JPH07169870A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH07169870A JPH07169870A JP5312164A JP31216493A JPH07169870A JP H07169870 A JPH07169870 A JP H07169870A JP 5312164 A JP5312164 A JP 5312164A JP 31216493 A JP31216493 A JP 31216493A JP H07169870 A JPH07169870 A JP H07169870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- integrated circuit
- hollow portion
- case
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップ部及びワイヤーボンディング部
の周囲に簡単に中空部を形成することを目的とする。 【構成】 半導体チップ部とワイヤーボンディング部の
周囲に加熱により気化または液化する中空部形成材を塗
布してケースに収容し、樹脂を充填した後、加熱して中
空部形成材を気体または液体にしてケースの孔より外部
に排出することにより、集積回路内部に中空部が形成さ
れる。その後、排出孔を樹脂等で封着する。
の周囲に簡単に中空部を形成することを目的とする。 【構成】 半導体チップ部とワイヤーボンディング部の
周囲に加熱により気化または液化する中空部形成材を塗
布してケースに収容し、樹脂を充填した後、加熱して中
空部形成材を気体または液体にしてケースの孔より外部
に排出することにより、集積回路内部に中空部が形成さ
れる。その後、排出孔を樹脂等で封着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、中空式集積回路の製造
方法に係り、特に、集積回路内部の半導体チップ及びワ
イヤーボンディング部に中空部を形成する方法に関す
る。
方法に係り、特に、集積回路内部の半導体チップ及びワ
イヤーボンディング部に中空部を形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、封着樹脂による半導体チップ
の保護及びワイヤーボンディング部のストレス対策を目
的として、集積回路内部の半導体チップ及びワイヤーボ
ンディング部に中空部を形成する方法が採られている。
中空部の形成方法として、例えば、実開 昭６２−１８
０９４８号に示されている。
の保護及びワイヤーボンディング部のストレス対策を目
的として、集積回路内部の半導体チップ及びワイヤーボ
ンディング部に中空部を形成する方法が採られている。
中空部の形成方法として、例えば、実開 昭６２−１８
０９４８号に示されている。
【０００３】図３は従来の集積回路の樹脂ケースによる
封着構造を示す断面図である。以下、図に従って説明す
る。１は電子回路の形成された半導体チップで、周辺部
には半導体チップ１の回路をリード線３１に接続するた
めの複数のボンディングパッド（図示せず）を有する。
２は半導体チップ１を搭載する金属製のダイパッドであ
る。３１は集積回路をプリント基板等に実装するための
複数のリード線で、集積回路の完成直前までは複数のリ
ード線３１をフレームで連結したリードフレームの状態
で取り扱われる。４は半導体チップ１のボンディングパ
ッドとリード線３１を接続する金線等のワイヤーで、超
音波等によりワイヤーボンディングされる。５は樹脂製
のケースで、上ケース５１と下ケース５２より構成さ
れ、リード線３１を挟み込んで封着用樹脂５３等で封着
される。６は集積回路内部の中空部である。
封着構造を示す断面図である。以下、図に従って説明す
る。１は電子回路の形成された半導体チップで、周辺部
には半導体チップ１の回路をリード線３１に接続するた
めの複数のボンディングパッド（図示せず）を有する。
２は半導体チップ１を搭載する金属製のダイパッドであ
る。３１は集積回路をプリント基板等に実装するための
複数のリード線で、集積回路の完成直前までは複数のリ
ード線３１をフレームで連結したリードフレームの状態
で取り扱われる。４は半導体チップ１のボンディングパ
ッドとリード線３１を接続する金線等のワイヤーで、超
音波等によりワイヤーボンディングされる。５は樹脂製
のケースで、上ケース５１と下ケース５２より構成さ
れ、リード線３１を挟み込んで封着用樹脂５３等で封着
される。６は集積回路内部の中空部である。
【０００４】次に、製造方法について述べる。半導体チ
ップ１はダイパッド２上に接着剤等でダイボンディング
され、続いて、半導体チップ１の複数のボンディングパ
ッドとリード線３１の間を金線を用いて超音波等により
ワイヤーボンディングされる。ワイヤーボンディングの
