JPH07175205A - レチクル検査方法 - Google Patents
レチクル検査方法Info
- Publication number
- JPH07175205A JPH07175205A JP32022193A JP32022193A JPH07175205A JP H07175205 A JPH07175205 A JP H07175205A JP 32022193 A JP32022193 A JP 32022193A JP 32022193 A JP32022193 A JP 32022193A JP H07175205 A JPH07175205 A JP H07175205A
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- JP
- Japan
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- reticle
- pattern
- wafer
- reduced
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】誤検出を防止でき効率のよいレチクル検査方法
を提供する。 【構成】レチクル２６のパターンを鏡面ウエハ１４に縮
小投影し、この縮小投影されたパターンをＣＣＤカメラ
１６で撮影する。撮影されたパターンとレチクルの原画
パターンとを画像処理部２２で比較する。
を提供する。 【構成】レチクル２６のパターンを鏡面ウエハ１４に縮
小投影し、この縮小投影されたパターンをＣＣＤカメラ
１６で撮影する。撮影されたパターンとレチクルの原画
パターンとを画像処理部２２で比較する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルを検査するレ
チクル検査方法に関する。
チクル検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣパターンのサイズを５倍〜１０倍に
したパターンが形成されたレチクルを用いて、ウエハ上
にパターンを縮小投影する露光技術が従来から行われて
いる。この露光技術では、レチクルに異物等の欠陥があ
ると、ウエハ上に縮小投影されたパターンにも欠陥が存
在することとなる。このため、従来からレチクルを検査
する種々の技術が提案されている。
したパターンが形成されたレチクルを用いて、ウエハ上
にパターンを縮小投影する露光技術が従来から行われて
いる。この露光技術では、レチクルに異物等の欠陥があ
ると、ウエハ上に縮小投影されたパターンにも欠陥が存
在することとなる。このため、従来からレチクルを検査
する種々の技術が提案されている。
【０００３】レチクル検査の一例としては、レーザ光を
レチクルに入射し、レチクル上の欠陥からの反射光を信
号光として検出することにより、レチクルを検査する方
法が知られている。また、レチクルの表裏面をＣＣＤカ
メラで撮影して画像データを得、この画像データに信号
処理を施すことにより、レチクルを検査する方法も知ら
れている（特開平３−４２５５４号公報参照）。
レチクルに入射し、レチクル上の欠陥からの反射光を信
号光として検出することにより、レチクルを検査する方
法が知られている。また、レチクルの表裏面をＣＣＤカ
メラで撮影して画像データを得、この画像データに信号
処理を施すことにより、レチクルを検査する方法も知ら
れている（特開平３−４２５５４号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記方法のうちレーザ
光をレチクルに入射してレチクルを検査する方法では、
レチクルに形成されたパターンからの反射光を欠陥から
の反射光として誤検出するおそれがある。また、レチク
ルの表裏面をＣＣＤカメラで撮影してレチクルを検査す
る方法では、レチクルの表裏面の画像データの信号が全
て一致すると欠陥が無いと判断するため、表裏面の同じ
位置に同程度の異物が存在している場合は誤検出するお
それがある。また、レチクルそのものを検査の対象とし
ているため、投影レンズの分解能よりも小さい欠陥を検
出することもある。このため、効率の悪いレチクル検査
となるおそれもある。
光をレチクルに入射してレチクルを検査する方法では、
レチクルに形成されたパターンからの反射光を欠陥から
の反射光として誤検出するおそれがある。また、レチク
ルの表裏面をＣＣＤカメラで撮影してレチクルを検査す
る方法では、レチクルの表裏面の画像データの信号が全
て一致すると欠陥が無いと判断するため、表裏面の同じ
位置に同程度の異物が存在している場合は誤検出するお
それがある。また、レチクルそのものを検査の対象とし
ているため、投影レンズの分解能よりも小さい欠陥を検
出することもある。このため、効率の悪いレチクル検査
となるおそれもある。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑み、欠陥の誤検出
を防止できる効率のよいレチクル検査方法を提供するこ
とを目的とする。
を防止できる効率のよいレチクル検査方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のレチクル検査方法は、ウエハに転写されるパ
ターンが形成されたレチクルの前記パターンを前記ウエ
ハに転写されたサイズで平面上に縮小投影し、該縮小投
影されたパターンを撮影し、該撮影されたパターンと前
記レチクルの原画パターンとを比較することによりレチ
クルの欠陥を検出することを特徴とするものである。
の本発明のレチクル検査方法は、ウエハに転写されるパ
ターンが形成されたレチクルの前記パターンを前記ウエ
ハに転写されたサイズで平面上に縮小投影し、該縮小投
影されたパターンを撮影し、該撮影されたパターンと前
記レチクルの原画パターンとを比較することによりレチ
クルの欠陥を検出することを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明のレチクル検査方法によれば、レチクル
のパターンはウエハに転写されたサイズで縮小投影され
るため、この縮小投影されたパターンには、ウエハに転
写されないサイズの欠陥は現われない。従って、ウエハ
に転写されないサイズの欠陥は検出されないこととな
り、効率のよいレチクル検査を行える。また、撮影され
たパターンは原画パターンと比較されるため、欠陥を誤
検出することを防止できる。
のパターンはウエハに転写されたサイズで縮小投影され
るため、この縮小投影されたパターンには、ウエハに転
写されないサイズの欠陥は現われない。従って、ウエハ
に転写されないサイズの欠陥は検出されないこととな
り、効率のよいレチクル検査を行える。また、撮影され
たパターンは原画パターンと比較されるため、欠陥を誤
検出することを防止できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明のレチクル検査方法の一実施例
を説明する。図１はレチクルを検査するためのレチクル
検査装置を示す概略構成図である。レチクル検査装置１
０には、ウエハステージ１２に配置された鏡面状に仕上
げられた基準ウエハ１４上に投影されたレチクル像のパ
ターンを撮影するＣＣＤカメラ１６が備えられている。
また、基準ウエハ１４に投影されたパターンをＣＣＤカ
メラ１６で撮影するためのプリズム１８が備えられてい
る。さらに、レチクル検査装置１０には、ＣＡＤデータ
等の原画パターンが記憶されたメモリ部２０、及びＣＣ
Ｄカメラ１６とメモリ部２０それぞれから入力された画
像データを比較して欠陥を検出する画像処理部２２が備
えられている。この結果は、ＣＲＴ２４に表示されると
ともに、合否判断を行いその結果を出力することができ
るように構成されている。
を説明する。図１はレチクルを検査するためのレチクル
検査装置を示す概略構成図である。レチクル検査装置１
０には、ウエハステージ１２に配置された鏡面状に仕上
げられた基準ウエハ１４上に投影されたレチクル像のパ
ターンを撮影するＣＣＤカメラ１６が備えられている。
また、基準ウエハ１４に投影されたパターンをＣＣＤカ
メラ１６で撮影するためのプリズム１８が備えられてい
る。さらに、レチクル検査装置１０には、ＣＡＤデータ
等の原画パターンが記憶されたメモリ部２０、及びＣＣ
Ｄカメラ１６とメモリ部２０それぞれから入力された画
像データを比較して欠陥を検出する画像処理部２２が備
えられている。この結果は、ＣＲＴ２４に表示されると
ともに、合否判断を行いその結果を出力することができ
るように構成されている。
【０００９】次に、レチクル検査装置１０を用いたレチ
クル検査方法を説明する。まず、ウエハステージ１２を
移動させて、基準ウエハ１４を光学系の結像面にセット
する。次に、ＩＣパターンが拡大して形成されたレチク
ル２６を、投影レンズ３０を用いて基準ウエハ１４に縮
小投影する。基準ウエハ１４上のパターンの縮小率は、
製品となるウエハ３２に縮小投影するときの縮小率と同
じにする。この縮小投影されたパターンをプリズム１８
で反射させ、ＣＣＤカメラ１６を用いて撮影して画像デ
ータを得る。とりこんだ画像データは、画像処理部２２
に送られる。画像処理部２２では、ＣＣＤカメラ１６か
ら送られてきた画像データの各画素の明暗に対応して
「０」、「１」に数値化される。また、メモリ部２０に
は原画パターンを表す画像データも予め画素に分割さ
れ、各画素のデータが明暗を表す「０」、「１」に数値
化されて記憶されている。ＣＣＤカメラ１６から送られ
てきた画像データとメモリ部２０から送られてきた画像
データとの位置合わせを行い、その後各画素毎に直接比
較され、ＣＣＤカメラ１６から送られてきた画像データ
のうちメモリ部２０から送られてきた画像データと相違
するものは、欠陥として検出される。この結果はＣＲＴ
２４に表示される。
クル検査方法を説明する。まず、ウエハステージ１２を
移動させて、基準ウエハ１４を光学系の結像面にセット
する。次に、ＩＣパターンが拡大して形成されたレチク
ル２６を、投影レンズ３０を用いて基準ウエハ１４に縮
小投影する。基準ウエハ１４上のパターンの縮小率は、
製品となるウエハ３２に縮小投影するときの縮小率と同
じにする。この縮小投影されたパターンをプリズム１８
で反射させ、ＣＣＤカメラ１６を用いて撮影して画像デ
ータを得る。とりこんだ画像データは、画像処理部２２
に送られる。画像処理部２２では、ＣＣＤカメラ１６か
ら送られてきた画像データの各画素の明暗に対応して
「０」、「１」に数値化される。また、メモリ部２０に
は原画パターンを表す画像データも予め画素に分割さ
れ、各画素のデータが明暗を表す「０」、「１」に数値
化されて記憶されている。ＣＣＤカメラ１６から送られ
てきた画像データとメモリ部２０から送られてきた画像
データとの位置合わせを行い、その後各画素毎に直接比
較され、ＣＣＤカメラ１６から送られてきた画像データ
のうちメモリ部２０から送られてきた画像データと相違
するものは、欠陥として検出される。この結果はＣＲＴ
２４に表示される。
【００１０】また、その相違する画素数がある設定値よ
り大きい場合、不良を表す出力信号を出し、設定値以下
の場合、合格の出力を行うこともできる。さらに、記憶
されている基準パターンとの比較により、レチクルに付
着したゴミかレチクルの疵かの判定結果を出力すること
も可能である。このレチクル検査方法によれば、製品と
なるウエハ３２に縮小投影するときのサイズで基準ウエ
ハ１４にレチクルパターンを縮小投影した後、原画パタ
ーンと比較するため、投影レンズ３０の分解能以下のウ
エハ３２に転写されない微小な欠陥は検出されない。こ
の結果、効率のよいレチクル検査を行うことができる。
また、ＣＣＤカメラ１６から送られてきた画像データと
