JPH0717476B2 - 液相エピタキシャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法Info
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- JPH0717476B2 JPH0717476B2 JP1020672A JP2067289A JPH0717476B2 JP H0717476 B2 JPH0717476 B2 JP H0717476B2 JP 1020672 A JP1020672 A JP 1020672A JP 2067289 A JP2067289 A JP 2067289A JP H0717476 B2 JPH0717476 B2 JP H0717476B2
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は液相エピタキシャル成長法を使用する超伝導エ
ピタキシャルフィルムの製造方法に係る。
ピタキシャルフィルムの製造方法に係る。
近年、超伝導材料を開発する計画及び研究が多くの国々
で盛んである。特に、テクノロジー指向の先進諸国の科
学者及び技術者はこの研究にかかわっており、超伝導材
料の分野の研究、特に種々の型のセンサ又は高速コンピ
ュータ用としての超伝導エピタキシャルフィルムの製造
に多大な費用が投資されている。微小磁場を検出するた
めに超伝導量子干渉デバイス（SQUID）を使用すること
ができるという事実により、「ジョセフソン効果」を使
用すると従来の半導体素子の十倍の運動速度を有する高
性能素子を製造することができる。従って、このような
超伝導材料が開発されたならば、超高速コンピュータに
すぐに使用することができよう。このような超伝導材料
の適用は産業革新の新時代の到来を意味するものであ
り、高温超伝導材料の製造技術はまさに現在のハイテク
研究又は開発対象とみなされるべきである。
で盛んである。特に、テクノロジー指向の先進諸国の科
学者及び技術者はこの研究にかかわっており、超伝導材
料の分野の研究、特に種々の型のセンサ又は高速コンピ
ュータ用としての超伝導エピタキシャルフィルムの製造
に多大な費用が投資されている。微小磁場を検出するた
めに超伝導量子干渉デバイス（SQUID）を使用すること
ができるという事実により、「ジョセフソン効果」を使
用すると従来の半導体素子の十倍の運動速度を有する高
性能素子を製造することができる。従って、このような
超伝導材料が開発されたならば、超高速コンピュータに
すぐに使用することができよう。このような超伝導材料
の適用は産業革新の新時代の到来を意味するものであ
り、高温超伝導材料の製造技術はまさに現在のハイテク
研究又は開発対象とみなされるべきである。
従来、高温酸化物超伝導エピタキシャルフィルムの製造
には数種類の方法が使用されており、例えばアルゴンイ
オンスパッタ法、電子ビーム蒸着法、分子ビームエピタ
キシャル法、レーザービーム蒸着法等がある。しかしな
がら、これらの方法には共通する欠点があり、即ちこれ
らのいずれの方法を実施する場合にも真空環境が必要で
ある。疑いなく真空システムの設置は法外であり、大形
のエピタキシャルフィルムの製造はかなり困難である。
更に、エピタキシャルフィルムの製造方法は非常に複雑
であり、ガス流量、膜の成分比、成長ターゲットの成分
等、エピタキシャルの成長を支配する種々の因子を正確
に調整する必要がある。
には数種類の方法が使用されており、例えばアルゴンイ
オンスパッタ法、電子ビーム蒸着法、分子ビームエピタ
キシャル法、レーザービーム蒸着法等がある。しかしな
がら、これらの方法には共通する欠点があり、即ちこれ
らのいずれの方法を実施する場合にも真空環境が必要で
ある。疑いなく真空システムの設置は法外であり、大形
のエピタキシャルフィルムの製造はかなり困難である。
更に、エピタキシャルフィルムの製造方法は非常に複雑
であり、ガス流量、膜の成分比、成長ターゲットの成分
等、エピタキシャルの成長を支配する種々の因子を正確
に調整する必要がある。
発明の要約 従って、本発明の目的は上記欠点の少ない液相エピタキ
シャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルム
の製造方法を提供することである。
シャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルム
の製造方法を提供することである。
本発明の別の目的は、非真空環境で実施することが可能
なエピタキシャルフィルムの製造方法を提供することで
ある。
なエピタキシャルフィルムの製造方法を提供することで
ある。
本発明の更に別の目的は、高品質及び優れた性能を有す
るエピタキシャルフィルムの製造を助長するエピタキシ
