JPH0327974B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0327974B2 JPH0327974B2 JP59076257A JP7625784A JPH0327974B2 JP H0327974 B2 JPH0327974 B2 JP H0327974B2 JP 59076257 A JP59076257 A JP 59076257A JP 7625784 A JP7625784 A JP 7625784A JP H0327974 B2 JPH0327974 B2 JP H0327974B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- recording
- alloy
- gesnte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ビームを用いて情報が記録される光
情報記録媒体に関し、特に小さい光エネルギーに
て情報を記録することができる記録薄膜に関する
ものである。
情報記録媒体に関し、特に小さい光エネルギーに
て情報を記録することができる記録薄膜に関する
ものである。
光情報記録媒体において、記録薄膜に光ビーム
を照射し、記録薄膜を構成する材料の非晶質−結
晶質転移による反射率変化を成起せしめ、情報を
記録する方法が知られている。この記録膜材料と
してはテルル低級酸化物TeOx（０＜ｘ＜２）や
三セレン化アンチモンSb2Se3が知られているが、
光ビーム照射前後の反射率変化量が小さかつた
り、光エネルギー吸収層を積層する必要がある等
の欠点がある。本出願人は、先にかゝる欠点を解
消する材料としてテルル化ゲルマニウムGeTe薄
膜を特願昭59−13745号により提案した。GeTe
は光ビーム照射前後の反射率変化量が大きくしか
も単層で記録膜を構成できる利点があるが、非晶
質−結晶質転移を生じさせるには該薄膜を440〓
以上になるよう光エネルギーを与える必要があつ
た。そのため高感度記録、例えばビデオ信号を実
時間で記録する際には、光ビーム装置は高出力の
ものが必要になり、記録再生装置が高価になる欠
点があつた。
を照射し、記録薄膜を構成する材料の非晶質−結
晶質転移による反射率変化を成起せしめ、情報を
記録する方法が知られている。この記録膜材料と
してはテルル低級酸化物TeOx（０＜ｘ＜２）や
三セレン化アンチモンSb2Se3が知られているが、
光ビーム照射前後の反射率変化量が小さかつた
り、光エネルギー吸収層を積層する必要がある等
の欠点がある。本出願人は、先にかゝる欠点を解
消する材料としてテルル化ゲルマニウムGeTe薄
膜を特願昭59−13745号により提案した。GeTe
は光ビーム照射前後の反射率変化量が大きくしか
も単層で記録膜を構成できる利点があるが、非晶
質−結晶質転移を生じさせるには該薄膜を440〓
以上になるよう光エネルギーを与える必要があつ
た。そのため高感度記録、例えばビデオ信号を実
時間で記録する際には、光ビーム装置は高出力の
ものが必要になり、記録再生装置が高価になる欠
点があつた。
本発明はGeTe記録薄膜の上述の欠点を解消
し、小さい光エネルギーにて情報を記録再生する
ことのできる光情報記録媒体を提供することを目
的とするもので、その特徴は記録薄膜はGe，Sn
及びTeを主成分とする金属薄膜であり、Ge，Sn
及びTeがGe1-xSnxTe（０＜ｘ≦0.7）なる組成
（アトミツク％）であることにある。
し、小さい光エネルギーにて情報を記録再生する
ことのできる光情報記録媒体を提供することを目
的とするもので、その特徴は記録薄膜はGe，Sn
及びTeを主成分とする金属薄膜であり、Ge，Sn
及びTeがGe1-xSnxTe（０＜ｘ≦0.7）なる組成
（アトミツク％）であることにある。
以下実施例に従つて詳細に説明する。
光情報記録媒体に使用される基体は熱伝導度が
小さく、該基板表面が平滑でキズが少ないことが
必要で、又例えば光ビームを基板を通して記録薄
膜に照射する場合は該光ビームに対して透過性で
なければならない。このような基板には記録再生
レーザー光に対し透明な合成樹脂、例えばポリメ
チルメタクレート、ポリカーボネート、ポリ塩化
ビニル、ポリスルホンなどや、ガラスが用いられ
る。
小さく、該基板表面が平滑でキズが少ないことが
必要で、又例えば光ビームを基板を通して記録薄
膜に照射する場合は該光ビームに対して透過性で
なければならない。このような基板には記録再生
レーザー光に対し透明な合成樹脂、例えばポリメ
チルメタクレート、ポリカーボネート、ポリ塩化
ビニル、ポリスルホンなどや、ガラスが用いられ
る。
情報記録薄膜は前記基板上に接して設けること
もできるが、前記基板上に低熱伝導物質からなる
熱遮断性薄膜、前記基板上に存在するキズを除去
する高分子塗膜又は光ビーム反射性薄膜を介して
設けることもできる。金属記録薄膜は公知の技
術、例えば真空蒸着、スパツタリング、イオンプ
レーテイング等によつて前記基板上に被着させる
ことができる。
もできるが、前記基板上に低熱伝導物質からなる
熱遮断性薄膜、前記基板上に存在するキズを除去
する高分子塗膜又は光ビーム反射性薄膜を介して
設けることもできる。金属記録薄膜は公知の技
術、例えば真空蒸着、スパツタリング、イオンプ
レーテイング等によつて前記基板上に被着させる
ことができる。
本実施例においては前記記録薄膜は真空蒸着法
によりGe1-xSnxTe（以下GeSnTeと記載する場合
