JPH0717029Y2 - 磁場検出回路 - Google Patents
磁場検出回路Info
- Publication number
- JPH0717029Y2 JPH0717029Y2 JP1988101066U JP10106688U JPH0717029Y2 JP H0717029 Y2 JPH0717029 Y2 JP H0717029Y2 JP 1988101066 U JP1988101066 U JP 1988101066U JP 10106688 U JP10106688 U JP 10106688U JP H0717029 Y2 JPH0717029 Y2 JP H0717029Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- series circuit
- variable
- variable resistance
- middle point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、磁場により抵抗が変化する磁気抵抗素子を用
いてこの磁場に対応した出力電圧を検出する磁場検出回
路に係り、特にこの磁場検出回路の温度特性を改善した
磁場検出回路に関する。
いてこの磁場に対応した出力電圧を検出する磁場検出回
路に係り、特にこの磁場検出回路の温度特性を改善した
磁場検出回路に関する。
この磁場検出回路により、磁性体の位置に対応する出力
電圧を得ることができ、例えば電空ポジショナに使用す
るパイロットリレーの弁の位置を検出する場合などに応
用することができる。
電圧を得ることができ、例えば電空ポジショナに使用す
るパイロットリレーの弁の位置を検出する場合などに応
用することができる。
〈従来の技術〉 この種の従来の磁場検出回路を第２図に示し、これにつ
いて説明する。
いて説明する。
電源端Vccと共通電位点COMとの間には抵抗R1、R2、R3、
R4が順に直列に接続されている。また、抵抗R1とR2との
接続点と、抵抗R3とR4との接続点との間には磁気抵抗素
子R5とR6とが直列に接続されている。この磁気抵抗素子
R5とR6は１つの容器の中に所定の角度で配置収納されて
おり、その頂部への磁場Ｂの印加によりこの磁場の移動
の方向に対応して抵抗値が変化する。
R4が順に直列に接続されている。また、抵抗R1とR2との
接続点と、抵抗R3とR4との接続点との間には磁気抵抗素
子R5とR6とが直列に接続されている。この磁気抵抗素子
R5とR6は１つの容器の中に所定の角度で配置収納されて
おり、その頂部への磁場Ｂの印加によりこの磁場の移動
の方向に対応して抵抗値が変化する。
磁気抵抗素子R5とR6との接続点は出力端子T1に、抵抗R2
とR3との接続点は出力端子T2にそれぞれ接続されてい
る。
とR3との接続点は出力端子T2にそれぞれ接続されてい
る。
磁場Ｂの方向に対応して出力端子T1とT2との間に出力電
圧Voが出力される。この場合、磁気抵抗素子R5とR6とに
印加される磁場Ｂの方向が反転するとこれに応じて出力
端子T1とT2の間に得られる出力電圧Voの極性も反転す
る。
圧Voが出力される。この場合、磁気抵抗素子R5とR6とに
印加される磁場Ｂの方向が反転するとこれに応じて出力
端子T1とT2の間に得られる出力電圧Voの極性も反転す
る。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら以上のような従来の磁場検出回路は、この
磁場検出回路に用いられている磁気検出素子の温度係数
が極めて大きいので、これ等の磁場検出素子R5、R6の温
度係数に少しでも差が存在すると出力電圧Voが温度変化
により大幅に変化するという問題がある。
磁場検出回路に用いられている磁気検出素子の温度係数
が極めて大きいので、これ等の磁場検出素子R5、R6の温
度係数に少しでも差が存在すると出力電圧Voが温度変化
により大幅に変化するという問題がある。
〈課題を解決するための手段〉 本考案は、以上の問題点を解決するために、磁場が印加
されることによってその抵抗が変化する一対の第１、第
２磁気抵抗素子と、この一対の第１、第２磁気抵抗素子
の各一端の間に両端が接続された第１可変抵抗素子と、
一対の磁気抵抗素子の各他端の間に第１抵抗と第２可変
抵抗素子と第２抵抗とが直列に接続された第１直列回路
と、直列回路の両端に印加される電源とを有し、所定の
温度範囲の上限において第１磁気抵抗素子の他端と第１
可変抵抗素子の中点とで形成される第２直列回路の温度
係数と第２磁気抵抗素子の他端と第１可変抵抗素子の中
点とで形成される第３直列回路の温度係数とが等しくな
るように第１可変抵抗の中点の位置を選定すると共に第
１、第２可変抵抗の各中点に現れるオフセット電圧がゼ
ロになるように第２可変抵抗の中点の位置を選定し、磁
場に対応する出力電圧を第１、第２可変抵抗素子の各中
点から出力するようにしたものである。
されることによってその抵抗が変化する一対の第１、第
２磁気抵抗素子と、この一対の第１、第２磁気抵抗素子
の各一端の間に両端が接続された第１可変抵抗素子と、
一対の磁気抵抗素子の各他端の間に第１抵抗と第２可変
抵抗素子と第２抵抗とが直列に接続された第１直列回路
と、直列回路の両端に印加される電源とを有し、所定の
温度範囲の上限において第１磁気抵抗素子の他端と第１
可変抵抗素子の中点とで形成される第２直列回路の温度
係数と第２磁気抵抗素子の他端と第１可変抵抗素子の中
点とで形成される第３直列回路の温度係数とが等しくな
るように第１可変抵抗の中点の位置を選定すると共に第
１、第２可変抵抗の各中点に現れるオフセット電圧がゼ
ロになるように第２可変抵抗の中点の位置を選定し、磁
場に対応する出力電圧を第１、第２可変抵抗素子の各中
点から出力するようにしたものである。
〈作用〉 所定の温度範囲の上限では最大の抵抗変化を示すが、こ
の上限において第２直列回路と第３直列回路の各温度係
数が等しくなるように第１可変抵抗素子の中点を選定し
ているので、所定の温度範囲での温度変化による出力電
圧の変化を小さくすることができ、またこの選定により
出力電圧にオフセットが生じるが、これは第２可変抵抗
の中点の位置を調節することにより除去することが出来
る。
の上限において第２直列回路と第３直列回路の各温度係
数が等しくなるように第１可変抵抗素子の中点を選定し
ているので、所定の温度範囲での温度変化による出力電
圧の変化を小さくすることができ、またこの選定により
出力電圧にオフセットが生じるが、これは第２可変抵抗
の中点の位置を調節することにより除去することが出来
る。
〈実施例〉 次に、本考案の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本考案の１実施例の構成を示す回路図である。
第１図は本考案の１実施例の構成を示す回路図である。
磁気抵抗素子R5と磁気抵抗素子R6との間には可変抵抗素
子VR1が接続され、その中点は出力端子T1に接続されて
いる。
子VR1が接続され、その中点は出力端子T1に接続されて
いる。
そして、磁気抵抗素子R5と可変抵抗素子VR1の中点との
間の合成抵抗で第２直列回路10が構成され、磁気抵抗素
子R6と可変抵抗素子VR1の中点との間の合成抵抗で第３
直列回路11がそれぞれ構成されている。
間の合成抵抗で第２直列回路10が構成され、磁気抵抗素
子R6と可変抵抗素子VR1の中点との間の合成抵抗で第３
直列回路11がそれぞれ構成されている。
これ等の第２直列回路10と第３直列回路11の温度係数
は、例えば使用温度範囲の上限Tcで等しくなるように可
変抵抗素子VR1の中点の位置が選定される。
は、例えば使用温度範囲の上限Tcで等しくなるように可
変抵抗素子VR1の中点の位置が選定される。
また、抵抗R2と抵抗R3との間には可変抵抗素子VR2が接
続され、その中点は出力端子T2に接続されている。
続され、その中点は出力端子T2に接続されている。
そして、抵抗R2と可変抵抗素子VR2と抵抗R3とで第１直
列回路12が構成されている。
列回路12が構成されている。
この場合、可変抵抗素子VR1で第２、第３直列回路の温
度係数を合わせたのでブリッジのバランスが崩れてお
り、出力端子T1とT2の間にオフセット電圧が生じてい
る。従って、この可変抵抗素子VR2によりその中点の位
置を選定してこのオフセット電圧を除去する。
度係数を合わせたのでブリッジのバランスが崩れてお
り、出力端子T1とT2の間にオフセット電圧が生じてい
る。従って、この可変抵抗素子VR2によりその中点の位
置を選定してこのオフセット電圧を除去する。
次に、以上のように構成された第１図に示す磁場検出回
路の動作を説明する。
路の動作を説明する。
いま、常温から使用温度範囲の上限Tcまで、例えば20℃
から80℃まで、変化させたときの磁気抵抗素子R5の温度
係数に基づく抵抗変化量をΔR5、磁気抵抗素子R6の抵抗
変化量をΔR6とし、……可変抵抗素子VR1の第２直列回
路10側の抵抗値をVRX、第３直列回路11側の抵抗値をVR
（１−Ｘ）とすれば、第２直列回路10の温度係数と第３
直列回路11の温度係数とが一致するときの可変抵抗素子
の中点の位置Ｘは、 ［（R5＋ΔR5）＋VR・ｘ］ ／［R5＋VR・ｘ］ ＝［（R6＋ΔR6）＋VR（１−ｘ）］ ／［R6＋VR（１−ｘ）］ ……（１） で与えられる。これを解くと、ｘは ｘ＝［ΔR5・R6−R5・ΔR6＋ΔR5・VR］ ／［（ΔR6＋ΔR5）VR］ ……（２） となる。
から80℃まで、変化させたときの磁気抵抗素子R5の温度
係数に基づく抵抗変化量をΔR5、磁気抵抗素子R6の抵抗
変化量をΔR6とし、……可変抵抗素子VR1の第２直列回
路10側の抵抗値をVRX、第３直列回路11側の抵抗値をVR
（１−Ｘ）とすれば、第２直列回路10の温度係数と第３
直列回路11の温度係数とが一致するときの可変抵抗素子
の中点の位置Ｘは、 ［（R5＋ΔR5）＋VR・ｘ］ ／［R5＋VR・ｘ］ ＝［（R6＋ΔR6）＋VR（１−ｘ）］ ／［R6＋VR（１−ｘ）］ ……（１） で与えられる。これを解くと、ｘは ｘ＝［ΔR5・R6−R5・ΔR6＋ΔR5・VR］ ／［（ΔR6＋ΔR5）VR］ ……（２） となる。
ここで、例えば、R5＝R6＝3KΩ、ΔR5＝610Ω、ΔR6＝6
00Ω、VR＝100Ωとすれば、これを（２）式に代入して Ｘ＝0.752 を得る。従って、このように可変抵抗素子VR1の中点の
位置を選定すれば良い。
00Ω、VR＝100Ωとすれば、これを（２）式に代入して Ｘ＝0.752 を得る。従って、このように可変抵抗素子VR1の中点の
位置を選定すれば良い。
〈考案の効果〉 以上、実施例と共に具体的に説明したように本考案によ
れば、所定の温度範囲の上限で第２直列回路と第３直列
回路の温度係数が等しくなるように第１可変抵抗素子の
中点の位置を選定したので、この温度範囲での温度変化
を安価な構成で実用上十分なレベルに低減することがで
き、これにともない生じるオフセット電圧は第２可変抵
抗素子で除去することが出来る。
れば、所定の温度範囲の上限で第２直列回路と第３直列
回路の温度係数が等しくなるように第１可変抵抗素子の
中点の位置を選定したので、この温度範囲での温度変化
を安価な構成で実用上十分なレベルに低減することがで
き、これにともない生じるオフセット電圧は第２可変抵
