JPH07174677A - 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 - Google Patents
透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法Info
- Publication number
- JPH07174677A JPH07174677A JP32065393A JP32065393A JPH07174677A JP H07174677 A JPH07174677 A JP H07174677A JP 32065393 A JP32065393 A JP 32065393A JP 32065393 A JP32065393 A JP 32065393A JP H07174677 A JPH07174677 A JP H07174677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- interface
- metal
- observation
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- -1 iodine ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】透過電子顕微鏡により、金属と半導体または金
属と絶縁体界面の高分解能観察を可能にする試料を作製
する。 【構成】Ｓｉ基板１Ａ上にＡｌ膜２Ａを形成し、同様に
して作った基板を向い合わせ接着剤３で貼り合せ、薄片
化したのち燐酸溶液によてＡｌ膜のみを選択的に化学エ
ッチングしたのち、イオンミリングにより試料全体の薄
片化を行う。これによって、界面部の一様な薄層化を実
現することができ、その結果、上記界面部を高分解能で
観察することができる。
属と絶縁体界面の高分解能観察を可能にする試料を作製
する。 【構成】Ｓｉ基板１Ａ上にＡｌ膜２Ａを形成し、同様に
して作った基板を向い合わせ接着剤３で貼り合せ、薄片
化したのち燐酸溶液によてＡｌ膜のみを選択的に化学エ
ッチングしたのち、イオンミリングにより試料全体の薄
片化を行う。これによって、界面部の一様な薄層化を実
現することができ、その結果、上記界面部を高分解能で
観察することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属と半導体または金
属と絶縁体の界面部を観察するための透過電子顕微鏡観
察用試料の作製方法に関する。
属と絶縁体の界面部を観察するための透過電子顕微鏡観
察用試料の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体材料の透過電子顕微鏡観察
用試料は、イオンミリングを用いて作製されてきた。ヘ
テロ界面部の断面観察をするには、試料結晶を観察する
界面に対して垂直に、５０ｎｍ以下の厚さに一様に薄片
化しなければならない。半導体や絶縁体からなる試料で
は、アルゴンイオンミリングによるエッチングレート
が、試料の化学的組成の違いにあまり依存しないため一
様に薄片化ができ、良好な条件で界面部の観察を行うこ
とができた。
用試料は、イオンミリングを用いて作製されてきた。ヘ
テロ界面部の断面観察をするには、試料結晶を観察する
界面に対して垂直に、５０ｎｍ以下の厚さに一様に薄片
化しなければならない。半導体や絶縁体からなる試料で
は、アルゴンイオンミリングによるエッチングレート
が、試料の化学的組成の違いにあまり依存しないため一
様に薄片化ができ、良好な条件で界面部の観察を行うこ
とができた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年のデバイス高集積
化に伴って、金属配線構造が複雑化していることから、
配線界面を透過電子顕微鏡を用いて、原子レベルで直接
観察する必要性が増大している。
化に伴って、金属配線構造が複雑化していることから、
配線界面を透過電子顕微鏡を用いて、原子レベルで直接
観察する必要性が増大している。
【０００４】しかしながら、金属膜を含む試料では、金
属のアルゴンイオンミリングによるエッチングレート
が、半導体や絶縁体材料に比べて非常に小さいため、界
面付近の試料厚を一様にできず、高分解能で界面を観察
することができなかった。ミリングにヨウ素イオンを用
いれば、金属を含む試料でも一様なエッチングレートが
得られる場合があるが、専用ミリング装置が必要にな
り、材料系によっては十分な効果が得られるとは限らな
いといった問題点があった。
属のアルゴンイオンミリングによるエッチングレート
が、半導体や絶縁体材料に比べて非常に小さいため、界
面付近の試料厚を一様にできず、高分解能で界面を観察
することができなかった。ミリングにヨウ素イオンを用
いれば、金属を含む試料でも一様なエッチングレートが
得られる場合があるが、専用ミリング装置が必要にな
り、材料系によっては十分な効果が得られるとは限らな
いといった問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、半導体デバイスなどで用
いられる金属と半導体または金属と絶縁体の界面部を、
透過電子顕微鏡により高分解能で観察できるような試料
を比較的容易な方法で作製することである。
いられる金属と半導体または金属と絶縁体の界面部を、
透過電子顕微鏡により高分解能で観察できるような試料
を比較的容易な方法で作製することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法
は、金属と半導体または金属と絶縁体の界面を有するヘ
テロ構造の試料を酸性またはアルカリ性溶液によって金
属層を選択的に化学エッチングする工程と、イオンミリ
ングによる試料全体の薄片化工程を組み合わせるもので
ある。
め、本発明による透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法
は、金属と半導体または金属と絶縁体の界面を有するヘ
テロ構造の試料を酸性またはアルカリ性溶液によって金
属層を選択的に化学エッチングする工程と、イオンミリ
ングによる試料全体の薄片化工程を組み合わせるもので
ある。
【０００７】本発明の要旨は、イオンミリングではエッ
チングしにくい金属層のみを、化学的に選択エッチング
した後にイオンミリングを行うことによって最終的に界
面付近の厚さが一様でかつ適切な厚さ（５０ｎｍ以下）
の試料を作製することである。本方法は、一般に難しい
とされる厚い金属層（５０ｎｍ以上）を含む試料の透過
電子顕微鏡観察用試料を作製する際に特に効果がある。
チングしにくい金属層のみを、化学的に選択エッチング
した後にイオンミリングを行うことによって最終的に界
面付近の厚さが一様でかつ適切な厚さ（５０ｎｍ以下）
の試料を作製することである。本方法は、一般に難しい
とされる厚い金属層（５０ｎｍ以上）を含む試料の透過
電子顕微鏡観察用試料を作製する際に特に効果がある。
【０００８】
【作用】アルゴンイオンミリングでは、半導体や絶縁体
のエッチングレートが金属のそれに比べて大きいこと
が、金属を含む透過電子顕微鏡試料の作製の上で障害と
なっていた。そこで本発明者は、酸性またはアルカリ性
溶液による化学処理では、金属のみが選択的にエッチン
グできるという、イオンミリングとは相補的な性質に着
目し、化学処理とイオンミリングによるエッチングを適
当な割合で組み合わせることにより、界面観察に適した
試料を実現できる条件を見いだして本発明に至った。こ
こで界面観察に適した試料とは、界面付近の厚さが一様
かつ十分薄い（５０ｎｍ以下）という条件を満足する試
料のことである。
のエッチングレートが金属のそれに比べて大きいこと
が、金属を含む透過電子顕微鏡試料の作製の上で障害と
なっていた。そこで本発明者は、酸性またはアルカリ性
溶液による化学処理では、金属のみが選択的にエッチン
グできるという、イオンミリングとは相補的な性質に着
目し、化学処理とイオンミリングによるエッチングを適
当な割合で組み合わせることにより、界面観察に適した
試料を実現できる条件を見いだして本発明に至った。こ
こで界面観察に適した試料とは、界面付近の厚さが一様
かつ十分薄い（５０ｎｍ以下）という条件を満足する試
料のことである。
【０００９】本発明の方法では、エッチング前の試料の
厚さを再現性良く得ることが技術的に重要なポイントで
あり、これにより各試料で適切な化学エッチング条件
（エッチング液の濃度及びエッチング時間）を設定する
ことができる。化学エッチング前の試料の厚さは、機械
研磨の段階で試料厚を１μｍ程度とすることが望まし
い。試料の厚さは、試料の基板部分（Ｓｉなど）の光の
透過率または試料の反射光の色を標準試料と比較するこ
とによって制御できる。
厚さを再現性良く得ることが技術的に重要なポイントで
あり、これにより各試料で適切な化学エッチング条件
（エッチング液の濃度及びエッチング時間）を設定する
ことができる。化学エッチング前の試料の厚さは、機械
研磨の段階で試料厚を１μｍ程度とすることが望まし
い。試料の厚さは、試料の基板部分（Ｓｉなど）の光の
透過率または試料の反射光の色を標準試料と比較するこ
とによって制御できる。
【００１０】化学エッチングの後にイオンミリングを行
うが、この段階でミリング時間を調整することにより、
界面付近での試料の厚さを一様することができる。また
イオンミリングによる金属のエッチングレートはゼロで
はないため、化学エッチング段階で表面に生じるダメー
ジ層を取り除くことができる。
うが、この段階でミリング時間を調整することにより、
界面付近での試料の厚さを一様することができる。また
イオンミリングによる金属のエッチングレートはゼロで
はないため、化学エッチング段階で表面に生じるダメー
ジ層を取り除くことができる。