完了したアセンブリーは上下から樹脂製のケース５１、
５２で封着用樹脂５３を介して封着された後、樹脂が硬
化されて集積回路は完成する。
ップ１はダイパッド２上に接着剤等でダイボンディング
され、続いて、半導体チップ１の複数のボンディングパ
ッドとリード線３１の間を金線を用いて超音波等により
ワイヤーボンディングされる。ワイヤーボンディングの
完了したアセンブリーは上下から樹脂製のケース５１、
５２で封着用樹脂５３を介して封着された後、樹脂が硬
化されて集積回路は完成する。
【０００５】また、別の封着方法として、セラミック製
のケースにボンディングの完了したアセンブリーを収容
して、セラミック製のケースをガラスで封着する方法が
ある。
のケースにボンディングの完了したアセンブリーを収容
して、セラミック製のケースをガラスで封着する方法が
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の図３の集積回路
の中空構造では、樹脂製の蓋をする際に、温度変化によ
りシール剤にブローホールができ、封着が不完全にな
り、湿度等で集積回路が劣化するおそれがある。また、
セラミック製のパッケージは封着の信頼性は高いが高価
になるという問題がある。従って本発明は、集積回路内
部に容易に中空部を形成する方法を提供することを目的
とする。
の中空構造では、樹脂製の蓋をする際に、温度変化によ
りシール剤にブローホールができ、封着が不完全にな
り、湿度等で集積回路が劣化するおそれがある。また、
セラミック製のパッケージは封着の信頼性は高いが高価
になるという問題がある。従って本発明は、集積回路内
部に容易に中空部を形成する方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体チップとリード線がワイヤーでボン
ディングされた半導体アセンブリーの周囲に中空部が形
成されてなる集積回路において、加熱により気化または
液化する中空部形成材と、前記半導体アセンブリーを収
容する前記気体または液体を排出する排出孔が設けられ
たケースと、前記ケース内に半導体アセンブリーととも
に充填される樹脂で構成され、前記半導体アセンブリー
の周囲に前記中空部形成材を塗布して前記ケース内に収
納し、前記樹脂を充填して、硬化させた後、加熱して前
記中空部形成材を気化または液化させて、前記ケースの
排出孔より排出させて、集積回路内部に中空部を形成す
ることを特徴とするものである。
に本発明は、半導体チップとリード線がワイヤーでボン
ディングされた半導体アセンブリーの周囲に中空部が形
成されてなる集積回路において、加熱により気化または
液化する中空部形成材と、前記半導体アセンブリーを収
容する前記気体または液体を排出する排出孔が設けられ
たケースと、前記ケース内に半導体アセンブリーととも
に充填される樹脂で構成され、前記半導体アセンブリー
の周囲に前記中空部形成材を塗布して前記ケース内に収
納し、前記樹脂を充填して、硬化させた後、加熱して前
記中空部形成材を気化または液化させて、前記ケースの
排出孔より排出させて、集積回路内部に中空部を形成す
ることを特徴とするものである。
【０００８】また、半導体チップとリード線がワイヤー
でボンディングされた半導体アセンブリーの周囲に中空
部が形成されてなる集積回路において、前記半導体アセ
ンブリーの周囲に樹脂剥離剤を塗布してケース内に収納
し、樹脂を充填して、硬化させて、樹脂の収縮により集
積回路内部に中空部を形成することを特徴とするもので
ある。
でボンディングされた半導体アセンブリーの周囲に中空
部が形成されてなる集積回路において、前記半導体アセ
ンブリーの周囲に樹脂剥離剤を塗布してケース内に収納
し、樹脂を充填して、硬化させて、樹脂の収縮により集
積回路内部に中空部を形成することを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【作用】本発明の第１の発明によれば、半導体チップと
リード線とのボンディング部に塗布された中空部形成材
と、樹脂で集積回路の封着が完成し、その後、集積回路
を加熱することにより内部の中空部形成材が気体または
液体となって、ケースの排出孔より排出され、中空部形
成材の部分に中空部ができる。
リード線とのボンディング部に塗布された中空部形成材
と、樹脂で集積回路の封着が完成し、その後、集積回路
を加熱することにより内部の中空部形成材が気体または
液体となって、ケースの排出孔より排出され、中空部形
成材の部分に中空部ができる。
【００１０】また、第２の発明によれば、半導体チップ
とリード線とのボンディング部に塗布された剥離剤と樹
脂で集積回路の封着が完成し、その後、樹脂の硬化によ
る収縮で剥離剤を介して、半導体チップと該ワイヤーボ
ンディング部の周囲に中空部ができる。
とリード線とのボンディング部に塗布された剥離剤と樹