もある）合金薄膜を作製するにはGeSnTe合金を
蒸発源とする一元蒸発法あるいはGeTe，SnTe
を蒸発源とする二元同時蒸着法を用いることがで
き本発明にはいずれも有効であつた。
によりGe1-xSnxTe（以下GeSnTeと記載する場合
もある）合金薄膜を作製するにはGeSnTe合金を
蒸発源とする一元蒸発法あるいはGeTe，SnTe
を蒸発源とする二元同時蒸着法を用いることがで
き本発明にはいずれも有効であつた。
一元蒸発法に用いられる合金は以下のように作
製した純度99.99％以上のGe，Sn及びTeを所望
の合金組成となるよう秤量し、石英ガラス管内に
入れ真空封止を行つた。この石英ガヤス管を1000
℃、５時間加熱の後急冷してGeSnTe合金を得
た。GeSnTe合金は、抵抗加熱法、電子ビーム加
熱法いずれの方法によつても蒸発させることがで
きる。なお蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差
異は抵抗加熱法において少し認められたので、こ
のことを考慮して前記合金組成を変化させること
により所望の合金組成を持つGeSnTe薄膜を得る
ことができる。一方電子ビーム加熱法においては
蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差異は認めら
れなかつた。
製した純度99.99％以上のGe，Sn及びTeを所望
の合金組成となるよう秤量し、石英ガラス管内に
入れ真空封止を行つた。この石英ガヤス管を1000
℃、５時間加熱の後急冷してGeSnTe合金を得
た。GeSnTe合金は、抵抗加熱法、電子ビーム加
熱法いずれの方法によつても蒸発させることがで
きる。なお蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差
異は抵抗加熱法において少し認められたので、こ
のことを考慮して前記合金組成を変化させること
により所望の合金組成を持つGeSnTe薄膜を得る
ことができる。一方電子ビーム加熱法においては
蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差異は認めら
れなかつた。
次に第１図は二元同時蒸発法を示す図で真空槽
１１の中に回転する基板ホルダー１２が設けられ
ておりその下方に基板１３を取り付ける。基板１
３の下方には蒸発源１４および１５がありそれぞ
れにGeTeおよびSnTeが斜線の如く充填される。
蒸発源１４および１５は独立に制御可能な電源１
６および１７を有し、蒸発源１４および１５に供
給される電力を変化させることにより、作製され
GeSnTe薄膜中のGeとSnの比を変化させ所望の
合金組成をもよGeSnTe薄膜を得た。なお合金組
成定量は螢光Ｘ線分析装置を使用して行つた。
１１の中に回転する基板ホルダー１２が設けられ
ておりその下方に基板１３を取り付ける。基板１
３の下方には蒸発源１４および１５がありそれぞ
れにGeTeおよびSnTeが斜線の如く充填される。
蒸発源１４および１５は独立に制御可能な電源１
６および１７を有し、蒸発源１４および１５に供
給される電力を変化させることにより、作製され
GeSnTe薄膜中のGeとSnの比を変化させ所望の
合金組成をもよGeSnTe薄膜を得た。なお合金組
成定量は螢光Ｘ線分析装置を使用して行つた。
第２図実線２１は、Ge1-xSnxTe合金薄膜にお
いて種々のｘの値の薄膜を作製し非晶質−結晶、
転移点を測定した結果である。測定はガラス基板
上にGeSnTe合金薄膜を被着させた試料を加熱
し、薄膜の反射率あるいは透過率の光学的性質が
大きく変化する点を転移点とした。又、第２図実
線２２は、基板上に被着されたGe1-xSnxTe薄膜
に、波長λ＝830nmの半導体レーザー光を200ns
間照射した時、該Ge1-xSnxTe薄膜のレーザー光
被照射部の反射率を、大きく変化させるに必要な
レーザーパワーの相対値を示す。第２図に見られ
るごとくGe1-xSnxTe薄膜はGeTe薄膜に比較する
ならば、Ge1-xSnxTe薄膜中のｘの値が大きくな
るにつれ非晶質−結晶転移点が下がり、例えばｘ
＝0.2で410〓、ｘ＝0.5で350〓となり、情報を記
録するに必要な光エネルギーはｘ＝0.2のとき86
％、ｘ＝0.5のときは59％であり、GeTe薄膜に比
しそれぞれ14％、41％の光エネルギーを節約でき
る。
いて種々のｘの値の薄膜を作製し非晶質−結晶、
転移点を測定した結果である。測定はガラス基板
上にGeSnTe合金薄膜を被着させた試料を加熱
し、薄膜の反射率あるいは透過率の光学的性質が
大きく変化する点を転移点とした。又、第２図実
線２２は、基板上に被着されたGe1-xSnxTe薄膜
に、波長λ＝830nmの半導体レーザー光を200ns
間照射した時、該Ge1-xSnxTe薄膜のレーザー光
被照射部の反射率を、大きく変化させるに必要な
レーザーパワーの相対値を示す。第２図に見られ
るごとくGe1-xSnxTe薄膜はGeTe薄膜に比較する
ならば、Ge1-xSnxTe薄膜中のｘの値が大きくな
るにつれ非晶質−結晶転移点が下がり、例えばｘ
＝0.2で410〓、ｘ＝0.5で350〓となり、情報を記
録するに必要な光エネルギーはｘ＝0.2のとき86
％、ｘ＝0.5のときは59％であり、GeTe薄膜に比
しそれぞれ14％、41％の光エネルギーを節約でき
る。
本実施例においてはGeSnTe合金薄膜は真空蒸
着法にて作製されたが、後GeSnTe薄膜は真空蒸
着法に限らず公知の技術であるスパツタリング法
で作製しても同様の結果が得られた。ただし、こ
の場合GeSnTe薄膜の非晶質−結晶転移点は、真
空蒸着法に比してGe1-xSnxTe薄膜中のｘの値に
かゝわらず20〜40〓高くなつた。しかしスパツタ
法により作製したGeTe薄膜の転移点は480〓で
あつたので、Ge1-xSnxTe薄膜の転移点はｘの値
にかゝわらずGeTe薄膜の転移点より低く、ｘの
値の増大と共に転移点が効果は真空蒸着法を用い
た前記実施例と同じであつた。又、前記実施例は
光ビームとして半導体レーザーを用いたが、光ビ
ームは半導体レーザーに限定されることなく、
He−Neレーザー、Arレーザー等のレーザー光、
キセノンランプ、タングステンランプを用いるこ
とができる。なぜならGeSnTe薄膜はGeTe薄膜
と同様に光学的性質の波長依存性がゆるやかで、
該薄膜の膜厚を記録光ビーム波長に応じて最適化
できるからである。
着法にて作製されたが、後GeSnTe薄膜は真空蒸
着法に限らず公知の技術であるスパツタリング法
で作製しても同様の結果が得られた。ただし、こ
の場合GeSnTe薄膜の非晶質−結晶転移点は、真
空蒸着法に比してGe1-xSnxTe薄膜中のｘの値に
かゝわらず20〜40〓高くなつた。しかしスパツタ
法により作製したGeTe薄膜の転移点は480〓で
あつたので、Ge1-xSnxTe薄膜の転移点はｘの値
にかゝわらずGeTe薄膜の転移点より低く、ｘの
値の増大と共に転移点が効果は真空蒸着法を用い
た前記実施例と同じであつた。又、前記実施例は
光ビームとして半導体レーザーを用いたが、光ビ
ームは半導体レーザーに限定されることなく、
He−Neレーザー、Arレーザー等のレーザー光、
キセノンランプ、タングステンランプを用いるこ
とができる。なぜならGeSnTe薄膜はGeTe薄膜
と同様に光学的性質の波長依存性がゆるやかで、
該薄膜の膜厚を記録光ビーム波長に応じて最適化
できるからである。
本発明においてGe1-xSnxTe合金薄膜の組成を
０＜ｘ≦0.7とし理由は以下の通りである。Ge1-x
SnxTe合金薄膜においてｘが大きくなるにつれ該
薄膜の非晶質−結晶転移温度は多くなりｘ＝0.7
のときには該転移点は300〓となり室温よりわず
かに高いが、ｘ＞0.7のときは、作製した上記合
金薄膜は室温にてすでに結晶質に転移しているこ
とになり、情報を記録することができなくなるか
らである。従つて周囲温度が室温よりも高くなる
可能性がある場合は、転移温度を例えば350〓程
度に設定すればよく、この為には０＜ｘ≦0.5と
すればよい。
０＜ｘ≦0.7とし理由は以下の通りである。Ge1-x
SnxTe合金薄膜においてｘが大きくなるにつれ該
薄膜の非晶質−結晶転移温度は多くなりｘ＝0.7
のときには該転移点は300〓となり室温よりわず
かに高いが、ｘ＞0.7のときは、作製した上記合
金薄膜は室温にてすでに結晶質に転移しているこ
とになり、情報を記録することができなくなるか
らである。従つて周囲温度が室温よりも高くなる
可能性がある場合は、転移温度を例えば350〓程
度に設定すればよく、この為には０＜ｘ≦0.5と
すればよい。
以上詳述したように、基体と該基体上に形成さ
れた薄膜を有し、該薄膜へ光ビームを照射し情報
を記録する光情報記録媒体において、上記薄膜が
Ge，Sn及びTeを主成分とする薄膜であり、該
GeTe，Teは、Ge1-xSnxTe（０＜ｘ≦0.7）なる
組成であることを特徴とする光情報記録媒体基体
は小さな光エネルギーにて情報を記録することが
でき、安価な記録再生装置にて高感度記録を実現
することができる。
れた薄膜を有し、該薄膜へ光ビームを照射し情報
を記録する光情報記録媒体において、上記薄膜が
Ge，Sn及びTeを主成分とする薄膜であり、該
GeTe，Teは、Ge1-xSnxTe（０＜ｘ≦0.7）なる
組成であることを特徴とする光情報記録媒体基体
は小さな光エネルギーにて情報を記録することが
でき、安価な記録再生装置にて高感度記録を実現
することができる。
第１図は本発明光情報記録媒体を作製する装置
の１例を示し、第２図は本発明による記録媒体の
組成と非晶質−結晶質転移点及び記録光エネルギ
ーの関係を示す図である。 １１……真空槽、１３……基板、１４，１５…
…蒸発源。
の１例を示し、第２図は本発明による記録媒体の
組成と非晶質−結晶質転移点及び記録光エネルギ
ーの関係を示す図である。 １１……真空槽、１３……基板、１４，１５…
…蒸発源。
Claims (1)
- １ 基体と該基体上に形成された薄膜を有し、該
薄膜へ光ビームを照射し情報を記録する光情報記
録媒体において、上記薄膜がゲルマニウム、錫、
テルルからなる薄膜であり、Ge1-xSnxTe（０＜Ｘ
≦0.7）なる組成であることを特徴とする光情報
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076257A JPS60219646A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076257A JPS60219646A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219646A JPS60219646A (ja) | 1985-11-02 |
| JPH0327974B2 true JPH0327974B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=13600152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59076257A Granted JPS60219646A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219646A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670345A (en) * | 1985-02-22 | 1987-06-02 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
| JPH0717093B2 (ja) * | 1985-06-07 | 1995-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生デイスク |
| JPH07115536B2 (ja) * | 1985-07-31 | 1995-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録部材 |
| EP0212336B1 (en) * | 1985-08-15 | 1990-11-28 | International Business Machines Corporation | A method of optical recording |
| CN1010519B (zh) * | 1985-09-25 | 1990-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 可逆的光学情报记录介质 |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JP2585520B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 相変化記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59076257A patent/JPS60219646A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60219646A (ja) | 1985-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0195532B1 (en) | An information recording medium | |
| Fujimori et al. | Crystallization process of Sb‐Te alloy films for optical storage | |
| EP0174658B1 (en) | Optical information recording medium and method for making same | |
| US5580632A (en) | Information recording medium | |
| JP2574325B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH0473387B2 (ja) | ||
| JP2834131B2 (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JPS60219646A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS62246788A (ja) | 情報記録媒体 | |
| US4788561A (en) | Optical recording carrier | |
| JPH0444330B2 (ja) | ||
| JPH0582838B2 (ja) | ||
| JPH0465462B2 (ja) | ||
| JP2001209970A (ja) | 情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法 | |
| JPS60203490A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPS63167440A (ja) | 情報を記録もしくは記録及び消去する方法 | |
| JPS61283049A (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JPH02219689A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS58222891A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPH05144084A (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
| JPH0714206A (ja) | 情報記録媒体 | |
| EP0323684A1 (en) | Optical memory | |
| JPH01251331A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS6256583B2 (ja) | ||
| JPS6070536A (ja) | 光情報記録媒体 |