JPH07169701A - ３−５族半導体薄膜の成長方法 - Google Patents
３−５族半導体薄膜の成長方法Info
- Publication number
- JPH07169701A JPH07169701A JP31690593A JP31690593A JPH07169701A JP H07169701 A JPH07169701 A JP H07169701A JP 31690593 A JP31690593 A JP 31690593A JP 31690593 A JP31690593 A JP 31690593A JP H07169701 A JPH07169701 A JP H07169701A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上に成長する３−５族半導体薄膜
の品質を向上させる。 【構成】 結晶表面を３族安定化面に保持しつつ成長し
た膜厚１〜２００ｎｍの薄膜結晶層を少なくとも１層設
け、該薄膜結晶層以外の半導体薄膜は、結晶表面を３族
安定化面に保持した状態で成長する。 【効果】 結晶表面を３族安定化面に保持しつつ成長し
た薄膜結晶層以降に成長する半導体薄膜の平坦性、結晶
性が向上する。
の品質を向上させる。 【構成】 結晶表面を３族安定化面に保持しつつ成長し
た膜厚１〜２００ｎｍの薄膜結晶層を少なくとも１層設
け、該薄膜結晶層以外の半導体薄膜は、結晶表面を３族
安定化面に保持した状態で成長する。 【効果】 結晶表面を３族安定化面に保持しつつ成長し
た薄膜結晶層以降に成長する半導体薄膜の平坦性、結晶
性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に高品質
の３−５族半導体薄膜を結晶成長する方法に関するもの
である。
の３−５族半導体薄膜を結晶成長する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＰに格子整合するＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＡｌＡｓ系の材料は、バンド構造が１．３〜１．５５
μｍ帯の光通信用受発光素子に適している。また、Ｉｎ
ＧａＡｓの電子移動度はＧａＡｓと比較して２倍程度も
大きいことから、次世代の電子デバイス材料として期待
されている。このため現在、ＩｎＰ基板上に平坦性、結
晶性に優れるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓを結晶成長す
る方法が盛んに研究されている。
ｎＡｌＡｓ系の材料は、バンド構造が１．３〜１．５５
μｍ帯の光通信用受発光素子に適している。また、Ｉｎ
ＧａＡｓの電子移動度はＧａＡｓと比較して２倍程度も
大きいことから、次世代の電子デバイス材料として期待
されている。このため現在、ＩｎＰ基板上に平坦性、結
晶性に優れるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓを結晶成長す
る方法が盛んに研究されている。
【０００３】一般に、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法等で３−
５族半導体を結晶成長する場合、５族元素の供給量が少
ないと、蒸気圧の高い５族元素が結晶中から離脱して表
面モホロジーが低下する。このため、３−５族半導体の
結晶成長は、５族元素を過剰に供給して、成長中の結晶
表面を５族安定化面に保った状態で行われる。
５族半導体を結晶成長する場合、５族元素の供給量が少
ないと、蒸気圧の高い５族元素が結晶中から離脱して表
面モホロジーが低下する。このため、３−５族半導体の
結晶成長は、５族元素を過剰に供給して、成長中の結晶
表面を５族安定化面に保った状態で行われる。
【０００４】ところが、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＡｌＡｓを結晶成長する場合は、成長時の結晶表面
を５族安定化面に保持するのみでは結晶の平坦性、結晶
性を十分高めることはできないという問題がある。具体
的には、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸構造にお
ける価電子帯のバンドオフセットΔＥｃは０．７ΔＥｇ
（バンドギャップエネルギー差ΔＥｇ＝０．７０ｅＶ）
と、ΔＥｃが０．４ΔＥｇ（ΔＥｇ＝０．５９ｅＶ）で
あるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸構造よりも高いこ
とから、理論上、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系のＭＱ
Ｗ半導体レーザは、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷ
半導体レーザよりも低しきい値で発振すると考えられ
る。にもかかわらず、ＩｎＰ基板上に平坦性、結晶性に
優れるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ結晶を成長すること
が困難であるため、従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
系のＭＱＷ半導体レーザのしきい値電流密度（２．４ｋ
Ａ／ｃｍ3程度）は、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱ
Ｗ半導体レーザのしきい値（１．０ｋＡ／ｃｍ3程度）
と比較して劣っていた。
ＩｎＡｌＡｓを結晶成長する場合は、成長時の結晶表面
を５族安定化面に保持するのみでは結晶の平坦性、結晶
性を十分高めることはできないという問題がある。具体
的には、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸構造にお
ける価電子帯のバンドオフセットΔＥｃは０．７ΔＥｇ
（バンドギャップエネルギー差ΔＥｇ＝０．７０ｅＶ）
と、ΔＥｃが０．４ΔＥｇ（ΔＥｇ＝０．５９ｅＶ）で
あるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸構造よりも高いこ
とから、理論上、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系のＭＱ
Ｗ半導体レーザは、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷ
半導体レーザよりも低しきい値で発振すると考えられ
る。にもかかわらず、ＩｎＰ基板上に平坦性、結晶性に
優れるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ結晶を成長すること
が困難であるため、従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
系のＭＱＷ半導体レーザのしきい値電流密度（２．４ｋ
Ａ／ｃｍ3程度）は、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱ
Ｗ半導体レーザのしきい値（１．０ｋＡ／ｃｍ3程度）
と比較して劣っていた。
【０００５】ところで、ＩｎＰ基板上に成長するＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ結晶の平坦性、結晶性を改善する
手段として、結晶層中に超格子バッファ層を導入する方
法がある（マシューズ：特開昭４８−２０７６２）。図
２は、超格子バッファ層を導入したＭＱＷ半導体レーザ
のエピタキシャル構造を示す説明図である。
ａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ結晶の平坦性、結晶性を改善する
手段として、結晶層中に超格子バッファ層を導入する方
法がある（マシューズ：特開昭４８−２０７６２）。図
２は、超格子バッファ層を導入したＭＱＷ半導体レーザ
のエピタキシャル構造を示す説明図である。
【０００６】図２中、１１はｎ型ＩｎＰ基板、１２は膜
厚０．５μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層、１４は膜
厚１μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１５は膜厚
０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、１６
はウェル幅９ｎｍ、バリア幅５ｎｍ、ウェル数６のＩｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸活性層、１７は膜
厚０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、１
８は膜厚０．４μｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１
９は膜厚２μｍのｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層であ
り、１３は膜厚２ｎｍのＩｎＧａＡｓと膜厚２ｎｍのＩ
ｎＡｌＡｓを各１０層程度交互に積層した超格子バッフ
ァ層である。なお、この方法においても、成長中の結晶
表面は常に５族安定化面に保たれている。
厚０．５μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層、１４は膜
厚１μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１５は膜厚
０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、１６
はウェル幅９ｎｍ、バリア幅５ｎｍ、ウェル数６のＩｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸活性層、１７は膜
厚０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、１
８は膜厚０．４μｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１
９は膜厚２μｍのｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層であ
り、１３は膜厚２ｎｍのＩｎＧａＡｓと膜厚２ｎｍのＩ
ｎＡｌＡｓを各１０層程度交互に積層した超格子バッフ
ァ層である。なお、この方法においても、成長中の結晶
表面は常に５族安定化面に保たれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、超格子バッフ
ァ層を導入する従来の方法は、多数の超格子層を成長す
る必要があるため、膜厚や組成のコントロールが困難で
あるという問題点がある。また、図２に示すＭＱＷ半導
体レーザのしきい値は２．０ｋＡ／ｃｍ3とＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷ半導体レーザよりも劣ってお
り、この方法により得られる結晶の平坦性、結晶性は不
十分であることが示されている。
ァ層を導入する従来の方法は、多数の超格子層を成長す
る必要があるため、膜厚や組成のコントロールが困難で
あるという問題点がある。また、図２に示すＭＱＷ半導
体レーザのしきい値は２．０ｋＡ／ｃｍ3とＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷ半導体レーザよりも劣ってお
り、この方法により得られる結晶の平坦性、結晶性は不
十分であることが示されている。
【０００８】本発明は、上記の問題点を解決して、簡易
かつ安定に、半導体基板上に平坦性、結晶性の優れる３
−５族半導体の結晶を成長する方法を提供することを目
的とするものである。
