JPH01135052A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01135052A JPH01135052A JP62292121A JP29212187A JPH01135052A JP H01135052 A JPH01135052 A JP H01135052A JP 62292121 A JP62292121 A JP 62292121A JP 29212187 A JP29212187 A JP 29212187A JP H01135052 A JPH01135052 A JP H01135052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- resin layer
- semiconductor device
- semiconductor
- bonding wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、比較的大型の半導
体素子を備えた半導体装置における信頼性の向上などに
適用して有効な技術に関する。
体素子を備えた半導体装置における信頼性の向上などに
適用して有効な技術に関する。
パッケージ内に封入された半導体素子の耐湿性を向上さ
せることにより、半導体素子とボンディング・ワイヤと
の接続部における腐蝕などを防止して信頼性を向上させ
る技術としては、たとえば、特開昭５６−２３７５９号
公報に開示される技トトテが知られている。
せることにより、半導体素子とボンディング・ワイヤと
の接続部における腐蝕などを防止して信頼性を向上させ
る技術としては、たとえば、特開昭５６−２３７５９号
公報に開示される技トトテが知られている。
その概要は、半導体素子の表面に露出した接続電極とリ
ード・フレームとをボンディング・ワイヤによって電気
的に接続した後、パッケージ内への封入に先立って、半
導体素子に樹脂を滴下し、滴下された塊状を呈する峙（
脂によって、少なくとも半導体素子の露出するボンディ
ング・パッドとこのボンディング・パッドに接続された
ボンディング・ワイヤとを包囲するように被覆したもの
である。
ード・フレームとをボンディング・ワイヤによって電気
的に接続した後、パッケージ内への封入に先立って、半
導体素子に樹脂を滴下し、滴下された塊状を呈する峙（
脂によって、少なくとも半導体素子の露出するボンディ
ング・パッドとこのボンディング・パッドに接続された
ボンディング・ワイヤとを包囲するように被覆したもの
である。
ところが、上記のような従来技術においては、半導体素
子の耐湿性を向上させることができるという利点はある
ものの、半導体素子の高集積化などにともなって半導体
素子自体が大型化すると、半導体素子と塊状の樹脂との
間における熱膨張率の差異などに起因して、半導体素子
の表面などに大きな熱応力が作用することが避けられず
、半導体素子とともに包囲されるボンディング・ワイヤ
の端部が半導体素子の接続電極から不時に剥離するなど
して、半導体装置の動作の信頼性が低下するという問題
がある。
子の耐湿性を向上させることができるという利点はある
ものの、半導体素子の高集積化などにともなって半導体
素子自体が大型化すると、半導体素子と塊状の樹脂との
間における熱膨張率の差異などに起因して、半導体素子
の表面などに大きな熱応力が作用することが避けられず
、半導体素子とともに包囲されるボンディング・ワイヤ
の端部が半導体素子の接続電極から不時に剥離するなど
して、半導体装置の動作の信頼性が低下するという問題
がある。
さらに、金型などによって所定の形状に成形される封止
樹脂などに埋設することにより、半導体素子を封止する
いわゆる樹脂封止型の半導体装置おいては、半導体素子
とリード・フレームとを接続するボンディング・ワイヤ
が、半導体素子に被着された塊状の樹脂と、その外側を
さらに包囲する封止樹脂の両方に埋設された状態となる
ため、温度変化などに際して、各樹脂の界面においてボ
ンディング・ワイヤに剪断応力が作用し、ボンディング
・ワイヤが不時に破断する恐れがあるなど、種々の問題
があることを本発明者は見い出した。
樹脂などに埋設することにより、半導体素子を封止する
いわゆる樹脂封止型の半導体装置おいては、半導体素子
とリード・フレームとを接続するボンディング・ワイヤ
が、半導体素子に被着された塊状の樹脂と、その外側を
さらに包囲する封止樹脂の両方に埋設された状態となる
ため、温度変化などに際して、各樹脂の界面においてボ
ンディング・ワイヤに剪断応力が作用し、ボンディング
・ワイヤが不時に破断する恐れがあるなど、種々の問題
があることを本発明者は見い出した。
本発明の目的は、半導体素子に対する熱応力などの発生
を招くことなく、耐湿性を向上させることが可能な半導
体装置およびその製造技術を提供することにある。
を招くことなく、耐湿性を向上させることが可能な半導