ャルフィルムの製造方法を提供することである。
るエピタキシャルフィルムの製造を助長するエピタキシ
ャルフィルムの製造方法を提供することである。
本発明の更に別の目的は、後熱処理を必要としないエピ
タキシャルフィルムの製造方法を提供することである。
タキシャルフィルムの製造方法を提供することである。
本発明の更に別の目的は、経済的に有益であり、時間節
約型であり、大量生産に好適なエピタキシャルフィルム
の製造方法を提供することである。
約型であり、大量生産に好適なエピタキシャルフィルム
の製造方法を提供することである。
本発明の上記及び関連する目的、利点及び特徴は、添付
図面を参考に以下に述べる本発明のより詳細な説明に明
示される。
図面を参考に以下に述べる本発明のより詳細な説明に明
示される。
発明の詳細な説明 本発明の液相エピタキシャル成長法は、ビスマス系列の
材料（例えばビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐
銅‐酸化物）又はタリウム系列材料（例えばタリウム‐
カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物）エピタキシャルフ
ィルムのような種々の型の超伝導酸化物の製造に適当で
ある。液相エピタキシャル成長法によると、成長装置を
使用する。エピタキシャル成長装置では種々の基板を使
用することができる。好ましくは、本発明の方法では酸
化マグネシウム基板が使用される。もっとも、単結晶材
料を使用してもよい。液相エピタキシャル成長法を使用
する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法は、 （１）ビスマス、カルシウム、ストロンチウム及び銅の
酸化物であってそのモル比が実質的にBi:Ca:Sr:Cu＝4:
3:3:4である酸化物、又はタリウム、カルシウム、バリ
ウム及び銅の酸化物であってそのモル比が実質的にTl:C
a:Ba:Cu＝1.33:1.33:1.00:2.00である酸化物を、900℃
〜950℃の温度で溶融させ、溶融物を形成する段階と、 （２）ステップ（１）で形成された溶融物をエピタキシ
ャル成長装置内で酸化マグネシウム基板又は単結晶材料
と接触させる段階と、 （３）溶融物の温度が820℃〜890℃の範囲になるまで該
温度を0.3〜２℃／分の割合で低下させる段階と、 （４）溶融物と酸化マグネシウム基板又は単結晶材料と
を分離させ、Bi2Sr2CaCu2O8相から本質的になるか、又
はTlCa2Ba3Cu4OyとTlCa2Ba2Cu3Oyとの混合相から本質的
になる超伝導エピタキシャルフィルムを得る段階と、 （５）ステップ（４）で形成されたフィルムの温度が室
温になるまで該フィルムを急冷（quenching）し、40〜1
50μｍの厚さを有する超伝導エピタキシャルフィルムを
得る段階とを含む。
材料（例えばビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐
銅‐酸化物）又はタリウム系列材料（例えばタリウム‐
カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物）エピタキシャルフ
ィルムのような種々の型の超伝導酸化物の製造に適当で
ある。液相エピタキシャル成長法によると、成長装置を
使用する。エピタキシャル成長装置では種々の基板を使
用することができる。好ましくは、本発明の方法では酸
化マグネシウム基板が使用される。もっとも、単結晶材
料を使用してもよい。液相エピタキシャル成長法を使用
する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法は、 （１）ビスマス、カルシウム、ストロンチウム及び銅の
酸化物であってそのモル比が実質的にBi:Ca:Sr:Cu＝4:
3:3:4である酸化物、又はタリウム、カルシウム、バリ
ウム及び銅の酸化物であってそのモル比が実質的にTl:C
a:Ba:Cu＝1.33:1.33:1.00:2.00である酸化物を、900℃
〜950℃の温度で溶融させ、溶融物を形成する段階と、 （２）ステップ（１）で形成された溶融物をエピタキシ
ャル成長装置内で酸化マグネシウム基板又は単結晶材料
と接触させる段階と、 （３）溶融物の温度が820℃〜890℃の範囲になるまで該
温度を0.3〜２℃／分の割合で低下させる段階と、 （４）溶融物と酸化マグネシウム基板又は単結晶材料と
を分離させ、Bi2Sr2CaCu2O8相から本質的になるか、又
はTlCa2Ba3Cu4OyとTlCa2Ba2Cu3Oyとの混合相から本質的
になる超伝導エピタキシャルフィルムを得る段階と、 （５）ステップ（４）で形成されたフィルムの温度が室
温になるまで該フィルムを急冷（quenching）し、40〜1
50μｍの厚さを有する超伝導エピタキシャルフィルムを
得る段階とを含む。
超伝導材料では、酸素含量割合は、化学量論量に拘束さ
れないことは周知である。つまり、酸素含量割合は、環
境条件に依存し、固定されない。本発明の技術分野での
常法によれば、超伝導材料の酸素含有割合が非化学量論
量であることをOyで示す。本発明でも、上記段階（４）
で生成され混合相を形成する超伝導体の酸素含有割合
は、必ずしも化学量論量に拘束されないため、それをOy
で表した。ただし、生成した超伝導体が安定な構造に保
持されるなら、化学量論量からの逸脱は限定される。つ
まり、その場合、TlCa2Ba3Cu4Oy、TlCa2Ba2Cu3Oyのｙ
は、それぞれ化学量論量である11、９（この値は、当該
化学式の他の組成等から当業者には自明である）または
それに近いものである。
れないことは周知である。つまり、酸素含量割合は、環
境条件に依存し、固定されない。本発明の技術分野での
常法によれば、超伝導材料の酸素含有割合が非化学量論
量であることをOyで示す。本発明でも、上記段階（４）
で生成され混合相を形成する超伝導体の酸素含有割合
は、必ずしも化学量論量に拘束されないため、それをOy
で表した。ただし、生成した超伝導体が安定な構造に保
持されるなら、化学量論量からの逸脱は限定される。つ
まり、その場合、TlCa2Ba3Cu4Oy、TlCa2Ba2Cu3Oyのｙ
は、それぞれ化学量論量である11、９（この値は、当該
化学式の他の組成等から当業者には自明である）または
それに近いものである。
以下、上記系列の材料を更に説明する。以下の実施例は
本発明の製造方法を説明するものである。これらの実施
例はいかなる点においても本発明の範囲を限定する意図
はなく、またそのように理解されるべきでない。
本発明の製造方法を説明するものである。これらの実施
例はいかなる点においても本発明の範囲を限定する意図
はなく、またそのように理解されるべきでない。
実施例１ （Ａ）ビスマス系列超伝導エピタキシャルフィルムの作
成 （１）炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム及び酸化銅
（カルシウム、ストロンチウム及び銅のモル比は3:3:4
とする）を混合し、混合物を粉砕する。得られた混合物
を850℃の温度で12時間カ焼する。カ焼した粉末を酸化
ビスマスと混合する（ビスマス：カルシウム：ストロン
チウム：銅のモル比は4:3:3:4とする）。
成 （１）炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム及び酸化銅
（カルシウム、ストロンチウム及び銅のモル比は3:3:4
とする）を混合し、混合物を粉砕する。得られた混合物
を850℃の温度で12時間カ焼する。カ焼した粉末を酸化
ビスマスと混合する（ビスマス：カルシウム：ストロン
チウム：銅のモル比は4:3:3:4とする）。
（２）前記ビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅
‐酸化物粉末混合物を（ａ）成長装置（第１図（ａ））
に配置する（装置は高純度石英から作成し、高温で石英
と溶融物とが反応しないように銀又は金シートライナー
を設ける）。同時にマグネシウム基板を溶融物粉末から
離して配置する。
‐酸化物粉末混合物を（ａ）成長装置（第１図（ａ））
に配置する（装置は高純度石英から作成し、高温で石英
と溶融物とが反応しないように銀又は金シートライナー
を設ける）。同時にマグネシウム基板を溶融物粉末から
離して配置する。
（３）上記成長装置を930℃（採り得る条件範囲の例示:
900〜950℃［他の括弧内の数値も同様］）の温度を有す
る炉に0.5時間（0.5〜５時間）置く。ビスマス‐カルシ
ウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物が完全に溶融した
ら、溶融物を回転式石英装置内で酸化マグネシウム基板
と接触させる（第１図（ｂ））。20分（20〜30分）後、
0.5℃／分（0.5〜２℃／分）の割合で温度を低下させ、
ビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物超
伝導エピタキシャルフィルムを形成する。炉の温度が約
880〜820℃内の所定温度（第２図に示してある）に低下
したら、ビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐
酸化物溶融物を酸化マグネシウム基板から分離する（第
１図（ｃ））。
900〜950℃［他の括弧内の数値も同様］）の温度を有す
る炉に0.5時間（0.5〜５時間）置く。ビスマス‐カルシ
ウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物が完全に溶融した
ら、溶融物を回転式石英装置内で酸化マグネシウム基板
と接触させる（第１図（ｂ））。20分（20〜30分）後、
0.5℃／分（0.5〜２℃／分）の割合で温度を低下させ、
ビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物超
伝導エピタキシャルフィルムを形成する。炉の温度が約
880〜820℃内の所定温度（第２図に示してある）に低下
したら、ビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐
酸化物溶融物を酸化マグネシウム基板から分離する（第
１図（ｃ））。
（４）上記のようにして得られた高温超伝導エピタキシ
ャルフィルムの温度を直接急冷する。フィルムの温度が
室温に達すると、フィルムの厚さを100μｍにできる
（なお、例示した条件では、約40〜150μｍに調節する
ことができる）。
ャルフィルムの温度を直接急冷する。フィルムの温度が
室温に達すると、フィルムの厚さを100μｍにできる
（なお、例示した条件では、約40〜150μｍに調節する
ことができる）。
得られたエピタキシャルフィルムの鑑定 （１）超伝導転移温度の決定 第２図に示すように、４点プローブ法によると抵抗の変
化は超伝導エピタキシャルフィルムの温度に一致する。
グラフから明らかなように、成長の最終温度が820〜840
℃のとき、超伝導フィルムの開始温度は100Kである。ゼ
ロ抵抗の温度は80Kである。成長の最終温度が860〜880
℃の範囲のとき、超伝導転移温度は40℃未満に低下す
る。
化は超伝導エピタキシャルフィルムの温度に一致する。
グラフから明らかなように、成長の最終温度が820〜840
℃のとき、超伝導フィルムの開始温度は100Kである。ゼ
ロ抵抗の温度は80Kである。成長の最終温度が860〜880
℃の範囲のとき、超伝導転移温度は40℃未満に低下す
る。
以上のデータから明らかなように、本発明のエピタキシ
ャル成長フィルムを使用することにより、優れた性能の
超伝導フィルムが得られる。
ャル成長フィルムを使用することにより、優れた性能の
超伝導フィルムが得られる。
（２）Ｘ線回折試験 第３図は80Kのゼロ抵抗を有する上記エピタキシャルフ
ィルムをＸ線回折計で試験することにより得られた結果
を示す。この決定は結晶構造を検討するために実施し
た。グラフ中、水平軸はＸ線回折計の回折の位相角度
（２θ）を表す。鉛直軸は強度を表す。
ィルムをＸ線回折計で試験することにより得られた結果
を示す。この決定は結晶構造を検討するために実施し
た。グラフ中、水平軸はＸ線回折計の回折の位相角度
（２θ）を表す。鉛直軸は強度を表す。
図面から明らかなように、フィルムはＣ軸が基板表面の
法線に平行になるように酸化マグネシウム基板に対して
高度に優先的に配向されている。第３図から明らかなよ
うに、Bi2Sr2CaCu2O8相に相当するＸ線回折パターンに
はフィルムの（001）面（ｌ＝２、６、８、10、12、1
6、20、…）に対応する回折線のみが現れた。グラフか
ら明らかなように、超伝導エピタキシャルフィルムの品
質は優良であり、その電磁特性は十分である。
法線に平行になるように酸化マグネシウム基板に対して
高度に優先的に配向されている。第３図から明らかなよ
うに、Bi2Sr2CaCu2O8相に相当するＸ線回折パターンに
はフィルムの（001）面（ｌ＝２、６、８、10、12、1
6、20、…）に対応する回折線のみが現れた。グラフか
ら明らかなように、超伝導エピタキシャルフィルムの品
質は優良であり、その電磁特性は十分である。
（３）透過型電子顕微鏡試験 第4a図及び第4b図は、高解像度透過型電子顕微鏡により
得られた、超伝導フィルムのサンプルの横断面の顕微鏡
写真である。第4a図は酸化マグネシウム基板の近傍のエ
ピタキシャルフィルムの顕微鏡写真であり、第4b図は酸
化マグネシウム基板から離れたエピタキシャルフィルム
の顕微鏡写真である。サンプルの横断面の高解像度格子
写真も同様に、フィルムの（001）面が（001）酸化マグ
ネシウム面に平行であることを示している。この分析に
基づいて、臨界電流密度を著しく増加させることができ
る。
得られた、超伝導フィルムのサンプルの横断面の顕微鏡
写真である。第4a図は酸化マグネシウム基板の近傍のエ
ピタキシャルフィルムの顕微鏡写真であり、第4b図は酸
化マグネシウム基板から離れたエピタキシャルフィルム
の顕微鏡写真である。サンプルの横断面の高解像度格子
写真も同様に、フィルムの（001）面が（001）酸化マグ
ネシウム面に平行であることを示している。この分析に
基づいて、臨界電流密度を著しく増加させることができ
る。
第５図（ａ）は［001］ビスマス‐カルシウム‐ストロ
ンチウム‐銅‐酸化物／［001］酸化マグネシウムを重
ね合わせ、サンプルの上面を観察した電子線回折パター
ンである。第５図（ｂ）は模式化パターンである。エピ
タキシャルフィルムは基板に対して配向がずれており、
［001］MgO軸に沿って20゜まで回転していることが認め
られた。従って、薄膜粒子は上層のフィルムが低エネル
ギー状態であると推定されるMgO基板に対して一定の配
向関係を示すような方向に向かって回転する傾向がある
と推察することができる。
ンチウム‐銅‐酸化物／［001］酸化マグネシウムを重
ね合わせ、サンプルの上面を観察した電子線回折パター
ンである。第５図（ｂ）は模式化パターンである。エピ
タキシャルフィルムは基板に対して配向がずれており、
［001］MgO軸に沿って20゜まで回転していることが認め
られた。従って、薄膜粒子は上層のフィルムが低エネル
ギー状態であると推定されるMgO基板に対して一定の配
向関係を示すような方向に向かって回転する傾向がある
と推察することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明の方法を使用し
て得られるビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅
‐酸化物の超伝導エピタキシャルフィルムは優れた超伝
導特性を有する。
て得られるビスマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅
‐酸化物の超伝導エピタキシャルフィルムは優れた超伝
導特性を有する。
実施例２ （Ｂ）タリウム系列超伝導エピタキシャルフィルムの作
成 （１）炭酸カルシウム、炭酸バリウム及び酸化銅（カル
シウム：バリウム：銅のモル比は1.33:1.00:2.00とす
る）を混合し、混合物を粉砕する。得られた混合物を92
0℃（920〜930℃）で15時間（10〜15時間）カ焼する。
カ焼した混合物を酸化タリウムと混合する（タリウム：
カルシウム：バリウム：銅のモル比は1.33:1.33:1.00:
2.00とする）。
成 （１）炭酸カルシウム、炭酸バリウム及び酸化銅（カル
シウム：バリウム：銅のモル比は1.33:1.00:2.00とす
る）を混合し、混合物を粉砕する。得られた混合物を92
0℃（920〜930℃）で15時間（10〜15時間）カ焼する。
カ焼した混合物を酸化タリウムと混合する（タリウム：
カルシウム：バリウム：銅のモル比は1.33:1.33:1.00:
2.00とする）。
（２）前記タリウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化
物粉末を第１図（ａ）のエピタキシャル成長装置に配置
する。同時に酸化マグネシウム基板を混合物と反対側に
配置する。
物粉末を第１図（ａ）のエピタキシャル成長装置に配置
する。同時に酸化マグネシウム基板を混合物と反対側に
配置する。
（３）上記成長装置を930℃（930〜950℃）の温度を有
する炉に配置する。炉に酸素を通し（Tl2O3が反応してT
l2OとO2とに分解し、タリウムの量が減少するのを避け
る）、0.5時間（約0.5〜1.0時間）加熱する。タリウム
‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物が完全に溶融した
ら、回転式石英成長装置を使用して溶融物を酸化マグネ
シウム基板と接触させる（第１図（ｂ））。20分（10〜
20分）後、温度を0.5℃／分（0.3〜１℃／分）の割合で
低下させ、タリウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化
物超伝導フィルムを形成する。炉の温度が890℃に低下
後、タリウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物の溶
融物を酸化マグネシウム基板から分離する（第１図
（ｃ））。
する炉に配置する。炉に酸素を通し（Tl2O3が反応してT
l2OとO2とに分解し、タリウムの量が減少するのを避け
る）、0.5時間（約0.5〜1.0時間）加熱する。タリウム
‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物が完全に溶融した
ら、回転式石英成長装置を使用して溶融物を酸化マグネ
シウム基板と接触させる（第１図（ｂ））。20分（10〜
20分）後、温度を0.5℃／分（0.3〜１℃／分）の割合で
低下させ、タリウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化
物超伝導フィルムを形成する。炉の温度が890℃に低下
後、タリウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物の溶
融物を酸化マグネシウム基板から分離する（第１図
（ｃ））。
（４）高温超伝導フィルムを冷却する。室温に達する
と、フィルムの厚さを60μｍにできる（なお、例示した
条件では、約40〜80μｍに調節することができる）。
と、フィルムの厚さを60μｍにできる（なお、例示した
条件では、約40〜80μｍに調節することができる）。
得られたエピタキシャルフィルムの鑑定 （１）超伝導転移温度の決定 第６図は超伝導エピタキシャルフィルムの抵抗と温度と
の関係を示す。グラフは、超伝導フィルムの開始温度が
140Kであり、ゼロ抵抗の温度が111Kであることを示して
いる。これは、上記超伝導エピタキシャルフィルムが優
れた超伝導特性を有することを示している。
の関係を示す。グラフは、超伝導フィルムの開始温度が
140Kであり、ゼロ抵抗の温度が111Kであることを示して
いる。これは、上記超伝導エピタキシャルフィルムが優
れた超伝導特性を有することを示している。
（２）Ｘ線回折試験 第７図は、80Kのゼロ抵抗温度を有する上記超伝導エピ
タキシャルフィルムの結晶構造を決定するために、Ｘ線
回折計を使用することにより得られた結果を示す。第７
図のグラフ中、水平軸はＸ線回折計の回折の位相角度
（２θ）を表す。鉛直軸は強度を表す。Ｃ軸は酸化マグ
ネシウム基板の（001）面に垂直であることが明らかで
ある。一方、透過型電子顕微鏡分析によると、主要な超
伝導相はP4/mmmの空間群下のTlCa2Ba2Cu3Oyであり、ａ
＝ｂ＝0.38nm、ｃ＝1.59nmであり、そのピークは（00
4）、（005）、（006）、（007）、（009）、（0010）
を有しており、小さいほうの超伝導相はP4/mmmの空間群
下TlCa2Ba3Cu4Oyであり、ａ＝ｂ＝0.39nm、ｃ＝1.97nm
であり、そのピークは（005）、（006）、（007）、（0
08）、（0011）、（0012）を有しており、140Kの超伝導
転移温度はTlCa2Ba3Cu4Oyに関連し、111Kのゼロ抵抗温
度はTlCa2Ba2Cu3Oyに関連する。
タキシャルフィルムの結晶構造を決定するために、Ｘ線
回折計を使用することにより得られた結果を示す。第７
図のグラフ中、水平軸はＸ線回折計の回折の位相角度
（２θ）を表す。鉛直軸は強度を表す。Ｃ軸は酸化マグ
ネシウム基板の（001）面に垂直であることが明らかで
ある。一方、透過型電子顕微鏡分析によると、主要な超
伝導相はP4/mmmの空間群下のTlCa2Ba2Cu3Oyであり、ａ
＝ｂ＝0.38nm、ｃ＝1.59nmであり、そのピークは（00
4）、（005）、（006）、（007）、（009）、（0010）
を有しており、小さいほうの超伝導相はP4/mmmの空間群
下TlCa2Ba3Cu4Oyであり、ａ＝ｂ＝0.39nm、ｃ＝1.97nm
であり、そのピークは（005）、（006）、（007）、（0
08）、（0011）、（0012）を有しており、140Kの超伝導
転移温度はTlCa2Ba3Cu4Oyに関連し、111Kのゼロ抵抗温
度はTlCa2Ba2Cu3Oyに関連する。
（３）透過型電子顕微鏡試験 タリウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物エピタキ
シャルフィルムを電子顕微鏡及び回折により観察した
処、結果はビスマス‐カルシウム‐銅‐酸化物エピタキ
シャルフィルムと同様であった。従って、結果の詳細な
内容については上記の説明を参考にすることができる。
シャルフィルムを電子顕微鏡及び回折により観察した
処、結果はビスマス‐カルシウム‐銅‐酸化物エピタキ
シャルフィルムと同様であった。従って、結果の詳細な
内容については上記の説明を参考にすることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明の液相エピタキ
シャル成長を使用する高温エピタキシャルフィルムの製
造方法は、従来の方法の真空装置を使用する必要がない
という利点がある。エピタキシャルフィルムの製造段階
は単純であり、作業時間を短縮することができ、製造費
用も削減できる。
シャル成長を使用する高温エピタキシャルフィルムの製
造方法は、従来の方法の真空装置を使用する必要がない
という利点がある。エピタキシャルフィルムの製造段階
は単純であり、作業時間を短縮することができ、製造費
用も削減できる。
以上、特定の態様について本発明を説明した。しかしな
がら、本発明は特許請求の範囲に記載の範囲で自明の変
形例を包含するものである。
がら、本発明は特許請求の範囲に記載の範囲で自明の変
形例を包含するものである。
第１図は溶融物粉末をエピタキシャル成長装置内に配置
する液相エピタキシャル成長法を使用してエピタキシャ
ルフィルムを製造するための作業プロセスを示す概略
図、第２図は得られた本発明のビスマス‐カルシウム‐
ストロンチウム‐銅‐酸化物超伝導エピタキシャルフィ
ルムの抵抗と温度との関係を示す、４点プローブ法によ
り得られたグラフ、第３図はフィルムの結晶構造を決定
するためにＸ線回折計を使用して得られた本発明のビス
マス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物エピタ
キシャルフィルムのＸ線回折図、第4a図及び第4b図はビ
スマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物エピ
タキシャルフィルムの（001）面の格子回折縞を示す、
サンプルの横断面の電子顕微鏡写真であり、第4a図は界
面の近傍のエピタキシャルフィルムの結晶の構造、第4b
図は界面から離れたエピタキシャルフィルムの結晶の構
造であり、第５図（ａ）は［001］ビスマス‐カルシウ
ム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物／［001］酸化マグネ
シウムを重ね合わせた電子線回折パターンで示される結
晶の構造の写真、第５図（ｂ）はビスマス‐カルシウム
‐ストロンチウム‐銅‐酸化物の回折点（●）及び酸化
マグネシウムの回折点（○）の模式化パターン（但し二
重回折点は省略）であり、第６図は得られた本発明のタ
リウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物超伝導エピ
タキシャルフィルムの抵抗と対応する温度との関係を示
す、４点プローブ法により得られたグラフ、第７図はフ
ィルムの結晶構造を決定するためにＸ線回折計を使用し
て得られた本発明のタリウム‐カルシウム‐バリウム‐
銅‐酸化物エピタキシャルフィルムのＸ線回折図であ
る。
する液相エピタキシャル成長法を使用してエピタキシャ
ルフィルムを製造するための作業プロセスを示す概略
図、第２図は得られた本発明のビスマス‐カルシウム‐
ストロンチウム‐銅‐酸化物超伝導エピタキシャルフィ
ルムの抵抗と温度との関係を示す、４点プローブ法によ
り得られたグラフ、第３図はフィルムの結晶構造を決定
するためにＸ線回折計を使用して得られた本発明のビス
マス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物エピタ
キシャルフィルムのＸ線回折図、第4a図及び第4b図はビ
スマス‐カルシウム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物エピ
タキシャルフィルムの（001）面の格子回折縞を示す、
サンプルの横断面の電子顕微鏡写真であり、第4a図は界
面の近傍のエピタキシャルフィルムの結晶の構造、第4b
図は界面から離れたエピタキシャルフィルムの結晶の構
造であり、第５図（ａ）は［001］ビスマス‐カルシウ
ム‐ストロンチウム‐銅‐酸化物／［001］酸化マグネ
シウムを重ね合わせた電子線回折パターンで示される結
晶の構造の写真、第５図（ｂ）はビスマス‐カルシウム
‐ストロンチウム‐銅‐酸化物の回折点（●）及び酸化
マグネシウムの回折点（○）の模式化パターン（但し二
重回折点は省略）であり、第６図は得られた本発明のタ
リウム‐カルシウム‐バリウム‐銅‐酸化物超伝導エピ
タキシャルフィルムの抵抗と対応する温度との関係を示
す、４点プローブ法により得られたグラフ、第７図はフ
ィルムの結晶構造を決定するためにＸ線回折計を使用し
て得られた本発明のタリウム‐カルシウム‐バリウム‐
銅‐酸化物エピタキシャルフィルムのＸ線回折図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジユー‐ミン・リヤン 台湾、シンチユ、チユツン、チユン‐シ ン・ロード、195‐５、セクシヨン・４ (56)参考文献 特開 平２−204390（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−275435（ＪＰ，Ａ) Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 28 ［８］（1989−８）Ｐ．1378−1381
Claims (2)
- 【請求項１】液相エピタキシャル成長法を使用する超伝
導エピタキシャルフィルムの製造方法であって、 (1) ビスマス、カルシウム、ストロンチウム及び銅の
酸化物であってそのモル比が実質的にBi:Ca:Sr:Cu＝4:
3:3:4である酸化物、又はタリウム、カルシウム、バリ
ウム及び銅の酸化物であってそのモル比が実質的にTl:C
a:Ba:Cu＝1.33:1.33:1.00:2.00である酸化物を、900℃
〜950℃の温度で溶融させ、溶融物を形成する段階と、 (2) (1)で形成された溶融物を酸化マグネシウム又は単
結晶材料と接触させる段階と、 (3) 溶融物の温度が820℃〜890℃の範囲になるまで該
温度を0.3〜２℃／分の割合で低下させる段階と、 (4) 溶融物と酸化マグネシウム基板又は単結晶材料と
を分離させ、Bi2Sr2CaCu2O8相から本質的になるか、又
はTlCa2Ba3Cu4OyとTlCa2Ba2Cu3Oyとの混合相から本質的
になる超伝導エピタキシャルフィルムを得る段階と、 (5) (4)で得られたフィルムの温度が室温になるまで該
フィルムを急冷し、40〜150μｍの厚さの超伝導エピタ
キシャルフィルムを得る段階とを含む超伝導エピタキシ
ャルフィルムの製造方法。 - 【請求項２】900℃から950℃の温度範囲で酸化物を溶融
する段階を0.5〜５時間実施することを特徴とする請求
項１に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020672A JPH0717476B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 液相エピタキシャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法 |
| EP19890306547 EP0380843A3 (en) | 1989-01-30 | 1989-06-27 | The preparation of superconducting epitaxial film using the method of liquid-phase epitaxial growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020672A JPH0717476B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 液相エピタキシャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208286A JPH02208286A (ja) | 1990-08-17 |
| JPH0717476B2 true JPH0717476B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=12033691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020672A Expired - Lifetime JPH0717476B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 液相エピタキシャル成長法を使用する超伝導エピタキシャルフィルムの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0380843A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0717476B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2550253B2 (ja) * | 1990-12-14 | 1996-11-06 | 新日本製鐵株式会社 | 酸化物高温超電導体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077271A (en) * | 1988-12-02 | 1991-12-31 | Hewlett-Packard Company | Liquid phase epitaxial method for forming single crystal films of high temperature oxide superconductors |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1020672A patent/JPH0717476B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-27 EP EP19890306547 patent/EP0380843A3/en not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ２８［８（１９８９−８）Ｐ．１３７８−１３８１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02208286A (ja) | 1990-08-17 |
| EP0380843A3 (en) | 1990-09-12 |
| EP0380843A2 (en) | 1990-08-08 |
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