抗素子で除去することが出来る。
第１図は本考案の１実施例の構成を示す回路図、第２図
は従来の磁場検出回路の構成を示す回路図である。 10……第２直列回路、11……第３直列回路、12……第１
直列回路、R1〜R4……抵抗、R5、R6……磁気抵抗素子、
Ｂ……磁場。
は従来の磁場検出回路の構成を示す回路図である。 10……第２直列回路、11……第３直列回路、12……第１
直列回路、R1〜R4……抵抗、R5、R6……磁気抵抗素子、
Ｂ……磁場。
Claims (1)
- 【請求項１】磁場が印加されることによってその抵抗が
変化する一対の第１、第２磁気抵抗素子と、この一対の
第１、第２磁気抵抗素子の各一端の間に両端が接続され
た第１可変抵抗素子と、前記一対の磁気抵抗素子の各他
端の間に第１抵抗と第２可変抵抗素子と第２抵抗とが直
列に接続された第１直列回路と、前記直列回路の両端に
印加される電源とを有し、所定の温度範囲の上限におい
て前記第１磁気抵抗素子の他端と前記第１可変抵抗素子
の中点とで形成される第２直列回路の温度係数と前記第
２磁気抵抗素子の他端と前記第１可変抵抗素子の中点と
で形成される第３直列回路の温度係数とが等しくなるよ
うに前記第１可変抵抗の中点の位置を選定すると共に前
記第１、第２可変抵抗の各中点に現れるオフセット電圧
がゼロになるように前記第２可変抵抗の中点の位置を選
定し、前記磁場に対応する出力電圧を前記第１、第２可
変抵抗素子の各中点から出力するようにしたことを特徴
とする磁場検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988101066U JPH0717029Y2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 磁場検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988101066U JPH0717029Y2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 磁場検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221581U JPH0221581U (ja) | 1990-02-13 |
| JPH0717029Y2 true JPH0717029Y2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=31329719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988101066U Expired - Lifetime JPH0717029Y2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 磁場検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717029Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6511336B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-05-15 | エイブリック株式会社 | 温度補償回路およびセンサ装置 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP1988101066U patent/JPH0717029Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221581U (ja) | 1990-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0717029Y2 (ja) | 磁場検出回路 | |
| JPH057582Y2 (ja) | ||
| JP2710507B2 (ja) | 増幅回路 | |
| JPS5856408B2 (ja) | 磁気センサ | |
| RU2099722C1 (ru) | Измеритель малых сопротивлений | |
| JPH0642223Y2 (ja) | 磁気検出回路 | |
| JPH0390089U (ja) | ||
| JP2715879B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS633222Y2 (ja) | ||
| JPH0511476Y2 (ja) | ||
| JP2684917B2 (ja) | レコーダ回路 | |
| JPS6031301Y2 (ja) | 直流増幅器 | |
| JPS6316970Y2 (ja) | ||
| JPH0336979U (ja) | ||
| JPH0547372Y2 (ja) | ||
| JPS6241453Y2 (ja) | ||
| JPH0441611Y2 (ja) | ||
| JPH0467795B2 (ja) | ||
| JPH0355229Y2 (ja) | ||
| JPH086260Y2 (ja) | 磁気抵抗効果素子回路 | |
| JPH0731218B2 (ja) | 抵抗測定装置 | |
| JPS63293891A (ja) | 記憶型磁気センサ | |
| SU1314276A1 (ru) | Измерительный преобразователь активной мощности | |
| JPH0599606A (ja) | スロツトル開度センサ | |
| JPS626498Y2 (ja) |