JPH0717093B2 - 光学情報記録再生デイスク - Google Patents
光学情報記録再生デイスクInfo
- Publication number
- JPH0717093B2 JPH0717093B2 JP60124887A JP12488785A JPH0717093B2 JP H0717093 B2 JPH0717093 B2 JP H0717093B2 JP 60124887 A JP60124887 A JP 60124887A JP 12488785 A JP12488785 A JP 12488785A JP H0717093 B2 JPH0717093 B2 JP H0717093B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main component
- information recording
- optical information
- additive material
- substrate
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大容量のデータの記録、高速アクセスを可能に
する光ディスクの分野に用いられる光学情報記録再生デ
ィスクに関するものである。
する光ディスクの分野に用いられる光学情報記録再生デ
ィスクに関するものである。
従来の技術 還元性金属酸化物を主成分とする薄膜をレーザ光記録の
媒体として用いる方法は、例えば酸化テルルTeOx（Ｏ＜
ｘ＜2.0）を主成分と薄膜が知られている（特公昭54−7
457号）。この膜に対する添加材料としてはSnの例があ
る。膜の形成方法としては、Teの蒸発源とTeO2の蒸発
源、そしてSnの蒸発源を用いて、同時に基板に蒸着し、
TeとＯとSnの元素からなる膜を形成する例がある。
媒体として用いる方法は、例えば酸化テルルTeOx（Ｏ＜
ｘ＜2.0）を主成分と薄膜が知られている（特公昭54−7
457号）。この膜に対する添加材料としてはSnの例があ
る。膜の形成方法としては、Teの蒸発源とTeO2の蒸発
源、そしてSnの蒸発源を用いて、同時に基板に蒸着し、
TeとＯとSnの元素からなる膜を形成する例がある。
発明が解決しようとする問題点 従来の還元性金属酸化物と添加材料からなる記録媒体で
は、膜の中の構成物質は、Te,TeO2,SnOあるいはSnO
2と、僅かのSnになっている。添加材料Snの主たる役割
は、これが単体として薄膜に含まれ、光吸収及び熱的性
質の制御、例えば熱伝導率の制御等を行なうものであ
る。しかるに、この例の場合はSnが単体で一部入ると同
時に、SnがTeO2を還元し、SnOあるいはSnO2になるとと
もに、Teが発生するわけである。
は、膜の中の構成物質は、Te,TeO2,SnOあるいはSnO
2と、僅かのSnになっている。添加材料Snの主たる役割
は、これが単体として薄膜に含まれ、光吸収及び熱的性
質の制御、例えば熱伝導率の制御等を行なうものであ
る。しかるに、この例の場合はSnが単体で一部入ると同
時に、SnがTeO2を還元し、SnOあるいはSnO2になるとと
もに、Teが発生するわけである。
本発明はこのような問題点を解決するもので、膜形成時
の反応が生じにくく、製造が容易な光学情報記録再生デ
ィスクを提供することを目的とするものである。
の反応が生じにくく、製造が容易な光学情報記録再生デ
ィスクを提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、レーザ光等の照
射によりその吸収エネルギーで昇温し、状態を変化させ
情報を記録する媒体において、酸素を含むM1Oxなる還元
性金属酸化物を主成分とする薄膜に、M2としてC,S,Se,
P,I,Si,Sb,B,Teのうちから少なくとも１成分を選び、M1
とM2の電気陰性度をEM1,EM2とし、EM2−EM1＞＝Ｏの組
み合わせを選んだものである。
射によりその吸収エネルギーで昇温し、状態を変化させ
情報を記録する媒体において、酸素を含むM1Oxなる還元
性金属酸化物を主成分とする薄膜に、M2としてC,S,Se,
P,I,Si,Sb,B,Teのうちから少なくとも１成分を選び、M1
とM2の電気陰性度をEM1,EM2とし、EM2−EM1＞＝Ｏの組
み合わせを選んだものである。
作用 この構成により、M1Oxを主成分とする還元性金属酸化物
薄膜の特性をM2の量で容易に制御できる。
薄膜の特性をM2の量で容易に制御できる。
実施例 以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。
る。
即ち、本発明は、レーザ光等の照射によりその吸収エネ
ルギーで昇温し、状態を変化させ、情報を記録する媒体
において、酸素を含むM1Oxなる還元性金属酸化物を主成
分とする薄膜に、少くとも１つの添加材料としてM2を含
ませ、それの電気陰性度EM1,EM2をEM2−EM1Ｏに選ん
だものである。
ルギーで昇温し、状態を変化させ、情報を記録する媒体
において、酸素を含むM1Oxなる還元性金属酸化物を主成
分とする薄膜に、少くとも１つの添加材料としてM2を含
ませ、それの電気陰性度EM1,EM2をEM2−EM1Ｏに選ん
だものである。
ところで、添加材料M2と主成分の構成要素であるM1の酸
化物の反応をおさえることが必要である。この反応はM1
及びM2と、酸素Ｏの結合しやすさの度合によって変る。
従って、添加材料M2としては、主成分の構成要素M1より
も酸素との結合度合の小さい元素の中から選ぶことがそ
の量を制御する上で重要である。この方法として、元素
の電気陰性度の相異を利用することが本発明の基本的な
手段である。主成分M1Oxの元素M1に対して添加材料M
2を、それらの電気陰性度を夫々EM1,EM2として、EM2E
M1に選ぶ。この場合、M1Oxつまり、M1とM1の酸化物の混
合体にM2が単体の状態で入りやすくなる。このためM2を
含むM1Oxを主成分とする還元性金属酸化物薄膜の特性を
M2の量で容易に制御できるようになる。M1とM1の酸化物
とM2を夫々独立の蒸発源として基板に蒸着する場合、M1
Oxのｘ値はM1とM1の酸化物の蒸発源の温度、つまり夫々
の蒸発速度の組み合わせで基本的には制御可能になり、
これに対してM2は所定の組成比で膜に添加することが可
能になる。
化物の反応をおさえることが必要である。この反応はM1
及びM2と、酸素Ｏの結合しやすさの度合によって変る。
従って、添加材料M2としては、主成分の構成要素M1より
も酸素との結合度合の小さい元素の中から選ぶことがそ
の量を制御する上で重要である。この方法として、元素
の電気陰性度の相異を利用することが本発明の基本的な
手段である。主成分M1Oxの元素M1に対して添加材料M
2を、それらの電気陰性度を夫々EM1,EM2として、EM2E
M1に選ぶ。この場合、M1Oxつまり、M1とM1の酸化物の混
合体にM2が単体の状態で入りやすくなる。このためM2を
含むM1Oxを主成分とする還元性金属酸化物薄膜の特性を
M2の量で容易に制御できるようになる。M1とM1の酸化物
とM2を夫々独立の蒸発源として基板に蒸着する場合、M1
Oxのｘ値はM1とM1の酸化物の蒸発源の温度、つまり夫々
の蒸発速度の組み合わせで基本的には制御可能になり、
これに対してM2は所定の組成比で膜に添加することが可
能になる。
具体実施例１ M1としてTeを用い、M1OxとしてTeOx（Ｏ＜ｘ＜2.0）を
主成分とする膜を基板に蒸着させる。
主成分とする膜を基板に蒸着させる。
第１図（Ａ）において１は基板で、この基板１としては
透明なPMMA樹脂、ポリカーボネイト樹脂、あるいは必要
に応じて光硬化性樹脂をガラス上に形成したものが使用
される。次に第１図（Ｂ）に示すように予じめ還元した
M1OxあるいはM1元素２とM1の酸化物３の混合体を蒸発源
に用いて、つまりTeOx（Ｏ＜Ｘ＜2.0）を蒸発源とし、
この中にM2元素４としてTeの電気陰性度が2.1であるの
に対して、これより大きいＣあるいはS,Se等の夫々の電
気陰性度が2.5,2.5,2.4なる元素を含ませて蒸発源と
し、これを電気ビーム加熱により真空蒸着するとM2を含
む還元性金属薄膜５が基板１の上に形成される。M2の添
加量は蒸発源混合体の中に含ませるM2の量で制御でき
る。
透明なPMMA樹脂、ポリカーボネイト樹脂、あるいは必要
に応じて光硬化性樹脂をガラス上に形成したものが使用
される。次に第１図（Ｂ）に示すように予じめ還元した
M1OxあるいはM1元素２とM1の酸化物３の混合体を蒸発源
に用いて、つまりTeOx（Ｏ＜Ｘ＜2.0）を蒸発源とし、
この中にM2元素４としてTeの電気陰性度が2.1であるの
に対して、これより大きいＣあるいはS,Se等の夫々の電
気陰性度が2.5,2.5,2.4なる元素を含ませて蒸発源と
し、これを電気ビーム加熱により真空蒸着するとM2を含
む還元性金属薄膜５が基板１の上に形成される。M2の添
加量は蒸発源混合体の中に含ませるM2の量で制御でき
る。
具体実施例２ M2の添加量を更に高精度に制御する方法として第２図に
示すように、M1Oxの蒸発源６とM2の蒸発源７の多元蒸発
源を用いて、同時に蒸発させ、M2を含む薄膜５を透明基
板１に形成する方法がある。
示すように、M1Oxの蒸発源６とM2の蒸発源７の多元蒸発
源を用いて、同時に蒸発させ、M2を含む薄膜５を透明基
板１に形成する方法がある。
この場合、M2の添加量は蒸発源６あるいは７の温度、あ
るいは電子ビームのパワーで制御できる。尚M2として電
気陰性度が1.7よりも大きい材料を選ぶ。
るいは電子ビームのパワーで制御できる。尚M2として電
気陰性度が1.7よりも大きい材料を選ぶ。
ここで、M1としてはTe、これに対してM2としてはC,S,S
e,P,I等が選べる。又、M1としてSnを用いる場合は、M2
としてはSi,Sb,B,Te,C,S,Se,P,I等と選ぶことができ
る。
e,P,I等が選べる。又、M1としてSnを用いる場合は、M2
としてはSi,Sb,B,Te,C,S,Se,P,I等と選ぶことができ
る。
具体実施例３ 真空蒸着の代りにスパッタ法によりM2を含むM1Oxを基板
に形成することも可能である。
に形成することも可能である。
この場合、ターゲットとしてM1及びM1の酸化物、そして
添加材料M2を混合した材料を用いる。スパッタ時におい
て、M2とM1の酸化物の反応は少く、ターゲットの中のM2
の量により膜の中の添加量を制御することができる。
又、M1とM2の複合ターゲットに対し、酸素雰囲気におい
て反応性スパッタを行なうこともできる。
添加材料M2を混合した材料を用いる。スパッタ時におい
て、M2とM1の酸化物の反応は少く、ターゲットの中のM2
の量により膜の中の添加量を制御することができる。
又、M1とM2の複合ターゲットに対し、酸素雰囲気におい
て反応性スパッタを行なうこともできる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、還元性金属酸化物M1Oxに
添加材料M2を含ませ、M1とM2の電気陰性度EM1とEM2をE
M2EM1に選ぶことにより、感度、耐候性特性のM2によ
る制御を容易に行なうことができる。又、膜形成時の反
応が生じにくく、膜形成の再現性が高く、製造が容易に
なる。
添加材料M2を含ませ、M1とM2の電気陰性度EM1とEM2をE
M2EM1に選ぶことにより、感度、耐候性特性のM2によ
る制御を容易に行なうことができる。又、膜形成時の反
応が生じにくく、膜形成の再現性が高く、製造が容易に
なる。
第１図及び第２図は本発明の２つの具体実施例を示し、
第１図（Ａ）（Ｂ）は真空蒸着によってM2を含むM1Ox膜
を基板に形成する方法の説明図、第２図（Ａ）（Ｂ）は
多元の蒸発源を用いてM2を含むM1Ox膜を基板に形成する
方法の説明図である。 １……基板、２……M1元素、３……M1の酸化物、４……
M2元素、５……還元性金属薄膜、６……M1Oxの蒸発源、
７……M2の蒸発源
第１図（Ａ）（Ｂ）は真空蒸着によってM2を含むM1Ox膜
を基板に形成する方法の説明図、第２図（Ａ）（Ｂ）は
多元の蒸発源を用いてM2を含むM1Ox膜を基板に形成する
方法の説明図である。 １……基板、２……M1元素、３……M1の酸化物、４……
M2元素、５……還元性金属薄膜、６……M1Oxの蒸発源、
７……M2の蒸発源
Claims (6)
- 【請求項１】レーザ光等の照射によりその吸収エネルギ
ーで昇温し、状態を変化させ情報を記録する媒体におい
て、酸素を含むM1Oxなる還元性金属酸化物を主成分とす
る薄膜に、M2としてC,S,Se,P,I,Si,Sb,B,Teのうちから
少なくとも１成分を選び、M1とM2の電気陰性度をEM1,E
M2とし、EM2−EM1＞＝０の組み合わせを選んだ光学情報
記録再生ディスク。 - 【請求項２】主成分とする還元性金属酸化物をTeOx（Ｏ
＜ｘ＜2.0）に選び、添加材料M2としてその電気陰性度E
M2が2.1よりも大きい材料を選んだ特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生ディスク。 - 【請求項３】主成分とする還元性金属酸化物をSnOx（Ｏ
＜ｘ＜2.0）に選び、添加材料M2としてその電気陰性度E
M2が1.7よりも大きい材料を選んだ特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生ディスク。 - 【請求項４】主成分M1Oxと添加材料M2を予じめ混合した
蒸着材料を用い、これを真空中で加熱し、M1OxとM2が含
まれる薄膜を基板に形成してなる特許請求の範囲第１項
記載の光学情報記録再生ディスク。 - 【請求項５】主成分M1Oxと添加材料M2を夫々独立の蒸着
材料とし、これら複数の蒸着源から共蒸着することによ
り、M2の含まれるM1Oxを主成分とする薄膜を基板に形成
してなる特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生
ディスク。 - 【請求項６】主成分M1Oxと添加材料M2をスパッタ法によ
り基板上に形成した特許請求の範囲第１項記載の光学情
報記録再生ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60124887A JPH0717093B2 (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 光学情報記録再生デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60124887A JPH0717093B2 (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 光学情報記録再生デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283044A JPS61283044A (ja) | 1986-12-13 |
| JPH0717093B2 true JPH0717093B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=14896551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60124887A Expired - Fee Related JPH0717093B2 (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 光学情報記録再生デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717093B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766996A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Information recording member and method of preparing thereof |
| JPS60219646A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP60124887A patent/JPH0717093B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61283044A (ja) | 1986-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |