JPS5966165A - 電極配線およびその製造方法 - Google Patents

電極配線およびその製造方法

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JPS5966165A
JPS5966165A JP57176129A JP17612982A JPS5966165A JP S5966165 A JPS5966165 A JP S5966165A JP 57176129 A JP57176129 A JP 57176129A JP 17612982 A JP17612982 A JP 17612982A JP S5966165 A JPS5966165 A JP S5966165A
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JP
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psg
electrode wiring
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thickness
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JP57176129A
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Nobuyoshi Kobayashi
伸好 小林
Seiichi Iwata
誠一 岩田
Naoki Yamamoto
直樹 山本
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電極配線およびその製造方法に関し、詳しく
はタングステンを用いた電極配線とその製造方法に関す
る。
〔従来技術〕
周知のように、従来、Ｗ／　Ｓ　１０２という電極配線
構造が一般に用いられているが、この構造は、素子作成
工程中でＷが酸化されやすい、イオン打込みの際のマス
クにならない（チャネリング現象）、Ｗ／Ｓ　’０２の
界面電気特性が悪いなどの欠点があつた。また、層間絶
縁膜として５ｉ０２のかわりにＰＳＧ膜を用いる方法も
提案されているが、Ｗ電極配線形成後ただちにイオン打
込みとアニール工程が必要な場合（セルファライン方式
）では、Ｗ／ＳｉＯ□構造と同様に耐酸化、耐チャネリ
ングに問題がある。また、一般的に高融点金属にＰＳＧ
を被着する方法もあるが、Ｗ以外の金属、たとえばＭＯ
ではＰＳＧにふくれが生じたり、ＭＯとＰＳＧが反応し
た結果５ｉ０２膜界面で剥離するため、得られる素子の
信頼性が低いという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記従来の問題を解決しタングステン
を用いた安定な電極配線およびその製造方法を提供する
ことにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明はＷ膜の土にＰＳＧ　
（，９んけい酸ガラス）の膜を被着して、熱処理などの
工程を行なうものである。
Ｗ表面上のＰＳＧ膜は、アニール工程での表面からの酸
素の拡散を防止するたけでなく、イオン打込みの際のマ
スクになる。また、ＰＳＧ膜中のりんは、Ｗの汚染によ
るＷ　／　Ｓ　１０　ｚ界面特性の劣化を防止する働き
がある。本発明は、ＰＳＧ／Ｗ／８１０２という構造に
よって、耐酸化性、耐チャネリング、不安定な界面特性
の問題を解決するものであって、たとえばＰＳＧをＣＶ
Ｄ　（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐＯｒ　１）ｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ　）ｆ被着スルコトテコノ構造は容易に実現する
ことができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例Ｉ Ｗ（厚さ３５０ｎｍ）上に、ＰＳＧ　（Ｐ濃度１２ｍ０
ｔ％）をＣＶＤによって４０ｎｍの厚さに被着し、Ｎ２
中で１０００　Ｃ１６０分間加熱した後、ＰＳＧを取り
除きＷ表面をＸ線光電子分光により検査した。その結果
、Ｗ表面はＰＳＧで被着しない場合に比べてＷの酸化が
少なくＰＳＧ膜被着の効果が認められた。すなわち、４
Ｑｎｍという薄いＰＳＧ膜でも、Ｗの耐酸化性向上に効
果があることが確認された。
実施例２ 第１図にＰＳＧ／Ｗ構造を用いたトランジスタの作成工
程を示す１．第１図（１）に示すように、Ｐ形Ｓｉ　（
１００）基板１上にＬＯＣＯ８構造をりくりゲート酸化
膜２を２０ｎｍ形成した後、Ｗ膜３をスパッタ蒸着し、
さらにＰＳＧ膜４を常圧ＣＶＤによって被着し、１００
０Ｃ，，３０分間アニールした。その後、フォトレジス
トをマスクにしてエツチングを行ない、Ｐ　Ｓ　Ｇ　／
　Ｗ／　Ｓ　１０２の電極配線を形成した。ＰＳＧ膜４
の膜厚ｄを、それぞれ２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、
８０ｎｍ、１００１００ｎ濃度Ｎをそれぞれに対して１
．２　ｍｏＡチ。
１２　ｍｏＡ　％　、　１４　ｍ０４％とした。つき゛
に、第１図（２）に示すように、拡散層を形成するため
にＡＳを８０ｋｅＶ、ドーズ量５　Ｘ　１０　”　／　
ｃｍ２打込んだのち、９００Ｃ１３０分間アニールした
。その後に、眉間絶縁膜としてシリコン窒化膜５（膜厚
７　Ｑ　ｎ　ｍ　）、ＰＳＧ膜６（膜厚５００ｎｍ、り