体装置およびその製造技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、本発明は、支持部材と、支持部材に搭載され
、表面に樹脂層が被着された半導体素子と、半導体素子
と支持部材とを接続するボンディング・ワイヤとで半導
体装置を構成したものである。
、表面に樹脂層が被着された半導体素子と、半導体素子
と支持部材とを接続するボンディング・ワイヤとで半導
体装置を構成したものである。
また、本発明は、半導体素子における最終保護膜および
最終保護膜から露出した接続電極の全面に樹脂層を形成
する第１の段階と、支持部材に搭載された半導体素子の
接続電極の上に被着された樹脂層を突き破ることにより
、接続電極と支持部材との間に導体からなるボンディン
グ・ワイヤを架設する第２の段階とを有する半導体装置
の製造技術を提供するものである。
最終保護膜から露出した接続電極の全面に樹脂層を形成
する第１の段階と、支持部材に搭載された半導体素子の
接続電極の上に被着された樹脂層を突き破ることにより
、接続電極と支持部材との間に導体からなるボンディン
グ・ワイヤを架設する第２の段階とを有する半導体装置
の製造技術を提供するものである。
上記した手段によれば、半導体素子の表面に被着される
樹脂層の中に、半導体素子の接続電極と支持部材とを接
続するボンディング・ワイヤが埋没することがないので
、熱応力などに起因して、不時に、ボンディング・ワイ
ヤの切断や半導体素子からの剥離などを生じることが防
止されるとともに、半導体素子の接続電極の上部に被着
され、ボンディング・ワイヤによって突き破られた樹脂
層は、自身の弾性によってボンディング・ワイヤと接続
電極部との接続部の周囲に充満された状態となり、半導
体素子の表面が樹脂層で確実に覆われるのでの耐湿性が
向上する。
樹脂層の中に、半導体素子の接続電極と支持部材とを接
続するボンディング・ワイヤが埋没することがないので
、熱応力などに起因して、不時に、ボンディング・ワイ
ヤの切断や半導体素子からの剥離などを生じることが防
止されるとともに、半導体素子の接続電極の上部に被着
され、ボンディング・ワイヤによって突き破られた樹脂
層は、自身の弾性によってボンディング・ワイヤと接続
電極部との接続部の周囲に充満された状態となり、半導
体素子の表面が樹脂層で確実に覆われるのでの耐湿性が
向上する。
第１図（ａ）およびら）は、本発明の一実施例である半
導体装置の製造方法の一例を工程順に示す説明図であり
、第２図はこの製造方法によって製造された半導体装置
の一例を示す断面図である。
導体装置の製造方法の一例を工程順に示す説明図であり
、第２図はこの製造方法によって製造された半導体装置
の一例を示す断面図である。
中央に設けられたタブ１ａと、このタブ１ａを取り囲む
ように配設された複数のリード１ｂからなるリード・フ
レーム１ （支持部材）において、中央部のタブｌａの
上には、所定の図示しない集積回路などが形成された半
導体素子２が搭載されている。
ように配設された複数のリード１ｂからなるリード・フ
レーム１ （支持部材）において、中央部のタブｌａの
上には、所定の図示しない集積回路などが形成された半
導体素子２が搭載されている。
この半導体素子２は、たとえば、前段のウェハ処理工程
などにおいて、ンリコン単結晶基板などからなる図示し
ない半導体ウェハにフォトリングラフィを施すことによ
り、−括して形成されたものであり、該半導体ウェハを
分割することにより、個々に分離されたものである。
などにおいて、ンリコン単結晶基板などからなる図示し
ない半導体ウェハにフォトリングラフィを施すことによ
り、−括して形成されたものであり、該半導体ウェハを
分割することにより、個々に分離されたものである。
半導体素子２の表面には、絶縁性の最終保護膜２ａが形
成され、この最終保護膜２ａの一部を除去することによ
って、該半導体素子２の内部に形成された内部配線構造
２ｂに接続された複数の接続電極２Ｃが外部に露出して
いる。
成され、この最終保護膜２ａの一部を除去することによ
って、該半導体素子２の内部に形成された内部配線構造
２ｂに接続された複数の接続電極２Ｃが外部に露出して
いる。
この場合、半導体素子２の表面には、たとえば、シリコ
ーン系の樹脂などからなる樹脂層３が被着されている。
ーン系の樹脂などからなる樹脂層３が被着されている。
この樹脂層３は、たとえば、前述の図示しない半導体ウ
ェハの状、熊において、回転塗布などの方法により、液
状の樹脂を塗布した後、加熱硬化処理（キュア）などを
施すことによって、たとえば、１０μｍ程度の厚さに均
一に形成されるものである。（第１の段階） − そして、樹脂層３が全面に形成された図示しない半導体
ウェハからダイシングにより切り出された半導体素子２
をリード・フレーム１に搭載した状態が第１図（ａ）で
あり、この第１図（ａ）の状態から、樹脂層３が全面に
被着された状態の半導体素子２におけろ複数の接続電極
２ｃと、リード・フレーム１の複数のり−ド１ｂとの間
に金属線などの導体からなるボンディング・ワイヤ４が