【００１１】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。図１
は本発明の第１の実施例を説明するための試料の断面図
である。
は本発明の第１の実施例を説明するための試料の断面図
である。
【００１２】まず図１に示すように、Ｓｉ（１１１）基
板１Ａ上に真空蒸着法によりＡｌ膜２Ａを１００ｎｍの
厚さに堆積し、同様にＳｉ基板１ＢにＡｌ膜２Ｂを形成
した試料を向かい合わせ接着剤３を介して貼り合わせ、
スライスした後機械研磨によって試料厚約１μｍまで薄
片化する。膜厚は、透明試料台の下方から可視光で試料
を照らし、透過光強度を標準試料と比較することによっ
て行う。
板１Ａ上に真空蒸着法によりＡｌ膜２Ａを１００ｎｍの
厚さに堆積し、同様にＳｉ基板１ＢにＡｌ膜２Ｂを形成
した試料を向かい合わせ接着剤３を介して貼り合わせ、
スライスした後機械研磨によって試料厚約１μｍまで薄
片化する。膜厚は、透明試料台の下方から可視光で試料
を照らし、透過光強度を標準試料と比較することによっ
て行う。
【００１３】次に図２（ａ），（ｂ）に示すように、試
料を単孔４Ａを有する単孔メッシュ４に貼り付けた後、
メッシュ４ごと燐酸溶液に１８０ｓｅｃ浸して、Ａｌ膜
２Ａ，２Ｂの選択エッチングを行う。ついで、Ａｒイオ
ンを用いたイオンミリングを、イオン加速電圧３ｋＶ，
入射角１０〜１５°、イオン電流１ｍＡの条件で行う。
これは通常の半導体試料の作製条件に準じたものであ
る。
料を単孔４Ａを有する単孔メッシュ４に貼り付けた後、
メッシュ４ごと燐酸溶液に１８０ｓｅｃ浸して、Ａｌ膜
２Ａ，２Ｂの選択エッチングを行う。ついで、Ａｒイオ
ンを用いたイオンミリングを、イオン加速電圧３ｋＶ，
入射角１０〜１５°、イオン電流１ｍＡの条件で行う。
これは通常の半導体試料の作製条件に準じたものであ
る。
【００１４】この工程で、貼り合わせ面の中心に溝６が
形成され、更にイオンミリングを行うと図３（ａ）、
（ｂ）に示すように、直径約５０μｍの孔７を生じる。
顕微鏡による観察部分は、孔７の周縁部と貼り合わせ面
に沿った部分が、孔７の内側に向かう突起８となって残
留する。イオンミリングと突起８の残留部分の観察を繰
り返すとＡｌとＳｉ界面の試料厚が一様になる部分を探
し出すことができる。最終的に、Ａｌ（１１１）とＳｉ
（１１１）界面の良好な格子像を得ることができた。同
様の方法により、厚さ５００ｎｍのＡｌ膜を堆積した試
料でも良好な試料を作製することができた。
形成され、更にイオンミリングを行うと図３（ａ）、
（ｂ）に示すように、直径約５０μｍの孔７を生じる。
顕微鏡による観察部分は、孔７の周縁部と貼り合わせ面
に沿った部分が、孔７の内側に向かう突起８となって残
留する。イオンミリングと突起８の残留部分の観察を繰
り返すとＡｌとＳｉ界面の試料厚が一様になる部分を探
し出すことができる。最終的に、Ａｌ（１１１）とＳｉ
（１１１）界面の良好な格子像を得ることができた。同
様の方法により、厚さ５００ｎｍのＡｌ膜を堆積した試
料でも良好な試料を作製することができた。
【００１５】次に第２の実施例について説明する。第１
の実施例と同様にＳｉ（１００）基板１上に、ＳｉＯ2
膜（１００ｎｍ），Ａｌ膜（１００ｎｍ），ＳｉＯ2 膜
（１００ｎｍ）及びＳｉＮ膜（３００ｎｍ）を順次堆積
した試料に対し、断面透過電子顕微鏡観察試料を作製し
た。本試料で観察するのは、下層のＳｉＯ2 とＡｌおよ
びＡｌと上層のＳｉＯ2 界面である。同じ試料同士を向
かい合わせに貼り合わせると、エッチング後の貼り合わ
せ面がイオンビームにたいして金属層の影になるため、
一般に金属の上層側の試料厚が厚くなり界面観察に適さ
ない。そこで試料に対して、ブランクのＳｉ（１００）
基板を貼り合わせた。燐酸溶液によるエッチングとＡｒ
イオンミリングを用いた試料作製の工程は、第１の実施
例の場合と全く同様である。
の実施例と同様にＳｉ（１００）基板１上に、ＳｉＯ2
膜（１００ｎｍ），Ａｌ膜（１００ｎｍ），ＳｉＯ2 膜
（１００ｎｍ）及びＳｉＮ膜（３００ｎｍ）を順次堆積
した試料に対し、断面透過電子顕微鏡観察試料を作製し
た。本試料で観察するのは、下層のＳｉＯ2 とＡｌおよ
びＡｌと上層のＳｉＯ2 界面である。同じ試料同士を向
かい合わせに貼り合わせると、エッチング後の貼り合わ
せ面がイオンビームにたいして金属層の影になるため、
一般に金属の上層側の試料厚が厚くなり界面観察に適さ
ない。そこで試料に対して、ブランクのＳｉ（１００）
基板を貼り合わせた。燐酸溶液によるエッチングとＡｒ
イオンミリングを用いた試料作製の工程は、第１の実施
例の場合と全く同様である。
【００１６】本試料を観察したところ、Ａｌの格子像が
得られると共に、上記試料を熱処理した後に作製した透
過電子顕微鏡観察用試料では、界面反応の結果生成され
ると考えられる直径１〜２ｎｍのＳｉマイクロクラスタ
ーも第２の実施例により始めて観測された。以上の結果
から高分解能で金属界面の観察ができることが確められ
た。
得られると共に、上記試料を熱処理した後に作製した透
過電子顕微鏡観察用試料では、界面反応の結果生成され
ると考えられる直径１〜２ｎｍのＳｉマイクロクラスタ
ーも第２の実施例により始めて観測された。以上の結果
から高分解能で金属界面の観察ができることが確められ
た。
【００１７】次に第３の実施例について、説明する。Ｓ
ｉ（１００）基板上に、Ｔｉを５０ｎｍ堆積し、６００
℃熱処理でＴｉＳｉ2 を形成した試料に対して断面透過
電子顕微鏡観察試料を作製した。試料作成法は第１の実
施例に準じているが、化学エッチングには希フッ酸（Ｈ
Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝１：２０）を用いエッチング時間は３０ｓ
ｅｃとした。
ｉ（１００）基板上に、Ｔｉを５０ｎｍ堆積し、６００
℃熱処理でＴｉＳｉ2 を形成した試料に対して断面透過
電子顕微鏡観察試料を作製した。試料作成法は第１の実
施例に準じているが、化学エッチングには希フッ酸（Ｈ
Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝１：２０）を用いエッチング時間は３０ｓ
ｅｃとした。
【００１８】本試料を観察した結果、界面にＴｉＳｉ2
Ｃ４９の結晶が格子像で確認され、化学エッチングを用
いない場合に比べて界面観察に適した試料を作製するこ
とができた。
Ｃ４９の結晶が格子像で確認され、化学エッチングを用
いない場合に比べて界面観察に適した試料を作製するこ
とができた。
【００１９】尚第１及び第２の実施例では、エッチング
液として燐酸を用いた場合について説明したが、アンモ
ニア溶液でも同様の効果が得られる。また上記各実施例
では、一様な積層構造を試料としているが、配線のよう
な３次元構造をもった試料では、積層構造の場合に比べ
より短時間のエッチグで十分な効果が得られる。
液として燐酸を用いた場合について説明したが、アンモ
ニア溶液でも同様の効果が得られる。また上記各実施例
では、一様な積層構造を試料としているが、配線のよう
な３次元構造をもった試料では、積層構造の場合に比べ
より短時間のエッチグで十分な効果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように本発明の方法によ
れば、試料作製のための特別な設備を必要とせずに、金
属と半導体、金属と絶縁体界面を含む試料の界面構造が
透過電子顕微鏡観察により高分解能で観察可能になると
いう効果がある。
れば、試料作製のための特別な設備を必要とせずに、金
属と半導体、金属と絶縁体界面を含む試料の界面構造が
透過電子顕微鏡観察により高分解能で観察可能になると
いう効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための試料の
断面図。
断面図。
【図２】第１の実施例を説明する為の試料の上面図及び
側面図。
側面図。
【図３】第１の実施例を説明する為の試料に形成された
孔部の上面図及び側面図。
孔部の上面図及び側面図。
１Ａ，１Ｂ Ｓｉ基板 ２Ａ，２Ｂ Ａｌ膜 ３ 接着剤 ４ 単孔メッシュ ４Ａ 単孔 ５ Ａｒイオン ６ 溝 ７ 孔 ８ 突起
Claims (1)
- 【請求項１】 金属と半導体または金属と絶縁体の界面
を有するヘテロ構造の試料を酸性またはアルカリ性溶液
で処理し金属層のみを選択的に化学エッチングする工程
と、エッチング後イオンミリングにより試料全体を薄片
化する工程とを含むことを特徴とする透過電子顕微鏡観
察用試料の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32065393A JPH07174677A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32065393A JPH07174677A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07174677A true JPH07174677A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18123821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32065393A Pending JPH07174677A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07174677A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0943172A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Nec Corp | 多試料同時分析方法およびその装置 |
| KR20040026958A (ko) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | 삼성전자주식회사 | 투과전자 현미경 분석용 시편 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259643A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 電子顕微鏡用試料の作製方法 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP32065393A patent/JPH07174677A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259643A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0943172A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Nec Corp | 多試料同時分析方法およびその装置 |
| KR20040026958A (ko) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | 삼성전자주식회사 | 투과전자 현미경 분석용 시편 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5580615A (en) | Method of forming a conductive film on an insulating region of a substrate | |
| US12028972B2 (en) | Wiring board and manufacturing method of the wiring board | |
| US4208257A (en) | Method of forming an interconnection | |
| US3772102A (en) | Method of transferring a desired pattern in silicon to a substrate layer | |
| JP2821623B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07174677A (ja) | 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 | |
| JPH07326784A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP3226250B2 (ja) | 転写マスク | |
| JP2550027B2 (ja) | Ｉｃ素子における微細布線方法 | |
| JPH06180277A (ja) | 透過電子顕微鏡用試料の作成方法 | |
| JPS59126634A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6058636A (ja) | 絶縁分離領域の形成方法 | |
| JP3169654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2561511B2 (ja) | マスクブランクス | |
| JPH02316A (ja) | Ｓｏｉ基板の形成方法 | |
| JP3246849B2 (ja) | 転写マスク | |
| JPS5966165A (ja) | 電極配線およびその製造方法 | |
| JP2740292B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6348829A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS60120526A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JPS643337B2 (ja) | ||
| JPS60218859A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS5939048A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2009188247A (ja) | ステンシルマスク用ｓｏｉ基板、ステンシルマスクブランクス、ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法及びステンシルマスクを用いたパターン露光方法 | |
| JPS62222658A (ja) | 導体配線の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961105 |