ん濃度１２　ｍｏｂφ）を順次積層し、周知のホトエツ
チングによって導通穴をあけ、アルミニウム電極７を形
成して素子を作成した。
この工程において、ｄ＝１００ｎｍでは、ＰＳＧに比べ
てＷのトライエッチ（エツチングガスＳＦ６＋Ｎ２）の
割合が大きいために加工が困難であり、またイオン打込
み後のアニールでＰＳＧがＷとの界面で剥離するという
問題が生じた。６２２００ｍでは、チャイ、リングによ
る特性変化は見られなかった。りん濃度Ｎに関しては、
Ｎ　＝　１．２　ｍｏ１％といつだ低い値では、Ｗ以上
のＰＳＧは、はがれやすくなυ加工時に一部Ｗ界面より
剥離した。又、特性の上からも、しきい値電圧Ｖ　ｔ　
ｈのばらつきが太きい、酸化膜の耐圧が低いといった問
題が生じた。また、Ｎ＝１４ｍｏｔ％といった高い値で
は、アニールによってＰがＷを通シ抜けて酸化膜中に多
く取シこ咬れ、Ｖ＋ｂが変動するといった問題が生じた
。Ｎの値がほぼ１．５〜１２　ｍ０４％であれば、この
ような障害は生ぜず、好ましい結果が得られた。すなわ
ち、２Ｑｎｍ≦ｄ＜１００　ｎｍ　、　Ｎ＝１．５〜１
２ｍｏｔ％といった栄件で形成された素子の特性は良好
であり、チャネリング防止と素子特性の安定化に極めて
有効であることが確認された。
比較例 厚さ３５０ｎｍのＭＯ膜にＰＳＧ膜（Ｎ＝１２ｍＯｔ％
、厚さ５　Ｑ　ｎ　ｍ　）を被着しＮ２中１０００Ｃ１
６０分間加熱すると、ＰＳＧ表面にふくれが生じ、ＰＳ
Ｇが一部、ＭＯの界面からはがれた。このふくれの原因
としては、ＭＯの一部が酸化し、酸化物が気化したもの
と考えられる。このようにＭＯの酸化物は比較的低い温
度（〜８００Ｃ）で昇華するという欠点をもつ。これに
対して、Ｗの酸化物は１ｏｏｏｃでも昇華せず、したが
って同様のＮ２アニールによってふくれは生ぜず、ＰＳ
Ｇを被着する物質としては、ＭＯよりもＷが優れている
。
実施例３ 厚さ２０ｎｍの酸化シリコン膜に、それぞれＭＯ，Ｗを
３５０ｎｍ蒸着して８００μ角の矩形パターンを形成し
、上記酸化シリコン膜の耐圧を測定した。Ｎ２中で１０
００１，６０分間加熱後耐圧を測定すると、ＭＯの場合
耐圧劣化が著しかった。Ｘ線光電子分光によって分析す
ると、ＭＯと５ｊ０２が一部反応して５ＩＯｚが変質し
ていることがわかった。Ｗの場合、５ｉ０２　　と反応
した形跡はＭＯに比べて非常に少なかった。したがって
、ゲート酸化膜が薄い（≦’２０ｎｍ）場合には通常の
Ｎ２アニールにおいてもＭＯは電極として用いられない
可能性がある。本実施例によれば、特にゲート酸化膜が
薄いに２０ｎｍ）場合には、ｐｓｏ。
Ｗの組合せが最適であることがわかる。
本発明は、上記のようにＷ膜上にＰＳＧ膜を被着した点
に特徴があり、このような構造の電極や配線は、下記の
ように、極めて容易に形成される。
すなわち、酸化ノリコン膜などの上に、Ｗ膜とＰＳＧ膜
を積層して全面に被着し、周知の反応性スパッタエツチ
ングなどのドライエツチングによって両者の不要部分を
エッチして除去すれば、所望の形状を有するＷ膜とＰＳ
Ｇ膜の積層膜を形成できる。
ＰＳＧのかわりに８ｉＣｈ膜を使用すると、上記のよう
に（８１０２はＮ＝ＯのＰＳＧに相当）、Ｖ　ｔ　ｈの
変動や膜のはがれなど好ましくない現象が生ずるので、
本発明において使用できるものはＰＳＧのみである。
〔発明の効果〕
上記説明から明らかなように、本発明によれば、熱処理
などの工程において、タングステンの酸化を有効に防止
することができ、しかもＶ　ｔ　ｈの変動や膜のはがれ
なども防止できるので、実用上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第１区は本発明の一実施例を示す工程図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、所望の形状を有するタングステン膜とリンガラス膜
    の積層膜からなる電極配線。 ２、タングステン膜とリンガラス膜を積層して被着して
    積層膜を形成する工程と、上記積層膜の所望部分をドラ
    イエツチングによって除去する工程を含む電極配線の製
    造方法。
JP57176129A 1982-10-08 1982-10-08 電極配線およびその製造方法 Pending JPS5966165A (ja)

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JPH01109770A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
NL9100094A (nl) * 1991-01-21 1992-08-17 Koninkl Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JP3171764B2 (ja) * 1994-12-19 2001-06-04 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS55132055A (en) * 1979-03-30 1980-10-14 Nec Corp Mos integrated circuit
DE3069973D1 (en) * 1979-08-25 1985-02-28 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Insulated-gate field-effect transistor

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