、良く知られた超音波ボンディングなどにより架設され
る。
ェハの状、熊において、回転塗布などの方法により、液
状の樹脂を塗布した後、加熱硬化処理（キュア）などを
施すことによって、たとえば、１０μｍ程度の厚さに均
一に形成されるものである。（第１の段階） − そして、樹脂層３が全面に形成された図示しない半導体
ウェハからダイシングにより切り出された半導体素子２
をリード・フレーム１に搭載した状態が第１図（ａ）で
あり、この第１図（ａ）の状態から、樹脂層３が全面に
被着された状態の半導体素子２におけろ複数の接続電極
２ｃと、リード・フレーム１の複数のり−ド１ｂとの間
に金属線などの導体からなるボンディング・ワイヤ４が
、良く知られた超音波ボンディングなどにより架設され
る。
すなわち、図示しないボンディング工具を介して印加さ
れた超音波振動の二不ルギにより、すでに接続電極２ｃ
の上に薄く被着している樹脂層３を突き破ってボンディ
ング・ワイヤ４の一端を半導゛体素子２の接続電極２ｃ
に接続し、他端をリード１ｂの側にボンディングするこ
とにより、半導体素子２の複数の接続電極２ｃおよび複
数のリードｔｂが個々に電気的に接続され、第１図ら）
に示される状態となる。（第２の段階） この時、接続電極２ｃの上面に被着し、ボンディング・
ワイヤ４によって突き破られる樹脂層３Ｃは、それ自体
の弾性による復元性によって、ボンディング・ワイヤ４
と接続電極２ｃとの接続部の周囲の楔形の空間に充填さ
れた状態となり、半導体素子２の表面は、全体が樹脂層
３によって確実に覆われた状態となる。
れた超音波振動の二不ルギにより、すでに接続電極２ｃ
の上に薄く被着している樹脂層３を突き破ってボンディ
ング・ワイヤ４の一端を半導゛体素子２の接続電極２ｃ
に接続し、他端をリード１ｂの側にボンディングするこ
とにより、半導体素子２の複数の接続電極２ｃおよび複
数のリードｔｂが個々に電気的に接続され、第１図ら）
に示される状態となる。（第２の段階） この時、接続電極２ｃの上面に被着し、ボンディング・
ワイヤ４によって突き破られる樹脂層３Ｃは、それ自体
の弾性による復元性によって、ボンディング・ワイヤ４
と接続電極２ｃとの接続部の周囲の楔形の空間に充填さ
れた状態となり、半導体素子２の表面は、全体が樹脂層
３によって確実に覆われた状態となる。
その後、図示しない金型などに、リード・フレームｌの
タブ１ａに搭載された半導体素子２を収容した状態で、
封止樹脂５を金型内に加圧充填することにより、図示し
ない金型によって、所定のパッケージに成形された当該
封止樹脂５によって半導体素子２が封止され、さらに、
成形された封止樹脂５から外部に突出した複数のリード
１ｂの切断や曲げ工程などを経ることによって、第２図
に示されるように、いわゆる樹脂封止型の半導体装置６
が形成される。
タブ１ａに搭載された半導体素子２を収容した状態で、
封止樹脂５を金型内に加圧充填することにより、図示し
ない金型によって、所定のパッケージに成形された当該
封止樹脂５によって半導体素子２が封止され、さらに、
成形された封止樹脂５から外部に突出した複数のリード
１ｂの切断や曲げ工程などを経ることによって、第２図
に示されるように、いわゆる樹脂封止型の半導体装置６
が形成される。
なお、半導体素子２に対する樹脂層３を形成する時期と
しては、上述のように、半導体ウエノ１の段階に限らず
、半導体ウェハから切り出され、リード・フレーム１に
搭載された状態で行ってもよく、さらに半導体素子２に
被着された樹脂層３の加熱硬化処理は、ボンディング・
ワイヤ４を架設した後に行ってもよいものである。
しては、上述のように、半導体ウエノ１の段階に限らず
、半導体ウェハから切り出され、リード・フレーム１に
搭載された状態で行ってもよく、さらに半導体素子２に
被着された樹脂層３の加熱硬化処理は、ボンディング・
ワイヤ４を架設した後に行ってもよいものである。
ここで、本実施例では、樹脂層３が半導体素子２の全面
に薄く被着されているため、半導体素子２と封止樹脂５
との界面に溜りやすい水分などから半導体素子２が確実
に保護され、耐湿性が向上するとともに、半導体素子２
とリード１ｂとの間に架設されるボンディング・ワイヤ
４は、封止樹脂５の内部に封止された第２図に示される
状態では、当該封止樹脂５のみに埋設された状態となっ
ている。
に薄く被着されているため、半導体素子２と封止樹脂５
との界面に溜りやすい水分などから半導体素子２が確実
に保護され、耐湿性が向上するとともに、半導体素子２
とリード１ｂとの間に架設されるボンディング・ワイヤ
４は、封止樹脂５の内部に封止された第２図に示される
状態では、当該封止樹脂５のみに埋設された状態となっ
ている。
このため、熱膨張率の異なる異種の物質に同時に埋設さ
れ状態となることに起因して、ボンディング・ワイヤ４
の途中や、接続電極２Ｃに対する接続端などが熱応力な
どを受けることが回避され、ボンディング・ワイヤ４が
不時に破断することが防止される。
れ状態となることに起因して、ボンディング・ワイヤ４