かつ安定に、半導体基板上に平坦性、結晶性の優れる３
−５族半導体の結晶を成長する方法を提供することを目
的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、成長中の結晶
表面を３族安定化面に保持しつつ薄膜結晶を成長する
と、該薄膜結晶中の３族元素のマイグレーションが活発
となり、該薄膜結晶層の平坦性が促進される結果、その
後に成長する半導体結晶層の平坦性、結晶性が改善され
るとの発見に基づくものであり、半導体基板上に、成長
中の３−５族半導体結晶表面を５族安定化面に保持しつ
つ結晶成長を行う半導体薄膜の成長方法において、該半
導体薄膜中に、結晶表面を３族安定化面に保持しつつ成
長した膜厚１〜２００ｎｍの薄膜結晶層を少なくとも１
層設けることを特徴とする半導体薄膜の成長方法であ
る。
表面を３族安定化面に保持しつつ薄膜結晶を成長する
と、該薄膜結晶中の３族元素のマイグレーションが活発
となり、該薄膜結晶層の平坦性が促進される結果、その
後に成長する半導体結晶層の平坦性、結晶性が改善され
るとの発見に基づくものであり、半導体基板上に、成長
中の３−５族半導体結晶表面を５族安定化面に保持しつ
つ結晶成長を行う半導体薄膜の成長方法において、該半
導体薄膜中に、結晶表面を３族安定化面に保持しつつ成
長した膜厚１〜２００ｎｍの薄膜結晶層を少なくとも１
層設けることを特徴とする半導体薄膜の成長方法であ
る。
【００１０】本発明において、結晶表面を３族安定化面
に保持しつつ成長した薄膜結晶層（以下、３族面成長層
という。）の膜厚を１ｎｍ以上に限定した理由は、３族
面成長層の膜厚が薄くなると、３族元素のマイグレーシ
ョンによる結晶の平坦化の度合いが不十分になる傾向が
あり、１ｎｍ以下の膜厚では本発明の効果が得られなく
なるからであり、３族面成長層の膜厚を２００ｎｍ以下
に限定した理由は、膜厚を厚くすると５族元素の離脱に
よる結晶の表面モホロジーの低下の程度が拡大する傾向
にあり、２００ｎｍ以上の膜厚では、その後に成長する
半導体結晶層の平坦性、結晶性が却って低下するためで
ある。それ故、最も好ましい３族面成長層の膜厚は、１
０ｎｍ〜５０ｎｍである。
に保持しつつ成長した薄膜結晶層（以下、３族面成長層
という。）の膜厚を１ｎｍ以上に限定した理由は、３族
面成長層の膜厚が薄くなると、３族元素のマイグレーシ
ョンによる結晶の平坦化の度合いが不十分になる傾向が
あり、１ｎｍ以下の膜厚では本発明の効果が得られなく
なるからであり、３族面成長層の膜厚を２００ｎｍ以下
に限定した理由は、膜厚を厚くすると５族元素の離脱に
よる結晶の表面モホロジーの低下の程度が拡大する傾向
にあり、２００ｎｍ以上の膜厚では、その後に成長する
半導体結晶層の平坦性、結晶性が却って低下するためで
ある。それ故、最も好ましい３族面成長層の膜厚は、１
０ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００１１】また、３族面成長層を１層導入すれば、そ
の後に成長する半導体結晶層の平坦性、結晶性は十分に
向上するが、上記した膜厚の範囲であれば複数の３族面
成長層を導入しても、その後に成長する半導体結晶層の
平坦性、結晶性は低下することはなく、複数層の３族面
成長層を導入することも本発明の範囲に含まれる。
の後に成長する半導体結晶層の平坦性、結晶性は十分に
向上するが、上記した膜厚の範囲であれば複数の３族面
成長層を導入しても、その後に成長する半導体結晶層の
平坦性、結晶性は低下することはなく、複数層の３族面
成長層を導入することも本発明の範囲に含まれる。
【００１２】なお、結晶表面を３族安定化面に制御する
方法は公知である。すなわち、成長温度を上昇させ、あ
るいは５族元素供給量を減少させることにより成長層の
表面を３族安定化面とすることが可能であり、反射型高
エネルギー電子線回折装置（ＲＨＥＥＤ）により２×４
超構造から４×２超構造に遷移する条件を把握して、該
条件下で成長すると良い。
方法は公知である。すなわち、成長温度を上昇させ、あ
るいは５族元素供給量を減少させることにより成長層の
表面を３族安定化面とすることが可能であり、反射型高
エネルギー電子線回折装置（ＲＨＥＥＤ）により２×４
超構造から４×２超構造に遷移する条件を把握して、該
条件下で成長すると良い。
【００１３】また、本発明は、３族面成長層の後に成長
する半導体結晶の品質を向上させるものであるから、各
デバイスの作製においては、該デバイスの特性に密接な
影響を与える機能層（例えば半導体レーザであれば活性
層やクラッド層、ＦＥＴであればチャネル層等）の成長
前に３族面成長層を設けることが肝要である。
する半導体結晶の品質を向上させるものであるから、各
デバイスの作製においては、該デバイスの特性に密接な
影響を与える機能層（例えば半導体レーザであれば活性
層やクラッド層、ＦＥＴであればチャネル層等）の成長
前に３族面成長層を設けることが肝要である。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を図１を用いて説明す
る。図１は、本発明に基づいて作製したＭＱＷ半導体レ
ーザのエピタキシャル構造を示す説明図であるが、本実
施例は、図１中、３が３族面成長層である点を除いて、
先に説明した従来例によるＭＱＷ半導体レーザと同一で
ある。
る。図１は、本発明に基づいて作製したＭＱＷ半導体レ
ーザのエピタキシャル構造を示す説明図であるが、本実
施例は、図１中、３が３族面成長層である点を除いて、
先に説明した従来例によるＭＱＷ半導体レーザと同一で
ある。
【００１５】すなわち、図１中、１はｎ型ＩｎＰ基板、
２は膜厚０．５μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層、４
は膜厚１μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、５は膜厚
０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、６は
ウェル幅９ｎｍ、バリア幅５ｎｍ、ウェル数６のＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸活性層、７は膜厚
０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、８は
膜厚２μｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、９は膜厚
０．４μｍのｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層であり、
３は膜厚３０ｎｍのＩｎＡｌＡｓ３族面成長層である。
また、３族面成長層３を除く全ての半導体結晶の成長は
結晶表面を５族安定化面に保った状態で行われる。
２は膜厚０．５μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層、４
は膜厚１μｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、５は膜厚
０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、６は
ウェル幅９ｎｍ、バリア幅５ｎｍ、ウェル数６のＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸活性層、７は膜厚
０．１５μｍのｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層、８は
膜厚２μｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、９は膜厚
０．４μｍのｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層であり、
３は膜厚３０ｎｍのＩｎＡｌＡｓ３族面成長層である。
また、３族面成長層３を除く全ての半導体結晶の成長は
結晶表面を５族安定化面に保った状態で行われる。
【００１６】本実施例のＭＱＷ半導体レーザのしきい値
電流は０．８ｋＡ／ｃｍ3であった。この値はＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷ半導体レーザのしきい値（１
ｋＡ／ｃｍ3）、及びΔＥｇ値、ΔＥｃ値からの推定値
と同じレベルであり、ＩｎＰ基板上にＩｎＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ結晶を成長する場合と同程度の平坦性、結晶性が
得られたことを示すものである。
電流は０．８ｋＡ／ｃｍ3であった。この値はＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷ半導体レーザのしきい値（１
ｋＡ／ｃｍ3）、及びΔＥｇ値、ΔＥｃ値からの推定値
と同じレベルであり、ＩｎＰ基板上にＩｎＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ結晶を成長する場合と同程度の平坦性、結晶性が
得られたことを示すものである。
【００１７】なお、本発明はＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＡｌＡｓを結晶成長する場合のみでなく、例え
ば、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓを結晶成
長する場合にも同様に適用することが可能であり、結晶
層の平坦性、結晶性を更に向上させることができる。
ｓ／ＩｎＡｌＡｓを結晶成長する場合のみでなく、例え
ば、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓを結晶成
長する場合にも同様に適用することが可能であり、結晶
層の平坦性、結晶性を更に向上させることができる。
【００１８】また、上記実施例は、ＭＱＷレーザへの適
用例であるが、ＩｎＰ基板上に成長したＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＡｌＡｓ、あるいは、ＧａＡｓ基板上に成長したＡ
ｌＧａＡｓ／ＧａＡｓにより構成される全ての半導体デ
バイスに適用することができ、例えば他の半導体レーザ
や受発光素子、あるいは、ＦＥＴ、ＨＥＭＴ等の電子半
導体素子にも同様に適用することができる。
用例であるが、ＩｎＰ基板上に成長したＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＡｌＡｓ、あるいは、ＧａＡｓ基板上に成長したＡ
ｌＧａＡｓ／ＧａＡｓにより構成される全ての半導体デ
バイスに適用することができ、例えば他の半導体レーザ
や受発光素子、あるいは、ＦＥＴ、ＨＥＭＴ等の電子半
導体素子にも同様に適用することができる。
【００１９】また、上記実施例において、３族安定化面
によるエピタキシャル成長層３をバッファ層２の上部に
設けたのは、該実施例における重要な機能層であるＳＣ
Ｈ層５、７及び活性層６の平坦性、結晶性を高めるた
め、これらの重要な機能層を成長する以前に３族安定化
面によるエピタキシャル成長層を導入することを意図し
たものであり、３族安定化面によるエピタキシャル成長
層の導入位置は上記実施例に限られない。
によるエピタキシャル成長層３をバッファ層２の上部に
設けたのは、該実施例における重要な機能層であるＳＣ
Ｈ層５、７及び活性層６の平坦性、結晶性を高めるた
め、これらの重要な機能層を成長する以前に３族安定化
面によるエピタキシャル成長層を導入することを意図し
たものであり、３族安定化面によるエピタキシャル成長
層の導入位置は上記実施例に限られない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば平
坦性、結晶性に優れる３−５族半導体結晶を簡易かつ再
現性良く作製できるため、半導体デバイスの品質及び歩
留の向上が達成される。
坦性、結晶性に優れる３−５族半導体結晶を簡易かつ再
現性良く作製できるため、半導体デバイスの品質及び歩
留の向上が達成される。
【図１】本発明に基づいて作製したＭＱＷ半導体レーザ
のエピタキシャル構造を示す説明図である。
のエピタキシャル構造を示す説明図である。
【図２】従来のＭＱＷ半導体レーザのエピタキシャル構
造を示す説明図である。
造を示す説明図である。
１はｎ型ＩｎＰ基板 ２はｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層 ３はＩｎＡｌＡｓ３族面成長層 ４はｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 ５はｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層 ６はＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸活性層 ７はｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層 ８はｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 ９はｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １１はｎ型ＩｎＰ基板 １２はｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層 １３は超格子バッファ層 １４はｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 １５はｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層 １６はＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸活性層 １７はｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ−ＳＣＨ層 １８はｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 １９はｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、成長中の３−５族半導
体結晶表面を５族安定化面に保持しつつ結晶成長を行う
半導体薄膜の成長方法において、該半導体薄膜中に、結
晶表面を３族安定化面に保持しつつ成長した膜厚１〜２
００ｎｍの薄膜結晶層を少なくとも１層設けることを特
徴とする３−５族半導体薄膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31690593A JPH07169701A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | ３−５族半導体薄膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31690593A JPH07169701A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | ３−５族半導体薄膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169701A true JPH07169701A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18082224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31690593A Pending JPH07169701A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | ３−５族半導体薄膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677619B1 (en) | 1997-01-09 | 2004-01-13 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US7365369B2 (en) | 1997-06-11 | 2008-04-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2015118961A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP31690593A patent/JPH07169701A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677619B1 (en) | 1997-01-09 | 2004-01-13 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US6849864B2 (en) | 1997-01-09 | 2005-02-01 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US7211822B2 (en) | 1997-01-09 | 2007-05-01 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US7615804B2 (en) | 1997-01-09 | 2009-11-10 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Superlattice nitride semiconductor LD device |
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