる。
同位体補正後、ナフテン分とパラフィン分に分類・整理
し、それぞれのイオン強度の分率を求め、組成結果とす
る。タイプ分析法によるデータ処理の詳細は「日石レビ
ュー」VOL.33/NO.4,第196号, P135〜142 の特に
「2.2.3データ処理」の項に記載されている。こう
して飽和炭化水素成分中のナフテン分およびパラフィン
分のイオン強度の分率が計算できる。
【0026】なお炭化水素系溶剤を用いる場合、ナフテ
ン系以外の基油、例えばパラフィン系炭化水素系溶剤を
ナフテン系炭化水素系溶剤と混合使用することも可能で
あるが、その場合でも混合した炭化水素系溶剤のナフテ
ン分の割合が大きい方が好ましく、炭化水素系溶剤中、
タイプ分析によるナフテン系炭化水素の組成が30〜9
9%、好ましくは40〜90%となるように混合するの
が望ましい。
ン系以外の基油、例えばパラフィン系炭化水素系溶剤を
ナフテン系炭化水素系溶剤と混合使用することも可能で
あるが、その場合でも混合した炭化水素系溶剤のナフテ
ン分の割合が大きい方が好ましく、炭化水素系溶剤中、
タイプ分析によるナフテン系炭化水素の組成が30〜9
9%、好ましくは40〜90%となるように混合するの
が望ましい。
【0027】本発明の洗浄方法で用いる炭化水素系溶剤
の各種性能をさらに高める目的で公知の洗浄用溶剤用添
加剤を単独で、または数種類組み合わせた形で使用する
ことができる。
の各種性能をさらに高める目的で公知の洗浄用溶剤用添
加剤を単独で、または数種類組み合わせた形で使用する
ことができる。
【0028】これらの添加剤としては、例えば、アルケ
ニルコハク酸エステルなどの錆止め剤;こはく酸イミ
ド、こはく酸エステル、ベンジルアミンなどの無灰分散
剤;シリコーンなどの消泡剤;ベンゾトリアゾール、チ
アジアゾールなどの金属不活性化剤などが挙げられ、こ
れらを単独または2種以上組み合わせて添加することが
できる。
ニルコハク酸エステルなどの錆止め剤;こはく酸イミ
ド、こはく酸エステル、ベンジルアミンなどの無灰分散
剤;シリコーンなどの消泡剤;ベンゾトリアゾール、チ
アジアゾールなどの金属不活性化剤などが挙げられ、こ
れらを単独または2種以上組み合わせて添加することが
できる。
【0029】消泡剤の含有量は通常0.0005〜1重
量%、金属不活性化剤の含有量は通常0.005〜1重
量%、その他の添加剤の含有量は、それぞれ通常0.1
〜15重量%(いずれも組成物全量基準)である。
量%、金属不活性化剤の含有量は通常0.005〜1重
量%、その他の添加剤の含有量は、それぞれ通常0.1
〜15重量%(いずれも組成物全量基準)である。
【0030】本発明は電機部品または電子部品の洗浄方
法であるが、電機部品または電子部品としてはプリント
基板、発電機、モーター、整流器、実装基板、ビデオ部
品、ハイブリッドIC及びリードフレーム等が挙げられ
る。
法であるが、電機部品または電子部品としてはプリント
基板、発電機、モーター、整流器、実装基板、ビデオ部
品、ハイブリッドIC及びリードフレーム等が挙げられ
る。
【0031】本発明の方法は、電機部品または電子部品
に付着した、半田付けした時に生ずる半田フラックス又
は半田ボール等の半田付着物、切り粉、加工油及びペー
スト等の洗浄に有効である。
に付着した、半田付けした時に生ずる半田フラックス又
は半田ボール等の半田付着物、切り粉、加工油及びペー
スト等の洗浄に有効である。
【0032】次に本発明の洗浄方法を説明する。洗浄剤
である炭化水素系溶剤の洗浄時の温度は40〜150
℃、好ましくは60〜100℃である。40℃に満たな
い場合には洗浄効果が充分ではなく、150℃を越える
場合には被洗浄物に影響が出やすくなる。
である炭化水素系溶剤の洗浄時の温度は40〜150
℃、好ましくは60〜100℃である。40℃に満たな
い場合には洗浄効果が充分ではなく、150℃を越える
場合には被洗浄物に影響が出やすくなる。
【0033】被洗浄物を洗浄(以降「本洗浄」と呼ぶ)
する方法に特に制限はない。通常、超音波洗浄、揺動洗
浄、超音波・揺動洗浄、浸せき洗浄、攪拌洗浄、回転洗
浄及び蒸気洗浄が好適に使用される。炭化水素系溶剤は
液体でも蒸気でも良い。本洗浄は1回行われる場合もあ
るが、高度な洗浄度が求められる場合は2回以上行われ
る。洗浄時間にも特に制限はない。通常10秒〜20
分、好ましくは30秒〜5分の範囲である。本洗浄で用
いる洗浄液としては未使用のもの、既使用のもの、既使
用のものを蒸留再生したもの及び既使用のものを減圧蒸
留再生したものを用いることができる。本洗浄を蒸気洗
浄で行う場合、炭化水素系溶剤の引火点以上で洗浄を行
うことが多いため、密閉系で洗浄を行うことが好まし
い。そのときは無酸素状態で洗浄するのが好ましい。
する方法に特に制限はない。通常、超音波洗浄、揺動洗
浄、超音波・揺動洗浄、浸せき洗浄、攪拌洗浄、回転洗
浄及び蒸気洗浄が好適に使用される。炭化水素系溶剤は
液体でも蒸気でも良い。本洗浄は1回行われる場合もあ
るが、高度な洗浄度が求められる場合は2回以上行われ
る。洗浄時間にも特に制限はない。通常10秒〜20
分、好ましくは30秒〜5分の範囲である。本洗浄で用
いる洗浄液としては未使用のもの、既使用のもの、既使
用のものを蒸留再生したもの及び既使用のものを減圧蒸
留再生したものを用いることができる。本洗浄を蒸気洗
浄で行う場合、炭化水素系溶剤の引火点以上で洗浄を行
うことが多いため、密閉系で洗浄を行うことが好まし
い。そのときは無酸素状態で洗浄するのが好ましい。
【0034】本洗浄の後は、通常、すすぎ洗浄を行うが
その方法に特に制限はない。通常、前述したような炭化
水素系溶剤やアルコール系溶剤で洗浄する。特に好適な
溶剤としては前述したナフテン系炭化水素やイソプロピ
ルアルコールが挙げられる。炭化水素系溶剤は液体でも
蒸気でも良い。すすぎ洗浄は常圧下でも減圧下でも行わ
れる。真空蒸留装置を使用しても良い。すすぎ洗浄は1
回行われる場合もあるが、高度な洗浄度が求められる場
合は2回以上行われる。すすぎ洗浄の温度は特に制限は
ないが、通常、10〜150℃、好ましくは20〜15
0℃である。洗浄時間は通常30秒〜20分、好ましく
は1分〜5分である。
その方法に特に制限はない。通常、前述したような炭化
水素系溶剤やアルコール系溶剤で洗浄する。特に好適な
溶剤としては前述したナフテン系炭化水素やイソプロピ
ルアルコールが挙げられる。炭化水素系溶剤は液体でも
蒸気でも良い。すすぎ洗浄は常圧下でも減圧下でも行わ
れる。真空蒸留装置を使用しても良い。すすぎ洗浄は1
回行われる場合もあるが、高度な洗浄度が求められる場
合は2回以上行われる。すすぎ洗浄の温度は特に制限は
ないが、通常、10〜150℃、好ましくは20〜15
0℃である。洗浄時間は通常30秒〜20分、好ましく
は1分〜5分である。
【0035】すすぎ洗浄後は必要に応じて蒸気洗浄を行
う。通常、蒸気としては前述したような炭化水素系溶剤
やアルコール系溶剤で洗浄する。特に好適には前述した
ナフテン系炭化水素やイソプロピルアルコールが挙げら
れる。蒸気の温度は80〜200℃、好ましくは80〜
150℃である。
う。通常、蒸気としては前述したような炭化水素系溶剤
やアルコール系溶剤で洗浄する。特に好適には前述した
ナフテン系炭化水素やイソプロピルアルコールが挙げら
れる。蒸気の温度は80〜200℃、好ましくは80〜
150℃である。
【0036】最後に必要に応じて温風等により乾燥を行
うがその方法にも特に制限はない。通常、60〜150
℃の範囲で30秒〜20分行う。
うがその方法にも特に制限はない。通常、60〜150
℃の範囲で30秒〜20分行う。
【0037】尚、本洗浄、すすぎ洗浄、蒸気洗浄及び乾
燥の工程は任意に組み合わせることができ、またそれぞ
れ工程の回数にも制限はない。例えば、本洗浄後、すす
ぎ洗浄を行い、さらに蒸気洗浄を行った後乾燥を行う方
法、本洗浄後、すすぎ洗浄を2回行った後乾燥を行う方
法、本洗浄後、乾燥を行う方法等が挙げられる。
燥の工程は任意に組み合わせることができ、またそれぞ
れ工程の回数にも制限はない。例えば、本洗浄後、すす
ぎ洗浄を行い、さらに蒸気洗浄を行った後乾燥を行う方
法、本洗浄後、すすぎ洗浄を2回行った後乾燥を行う方
法、本洗浄後、乾燥を行う方法等が挙げられる。
【0038】
【実施例】以下に本発明の内容を実施例及び比較例によ
りさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの内容に
何ら限定されるものではない。 (実施例1)半田フラックスに対する実用上の洗浄性能
を確認するため、プリント基板の洗浄を洗浄機を用いて
行った。 被洗浄物:プリント基板にクリームハンダ約1gを秤取
り、ホットプレート上で200℃で100秒加熱溶融し
たもの。 洗浄液:テクリーンN−20(日本石油(株)製、鉱油
系ナフテン系油、引火点71℃、初留点195℃、終点
222℃、粘度1.4mm2/s(@40℃)、アニリン点
65℃、カウリブタノール価35、溶出クロマトグラフ
ィー分析による芳香族分0重量%、質量分析による飽和
炭化水素成分中のナフテン分74.8%)
りさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの内容に
何ら限定されるものではない。 (実施例1)半田フラックスに対する実用上の洗浄性能
を確認するため、プリント基板の洗浄を洗浄機を用いて
行った。 被洗浄物:プリント基板にクリームハンダ約1gを秤取
り、ホットプレート上で200℃で100秒加熱溶融し
たもの。 洗浄液:テクリーンN−20(日本石油(株)製、鉱油
系ナフテン系油、引火点71℃、初留点195℃、終点
222℃、粘度1.4mm2/s(@40℃)、アニリン点
65℃、カウリブタノール価35、溶出クロマトグラフ
ィー分析による芳香族分0重量%、質量分析による飽和
炭化水素成分中のナフテン分74.8%)
【0039】洗浄液のタイプ分析 FIイオン化法(ガラスリザーバ使用)による質量分析
を実施した。質量分析条件は以下の通りである。 装置:JEOL JMS−AX505H 加速電圧(カソード電圧):3.0kV(−6.0k
V) Sub Oven温度:300℃ セパレータ温度:300℃ 質量数測定範囲:質量数 35〜700 Main Oven温度:350℃ 試料注入量:1μl 得られた分子イオンの強度を基にして炭化水素のタイプ
分析を行った。タイプ分析は「日石レビュー」VOL.33/N
O.4,4196号, P135〜142 に記載の方法に従った。
を実施した。質量分析条件は以下の通りである。 装置:JEOL JMS−AX505H 加速電圧(カソード電圧):3.0kV(−6.0k
V) Sub Oven温度:300℃ セパレータ温度:300℃ 質量数測定範囲:質量数 35〜700 Main Oven温度:350℃ 試料注入量:1μl 得られた分子イオンの強度を基にして炭化水素のタイプ
分析を行った。タイプ分析は「日石レビュー」VOL.33/N
O.4,4196号, P135〜142 に記載の方法に従った。
【0040】被洗浄物を60℃の洗浄液にて超音波洗浄
した後、未使用の洗浄液で25℃で1分間すすぎ洗浄
し、その後、溶剤を85℃で20分間乾燥した。洗浄試
験後の試料に残存しているフラックスの重量から残存率
を求め、その結果を表1に示す。
した後、未使用の洗浄液で25℃で1分間すすぎ洗浄
し、その後、溶剤を85℃で20分間乾燥した。洗浄試
験後の試料に残存しているフラックスの重量から残存率
を求め、その結果を表1に示す。
【0041】(実施例2)洗浄液として以下のものを用
いたこと以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に
合わせて示す。 洗浄液:テクリーンN−16(日本石油(株)製、鉱油
系ナフテン系油、引火点44℃、初留点155℃、終点
198℃、粘度1.0mm2/s (@40℃)、アニリン点
61℃、カウリブタノール価37、溶出クロマトグラフ
ィー分析による芳香族分0重量%、質量分析による飽和
炭化水素成分中のナフテン分75.0%)
いたこと以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に
合わせて示す。 洗浄液:テクリーンN−16(日本石油(株)製、鉱油
系ナフテン系油、引火点44℃、初留点155℃、終点
198℃、粘度1.0mm2/s (@40℃)、アニリン点
61℃、カウリブタノール価37、溶出クロマトグラフ
ィー分析による芳香族分0重量%、質量分析による飽和
炭化水素成分中のナフテン分75.0%)
【0042】(実施例3)洗浄液として以下のものを用
いたこと以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に
合わせて示す。 洗浄液:0号ソルベントL(日本石油(株)製、鉱油系
ノルマルパラフィン、引火点65℃、初留点182℃、
終点212℃、粘度1.2mm2/s(@40℃)、アニリ
ン点80℃、カウリブタノール価24、溶出クロマトグ
ラフィー分析による芳香族分0重量%、質量分析による
飽和炭化水素成分中のナフテン分0%)
いたこと以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に
合わせて示す。 洗浄液:0号ソルベントL(日本石油(株)製、鉱油系
ノルマルパラフィン、引火点65℃、初留点182℃、
終点212℃、粘度1.2mm2/s(@40℃)、アニリ
ン点80℃、カウリブタノール価24、溶出クロマトグ
ラフィー分析による芳香族分0重量%、質量分析による
飽和炭化水素成分中のナフテン分0%)
【0043】(比較例1)洗浄温度を室温(23 〜25℃)
にしたこと以外は実施例1と同様に行った。結果を表1
に合わせて示す。
にしたこと以外は実施例1と同様に行った。結果を表1
に合わせて示す。
【0044】(比較例2)洗浄液としてトリクロロエタ
ンを用いたこと以外は比較例1と同様に行った。結果を
表1に合わせて示す。
ンを用いたこと以外は比較例1と同様に行った。結果を
表1に合わせて示す。
【0045】
【表1】
【0046】表1から明らかなように、常温で本洗浄を
行った比較例1に較べて60℃で本洗浄を行った実施例
1の方が洗浄力が優れている。また、トリクロロエタン
を用いて室温で洗浄した比較例2に較べて実施例1の方
が洗浄力が優れる。これは、本発明の方法が従来の洗浄
剤であるトリクロロエタンを用いて従来通り室温で洗浄
する方法と充分代替できることを示している。
行った比較例1に較べて60℃で本洗浄を行った実施例
1の方が洗浄力が優れている。また、トリクロロエタン
を用いて室温で洗浄した比較例2に較べて実施例1の方
が洗浄力が優れる。これは、本発明の方法が従来の洗浄
剤であるトリクロロエタンを用いて従来通り室温で洗浄
する方法と充分代替できることを示している。
【0047】(実施例4)ハイブリッドIC基板の洗浄
を実際の洗浄装置を用いて行った。被洗浄物を第1槽で
60〜70℃に加熱したテクリーンN−20で3分間超
音波・揺動洗浄し、第2槽で30℃のイソプロピルアル
コールで3分間すすぎ洗浄し、更に第3槽で82℃のイ
ソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄した。洗浄
後、被洗浄物の表面を反射式顕微鏡で観察した。被洗浄
物表面のフラックス及び半田ボールはきれいに落ち、白
色残渣、しみ等は全く残らず、洗浄は完璧に行われた。
この試験からもわかるように本発明の方法により、実際
の洗浄装置においても充分な洗浄効果を得ることができ
る。
を実際の洗浄装置を用いて行った。被洗浄物を第1槽で
60〜70℃に加熱したテクリーンN−20で3分間超
音波・揺動洗浄し、第2槽で30℃のイソプロピルアル
コールで3分間すすぎ洗浄し、更に第3槽で82℃のイ
ソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄した。洗浄
後、被洗浄物の表面を反射式顕微鏡で観察した。被洗浄
物表面のフラックス及び半田ボールはきれいに落ち、白
色残渣、しみ等は全く残らず、洗浄は完璧に行われた。
この試験からもわかるように本発明の方法により、実際
の洗浄装置においても充分な洗浄効果を得ることができ
る。
【0048】
【発明の効果】本発明の電機部品または電子部品の洗浄
方法によると電機部品または電子部品の洗浄、特にプリ
ント基板上に残る半田フラックスや半田ボールの清浄に
特に優れ、洗浄速度が大きく、洗浄液として使用する炭
化水素系溶剤による錆の発生も少ない特徴がある。ま
た、本発明で用いる炭化水素系溶剤が特に鉱油系の炭化
水素系溶剤である場合は、石油から製造したものなので
低コストであり、供給能力については全く不安がない。
洗浄液は蒸発ロスが少なく汚れがかなり高濃度になるま
で使え、繰り返し使用しても洗浄性が高いので、使用量
はフロン113 等のフロン系有機溶剤やトリクロロエタン
等の塩素系有機溶剤と比較してかなり少なくすることが
できる。例え洗浄液を多量に使用する場合であっても、
減圧蒸留再生した洗浄液を利用すれば経済性を向上させ
ることができる。廃液は良質な重油に相当するので、ボ
イラー等があれば燃料として利用することができ、廃液
処理にはあまりコストがかからない。フロン代替洗浄剤
として炭化水素系溶剤を採用すれば、防爆型の洗浄機に
切り替えるための設備投資はかかるが、ランニングコス
トは安いので、大幅なコストダウンが期待できる。本発
明の電機部品または電子部品の洗浄方法は、経済的であ
り、汎用品なので世界中どこでも容易に入手でき、且つ
人体に対して安全で、廃液処理などに伴う二次汚染がな
い、地球環境に優しい炭化水素系溶剤を洗浄剤として用
いるので、産業上の利用価値が大きい。
方法によると電機部品または電子部品の洗浄、特にプリ
ント基板上に残る半田フラックスや半田ボールの清浄に
特に優れ、洗浄速度が大きく、洗浄液として使用する炭
化水素系溶剤による錆の発生も少ない特徴がある。ま
た、本発明で用いる炭化水素系溶剤が特に鉱油系の炭化
水素系溶剤である場合は、石油から製造したものなので
低コストであり、供給能力については全く不安がない。
洗浄液は蒸発ロスが少なく汚れがかなり高濃度になるま
で使え、繰り返し使用しても洗浄性が高いので、使用量
はフロン113 等のフロン系有機溶剤やトリクロロエタン
等の塩素系有機溶剤と比較してかなり少なくすることが
できる。例え洗浄液を多量に使用する場合であっても、
減圧蒸留再生した洗浄液を利用すれば経済性を向上させ
ることができる。廃液は良質な重油に相当するので、ボ
イラー等があれば燃料として利用することができ、廃液
処理にはあまりコストがかからない。フロン代替洗浄剤
として炭化水素系溶剤を採用すれば、防爆型の洗浄機に
切り替えるための設備投資はかかるが、ランニングコス
トは安いので、大幅なコストダウンが期待できる。本発
明の電機部品または電子部品の洗浄方法は、経済的であ
り、汎用品なので世界中どこでも容易に入手でき、且つ
人体に対して安全で、廃液処理などに伴う二次汚染がな
い、地球環境に優しい炭化水素系溶剤を洗浄剤として用
いるので、産業上の利用価値が大きい。
Claims (2)
- 【請求項1】 炭化水素系溶剤を用いて40℃〜150
℃の温度範囲で電機部品または電子部品を洗浄すること
を特徴とする電機部品または電子部品の洗浄方法。 - 【請求項2】 炭化水素系溶剤中の芳香族系炭化水素の
含有量が0〜20重量%でかつ該溶剤の飽和炭化水素成
分中のナフテン系炭化水素の分率が30〜100%の炭
化水素系溶剤であることを特徴とする請求項1に記載の
電機部品または電子部品の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34204293A JPH07163955A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 電機部品または電子部品の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34204293A JPH07163955A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 電機部品または電子部品の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07163955A true JPH07163955A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18350717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34204293A Pending JPH07163955A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 電機部品または電子部品の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07163955A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08254602A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Japan Energy Corp | 光学部品用洗浄剤 |
| JP2002348692A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-04 | Neos Co Ltd | 圧延ロール用洗浄剤組成物 |
| JP2006070259A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Tokuyama Corp | 洗浄剤組成物 |
| JP2011520028A (ja) * | 2008-05-12 | 2011-07-14 | アーケマ・インコーポレイテッド | ヒドロクロロフルオロオレフィン類の組成物 |
| JP2023064028A (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-10 | ジャパン・フィールド株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP34204293A patent/JPH07163955A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08254602A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Japan Energy Corp | 光学部品用洗浄剤 |
| JP2002348692A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-04 | Neos Co Ltd | 圧延ロール用洗浄剤組成物 |
| JP2006070259A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Tokuyama Corp | 洗浄剤組成物 |
| JP2011520028A (ja) * | 2008-05-12 | 2011-07-14 | アーケマ・インコーポレイテッド | ヒドロクロロフルオロオレフィン類の組成物 |
| JP2023064028A (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-10 | ジャパン・フィールド株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法 |
| JP2023063639A (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-10 | ジャパン・フィールド株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法 |
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