メモリ部２０から送られてきたＣＡＤデータ等の原画パ
ターンとを直接比較するため、従来の方法では検出が困
難であったクロム剥れ等も容易に検出することができ
る。
り大きい場合、不良を表す出力信号を出し、設定値以下
の場合、合格の出力を行うこともできる。さらに、記憶
されている基準パターンとの比較により、レチクルに付
着したゴミかレチクルの疵かの判定結果を出力すること
も可能である。このレチクル検査方法によれば、製品と
なるウエハ３２に縮小投影するときのサイズで基準ウエ
ハ１４にレチクルパターンを縮小投影した後、原画パタ
ーンと比較するため、投影レンズ３０の分解能以下のウ
エハ３２に転写されない微小な欠陥は検出されない。こ
の結果、効率のよいレチクル検査を行うことができる。
また、ＣＣＤカメラ１６から送られてきた画像データと
メモリ部２０から送られてきたＣＡＤデータ等の原画パ
ターンとを直接比較するため、従来の方法では検出が困
難であったクロム剥れ等も容易に検出することができ
る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレチクル検
査方法によれば、投影されたレチクルパターンを撮影し
て得られたパターンとレチクルの原画パターンとが比較
されるため、レチクルの欠陥の誤検出を防止できる。し
かも、縮小投影されたレチクルパターンとレチクルの原
画パターンとを比較してレチクルの欠陥を検出するた
め、ウエハに転写されないサイズの欠陥は検出されない
こととなり、効率のよいレチクル検査を行うことができ
る。
査方法によれば、投影されたレチクルパターンを撮影し
て得られたパターンとレチクルの原画パターンとが比較
されるため、レチクルの欠陥の誤検出を防止できる。し
かも、縮小投影されたレチクルパターンとレチクルの原
画パターンとを比較してレチクルの欠陥を検出するた
め、ウエハに転写されないサイズの欠陥は検出されない
こととなり、効率のよいレチクル検査を行うことができ
る。
【図１】本発明のレチクル検査装置を示す概略構成図で
ある。
ある。
１０ レチクル検査装置 １２ ウエハステージ １４ 鏡面ウエハ １６ ＣＣＤカメラ １８ プリズム ２０ メモリ部 ２２ 画像処理部 ２４ ＣＲＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハに転写されるパターンが形成され
たレチクルの前記パターンを前記ウエハに転写されたサ
イズで平面上に縮小投影し、 該縮小投影されたパターンを撮影し、 該撮影されたパターンと前記レチクルの原画パターンと
を比較することによりレチクルの欠陥を検出することを
特徴とするレチクル検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32022193A JPH07175205A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | レチクル検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32022193A JPH07175205A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | レチクル検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175205A true JPH07175205A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18119080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32022193A Withdrawn JPH07175205A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | レチクル検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07175205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6950183B2 (en) | 2003-02-20 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for inspection of photolithographic mask |
| JP2006512582A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-04-13 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 検出されたウェハ欠陥座標値の変換 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP32022193A patent/JPH07175205A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512582A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-04-13 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 検出されたウェハ欠陥座標値の変換 |
| US6950183B2 (en) | 2003-02-20 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for inspection of photolithographic mask |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |