JPH0716611B2 - 触媒の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は一酸化炭素と水素の混合物を炭化水素に転化す
るに適する触媒の製造方法に関する。
るに適する触媒の製造方法に関する。
H2/CO混合物を高められた温度および圧力で触媒と接触
させることによる該混合物からの炭化水素の製造は文献
においてフィッシャートロプシュ炭化水素合成として知
られている。この目的にしばしば使用される触媒は、１
またはそれより多い助触媒と一緒にした鉄族からの１ま
たはそれより多い金属および担体物質を含む。これらの
触媒は沈澱、含浸、混練および熔融といった既知技法に
より適当に製造しうる。これらの触媒を使用して製造し
うる生成物は通常非常に広範囲の分子量分布を有し、そ
して枝分れおよび非枝分れパラフィンのほかにしばしば
かなりの量のオレフィンおよび酸素含有有機化合物を含
む。通常は、得られる生成物の少部分のみが中間留出物
からなる。これら中間留出物の収率ばかりでなく流動点
も不満足である。従ってフィッシャートロプシュによる
H2/CO混合物の直接転化は、工業的規模での中間留出物
の製造には非常に魅力的な径路ではない。
させることによる該混合物からの炭化水素の製造は文献
においてフィッシャートロプシュ炭化水素合成として知
られている。この目的にしばしば使用される触媒は、１
またはそれより多い助触媒と一緒にした鉄族からの１ま
たはそれより多い金属および担体物質を含む。これらの
触媒は沈澱、含浸、混練および熔融といった既知技法に
より適当に製造しうる。これらの触媒を使用して製造し
うる生成物は通常非常に広範囲の分子量分布を有し、そ
して枝分れおよび非枝分れパラフィンのほかにしばしば
かなりの量のオレフィンおよび酸素含有有機化合物を含
む。通常は、得られる生成物の少部分のみが中間留出物
からなる。これら中間留出物の収率ばかりでなく流動点
も不満足である。従ってフィッシャートロプシュによる
H2/CO混合物の直接転化は、工業的規模での中間留出物
の製造には非常に魅力的な径路ではない。
本特許出願において“中間留出物”は沸点範囲が粗鉱油
の通常の常圧蒸留において得られる燈油およびガス油留
分のそれに実質的に相当する炭化水素混合物であると解
されるべきである。該蒸留中に粗鉱油から、30ないし20
0℃の沸点範囲を有する／またはそれより多いガソリン
留分、140ないし300℃の沸点範囲を有する１またはそれ
より多い燈油留分および180ないし370℃の沸点範囲を有
する１またはそれより多いガス油留分が続いて分離され
る。
の通常の常圧蒸留において得られる燈油およびガス油留
分のそれに実質的に相当する炭化水素混合物であると解
されるべきである。該蒸留中に粗鉱油から、30ないし20
0℃の沸点範囲を有する／またはそれより多いガソリン
留分、140ないし300℃の沸点範囲を有する１またはそれ
より多い燈油留分および180ないし370℃の沸点範囲を有
する１またはそれより多いガス油留分が続いて分離され
る。
最近、非常に少ないオレフィンおよび酸素含有化合物し
か存在せずそして事実上完全に非枝分れパラフィンから
なり、そのパラフィンのかなりの部分が中間留出物範囲
より上で沸騰する生成物を生ずる性質を有するフィッシ
ャートロプシュ触媒の一部類が見出された。接触水素処
理の使用によりこの生成物を高収率で中間留出物に転化
しうることが見出されている。水素処理の供給原料とし
て、初期沸点が最終生成物として所望の最も重質の中間
留出物の終期沸点より上にある生成物部分が少なくとも
選ばれる。非常に低い水素消費により特徴ずけられる水
素処理は、フィッシャートロプシュによるH2/CO混合物
の直接転化で得られるものよりもかなり良好な流動点を
有する中間留出物を生ずる。
か存在せずそして事実上完全に非枝分れパラフィンから
なり、そのパラフィンのかなりの部分が中間留出物範囲
より上で沸騰する生成物を生ずる性質を有するフィッシ
ャートロプシュ触媒の一部類が見出された。接触水素処
理の使用によりこの生成物を高収率で中間留出物に転化
しうることが見出されている。水素処理の供給原料とし
て、初期沸点が最終生成物として所望の最も重質の中間
留出物の終期沸点より上にある生成物部分が少なくとも
選ばれる。非常に低い水素消費により特徴ずけられる水
素処理は、フィッシャートロプシュによるH2/CO混合物
の直接転化で得られるものよりもかなり良好な流動点を
有する中間留出物を生ずる。
上記部類に属するフィッシャートロプシュ触媒は、担体
物質としてシリカ、アルミナまたはシリカ−アルミナ
を、そして触媒活性金属としてコバルトをジルコニウ
ム、チタンおよび／またはクロムと共に、触媒が担体物
質100重量部あたりコバルト３−６重量部およびジルコ
ニウム、チタンまたはクロムから選ばれた少なくとも１
つの他の金属0.1−100重量部を含むような量で含有す
る。触媒は混練および／または含浸により当該金属を担
体物質上に沈着させることにより製造される。
物質としてシリカ、アルミナまたはシリカ−アルミナ
を、そして触媒活性金属としてコバルトをジルコニウ
ム、チタンおよび／またはクロムと共に、触媒が担体物
質100重量部あたりコバルト３−６重量部およびジルコ
ニウム、チタンまたはクロムから選ばれた少なくとも１
つの他の金属0.1−100重量部を含むような量で含有す
る。触媒は混練および／または含浸により当該金属を担
体物質上に沈着させることにより製造される。
含浸による触媒製造は多孔質担体を液体の存在下に当該
金属の化合物と接触させ、次に液体を除去することによ
り行なわれる。同様に、混練による触媒製造において
は、多孔質担体を液体の存在下に当該金属の化合物と接
触させ、次に液体を除去するが、違うのは液体の除去の
前および／または最中に組成物を圧縮、混練またはリン
ジングといった強い機械的処理におけることであり、こ
れは通常担体物質の粒径をかなり減少させ、そして組成
物にペーストの稠度をとらせる。適当な混練機中での通
常数時間の混練で、混合物のいたる所での成分の所望の
均質な分布を達成するに充分である。担体物質の粒径が
かなり減少する強い機械的処理は混練径路と含浸径路の
主たる相違である。含浸による触媒製造の間に、組成物
が前記ペースト中に存在するそれに相当する量の液体を
含有する段階がありうること、および例えば攪拌によっ
て或機械的エネルギーが組成物に供給されうることは事
実であるが、しかし概して含浸による触媒製造中は担体
物質の粒径は事実上不変のままである。
金属の化合物と接触させ、次に液体を除去することによ
り行なわれる。同様に、混練による触媒製造において
は、多孔質担体を液体の存在下に当該金属の化合物と接
触させ、次に液体を除去するが、違うのは液体の除去の
前および／または最中に組成物を圧縮、混練またはリン
ジングといった強い機械的処理におけることであり、こ
れは通常担体物質の粒径をかなり減少させ、そして組成
物にペーストの稠度をとらせる。適当な混練機中での通
常数時間の混練で、混合物のいたる所での成分の所望の
均質な分布を達成するに充分である。担体物質の粒径が
かなり減少する強い機械的処理は混練径路と含浸径路の
主たる相違である。含浸による触媒製造の間に、組成物
が前記ペースト中に存在するそれに相当する量の液体を
含有する段階がありうること、および例えば攪拌によっ
て或機械的エネルギーが組成物に供給されうることは事
実であるが、しかし概して含浸による触媒製造中は担体
物質の粒径は事実上不変のままである。
コバルトに加えて他の金属を含む本触媒の場合、本特許
出願で使用される用語“混練または含浸による触媒製
造”は、２つの金属を担体上にこの方法で沈着させる或
る可能な変形を包含する。例えば、コバルトを完全に混
練によって、そして他の金属を完全に含浸によって担体
上に沈着させることができる；同様に、金属を担体上に
沈着させる順序および触媒製造を行なうのに使用する段
階数について自由選択がある。
出願で使用される用語“混練または含浸による触媒製
造”は、２つの金属を担体上にこの方法で沈着させる或
る可能な変形を包含する。例えば、コバルトを完全に混
練によって、そして他の金属を完全に含浸によって担体
上に沈着させることができる；同様に、金属を担体上に
沈着させる順序および触媒製造を行なうのに使用する段
階数について自由選択がある。
上記コバルト触媒の製造および性能を更に研究したとこ
ろ、ここに、活性および安定性に関する場合、それらの
性能は次の３つの因子に大幅に依存することが明らかと
なった： ａ）触媒上に存在するコバルトの合計量、 ｂ）混練により触媒上に沈着させたコバルトの量と触媒
上に存在するコバルトの合計量の重量比、および ｃ）触媒の表面積。
ろ、ここに、活性および安定性に関する場合、それらの
性能は次の３つの因子に大幅に依存することが明らかと
なった： ａ）触媒上に存在するコバルトの合計量、 ｂ）混練により触媒上に沈着させたコバルトの量と触媒
上に存在するコバルトの合計量の重量比、および ｃ）触媒の表面積。
触媒が の関係を満足する時に活性および安定性に関して最適の
性能を示すことが見出された。上記式において Ｌ＝mgCo/ml触媒で表わした、触媒上に存在するコバル
トの合計量、 Ｓ＝m2/ml触媒で表わした、触媒の表面積、そして Ｒ＝コバルトが含浸により適用された場合は０そしてコ
バルトが混練により適用された場合は／ Ｒは０（コバルトを専ら含浸により沈着させた触媒）ま
たは／（コバルトを専ら混練により沈着させた触媒）で
あるから、本発明はＬをＳで割った商が0.3より大きく
しかし７より小さい触媒にのみ関する。コバルトを沈着
させる方法に依って、上記関係は最適触媒性能を確保す
るためにＬをＳで割った商が−0.3−７の範囲内で一位
置すべき該面積を指示するのに使用しうる。ＬをＳで割
った商が上記関係を満足する触媒は新規である。
性能を示すことが見出された。上記式において Ｌ＝mgCo/ml触媒で表わした、触媒上に存在するコバル
トの合計量、 Ｓ＝m2/ml触媒で表わした、触媒の表面積、そして Ｒ＝コバルトが含浸により適用された場合は０そしてコ
バルトが混練により適用された場合は／ Ｒは０（コバルトを専ら含浸により沈着させた触媒）ま
たは／（コバルトを専ら混練により沈着させた触媒）で
あるから、本発明はＬをＳで割った商が0.3より大きく
しかし７より小さい触媒にのみ関する。コバルトを沈着
させる方法に依って、上記関係は最適触媒性能を確保す
るためにＬをＳで割った商が−0.3−７の範囲内で一位
置すべき該面積を指示するのに使用しうる。ＬをＳで割
った商が上記関係を満足する触媒は新規である。
従って本特許出願は、混練または含浸により製造され、
シリカ、アルミナまたはシリカ−アルミナ100重量部当
りコバルトを３−60重量部およびジルコニウム、チタン
またはクロムから選ばれた少なくとも１つの他の金属を
0.1−100重量部含み、そしてそのＬとＳが （３＋4R）＞L/S＞（0.3＋0.4R）の関係を満足するよう
な触媒の製造方法に関する。
シリカ、アルミナまたはシリカ−アルミナ100重量部当
りコバルトを３−60重量部およびジルコニウム、チタン
またはクロムから選ばれた少なくとも１つの他の金属を
0.1−100重量部含み、そしてそのＬとＳが （３＋4R）＞L/S＞（0.3＋0.4R）の関係を満足するよう
な触媒の製造方法に関する。
Ｒの値に基いて、本発明により製造しうる触媒は２つの
主類、即ち Ｉ）Ｒ＝０の触媒、 II）Ｒ＝１の触媒 に分けることができる。
主類、即ち Ｉ）Ｒ＝０の触媒、 II）Ｒ＝１の触媒 に分けることができる。
Ｉ類に属する触媒は更に２つの亜類、即ち IA）製造に専ら含浸を使用した触媒、および IB）製造に含浸および混練の両方を使用したが、しかし
コバルトは専ら含浸により沈着させた触媒 に分けることができる。
コバルトは専ら含浸により沈着させた触媒 に分けることができる。
II類に属する触媒も更に２つの亜類、即ち IIA）製造に専ら混練を使用した触媒、および IIB）製造に含浸および混練の両方を使用したが、しか
しコバルトは専ら混練により沈着させた触媒 に分けることができる。
しコバルトは専ら混練により沈着させた触媒 に分けることができる。
上記類の各々は、とりわけ製造の実施に使用した段階の
数、金属を沈着させる順序、および処理段階中に金属を
一緒に沈着させるかまたは個別に沈着させるか、に依っ
て広範囲の変形の可能性を提供する。
数、金属を沈着させる順序、および処理段階中に金属を
一緒に沈着させるかまたは個別に沈着させるか、に依っ
て広範囲の変形の可能性を提供する。
或類の中での変形の可能性の観念を与えるために、IA類
に属する触媒の製造法のいくつかを以下に図式的に列挙
する。この類に属する触媒の製造では、IIA類に属する
触媒の製造と同様に、金属を沈着させる方法は１つしか
ない（IA類では専ら含浸により、そしてIIA類では専ら
混練による）から、これら２つの類の変形の可能性は他
の類と比べて相対的に少ない。該列挙は多くとも３つの
含浸段階を行なう製造法に限定した。簡略化のため図式
的表現において、コバルト化合物での含浸は“Co"とし
て、他の金属の化合物での含浸は“Zr"として、および
コバルト化合物と他の金属の化合物での同時含浸（いわ
ゆる共含浸）は（Co＋Zr）として示した。専ら個別含浸
または専ら共含浸を使用する製造法に限定すると、以下
の可能性がある： １段階法：（Co＋Zr） ２段階法:Co/Zr;Zr/Co;（Co＋Zr）／（Co＋Zr） ３段階法:Co/Co/Zr;Co/Zr/Zr;Zr/Co/Co;Zr/Zr/Co;Co/Zr
/Co;Zr/Co/Zr;（Co＋Zr）／（Co＋Zr）／（Co＋Zr）。
に属する触媒の製造法のいくつかを以下に図式的に列挙
する。この類に属する触媒の製造では、IIA類に属する
触媒の製造と同様に、金属を沈着させる方法は１つしか
ない（IA類では専ら含浸により、そしてIIA類では専ら
混練による）から、これら２つの類の変形の可能性は他
の類と比べて相対的に少ない。該列挙は多くとも３つの
含浸段階を行なう製造法に限定した。簡略化のため図式
的表現において、コバルト化合物での含浸は“Co"とし
て、他の金属の化合物での含浸は“Zr"として、および
コバルト化合物と他の金属の化合物での同時含浸（いわ
ゆる共含浸）は（Co＋Zr）として示した。専ら個別含浸
または専ら共含浸を使用する製造法に限定すると、以下
の可能性がある： １段階法：（Co＋Zr） ２段階法:Co/Zr;Zr/Co;（Co＋Zr）／（Co＋Zr） ３段階法:Co/Co/Zr;Co/Zr/Zr;Zr/Co/Co;Zr/Zr/Co;Co/Zr
/Co;Zr/Co/Zr;（Co＋Zr）／（Co＋Zr）／（Co＋Zr）。
もし更に個別含浸と共含浸の組合せにより製造を行なう
可能性も考慮に入れると、可能な変形の数はもっと多く
なる。例えば２段階法では次の態様も考えることができ
る:Co/（Co＋Zr）;Zr/（Co＋Zr）；（Co＋Zr）/Co;（Co
＋Zr）/Zr。
可能性も考慮に入れると、可能な変形の数はもっと多く
なる。例えば２段階法では次の態様も考えることができ
る:Co/（Co＋Zr）;Zr/（Co＋Zr）；（Co＋Zr）/Co;（Co
＋Zr）/Zr。
金属を含浸により沈着させる場合も、金属を混練により
沈着させる場合も、担体物質をまず当該金属の化合物と
液体の存在下に接触させる。金属化合物として有機およ
び無機化合物の両方共適当である。金属化合物の混合物
も使用しうる。使用する液体は有機でも無機もよい。液
体の混合物も使用しうる。含浸中も混練中も共に、担体
物質を溶剤中の当該金属化合物の溶液と接触させるのが
好ましい。コバルトの沈着には無機コバルト化合物の水
溶液を使用するのが好ましい。他の金属の沈着には、有
機溶剤または有機溶剤の混合物中の有機金属化合物の溶
液を使用するのが好ましい。有機溶剤は少なくとも部分
的にβ−ジケトンまたはβ−ケトエステルからなるのが
好ましい。特に好ましいのは、他の金属グラム原子あた
りβ−ジケトンまたはβ−ケトエステルを0.5グラム分
子より多く含有する溶剤である。或金属を１つより多い
段階で沈着させるなら、異なる段階を当該金属の異なる
化合物および異なる溶剤を使用して行なうことができ
る。含浸中に使用する液体の量は広い範囲内で変えう
る。使用する液体の量は、含浸すべき担体の細孔容積と
同じかまたはそれより少なくてもまたは多くてもよい。
含浸においては含浸すべき担体の細孔容積にほぼ相当す
る容積の量の液体を使用するのが好ましい。混練中に使
用する液体の量も広い範囲内で変えうる；しかし、混練
中に強い機械的処理の作用下に担体物質および金属化合
物と一緒に、所望のペースト様稠度を有する組成物を生
じうるような多さの液体が存在するように注意すべきで
ある。余剰の液体があれば、混練前または最中に蒸発に
より組成物から除去しうる。混練中に、担体の細孔容積
の110−190％に相当する容積の量の液体を使用するのが
好ましい。
沈着させる場合も、担体物質をまず当該金属の化合物と
液体の存在下に接触させる。金属化合物として有機およ
び無機化合物の両方共適当である。金属化合物の混合物
も使用しうる。使用する液体は有機でも無機もよい。液
体の混合物も使用しうる。含浸中も混練中も共に、担体
物質を溶剤中の当該金属化合物の溶液と接触させるのが
好ましい。コバルトの沈着には無機コバルト化合物の水
溶液を使用するのが好ましい。他の金属の沈着には、有
機溶剤または有機溶剤の混合物中の有機金属化合物の溶
液を使用するのが好ましい。有機溶剤は少なくとも部分
的にβ−ジケトンまたはβ−ケトエステルからなるのが
好ましい。特に好ましいのは、他の金属グラム原子あた
りβ−ジケトンまたはβ−ケトエステルを0.5グラム分
子より多く含有する溶剤である。或金属を１つより多い
段階で沈着させるなら、異なる段階を当該金属の異なる
化合物および異なる溶剤を使用して行なうことができ
る。含浸中に使用する液体の量は広い範囲内で変えう
る。使用する液体の量は、含浸すべき担体の細孔容積と
同じかまたはそれより少なくてもまたは多くてもよい。
含浸においては含浸すべき担体の細孔容積にほぼ相当す
る容積の量の液体を使用するのが好ましい。混練中に使
用する液体の量も広い範囲内で変えうる；しかし、混練
中に強い機械的処理の作用下に担体物質および金属化合
物と一緒に、所望のペースト様稠度を有する組成物を生
じうるような多さの液体が存在するように注意すべきで
ある。余剰の液体があれば、混練前または最中に蒸発に
より組成物から除去しうる。混練中に、担体の細孔容積
の110−190％に相当する容積の量の液体を使用するのが
好ましい。
本発明による触媒製造において組成物中に存在する液体
は好ましくは金属化合物を担体物質上に沈着させる各段
階後に例えば高められた温度で、組成物を次の段階で金
属化合物ともう一度接触させる前に除去する。担体上に
金属化合物を沈着させる最終段階後に組成物を焼す
る。本発明による触媒製造においては各処理段階後に得
られた組成物を焼するのが好ましい。
は好ましくは金属化合物を担体物質上に沈着させる各段
階後に例えば高められた温度で、組成物を次の段階で金
属化合物ともう一度接触させる前に除去する。担体上に
金属化合物を沈着させる最終段階後に組成物を焼す
る。本発明による触媒製造においては各処理段階後に得
られた組成物を焼するのが好ましい。
前記のように本発明は、主として担体物質上に金属を沈
着させる方法（専ら混練により、専ら含浸により、また
はそれらの組合せにより）、製造を実施する段階の数お
よび金属を沈着させる順序において互いに異なる多数の
変形製造法を含む。触媒は好ましくは次の３つの手順の
１つによって製造される： ａ）まずコバルトを含浸により１またはそれより多い段
階で沈着させ、そして次に他の金属をやはり含浸により
１またはそれより多い段階で沈着させる。
着させる方法（専ら混練により、専ら含浸により、また
はそれらの組合せにより）、製造を実施する段階の数お
よび金属を沈着させる順序において互いに異なる多数の
変形製造法を含む。触媒は好ましくは次の３つの手順の
１つによって製造される： ａ）まずコバルトを含浸により１またはそれより多い段
階で沈着させ、そして次に他の金属をやはり含浸により
１またはそれより多い段階で沈着させる。
ｂ）まず他の金属を含浸により１またはそれより多い段
階で沈着させ、そして次にコバルトをやはり含浸により
１またはそれより多い段階で沈着させる。
階で沈着させ、そして次にコバルトをやはり含浸により
１またはそれより多い段階で沈着させる。
ｃ）まずコバルトを混練により１またはそれより多い段
階で沈着させ、そして次に他の金属を含浸により１また
はそれより多い段階で沈着させる。本発明による触媒上
に沈着させる金属の量はコバルトについては担体100重
量部あたり３−60重量部、そして他の金属については担
体100重量部あたり0.1−100重量部である。担体100重量
部あたりコバルト15−50重量部を含有する触媒を製造す
るのが好ましい。他の金属の沈着させるべき好ましい量
はこの金属を沈着させる方法に依存する。最初にコバル
トを担体上に、そして次に他の金属を沈着させる製造様
式においては、担体100重量部あたり他の金属0.1−５重
量部を含有する触媒を製造するのが好ましい。最初に他
の金属を担体上に、そして次にコバルトを沈着させる製
造様式においては、担体100重量部あたり他の金属５−4
0重量部を含有する触媒を製造するのが好ましい。他の
金属としてジルコニウムを、そして担体物質としてシリ
カを使用するのが好ましい。
階で沈着させ、そして次に他の金属を含浸により１また
はそれより多い段階で沈着させる。本発明による触媒上
に沈着させる金属の量はコバルトについては担体100重
量部あたり３−60重量部、そして他の金属については担
体100重量部あたり0.1−100重量部である。担体100重量
部あたりコバルト15−50重量部を含有する触媒を製造す
るのが好ましい。他の金属の沈着させるべき好ましい量
はこの金属を沈着させる方法に依存する。最初にコバル
トを担体上に、そして次に他の金属を沈着させる製造様
式においては、担体100重量部あたり他の金属0.1−５重
量部を含有する触媒を製造するのが好ましい。最初に他
の金属を担体上に、そして次にコバルトを沈着させる製
造様式においては、担体100重量部あたり他の金属５−4
0重量部を含有する触媒を製造するのが好ましい。他の
金属としてジルコニウムを、そして担体物質としてシリ
カを使用するのが好ましい。
本発明の方法により製造される触媒は一酸化炭素と水素
の混合物からの炭化水素の製造に使用するに優れて適す
る。それらがこの目的に適当になるには、触媒をまず還
元しなければならない。この還元は触媒を200ないし350
℃の温度で水素含有ガスと接触させることにより非常に
適当に実施しうる。H2含有供給原料の炭化水素への転化
は好ましくは125−135℃特に175−275℃の温度および５
−150バール特に10−100バールの圧力で実施される。
の混合物からの炭化水素の製造に使用するに優れて適す
る。それらがこの目的に適当になるには、触媒をまず還
元しなければならない。この還元は触媒を200ないし350
℃の温度で水素含有ガスと接触させることにより非常に
適当に実施しうる。H2含有供給原料の炭化水素への転化
は好ましくは125−135℃特に175−275℃の温度および５
−150バール特に10−100バールの圧力で実施される。
本発明により製造された触媒を使用して炭化水素に転化
するに適するH2およびCO含有供給原料は、石炭のような
重質炭素質材料からガス化により、または天然ガスのよ
うな軽質炭化水素からスチームリホーミングまたは部分
酸化により非常に適当に得ることができる。適当なH2お
よびCO含有供給原料は、H2/CO混合物を、該混合物を炭
化水素および／または酸素含有有機化合物に転化する触
媒活性を有する１またはそれより多い金属成分を含有す
る触媒と接触させることにより得られる反応生成物から
未転化水素および一酸化炭素および所望なら他の成分を
含む留分を分離することによっても得ることができる。
このH2/CO混合物の部分転化において、そのために選ば
れる触媒に依存して、主として芳香族炭化水素か、また
は主としてパラフィン炭化水素か、または主として酸化
含有有機化合物が製造されるであろう。該部分転化にお
いて主として芳香族炭化水素を製造するのが目的なら、
メタノールまたはジメチルエーテル合成触媒かまたは含
浸により製造されたFe/Mg/Al2O3またはFe/Cr/SiO2触媒
を、空気中500℃で１時間焼後に次の性質： ａ）最も強い線が表Ａに示した線である粉末Ｘ線回折像 表Ａ ｄ（Å） 11.1 ± 0.2 10.0 ± 0.2 3.84 ± 0.07 3.72 ± 0.06 および ｂ）酸化物のモル数で表わした珪酸塩の組成物を表わし
そしてSiO2の他にアルミニウム、鉄、ガリウム、ロジウ
ム、クロムおよびスカンジウムから形成される群から選
ばれる３価金属Ｍの酸化物の１またはそれより多くを含
む式において、SiO2／M2O3のモル比が10より大きいこ
と、 を有することにより特徴ずけられる結晶性金属珪酸塩と
共に含む触媒混合物が非常に適当に使用されうる。
するに適するH2およびCO含有供給原料は、石炭のような
重質炭素質材料からガス化により、または天然ガスのよ
うな軽質炭化水素からスチームリホーミングまたは部分
酸化により非常に適当に得ることができる。適当なH2お
よびCO含有供給原料は、H2/CO混合物を、該混合物を炭
化水素および／または酸素含有有機化合物に転化する触
媒活性を有する１またはそれより多い金属成分を含有す
る触媒と接触させることにより得られる反応生成物から
未転化水素および一酸化炭素および所望なら他の成分を
含む留分を分離することによっても得ることができる。
このH2/CO混合物の部分転化において、そのために選ば
れる触媒に依存して、主として芳香族炭化水素か、また
は主としてパラフィン炭化水素か、または主として酸化
含有有機化合物が製造されるであろう。該部分転化にお
いて主として芳香族炭化水素を製造するのが目的なら、
メタノールまたはジメチルエーテル合成触媒かまたは含
浸により製造されたFe/Mg/Al2O3またはFe/Cr/SiO2触媒
を、空気中500℃で１時間焼後に次の性質： ａ）最も強い線が表Ａに示した線である粉末Ｘ線回折像 表Ａ ｄ（Å） 11.1 ± 0.2 10.0 ± 0.2 3.84 ± 0.07 3.72 ± 0.06 および ｂ）酸化物のモル数で表わした珪酸塩の組成物を表わし
そしてSiO2の他にアルミニウム、鉄、ガリウム、ロジウ
ム、クロムおよびスカンジウムから形成される群から選
ばれる３価金属Ｍの酸化物の１またはそれより多くを含
む式において、SiO2／M2O3のモル比が10より大きいこ
と、 を有することにより特徴ずけられる結晶性金属珪酸塩と
共に含む触媒混合物が非常に適当に使用されうる。
該部分転化において主としてパラフィン炭化水素を製造
するのが目的なら、前記含浸により製造されたFe/Mg/Al
2O3またはFe/Cr/SiO2触媒が非常に適当に使用されう
る。該部分転化を酸素含有有機化合物製造の目的で行な
うなら、メタノールまたはジメチルエーテル合成触媒が
非常に適当に使用されうる。該部分転化に使用するに適
するメタノール合成触媒はZnO/Cr2O3およびCu/ZnO/Cr2O
3触媒である。該部分転化に使用するに適するジメチル
エーテル合成触媒はガンマ−Al2O3と前記Cu/ZnO/Cr2O3
メタノール合成触媒の混合物である。
するのが目的なら、前記含浸により製造されたFe/Mg/Al
2O3またはFe/Cr/SiO2触媒が非常に適当に使用されう
る。該部分転化を酸素含有有機化合物製造の目的で行な
うなら、メタノールまたはジメチルエーテル合成触媒が
非常に適当に使用されうる。該部分転化に使用するに適
するメタノール合成触媒はZnO/Cr2O3およびCu/ZnO/Cr2O
3触媒である。該部分転化に使用するに適するジメチル
エーテル合成触媒はガンマ−Al2O3と前記Cu/ZnO/Cr2O3
メタノール合成触媒の混合物である。
本発明により製造される触媒を使用して炭化水素に転化
されるH2およびCO含有供給原料は好ましくは1.5より高
いH2/COモル比を有する。供給原料が1.5より低いH2/CO
モル比を有するなら、それをコバルト触媒と接触させる
前に1.5ないし2.5の値特に1.75ないし2.25の値を有する
ように上げるのが好ましい。低水素供給原料のH2/COモ
ル比は例えば水素の添加、一酸化炭素の除去、水素リッ
チH2/CO混合物との混合または低水素供給原料をCO転化
反応にかけることにより、高めることができる。
されるH2およびCO含有供給原料は好ましくは1.5より高
いH2/COモル比を有する。供給原料が1.5より低いH2/CO
モル比を有するなら、それをコバルト触媒と接触させる
前に1.5ないし2.5の値特に1.75ないし2.25の値を有する
ように上げるのが好ましい。低水素供給原料のH2/COモ
ル比は例えば水素の添加、一酸化炭素の除去、水素リッ
チH2/CO混合物との混合または低水素供給原料をCO転化
反応にかけることにより、高めることができる。
前記のように、本発明により製造された触媒はH2および
CO含有供給原料の転化に使用した場合、実質的にパラフ
ィン型の生成物を生じ、その高沸点部分は接触水素処理
の使用により高収率で中間留出物に転化することができ
る。水素処理に選ばれる供給原料は少なくとも該生成物
のうちの、初期沸点が最終生成物として所望の最も重質
の中間留出物の最終沸点より上にある部分である。接触
水素処理は、処理されるべき留分を高められた温度およ
び圧力で水素の存在下に担体上に支持された水素化活性
を有する１またはそれより多い金属を含有する触媒と接
触させることにより行なわれる。適当な触媒の例は、ア
ルミナまたはシリカ−アルミナのような担体上に支持さ
れたニッケルおよび／またはコバルト、および加うるに
モリブデンおよび／またはタングステンを含む硫化物触
媒である。接触水素処理において、担体上に支持された
VIII族からの１またはそれより多い貴金属を含む触媒を
使用するのが好ましい。担体上に存在する貴金属の量は
広い範囲内で変えうるが、しかしそれはしばしば0.05−
５％ｗである。担体上に存在しうるVIII族からの貴金属
は白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ムおよびオスミウムであり、白金が好ましい。所望なら
これら金属の２またはそれより多くが触媒中に存在して
もよい。触媒中に存在するVIII族貴金属の量は好ましく
は0.1−２％ｗ、特に0.1−１％ｗである。貴金属触媒の
ための適当な担体の例は、シリカ、アルミナ、マグネシ
アおよびジルコニアのようなII,IIIおよびIV族からの元
素の無定形酸化物、並びにシリカ−アルミナ、シリカ−
マグネシアおよびシリカ−ジルコニアのようなそれら酸
化物の混合物、およびモルデン沸石およびホージャサイ
トのようなゼオライト材料である。貴金属触媒の担体と
してアルミナおよびシリカ−アルミナが好ましい。本目
的に非常に適する貴金属触媒は、担体の13−15％ｗがア
ルミナ、残りがシリカからなる担体上に支持されたVIII
族からの１またはそれより多い貴金属を含む触媒であ
る。接触水素処理を行なう適当な条件は175−400℃の温
度、10−250バールの水素分圧、0.1−5kg・l-1・h-1の
空間速度および100−5000Nl・kg-1の水素／油の比であ
る。接触水素処理は好ましくは次の条件下で実施され
る:250−350℃の温度、25−150バールの水素分圧、0.25
−2kg・l-1・h-1の空間速度および250−2500Nl・kg-1の
水素／油比。触媒と処理条件の適当な選択は、コバルト
触媒上で製造された生成物の重質部分から接触水素処理
において中間留出物ばかりでなく高い粘度指数を有する
潤滑油をも製造する可能性を提供する。
CO含有供給原料の転化に使用した場合、実質的にパラフ
ィン型の生成物を生じ、その高沸点部分は接触水素処理
の使用により高収率で中間留出物に転化することができ
る。水素処理に選ばれる供給原料は少なくとも該生成物
のうちの、初期沸点が最終生成物として所望の最も重質
の中間留出物の最終沸点より上にある部分である。接触
水素処理は、処理されるべき留分を高められた温度およ
び圧力で水素の存在下に担体上に支持された水素化活性
を有する１またはそれより多い金属を含有する触媒と接
触させることにより行なわれる。適当な触媒の例は、ア
ルミナまたはシリカ−アルミナのような担体上に支持さ
れたニッケルおよび／またはコバルト、および加うるに
モリブデンおよび／またはタングステンを含む硫化物触
媒である。接触水素処理において、担体上に支持された
VIII族からの１またはそれより多い貴金属を含む触媒を
使用するのが好ましい。担体上に存在する貴金属の量は
広い範囲内で変えうるが、しかしそれはしばしば0.05−
５％ｗである。担体上に存在しうるVIII族からの貴金属
は白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ムおよびオスミウムであり、白金が好ましい。所望なら
これら金属の２またはそれより多くが触媒中に存在して
もよい。触媒中に存在するVIII族貴金属の量は好ましく
は0.1−２％ｗ、特に0.1−１％ｗである。貴金属触媒の
ための適当な担体の例は、シリカ、アルミナ、マグネシ
アおよびジルコニアのようなII,IIIおよびIV族からの元
素の無定形酸化物、並びにシリカ−アルミナ、シリカ−
マグネシアおよびシリカ−ジルコニアのようなそれら酸
化物の混合物、およびモルデン沸石およびホージャサイ
トのようなゼオライト材料である。貴金属触媒の担体と
してアルミナおよびシリカ−アルミナが好ましい。本目
的に非常に適する貴金属触媒は、担体の13−15％ｗがア
ルミナ、残りがシリカからなる担体上に支持されたVIII
族からの１またはそれより多い貴金属を含む触媒であ
る。接触水素処理を行なう適当な条件は175−400℃の温
度、10−250バールの水素分圧、0.1−5kg・l-1・h-1の
空間速度および100−5000Nl・kg-1の水素／油の比であ
る。接触水素処理は好ましくは次の条件下で実施され
る:250−350℃の温度、25−150バールの水素分圧、0.25
−2kg・l-1・h-1の空間速度および250−2500Nl・kg-1の
水素／油比。触媒と処理条件の適当な選択は、コバルト
触媒上で製造された生成物の重質部分から接触水素処理
において中間留出物ばかりでなく高い粘度指数を有する
潤滑油をも製造する可能性を提供する。
本発明を以下の実施例の助けにより更に説明する。
触媒製造 シリカ担体をコバルトおよびジルコニウム化合物の溶液
で含浸または混練することにより21のCo/Zr/SiO2触媒
（触媒１−21）を製造した。更にシリカ担体をコバルト
化合物の溶液で、およびチタン化合物の溶液で含浸する
ことにより１つのCo/Ti/SiO2触媒（触媒22）を製造し
た。
で含浸または混練することにより21のCo/Zr/SiO2触媒
（触媒１−21）を製造した。更にシリカ担体をコバルト
化合物の溶液で、およびチタン化合物の溶液で含浸する
ことにより１つのCo/Ti/SiO2触媒（触媒22）を製造し
た。
各含浸段階において、当該担体の細孔容積に実質的に相
当する容積の量の溶液を使用した。各含浸段階後に加熱
により溶剤を除去しそして材料を500℃で焼した。
当する容積の量の溶液を使用した。各含浸段階後に加熱
により溶剤を除去しそして材料を500℃で焼した。
各混練段階において、当該担体の細孔容積の150％に実
質的に相当する容積の量の溶液を使用した。各混練段階
において混合物を浸軟機（macerator）中で３時間混練
した。混練中、少量の溶剤を加熱により除去した。各混
練段階後得られたペーストを浸軟機から捕集し、溶剤の
残りを加熱により除去し、そして材料を摩砕しそして50
0℃で焼した。
質的に相当する容積の量の溶液を使用した。各混練段階
において混合物を浸軟機（macerator）中で３時間混練
した。混練中、少量の溶剤を加熱により除去した。各混
練段階後得られたペーストを浸軟機から捕集し、溶剤の
残りを加熱により除去し、そして材料を摩砕しそして50
0℃で焼した。
触媒１−22は次のように製造した。
触媒１−５ 種々のシリカ担体をｎ−プロパノールとベンゼンの混合
物中のジルコニウムテトラｎ−プロポキシドの溶液で３
段階含浸、次にジルコニウム担持担体を硝酸コバルト水
溶液で１段階含浸。
物中のジルコニウムテトラｎ−プロポキシドの溶液で３
段階含浸、次にジルコニウム担持担体を硝酸コバルト水
溶液で１段階含浸。
触媒6,7および９ 種々のシリカ担体を硝酸コバルトの溶液で１段階含浸
し、次にコバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で
１段階含浸。
し、次にコバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で
１段階含浸。
触媒８ シリカ担体を水中の硝酸コバルトと塩化ジルコニルの溶
液で１段階共含浸。
液で１段階共含浸。
触媒10 シリカ担体を硝酸コバルト水溶液で２段階含浸し、次に
コバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で１段階含
浸。
コバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で１段階含
浸。
触媒11 シリカ担体を水中の硝酸コバルトと硝酸ジルコニウムの
溶液で１段階共含浸。
溶液で１段階共含浸。
触媒12 シリカ担体を硝酸コバルト水溶液で１段階含浸し、次に
コバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で混練。
コバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で混練。
触媒13 シリカ担体をｎ−プロパノール、アセチルアセトンおよ
びベンゼンの混合物中のジルコニウムテトラｎ−プロポ
キシドの溶液で混練し、次にジルコニウム担持担体を硝
酸コバルト水溶液で１段階含浸。
びベンゼンの混合物中のジルコニウムテトラｎ−プロポ
キシドの溶液で混練し、次にジルコニウム担持担体を硝
酸コバルト水溶液で１段階含浸。
触媒14−17 種々のシリカ担体を硝酸コバルトの水溶液で混練し、次
にコバルト担持担体を塩化ジルコニル水溶液で１段階含
浸。
にコバルト担持担体を塩化ジルコニル水溶液で１段階含
浸。
触媒18 シリカ担体を水中の硝酸コバルトと硝酸ジルコニウムの
溶液で共混練。
溶液で共混練。
触媒19 シリカ担体を硝酸コバルト水溶液で混練し、次にコバル
ト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で混練。
ト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液で混練。
触媒20 シリカ担体を硝酸ジルコニウム水溶液で混練し、次にジ
ルコニウム担持担体を硝酸コバルトル水溶液で混練。
ルコニウム担持担体を硝酸コバルトル水溶液で混練。
触媒21 シリカ担体をトルエンとアセチルアセトンの混合物中の
ジルコニウムテトラｎ−プロポキシドの溶液で３段階含
浸し、次にジルコニウム担持担体を硝酸コバルト水溶液
で混練。
ジルコニウムテトラｎ−プロポキシドの溶液で３段階含
浸し、次にジルコニウム担持担体を硝酸コバルト水溶液
で混練。
触媒22 シリカ担体をイソプロパノールとアセチルアセトンの混
合物中のテトライソプロピルオルトチタネートの溶液で
３段階含浸し、次にチタン担持担体を硝酸コバルト水溶
液で１段階含浸。
合物中のテトライソプロピルオルトチタネートの溶液で
３段階含浸し、次にチタン担持担体を硝酸コバルト水溶
液で１段階含浸。
触媒１−22に関するそれ以上の情報は表ＩおよびIIに示
す。
す。
表Ｉに列記した触媒の場合、コバルトは専ら含浸により
沈着させた。これら触媒ではＲ＝０であり、従ってＬを
Ｓで割った商は本発明によれば0.3と３の間にあるべき
である。表Ｉに列記した触媒のうち、触媒2,3,5,9,11−
13および22は0.3ないし３のL/Sを有し、本発明による触
媒である。L/S＜0.3または＞３である触媒1,4,6−８お
よび10は本発明の範囲外である。それらは比較のために
本明細書に含めた。
沈着させた。これら触媒ではＲ＝０であり、従ってＬを
Ｓで割った商は本発明によれば0.3と３の間にあるべき
である。表Ｉに列記した触媒のうち、触媒2,3,5,9,11−
13および22は0.3ないし３のL/Sを有し、本発明による触
媒である。L/S＜0.3または＞３である触媒1,4,6−８お
よび10は本発明の範囲外である。それらは比較のために
本明細書に含めた。
表IIに列記した触媒の場合、コバルトは専ら混練により
沈着させた。これら触媒ではＲ＝１で、従ってＬをＳで
割った商は0.7と７の間にあるべきである。表IIに列記
した触媒のうち触媒15,16および18−21は0.7と７の間の
L/Sを有し、本発明による触媒である。L/S＞７または＜
0.7の触媒14と17は本発明の範囲外である。それらは比
較のため本明細書に含めた。
沈着させた。これら触媒ではＲ＝１で、従ってＬをＳで
割った商は0.7と７の間にあるべきである。表IIに列記
した触媒のうち触媒15,16および18−21は0.7と７の間の
L/Sを有し、本発明による触媒である。L/S＞７または＜
0.7の触媒14と17は本発明の範囲外である。それらは比
較のため本明細書に含めた。
触媒試験 触媒１−10、14−17および22を、一酸化炭素と水素の混
合物から炭化水素を製造する19の実験（実験１−19）に
使用した。実験は固定触媒床を含む50ml反応器中で実施
した。試験に先立ち触媒を水素含有ガス中250℃で還元
した。
合物から炭化水素を製造する19の実験（実験１−19）に
使用した。実験は固定触媒床を含む50ml反応器中で実施
した。試験に先立ち触媒を水素含有ガス中250℃で還元
した。
実験１−５および19において、H2/COモル比２を有するH
2/CO混合物を220℃の温度、20バールの圧力および種々
の空間速度で触媒１−５および22と接触させた。これら
実験の結果を表IIIに示す。
2/CO混合物を220℃の温度、20バールの圧力および種々
の空間速度で触媒１−５および22と接触させた。これら
実験の結果を表IIIに示す。
表IIIに示した実験のうち、実験2,3,5および19は本発明
による実験である。これらの実験において、高活性（gC
1 +/gコバルト/hとして表わして）および高安定性（CO転
化％ｖ損失/100hとして表わして）の両方を示した本発
明による触媒が使用された。実験１および４は本発明の
範囲外である。これらの実験で使用された触媒は低すぎ
る安定性を有した。実験４で使用された触媒は更に低す
ぎる活性を有した。
による実験である。これらの実験において、高活性（gC
1 +/gコバルト/hとして表わして）および高安定性（CO転
化％ｖ損失/100hとして表わして）の両方を示した本発
明による触媒が使用された。実験１および４は本発明の
範囲外である。これらの実験で使用された触媒は低すぎ
る安定性を有した。実験４で使用された触媒は更に低す
ぎる活性を有した。
実験６−14において、H2/CO混合物を触媒６−10と種々
の温度、圧力および空間速度で接触させた。実験の実施
条件並びに実験結果を表IVに示す。
の温度、圧力および空間速度で接触させた。実験の実施
条件並びに実験結果を表IVに示す。
表IVに列記した実験のうち、実験13だけが本発明による
実験である。この実験において、高活性（gC1 +/gコバル
ト/hとして表わして）および高安定性（CO転化％ｖ損失
/100hとして表わして）の両方を示した本発明による触
媒が使用された。実験６−12および14は本発明の範囲外
である。実験8,10,12および14の結果からわかるよう
に、実験６−12および14においては、低すぎる活性およ
び低すぎる安定性の両方を有する触媒が使用された。
実験である。この実験において、高活性（gC1 +/gコバル
ト/hとして表わして）および高安定性（CO転化％ｖ損失
/100hとして表わして）の両方を示した本発明による触
媒が使用された。実験６−12および14は本発明の範囲外
である。実験8,10,12および14の結果からわかるよう
に、実験６−12および14においては、低すぎる活性およ
び低すぎる安定性の両方を有する触媒が使用された。
実験15−18ではH2/COモル比２を有するH2/CO混合物を22
0℃の温度、30バールの圧力および種々の空間速度で触
媒14−17と接触させた。これらの実験の結果を表Ｖに示
す。
0℃の温度、30バールの圧力および種々の空間速度で触
媒14−17と接触させた。これらの実験の結果を表Ｖに示
す。
表Ｖに述べた実験のうち、実験16および17は本発明によ
る実験である。これらの実験において、高活性（gC1 +/g
コバルト/hとして表わして）および高安定性（CO転化％
ｖ損失/1000hとして表わして）の両方を有する本発明に
よる触媒が使用された。実験15および18は本発明の範囲
外である。これらの実験においては低すぎる活性および
低すぎる安定性の両方を有する触媒が使用された。
る実験である。これらの実験において、高活性（gC1 +/g
コバルト/hとして表わして）および高安定性（CO転化％
ｖ損失/1000hとして表わして）の両方を有する本発明に
よる触媒が使用された。実験15および18は本発明の範囲
外である。これらの実験においては低すぎる活性および
低すぎる安定性の両方を有する触媒が使用された。
表III−表Ｖ中の“CO転化率損失”は、実験が進行する
につれて観測される一酸化炭素の転化率の低減を指す。
これらの表中において、その数字は“％v/100h"または
“％v/1000h"として示されている。従って、この数字
は、触媒が100時間または1000時間作用せしめられた後
観測される初期一酸化炭素転化率の低減を表わす。
につれて観測される一酸化炭素の転化率の低減を指す。
これらの表中において、その数字は“％v/100h"または
“％v/1000h"として示されている。従って、この数字
は、触媒が100時間または1000時間作用せしめられた後
観測される初期一酸化炭素転化率の低減を表わす。
接触水素処理 345℃の温度、130バールの圧力、1.25l/l/hの空間速度
および2000Nl/lの水素／油比で、実験13により得られた
生成物のC5 +留分を水素と一緒に固定触媒床を含む50ml
反応器に通す実験20を行なった。触媒は14.6％ｗのアル
ミナおよび85.4％ｗのシリカからなる担体100重量部あ
たり白金0.82重量部を含むPt/SiO2−Al2O3触媒であっ
た。実験20の結果を表VIに示す。
および2000Nl/lの水素／油比で、実験13により得られた
生成物のC5 +留分を水素と一緒に固定触媒床を含む50ml
反応器に通す実験20を行なった。触媒は14.6％ｗのアル
ミナおよび85.4％ｗのシリカからなる担体100重量部あ
たり白金0.82重量部を含むPt/SiO2−Al2O3触媒であっ
た。実験20の結果を表VIに示す。
表VIに述べた結果から、本発明により製造された生成物
に接触水素処理を適用した場合、400℃+留分のかなりの
部分の転化（37から13％ｗに低下）、かなりの量の150
−360℃留分の生成（43から63％ｗに上昇）があり、一
方150℃-留分は非常に少ししか生成しない（13から17％
ｗに上昇）ことがわかる。
に接触水素処理を適用した場合、400℃+留分のかなりの
部分の転化（37から13％ｗに低下）、かなりの量の150
−360℃留分の生成（43から63％ｗに上昇）があり、一
方150℃-留分は非常に少ししか生成しない（13から17％
ｗに上昇）ことがわかる。
“C1 +”、“C5 +”等の記号は、炭化水素留分の記載とし
て当該技術において普通に用いられている記号である。
即ち、“C1 +”は１個またはそれ以上の炭素原子を有す
る炭化水素分子の留分を指し、“C5 +”は５個またはそ
れ以上の炭素原子を有する炭化水素分子の留分を指す。
て当該技術において普通に用いられている記号である。
即ち、“C1 +”は１個またはそれ以上の炭素原子を有す
る炭化水素分子の留分を指し、“C5 +”は５個またはそ
れ以上の炭素原子を有する炭化水素分子の留分を指す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルテイン・フランシスカス・マリア・ポ スト オランダ国1031シ−・エム・アムステルダ ム・バトホイスウエヒ３ (56)参考文献 特開 昭57−118524（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】混練または含浸によって、シリカ、アルミ
ナまたはシリカ−アルミナ100重量部あたりコバルトを
３−60重量部およびジルコニウム、チタンまたはクロム
から選ばれた少なくとも１つの他の金属を0.1−100重量
部含み、そして次の関係 （ここで Ｌ＝mgCo/ml触媒で表わした、触媒上に存在するコバル
トの合計量、 Ｓ＝m2/ml触媒で表わした、触媒の表面積、そして Ｒ＝コバルトが含浸により適用された場合は０そしてコ
バルトが混練により適用された場合は１） を満足するようなＬとＳを有する触媒を製造することを
特徴とする、一酸化炭素と水素からの炭化水素の製造に
使用する触媒の製造方法。 - 【請求項２】含浸中および混練中の両方において担体物
質を溶剤中の当該金属化合物の溶液と接触させる、特許
請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】コバルトを沈着させるために無機コバルト
化合物の水溶液を使用する、特許請求の範囲第１または
２項記載の方法。 - 【請求項４】他の金属を沈着させるために有機溶剤また
は有機溶剤混合物中の有機金属化合物の溶液を使用す
る、特許請求の範囲第１ないし３項のいずれか一つの項
記載の方法。 - 【請求項５】有機溶剤が少なくとも部分的にβ−ジケト
ンまたはβ−ケトエステルからなる、特許請求の範囲第
４項記載の方法。 - 【請求項６】溶液が他の金属グラム原子あたりβ−ジケ
トンまたはβ−ケトエステルを0.5グラム分子より多く
含む、特許請求の範囲第５項記載の方法。 - 【請求項７】含浸中に、含浸すべき担体の細孔容積に実
質的に相当する容積の量の液体を使用する、特許請求の
範囲第１ないし６項のいずれか一つの項記載の方法。 - 【請求項８】混練中に担体の細孔容積の110−190％に実
質的に相当する容積の量の液体を使用する、特許請求の
範囲第１ないし７項のいずれか一つの項記載の方法。 - 【請求項９】得られる組成物を各含浸または混練段階後
に焼する、特許請求の範囲第１ないし８項のいずれか
一つの項記載の方法。
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|---|---|
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