の途中や、接続電極２Ｃに対する接続端などが熱応力な
どを受けることが回避され、ボンディング・ワイヤ４が
不時に破断することが防止される。
また、半導体素子２の寸法が比較的大きい場合でも、表
面に被着される樹脂層３が薄いので、大きな熱応力が発
生することもない。
面に被着される樹脂層３が薄いので、大きな熱応力が発
生することもない。
なお、以上の説明では、第２図に示されるように樹脂封
止型の半導体装置６について説明したが、第３図に示さ
れるような、いわゆるピン・グリッド・アレイ型の封止
形態を呈する半導体装置６ａに適用してもよいものであ
る。
止型の半導体装置６について説明したが、第３図に示さ
れるような、いわゆるピン・グリッド・アレイ型の封止
形態を呈する半導体装置６ａに適用してもよいものであ
る。
すなわち、第３図の半導体装置６ａは、図示しない配線
構造および複数のビン７が設けられた配線基板７ （支
持部材）の上に、樹脂層３が被着された半導体素子２を
搭載し、ボンディング・ワイヤ４によって半導体素子２
の接続電極２Ｃと配線基板７とを電気的に接続し、さら
に、配線基板子に搭載された半導体素子２は、該配線基
板７に冠着されたキャンプ８およびキャップ８の内部に
充満された封止樹脂９によって封止されるようにしたも
のである。
構造および複数のビン７が設けられた配線基板７ （支
持部材）の上に、樹脂層３が被着された半導体素子２を
搭載し、ボンディング・ワイヤ４によって半導体素子２
の接続電極２Ｃと配線基板７とを電気的に接続し、さら
に、配線基板子に搭載された半導体素子２は、該配線基
板７に冠着されたキャンプ８およびキャップ８の内部に
充満された封止樹脂９によって封止されるようにしたも
のである。
また、第４図に示される半導体装１１１６ｂは、キャッ
プ８と配線基板７のみによって半導体素子２を封止した
ものである。
プ８と配線基板７のみによって半導体素子２を封止した
ものである。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、半導体素子２における最終保護膜２ａおよびこ
の最終保護膜２ａから露出した接続電極２Ｃの全域に樹
脂層３を薄く被着する第１の段階と、半導体素子２の接
続電極２Ｃの上に被着された樹脂層３を、超音波振動の
エネルギなどによって突き破ることにより、接続電極２
Ｃと、リード・フレーム１のリードｌｂとを接続する第
２の段階とを経て、ボンディング・ワイヤ４の架設が行
われるので、ボンディング・ワイヤ４が樹脂層３の内部
に埋没することがなく、たとえば、封止樹脂５の内部に
封止される場合には、当該封止樹脂５のみに埋設された
状態となる。
の最終保護膜２ａから露出した接続電極２Ｃの全域に樹
脂層３を薄く被着する第１の段階と、半導体素子２の接
続電極２Ｃの上に被着された樹脂層３を、超音波振動の
エネルギなどによって突き破ることにより、接続電極２
Ｃと、リード・フレーム１のリードｌｂとを接続する第
２の段階とを経て、ボンディング・ワイヤ４の架設が行
われるので、ボンディング・ワイヤ４が樹脂層３の内部
に埋没することがなく、たとえば、封止樹脂５の内部に
封止される場合には、当該封止樹脂５のみに埋設された
状態となる。
このため、熱膨張率の異なる異種の物質に同時に埋設さ
れ状態となることに起因して、ボンディング・ワイヤ４
の途中や、接続電極２Ｃに対する接続端などが熱応力な
どを受けることが回避され、ボンディング・ワイヤ４が
不時に破断することが防止されるとともに、半導体素子
２０寸法が比較的大きい場合でも、表面に被着される樹
脂層３が薄いので、大きな熱応力が発生することもない
。
れ状態となることに起因して、ボンディング・ワイヤ４
の途中や、接続電極２Ｃに対する接続端などが熱応力な
どを受けることが回避され、ボンディング・ワイヤ４が
不時に破断することが防止されるとともに、半導体素子
２０寸法が比較的大きい場合でも、表面に被着される樹
脂層３が薄いので、大きな熱応力が発生することもない
。
また、半導体素子２の全面に薄く被着された樹脂層３に
より、半導体素子２と、半導体素子２が封止される封止
樹脂５との界面に溜りやすい水分などから半導体素子２
が確実に保護され、耐湿性が向上する。
より、半導体素子２と、半導体素子２が封止される封止
樹脂５との界面に溜りやすい水分などから半導体素子２
が確実に保護され、耐湿性が向上する。
（２）、前記（１）の結果、不時のボンディング・ワイ
ヤ４の破断や、ボンディング・ワイヤ４と半導体素子２
の接続電極２Ｃとの接合部の腐蝕などに起因する導通不
良の発生が回避され、半導体装置６の動作の信頼性を向
上させることができる。
ヤ４の破断や、ボンディング・ワイヤ４と半導体素子２
の接続電極２Ｃとの接合部の腐蝕などに起因する導通不
良の発生が回避され、半導体装置６の動作の信頼性を向
上させることができる。
（３）、前記（１）の結果、半導体装置の製造における
生産性が向上する。
生産性が向上する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、半導体装置の封止形態としては、樹脂封止型
やピン・グリッド・アレイ型のものに限らず、他のいか
なる封止形態のものであってもよい。
やピン・グリッド・アレイ型のものに限らず、他のいか
なる封止形態のものであってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置およびそ
の製造技術に適用した場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、一般の電子部品の製造技術な
どに広く適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置およびそ
の製造技術に適用した場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、一般の電子部品の製造技術な
どに広く適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、支持部材と、該支持部材に搭載され、表面に
樹脂層が被着された半導体素子と、該半導体素子と前記
支持部材とを接続するボンディング・ワイヤとからなる
構造であるため、半導体素子の表面に被着される樹脂層
の中に、半導体素子の接続電極と支持部材とを接続する
ボンディング・ワイヤが埋没することがないので、熱応
力などに起因して、不時に、ボンディング・ワイヤの切
断や半導体素子からの剥離などを生じることが防止され
るとともに、半導体素子の接続電極の上部に被着され、
ボンディング・ワイヤによって突き破られた樹脂層は、
自身の弾性によってボンディング・ワイヤと接続電極部
との接続部の周囲に充満された状態となり、半導体素子
の表面が樹脂層に確実に覆われるので、該半導体素子の
耐湿性が向上する。
樹脂層が被着された半導体素子と、該半導体素子と前記
支持部材とを接続するボンディング・ワイヤとからなる
構造であるため、半導体素子の表面に被着される樹脂層
の中に、半導体素子の接続電極と支持部材とを接続する
ボンディング・ワイヤが埋没することがないので、熱応
力などに起因して、不時に、ボンディング・ワイヤの切
断や半導体素子からの剥離などを生じることが防止され
るとともに、半導体素子の接続電極の上部に被着され、
ボンディング・ワイヤによって突き破られた樹脂層は、
自身の弾性によってボンディング・ワイヤと接続電極部
との接続部の周囲に充満された状態となり、半導体素子
の表面が樹脂層に確実に覆われるので、該半導体素子の
耐湿性が向上する。
また、半導体素子における最終保護膜および該最終保護
膜から露出した接続電極の全面に樹脂層を形成する第１
の段階と、支持部材に搭載された前記半導体素子の前記
接続電極の上に被着された前記樹脂層を突き破ることに
より、該接続電極と前記支持部材との間に導体からなる
ボンディング・ワイヤを架設する第２の段階とを行うの
で、半導体素子の表面に被着される樹脂層の中に、半導
体素子の接続電極と支持部材とを接続するボンディング
・ワイヤが埋没することがなく、熱応力などに起因して
、不時に、ボンディング・ワイヤの切断や半導体素子か
らの剥離などを生じることが防止されるとともに、半導
体素子の接続電極の上部に被着され、ボンディング・ワ
イヤによって突き破られた樹脂層は、自身の弾性によっ
てボンディング・ワイヤと接続電極部との接続部の周囲
に充満された状態となり、半導体素子の表面が樹脂層に
確実に覆われるので、該半導体素子の耐湿性が向上する
。
膜から露出した接続電極の全面に樹脂層を形成する第１
の段階と、支持部材に搭載された前記半導体素子の前記
接続電極の上に被着された前記樹脂層を突き破ることに
より、該接続電極と前記支持部材との間に導体からなる
ボンディング・ワイヤを架設する第２の段階とを行うの
で、半導体素子の表面に被着される樹脂層の中に、半導
体素子の接続電極と支持部材とを接続するボンディング
・ワイヤが埋没することがなく、熱応力などに起因して
、不時に、ボンディング・ワイヤの切断や半導体素子か
らの剥離などを生じることが防止されるとともに、半導
体素子の接続電極の上部に被着され、ボンディング・ワ
イヤによって突き破られた樹脂層は、自身の弾性によっ
てボンディング・ワイヤと接続電極部との接続部の周囲
に充満された状態となり、半導体素子の表面が樹脂層に
確実に覆われるので、該半導体素子の耐湿性が向上する
。
第１図（ａ）および（ｂＪは本発明の一実施例である半
導体装置の製造方法の一例を工程順に示す説明図、第２
図は本発明の一実施例である半導体装置の一例を示す断
面図、 第３図は同じく半導体装置の一例を示す断面図、第４図
は同じく半導体装置の一例を示す断面図である。 １・・・リード・フレーム（支持部材）、１ａ・・・タ
ブ、ｌｂ・・・リード、２・・・半導体素子、２ａ・・
・最終保護膜、２ｂ・・・内部配線構造、２Ｃ・・・接
続電極、３・・・樹脂層、４・・・ボンディング・ワイ
ヤ、５・・・封止樹脂、６．６ａ、６ｂ・・・半導体装
置、７・・・配線基板（支持部材）、７ａ・・・ビン、
８・・・キャップ、９・・・封止樹脂。
導体装置の製造方法の一例を工程順に示す説明図、第２
図は本発明の一実施例である半導体装置の一例を示す断
面図、 第３図は同じく半導体装置の一例を示す断面図、第４図
は同じく半導体装置の一例を示す断面図である。 １・・・リード・フレーム（支持部材）、１ａ・・・タ
ブ、ｌｂ・・・リード、２・・・半導体素子、２ａ・・
・最終保護膜、２ｂ・・・内部配線構造、２Ｃ・・・接
続電極、３・・・樹脂層、４・・・ボンディング・ワイ
ヤ、５・・・封止樹脂、６．６ａ、６ｂ・・・半導体装
置、７・・・配線基板（支持部材）、７ａ・・・ビン、
８・・・キャップ、９・・・封止樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持部材と、該支持部材に搭載され、表面に樹脂層
が被着された半導体素子と、該半導体素子と前記支持部
材とを接続するボンディング・ワイヤとからなることを
特徴とする半導体装置。 ２、前記樹脂層は、前記ボンディング・ワイヤの架設に
先立って前記半導体素子の全面に被着され、前記ボンデ
ィング・ワイヤは、前記半導体素子の最終保護膜から露
出した接続電極の上に被着された前記樹脂層を超音波振
動の印加によって突き破ることにより、該接続電極に接
続されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置。 ３、前記樹脂層がシリコーン系の樹脂からなり、前記半
導体素子の表面にほぼ１０μｍ程度の厚さに均一に被着
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。 ４、前記樹脂層は、複数の半導体素子が一括して形成さ
れる半導体ウェハの段階で、回転塗布により一括して被
着されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。 ５、前記支持部材がリードフレームであり、前記半導体
素子が封止樹脂中に埋設された封止形態よりなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ６、前記支持部材が配線基板であり、ピン・グリッド・
アレイ型の封止形態よりなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。 ７、半導体素子における最終保護膜および該最終保護膜
から露出した接続電極の全面に樹脂層を形成する第１の
段階と、支持部材に搭載された前記半導体素子の前記接
続電極の上に被着された前記樹脂層を突き破ることによ
り、該接続電極と前記支持部材との間に導体からなるボ
ンディング・ワイヤを架設する第２の段階とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 ８、前記樹脂層がシリコーン系の樹脂からなり、前記半
導体素子の表面にほぼ１０μｍ程度の厚さに均一に被着
されることを特徴とする特許請求の範囲７項記載の半導
体装置の製造方法。 ９、前記樹脂層は、複数の半導体素子が一括して形成さ
れる半導体ウェハの段階で、回転塗布により一括して被
着されることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の
半導体装置の製造方法。 １０、前記支持部材がリードフレームであり、前記半導
体素子が封止樹脂中に埋設された封止形態よりなること
を特徴とする特許請求の範囲第７項記載の半導体装置の
製造方法。 １１、前記支持部材が配線基板であり、ピン・グリッド
・アレイ型の封止形態よりなることを特徴とする特許請
求の範囲第７項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292121A JPH01135052A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292121A JPH01135052A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01135052A true JPH01135052A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17777814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292121A Pending JPH01135052A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01135052A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184720A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | デバイスの製造方法 |
| WO2007119673A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、該太陽電池を用いた太陽電池モジュール、及び、該太陽電池モジュールの製造方法 |
| CN108257884A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-06 | 德淮半导体有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62292121A patent/JPH01135052A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184720A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | デバイスの製造方法 |
| WO2007119673A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、該太陽電池を用いた太陽電池モジュール、及び、該太陽電池モジュールの製造方法 |
| CN108257884A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-06 | 德淮半导体有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3591839A (en) | Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture | |
| US5256598A (en) | Shrink accommodating lead frame | |
| US20020109216A1 (en) | Integrated electronic device and integration method | |
| KR950704838A (ko) | 영역 어레이 상호접속칩의 tab시험(tab testing of area array interconnected chips) | |
| JPH10223698A (ja) | Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置 | |
| JP2000269166A (ja) | 集積回路チップの製造方法及び半導体装置 | |
| US5780923A (en) | Modified bus bar with Kapton™ tape or insulative material on LOC packaged part | |
| JPH09172029A (ja) | 半導体チップ及びその製造方法並びに半導体装置 | |
| EP0902468B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device | |
| JPS6118862B2 (ja) | ||
| JP2973988B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0547988A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0511660B2 (ja) | ||
| JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPH06209071A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100209682B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
| JPS6080258A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3555790B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0778910A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10223700A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04192421A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62147752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0511661B2 (ja) | ||
| JPH0493052A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP4051379B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |