JPH0249238B2 - - Google Patents
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- JPH0249238B2 JPH0249238B2 JP56154308A JP15430881A JPH0249238B2 JP H0249238 B2 JPH0249238 B2 JP H0249238B2 JP 56154308 A JP56154308 A JP 56154308A JP 15430881 A JP15430881 A JP 15430881A JP H0249238 B2 JPH0249238 B2 JP H0249238B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光、熱等を用いて情報を高密度に記
録し、再生するための光学記録媒体および記録方
法に関するもので、低エネルギーで記録でき大き
な再生効率を有する可視および近赤外域で高密度
の光学的記録、再生が可能な光学記録媒体および
記録方法を提供するものである。
録し、再生するための光学記録媒体および記録方
法に関するもので、低エネルギーで記録でき大き
な再生効率を有する可視および近赤外域で高密度
の光学的記録、再生が可能な光学記録媒体および
記録方法を提供するものである。
このような記録媒体としては、カルコゲン薄膜
（米国特許第3530441号）あるいはTeOx（ｏ＜Ｘ＜
２）を主成分とする薄膜（特開昭50−46317号、
特開昭50−46318号、特開昭50−46319号、特願昭
53−109002号）が知られている。上記のカルコゲ
ン膜はGeAsSeやGeTeSなどのターゲツト材料を
用いて電子ビーム蒸着法などにより容易に記録薄
膜を作製できる。しかしなが、一般にカルコゲン
薄膜の光学的反射率は非常に大きい（25〜35％）。
したがつて光学的吸収率が小さくなるために低感
度とならざるを得ない。またカルコゲン薄膜は、
大気中の温度によつて容易に酸化され、記録特性
が劣化してまう。
（米国特許第3530441号）あるいはTeOx（ｏ＜Ｘ＜
２）を主成分とする薄膜（特開昭50−46317号、
特開昭50−46318号、特開昭50−46319号、特願昭
53−109002号）が知られている。上記のカルコゲ
ン膜はGeAsSeやGeTeSなどのターゲツト材料を
用いて電子ビーム蒸着法などにより容易に記録薄
膜を作製できる。しかしなが、一般にカルコゲン
薄膜の光学的反射率は非常に大きい（25〜35％）。
したがつて光学的吸収率が小さくなるために低感
度とならざるを得ない。またカルコゲン薄膜は、
大気中の温度によつて容易に酸化され、記録特性
が劣化してまう。
一方、上記TeOx1（ｏ＜x1＜２）を主成分とし、
Pb，Sb，Ｖ，Tl，BiあるいはIn等の金属の酸化
物が添加物として使用されている。これらの酸化
物は通常真空蒸着法で形成される。例えば、
TeOx1（ｏ＜X1＜２）は以下のようにして作製さ
れる。すなわち、蒸着原材料として粉末または塊
状のTeO2を酸化力の強い金属製ボート、例えば、
タングステンあるいはモリブデンボード内で加熱
する。TeO2が昇温し昇華するとき、気体状の酸
素の一部が金属製ボートの一部と反応して酸化物
を形成し、したがつて気体の状態は、TeO2の平
衡状態から酸素不足の方向へずれている。このよ
うな状態で蒸着された膜の組成は化学当量比より
酸素がはるかに少ないTeOx（ｏ＜Ｘ＜２）にな
る。
Pb，Sb，Ｖ，Tl，BiあるいはIn等の金属の酸化
物が添加物として使用されている。これらの酸化
物は通常真空蒸着法で形成される。例えば、
TeOx1（ｏ＜X1＜２）は以下のようにして作製さ
れる。すなわち、蒸着原材料として粉末または塊
状のTeO2を酸化力の強い金属製ボート、例えば、
タングステンあるいはモリブデンボード内で加熱
する。TeO2が昇温し昇華するとき、気体状の酸
素の一部が金属製ボートの一部と反応して酸化物
を形成し、したがつて気体の状態は、TeO2の平
衡状態から酸素不足の方向へずれている。このよ
うな状態で蒸着された膜の組成は化学当量比より
酸素がはるかに少ないTeOx（ｏ＜Ｘ＜２）にな
る。
これらの酸化物薄膜は、オージエ電子分光分析
の結果、膜厚方向で大きな組成分布を生じてい
る。その主な原因は、金属ボートの還元力が、ボ
ート表面に酸化物が形成されるにつれて、次第に
変化していくためである。このように組成分布を
有する記録薄膜の場合、膜厚によつて記録特性が
著しく異なる。
の結果、膜厚方向で大きな組成分布を生じてい
る。その主な原因は、金属ボートの還元力が、ボ
ート表面に酸化物が形成されるにつれて、次第に
変化していくためである。このように組成分布を
有する記録薄膜の場合、膜厚によつて記録特性が
著しく異なる。
本発明の光学記録媒体は、新たな複合酸化物材
料を提供して、作製法を容易にし、かつ光学特性
の高感度化ならびに安定化をめざしたものであ
る。
料を提供して、作製法を容易にし、かつ光学特性
の高感度化ならびに安定化をめざしたものであ
る。
本発明における光学記録媒体の構成は、酸化物
を媒質とし、金属テルル（Te）を所定量分散さ
せた薄膜である。媒質の酸化物として特に、
GeO2，TeO2，SiO2，Sb2O3，SnO2，MoO3ある
いはZnOの少なくともひとつを含む酸化物を使用
する場合良好の光学的特性を得ることができる。
さらに添加物のTeが粒状で分散している場合に
は高感度を実現することができる。
を媒質とし、金属テルル（Te）を所定量分散さ
せた薄膜である。媒質の酸化物として特に、
GeO2，TeO2，SiO2，Sb2O3，SnO2，MoO3ある
いはZnOの少なくともひとつを含む酸化物を使用
する場合良好の光学的特性を得ることができる。
さらに添加物のTeが粒状で分散している場合に
は高感度を実現することができる。
上記光学記録媒体の作製法を、一例として真空
蒸着法について述べる。
蒸着法について述べる。
蒸着用基板として、ガラス板、ポリメチルメタ
クリレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂等の合成
樹脂製シートあるいはフイルムを用いる。蒸着は
少なくとも２組のルツボを設置した蒸着装置を使
用して媒質としての酸化物と金属テルルの少なく
とも２種類を同時に蒸着させる。当蒸着法では、
使用するルツボとしては、蒸着用材料と反応する
ものは除外しなければならない。当蒸着法でTe
の添加量は、ルツボの温度を制御することによつ
て決定する。
クリレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂等の合成
樹脂製シートあるいはフイルムを用いる。蒸着は
少なくとも２組のルツボを設置した蒸着装置を使
用して媒質としての酸化物と金属テルルの少なく
とも２種類を同時に蒸着させる。当蒸着法では、
使用するルツボとしては、蒸着用材料と反応する
ものは除外しなければならない。当蒸着法でTe
の添加量は、ルツボの温度を制御することによつ
て決定する。
当光学記録媒体の光学的特性、例えば屈折率お
よび減衰係数は酸化物と添加物との組成比および
酸化物中に分散されたテルル粒子の粒径の程度に
強く依存している。そそして透過率および反射率
は上記屈折率、減衰係数に加えて薄膜の厚さおよ
び添加物であるテルルの粒径に依存している。
よび減衰係数は酸化物と添加物との組成比および
酸化物中に分散されたテルル粒子の粒径の程度に
強く依存している。そそして透過率および反射率
は上記屈折率、減衰係数に加えて薄膜の厚さおよ
び添加物であるテルルの粒径に依存している。
光学記録媒体への記録は、He―Neレーザー
光、半導体レーザー光、赤外線ランプ光等の光照
射あるいはヒーター等による熱によつて行なう。
光、半導体レーザー光、赤外線ランプ光等の光照
射あるいはヒーター等による熱によつて行なう。
次に本発明の実施例を酸化物としてTeO2を用
いた場合について述べる。
いた場合について述べる。
蒸着用の原材料にはTeO2粉末およびTe粉末を
用いる。蒸着用ルツボとして、それぞれ独立に温
度制御が可能な石英ルツボを２組用いる。蒸着基
板にはポリメチルメタクリレート樹脂のシートお
よびフイルムおよびガラス基板を用いる。蒸着
は、TeO2の蒸着温度として600゜〜750℃、さらに
オージエ電子分光分析の結果、これらの薄膜内に
おけるTe原子と酸素原子の存在比は膜の深さ方
向に一定であり蒸着が安定していることを示して
いた。第２図は本発明の記録媒体の１実施例とし
てTe添加量が40％、45％、60％の薄膜を約100
℃／分の速度で加熱したときの変化をしらべた結
果を示したものである。この図に示すように約90
度以上の温度で階段状に変わる顕著な光学的透過
率の変化を得た。このような加熱では組成の変化
は生じず透過率の変化は主としてテルル結晶粒子
の成長に起因している。
用いる。蒸着用ルツボとして、それぞれ独立に温
度制御が可能な石英ルツボを２組用いる。蒸着基
板にはポリメチルメタクリレート樹脂のシートお
よびフイルムおよびガラス基板を用いる。蒸着
は、TeO2の蒸着温度として600゜〜750℃、さらに
オージエ電子分光分析の結果、これらの薄膜内に
おけるTe原子と酸素原子の存在比は膜の深さ方
向に一定であり蒸着が安定していることを示して
いた。第２図は本発明の記録媒体の１実施例とし
てTe添加量が40％、45％、60％の薄膜を約100
℃／分の速度で加熱したときの変化をしらべた結
果を示したものである。この図に示すように約90
度以上の温度で階段状に変わる顕著な光学的透過
率の変化を得た。このような加熱では組成の変化
は生じず透過率の変化は主としてテルル結晶粒子
の成長に起因している。
要するに本発明は酸化物母材中に分散されたテ
ルル粒子の粒径の変化にともなう光学的特性の差
を記録に利用するものである。
ルル粒子の粒径の変化にともなう光学的特性の差
を記録に利用するものである。
上記の結果から本発明による光学記録媒体は光
学的特性が非常に制御しやすく、かつ状態変化に
よる光学的特性の変化も大きいことが確認でき
た。ただし光学的特性の変化はTeの添加量が20
％より小さい場合は透過率が40％以上となり記録
感度が低下する。また80％より大きい場合はその
変化開始温度が60〜70℃となる為に熱劣化を生じ
やすくなる。
学的特性が非常に制御しやすく、かつ状態変化に
よる光学的特性の変化も大きいことが確認でき
た。ただし光学的特性の変化はTeの添加量が20
％より小さい場合は透過率が40％以上となり記録
感度が低下する。また80％より大きい場合はその
変化開始温度が60〜70℃となる為に熱劣化を生じ
やすくなる。
また、第３図は、上記のTeの添加量を変えた
膜を50℃で90％の相対湿度の雰囲気中に放置した
場合の光学的透過率の変化を示す図である。図か
ら判るように、Teの添加量が多くなるとともに
温度によつて変化し易くなつている。このこと
は、TeO2の存在が湿度による膜特性の変化を防
止する効果を与えているものと考えられる。
膜を50℃で90％の相対湿度の雰囲気中に放置した
場合の光学的透過率の変化を示す図である。図か
ら判るように、Teの添加量が多くなるとともに
温度によつて変化し易くなつている。このこと
は、TeO2の存在が湿度による膜特性の変化を防
止する効果を与えているものと考えられる。
なお実施例の説明においては酸化物として
TeO2を用いた場合について述べたがGeO2，
SiO2，Sb2O3，SnO2，MoO3，ZnO等の酸化物を
用いた場合についても同様に薄膜の屈折率は組成
にほゞ比例しており、減衰係数も同様である。た
だし光学的性の変化が生じる処理温度は酸化物の
種類によつて80℃から260℃の範囲で変化する。
またTe添加物の粒子径はその粒径を大きくする
方向に変化させる場合には、もとの粒子径が大き
い程低い温度で状態変化（粒径変化）を生じさせ
る効果を有している。しかし粒子径が膜厚に対し
て大きい場合には、例えば粒子径が膜厚の10分の
１程度以上になると熱処理による効果は小さくな
り粒子径の増大による光学的特性への寄与は小さ
くなる。
TeO2を用いた場合について述べたがGeO2，
SiO2，Sb2O3，SnO2，MoO3，ZnO等の酸化物を
用いた場合についても同様に薄膜の屈折率は組成
にほゞ比例しており、減衰係数も同様である。た
だし光学的性の変化が生じる処理温度は酸化物の
種類によつて80℃から260℃の範囲で変化する。
またTe添加物の粒子径はその粒径を大きくする
方向に変化させる場合には、もとの粒子径が大き
い程低い温度で状態変化（粒径変化）を生じさせ
る効果を有している。しかし粒子径が膜厚に対し
て大きい場合には、例えば粒子径が膜厚の10分の
１程度以上になると熱処理による効果は小さくな
り粒子径の増大による光学的特性への寄与は小さ
くなる。
以上に述べたことから明らかなように本発明に
よる光学記録媒体および記録方法は、従来の光学
記録媒体および記録方法と比較して次にあげる効
果を有する。
よる光学記録媒体および記録方法は、従来の光学
記録媒体および記録方法と比較して次にあげる効
果を有する。
(1) 光学的特性の制御が容易である。
薄膜の光学的特性は酸化膜の種類とTe添加
量によつてほゞ決まり薄膜の作製条件を制御す
ることにより所定の光学的特性を容易に得るこ
とができる。
量によつてほゞ決まり薄膜の作製条件を制御す
ることにより所定の光学的特性を容易に得るこ
とができる。
(2) 記録媒体の量産が容易である。
蒸着法により製造する場合蒸着用原材料が単
体であるので蒸着による組成の変化は小さく長
時間安定して薄膜を作製することができる。
体であるので蒸着による組成の変化は小さく長
時間安定して薄膜を作製することができる。
(3) 特性が安定している。
薄膜内で組成の変化がほとんどないので光学
的特性が安定しており、膜厚により記録特性が
変化しない。また、適当な組成比を用いること
により、湿度あるいは温度による劣化の少ない
膜を得ることができる。
的特性が安定しており、膜厚により記録特性が
変化しない。また、適当な組成比を用いること
により、湿度あるいは温度による劣化の少ない
膜を得ることができる。
(4) 高感度である。
Teが粒子状で分散しているので、熱による
状態変化が起りやすく低エネルギーで記録でき
る。
状態変化が起りやすく低エネルギーで記録でき
る。
第１図は本発明の実施例におけるTe添加量と
光学的特性との関係を示す図、第２図は同実施例
における熱処理による光学的透過率の変化を示す
図、第３図は同実施例においてTeの添加量を変
えた場合の湿度雰囲気中での光学的透過率の変化
を示す図である。
光学的特性との関係を示す図、第２図は同実施例
における熱処理による光学的透過率の変化を示す
図、第３図は同実施例においてTeの添加量を変
えた場合の湿度雰囲気中での光学的透過率の変化
を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光、熱等のエネルギーによつて状態を変化さ
せ、それにもとづく光学的特性の変化を利用して
情報を記録する光学記録媒体において、酸化物母
材料中にテルル粒子を分散させてなる薄膜を基板
上に形成し、そのテルル粒子の粒子径を薄膜の膜
厚の10分の１以下としたことを特徴とする光学記
録媒体。 ２ 特許請求の範囲第１項の記載において、テル
ルの含有量が20〜80モル％であることを特徴とし
た光学記録媒体。 ３ 特許請求の範囲第１項の記載において酸化物
母材料として、GeO2，TeO2，SiO2，Sb2O3，
SnO2，MoO3，およびZnOよりなるグループのな
かより選択された少なくとも１つを用いることを
特徴とした光学記録媒体。 ４ 酸化物母材料中にテルル粒子を分散せしめた
薄膜に、記録すべき情報に応じた光、熱等のエネ
ルギーを照射して前記テルル粒子の粒径を変化せ
しめ、その粒径変化にともなう前記薄膜の光学的
特性の変化として情報を記録することを特徴とし
た記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154308A JPS5854338A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 光学記録媒体および記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154308A JPS5854338A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 光学記録媒体および記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854338A JPS5854338A (ja) | 1983-03-31 |
| JPH0249238B2 true JPH0249238B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=15581274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154308A Granted JPS5854338A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 光学記録媒体および記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854338A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58222891A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS597093A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS5916154A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS59185048A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材及び記録方法 |
| JPS60112490A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造法 |
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS60131650A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
| US4576895A (en) * | 1984-06-18 | 1986-03-18 | International Business Machines Corporation | Optical recording by energy-induced fractionation and homogenization |
| JPS6190341A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Toshiba Corp | 光デイスク |
| JPS61270190A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| WO2007052614A1 (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 |
| CN101426658B (zh) | 2006-04-24 | 2010-10-27 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制作方法 |
| US7452488B2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| CN101511598B (zh) | 2006-11-01 | 2011-10-12 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法、和用于形成信息记录介质的溅射靶 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56154308A patent/JPS5854338A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5854338A (ja) | 1983-03-31 |
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