脂で集積回路の封着が完成し、その後、樹脂の硬化によ
る収縮で剥離剤を介して、半導体チップと該ワイヤーボ
ンディング部の周囲に中空部ができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例の集積回路の完成断
面図と封着前平面図である。以下、図に従って説明す
る。１は電子回路の形成された半導体チップで、周辺部
には半導体チップ１の回路をリード線３１に接続するた
めの複数のボンディングパッド１１を有する。２は半導
体チップ１を搭載する金属製のダイパッドで、完成直前
まではフレーム３３に接続される支持板３２により連結
したリードフレーム３の状態で取り扱われる。３１は集
積回路のプリント基板等に実装される複数のリード線
で、完成直前までは複数のリード線３１をフレーム３３
で連結したリードフレーム３の状態で取り扱われる。４
は半導体チップ１のボンディングパッド１１とリード線
３１を接続する金線等のワイヤーで、超音波等によりワ
イヤーボンディングされる。７は加熱により液化する中
空部形成材である。尚、この中空部形成材７は集積回路
内部に充填される樹脂８５の硬化温度（Ｔａ）よりも高
い温度で（Ｔｂ）液化するものである。８は半導体チッ
プ１，ダイパッド２，リード線３１等からなるアセンブ
リーを収容するケースで、樹脂製のケース８１と、中空
部形成材７の加熱により発生する液体を排出する排出孔
８４が設けられた樹脂板８２で構成される。８５はケー
ス８１の内部に充填された熱硬化性の樹脂である。１６
は集積回路内部の中空部である。
面図と封着前平面図である。以下、図に従って説明す
る。１は電子回路の形成された半導体チップで、周辺部
には半導体チップ１の回路をリード線３１に接続するた
めの複数のボンディングパッド１１を有する。２は半導
体チップ１を搭載する金属製のダイパッドで、完成直前
まではフレーム３３に接続される支持板３２により連結
したリードフレーム３の状態で取り扱われる。３１は集
積回路のプリント基板等に実装される複数のリード線
で、完成直前までは複数のリード線３１をフレーム３３
で連結したリードフレーム３の状態で取り扱われる。４
は半導体チップ１のボンディングパッド１１とリード線
３１を接続する金線等のワイヤーで、超音波等によりワ
イヤーボンディングされる。７は加熱により液化する中
空部形成材である。尚、この中空部形成材７は集積回路
内部に充填される樹脂８５の硬化温度（Ｔａ）よりも高
い温度で（Ｔｂ）液化するものである。８は半導体チッ
プ１，ダイパッド２，リード線３１等からなるアセンブ
リーを収容するケースで、樹脂製のケース８１と、中空
部形成材７の加熱により発生する液体を排出する排出孔
８４が設けられた樹脂板８２で構成される。８５はケー
ス８１の内部に充填された熱硬化性の樹脂である。１６
は集積回路内部の中空部である。
【００１２】次に、製造方法について述べる。半導体チ
ップ１はダイパッド２上に接着剤等でダイボンディング
され、続いて、半導体チップ１の複数のボンディングパ
ッド１１とリード線３１の間を金線を用いて超音波等に
よりワイヤーボンディングされる。ワイヤーボンディン
グの完了したアセンブリーは、樹脂板８２上に載せられ
て、半導体チップ１部及びワイヤーボンディング部４１
を覆うように例えば、ウレタンプレポリマー、ホットメ
ルト材料等の中空部形成材７が塗布され乾燥される。次
に、樹脂製のケース８１内に例えば、シリコンゴム等の
熱硬化性の樹脂８５が充填され、その上に中空部形成材
７が塗布されたアセンブリーが置かれ、アセンブリー全
体が樹脂で覆われ、加熱されて（加熱温度Ｔａ＝１２０
℃）樹脂が硬化される。
ップ１はダイパッド２上に接着剤等でダイボンディング
され、続いて、半導体チップ１の複数のボンディングパ
ッド１１とリード線３１の間を金線を用いて超音波等に
よりワイヤーボンディングされる。ワイヤーボンディン
グの完了したアセンブリーは、樹脂板８２上に載せられ
て、半導体チップ１部及びワイヤーボンディング部４１
を覆うように例えば、ウレタンプレポリマー、ホットメ
ルト材料等の中空部形成材７が塗布され乾燥される。次
に、樹脂製のケース８１内に例えば、シリコンゴム等の
熱硬化性の樹脂８５が充填され、その上に中空部形成材
７が塗布されたアセンブリーが置かれ、アセンブリー全
体が樹脂で覆われ、加熱されて（加熱温度Ｔａ＝１２０
℃）樹脂が硬化される。
【００１３】次に、樹脂硬化の完了した集積回路は樹脂
硬化温度（加熱温度Ｔａ＝１２０℃）より高い温度（例
えば、加熱温度Ｔｂ＝１５０℃）で加熱されることによ
り、内部の中空部形成材７のウレタンプレポリマー等が
液化して、樹脂板８２の排出孔８４から排出される。こ
の温度ならば、充填された樹脂８５は軟化せずそのまま
の形状を保持しているために、中空部形成材７が排出さ
れた跡には中空部１６が形成されている。その後、樹脂
ケース８２の排出孔８４が熱硬化性樹脂８６等で塞が
れ、さらに、リード線３１及び支持板３２がＡ−Ａの部
分で切断されて集積回路が完成する。
硬化温度（加熱温度Ｔａ＝１２０℃）より高い温度（例
えば、加熱温度Ｔｂ＝１５０℃）で加熱されることによ
り、内部の中空部形成材７のウレタンプレポリマー等が
液化して、樹脂板８２の排出孔８４から排出される。こ
の温度ならば、充填された樹脂８５は軟化せずそのまま
の形状を保持しているために、中空部形成材７が排出さ
れた跡には中空部１６が形成されている。その後、樹脂
ケース８２の排出孔８４が熱硬化性樹脂８６等で塞が
れ、さらに、リード線３１及び支持板３２がＡ−Ａの部
分で切断されて集積回路が完成する。
【００１４】以上のように本実施例では、中空部を形成
する部分に中空部形成材を塗布し、加熱して中空部形成
材７を液化してケース外へ排出することにより簡単にア
センブリー周囲に中空部１６が形成できる。また、図２
は本発明の第２の実施例の集積回路の断面図である。以
下、図に従って説明する。
する部分に中空部形成材を塗布し、加熱して中空部形成
材７を液化してケース外へ排出することにより簡単にア
センブリー周囲に中空部１６が形成できる。また、図２
は本発明の第２の実施例の集積回路の断面図である。以
下、図に従って説明する。
【００１５】１は電子回路の形成された半導体チップ
で、周辺部には半導体チップ１の回路をリード線３１に
接続するための複数のボンディングパッドを有する。２
は半導体チップ１を搭載する金属製のダイパッドであ
る。３１は集積回路をプリント基板等に実装するための
複数のリード線で完成直前までは複数のリード線３１を
フレームで連結したリードフレームの状態で取り扱われ
る。４は半導体チップ１のボンディングパッドとリード
線３１を接続する金線等のワイヤーで、超音波等により
ワイヤーボンディングされる。７１はシリコンオイル等
の樹脂剥離剤である。９はアセンブリーを収容するケー
スで、樹脂製のケース９１と、樹脂板９２で構成され
る。８７は樹脂製ケース９１の内部に充填された熱硬化
性の樹脂である。２６は集積回路内部の中空部である。
で、周辺部には半導体チップ１の回路をリード線３１に
接続するための複数のボンディングパッドを有する。２
は半導体チップ１を搭載する金属製のダイパッドであ
る。３１は集積回路をプリント基板等に実装するための
複数のリード線で完成直前までは複数のリード線３１を
フレームで連結したリードフレームの状態で取り扱われ
る。４は半導体チップ１のボンディングパッドとリード
線３１を接続する金線等のワイヤーで、超音波等により
ワイヤーボンディングされる。７１はシリコンオイル等
の樹脂剥離剤である。９はアセンブリーを収容するケー
スで、樹脂製のケース９１と、樹脂板９２で構成され
る。８７は樹脂製ケース９１の内部に充填された熱硬化
性の樹脂である。２６は集積回路内部の中空部である。
【００１６】次に、製造方法について述べる。半導体チ
ップ１はダイパッド２上に接着剤等でダイボンディング
され、続いて、半導体チップ１の複数のボンディングパ
ッド１１とリード線３１の間を金線を用いて超音波等に
よりワイヤーボンディングされる。ワイヤーボンディン
グの完了したアセンブリーは、半導体チップ１部及びワ
イヤーボンディング部を覆うようにシリコンオイル等の
剥離剤７１が塗布される。次に、樹脂製のケース９１内
に熱硬化性の樹脂８７が充填され、その上に剥離剤７１
が塗布されたアセンブリーが置かれ、アセンブリー全体
が樹脂で覆われ、樹脂板９２で蓋をされる。その後、加
熱されて樹脂８７が硬化される。樹脂８７が冷却される
と、樹脂８７が収縮して剥離剤７１の塗布された周囲に
中空部２６が形成される。その後、リード線３１がフレ
ームの部分で切断されて集積回路は完成する。
ップ１はダイパッド２上に接着剤等でダイボンディング
され、続いて、半導体チップ１の複数のボンディングパ
ッド１１とリード線３１の間を金線を用いて超音波等に
よりワイヤーボンディングされる。ワイヤーボンディン
グの完了したアセンブリーは、半導体チップ１部及びワ
イヤーボンディング部を覆うようにシリコンオイル等の
剥離剤７１が塗布される。次に、樹脂製のケース９１内
に熱硬化性の樹脂８７が充填され、その上に剥離剤７１
が塗布されたアセンブリーが置かれ、アセンブリー全体
が樹脂で覆われ、樹脂板９２で蓋をされる。その後、加
熱されて樹脂８７が硬化される。樹脂８７が冷却される
と、樹脂８７が収縮して剥離剤７１の塗布された周囲に
中空部２６が形成される。その後、リード線３１がフレ
ームの部分で切断されて集積回路は完成する。
【００１７】以上のように本実施例では、中空部を形成
する部分に剥離剤を塗布するだけで簡単に中空部が形成
できる。
する部分に剥離剤を塗布するだけで簡単に中空部が形成
できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では半導体
チップおよびワイヤーボンディング部に中空部形成材ま
たは樹脂剥離剤を塗布するだけで、大した製造設備の変
更なしに、簡単に中空部が形成でき、コスト低減と信頼
性の確保が図られる。
チップおよびワイヤーボンディング部に中空部形成材ま
たは樹脂剥離剤を塗布するだけで、大した製造設備の変
更なしに、簡単に中空部が形成でき、コスト低減と信頼
性の確保が図られる。
【図１】本発明の一実施例の集積回路の完成断面図と封
着前平面図。
着前平面図。
【図２】本発明の第２の一実施例の集積回路の断面図。
【図３】従来の集積回路の断面図。
１・・・半導体チップ ２・・・ダイボンディングパッド ３１・・・リード線 ４・・・ワイヤー ５、８、９・・・ケース ６、１６、２６・・・中空部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップとリード線がワイヤーでボ
ンディングされた半導体アセンブリーの周囲に中空部が
形成されてなる集積回路において、 加熱により気化または液化する中空部形成材と、 前記半導体アセンブリーを収容する前記気体または液体
を排出する排出孔が設けられたケースと、 前記ケース内に半導体アセンブリーとともに充填される
樹脂で構成され、 前記半導体アセンブリーの周囲に前記中空部形成材を塗
布して前記ケース内に収納し、前記樹脂を充填して、硬
化させた後、加熱して前記中空部形成材を気化または液
化させて、前記ケースの排出孔より排出させて、集積回
路内部に中空部を形成することを特徴とする集積回路の
製造方法。 - 【請求項２】 半導体チップとリード線がワイヤーでボ
ンディングされた半導体アセンブリーの周囲に中空部が
形成されてなる集積回路において、 前記半導体アセンブリーの周囲に樹脂剥離剤を塗布して
ケース内に収納し、樹脂を充填して、硬化させて、樹脂
の収縮により集積回路内部に中空部を形成することを特
徴とする集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312164A JPH07169870A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312164A JPH07169870A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169870A true JPH07169870A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18026010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5312164A Withdrawn JPH07169870A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681574A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 飞思卡尔半导体公司 | 引线框、气腔封装和带有偏移通气孔的电子器件及其制作方法 |
| KR101398016B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-05-30 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드 프레임 패키지 및 그 제조 방법 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5312164A patent/JPH07169870A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101398016B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-05-30 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드 프레임 패키지 및 그 제조 방법 |
| US9633932B2 (en) | 2012-08-08 | 2017-04-25 | Amkor Technology, Inc. | Lead frame package having discharge hole and method of manufacturing the same |
| CN103681574A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 飞思卡尔半导体公司 | 引线框、气腔封装和带有偏移通气孔的电子器件及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |