JPH102863A - Ｉｃマスクの異物検出方法 - Google Patents
Ｉｃマスクの異物検出方法Info
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- JPH102863A JPH102863A JP17701396A JP17701396A JPH102863A JP H102863 A JPH102863 A JP H102863A JP 17701396 A JP17701396 A JP 17701396A JP 17701396 A JP17701396 A JP 17701396A JP H102863 A JPH102863 A JP H102863A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣマスクに付着した異物に対して、従来に
勝る検出精度を有する異物検出方法を提供する。 【解決手段】 ＩＣマスク１にレーザビームＬT を垂直
に投射し、そのパターンＰＴとガラス基板11およびこれ
らの付着異物ｉによる反射光ＲL を、垂直方向に設けた
第１のＣＣＤカメラ45a に結像し、ガラス基板11を透過
した透過光ＴL を、垂直方向に設けた第２のＣＣＤカメ
ラ45b に結像し、第１のＣＣＤカメラ45aの映像信号ＳR
と第２のＣＣＤカメラ45b の映像信号ＳT を処理し
て、各異物ｉを検出する。
勝る検出精度を有する異物検出方法を提供する。 【解決手段】 ＩＣマスク１にレーザビームＬT を垂直
に投射し、そのパターンＰＴとガラス基板11およびこれ
らの付着異物ｉによる反射光ＲL を、垂直方向に設けた
第１のＣＣＤカメラ45a に結像し、ガラス基板11を透過
した透過光ＴL を、垂直方向に設けた第２のＣＣＤカメ
ラ45b に結像し、第１のＣＣＤカメラ45aの映像信号ＳR
と第２のＣＣＤカメラ45b の映像信号ＳT を処理し
て、各異物ｉを検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣマスクに付
着した異物の検出方法に関する。
着した異物の検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣデバイスの製造においては、ＩＣの
パターンが形成されたマスク（ＩＣマスク）をウエハに
重ね合わせて露光し、このパターンがウエハに転写され
る。ＩＣマスクにもし異物が付着していると、これがす
べてのＩＣデバイスに転写されてその品質が低下または
劣化するので、付着異物は厳禁されており、このために
ＩＣマスクは異物検査装置により付着異物の有無が検査
されている。
パターンが形成されたマスク（ＩＣマスク）をウエハに
重ね合わせて露光し、このパターンがウエハに転写され
る。ＩＣマスクにもし異物が付着していると、これがす
べてのＩＣデバイスに転写されてその品質が低下または
劣化するので、付着異物は厳禁されており、このために
ＩＣマスクは異物検査装置により付着異物の有無が検査
されている。
【０００３】図３は、ＩＣマスク１に形成されたパター
ンＰＴの一部と、付着異物ｉを例示する平面および断面
図である。ＩＣマスク１は、ガラス基板11の表面に縦横
方向をなして、クロムを素材とする微細なパターンＰＴ
がエッチングにより形成されたもので、パターンＰＴの
両側にはある角度で傾斜したエッジＥg がある。異物ｉ
は任意の場所に付着し、図の例では、パターンＰＴの表
面に異物ｉ1 が、パターンＰＴの無いガラス基板11の表
面に異物ｉ2 がそれぞれ付着している。
ンＰＴの一部と、付着異物ｉを例示する平面および断面
図である。ＩＣマスク１は、ガラス基板11の表面に縦横
方向をなして、クロムを素材とする微細なパターンＰＴ
がエッチングにより形成されたもので、パターンＰＴの
両側にはある角度で傾斜したエッジＥg がある。異物ｉ
は任意の場所に付着し、図の例では、パターンＰＴの表
面に異物ｉ1 が、パターンＰＴの無いガラス基板11の表
面に異物ｉ2 がそれぞれ付着している。
【０００４】図４は、従来の異物検査装置の要部の概略
構成を示し、検出光学系２と異物検出部３よりなり、以
下これによる異物検出方法を説明する。被検査のＩＣマ
スク１の表面に対して、検出光学系２のレーザ光源21よ
り、斜め方向の、例えば４５°の投射角θT でレーザビ
ームＬT を投射し、これとほぼ対称的な受光角θR の方
向にＣＣＤカメラ22を設け、レーザビームＬT の投射範
囲の反射光ＲL を、ＣＣＤカメラ22の撮像レンズ221 に
より受光して、パターンＰＴと異物ｉの映像をＣＣＤイ
メージセンサ222 に結像する。イメージセンサ222 の映
像信号ＳR は異物検出部３の信号処理回路31により、ノ
イズ除去などの処理がなされて異物検出回路32に入力す
る。異物検出回路32の異物検出方式には各種があるが、
例えば比較方式の場合は、異物検出回路32に予め、異物
の無い正常なパターンＰＴ’のデータを設定しておき、
これと映像信号ＳR のパターンＰＴとを比較して、パタ
ーンＰＴの良否とともに異物ｉの有無が検出されてい
る。
構成を示し、検出光学系２と異物検出部３よりなり、以
下これによる異物検出方法を説明する。被検査のＩＣマ
スク１の表面に対して、検出光学系２のレーザ光源21よ
り、斜め方向の、例えば４５°の投射角θT でレーザビ
ームＬT を投射し、これとほぼ対称的な受光角θR の方
向にＣＣＤカメラ22を設け、レーザビームＬT の投射範
囲の反射光ＲL を、ＣＣＤカメラ22の撮像レンズ221 に
より受光して、パターンＰＴと異物ｉの映像をＣＣＤイ
メージセンサ222 に結像する。イメージセンサ222 の映
像信号ＳR は異物検出部３の信号処理回路31により、ノ
イズ除去などの処理がなされて異物検出回路32に入力す
る。異物検出回路32の異物検出方式には各種があるが、
例えば比較方式の場合は、異物検出回路32に予め、異物
の無い正常なパターンＰＴ’のデータを設定しておき、
これと映像信号ＳR のパターンＰＴとを比較して、パタ
ーンＰＴの良否とともに異物ｉの有無が検出されてい
る。
【０００５】さて、異物ｉを良好に検出するには、その
映像をＣＣＤイメージセンサ222 に明瞭に結像して、パ
ターンＰＴと明確に区別することが必要である。これに
対して上記の検出光学系２では、ＣＣＤカメラ22の受光
する反射光ＲL は、パターンＰＴとガラス基板11の両者
の表面の反射光が主体で、異物ｉは通常、レーザビーム
ＬT をランダム方向に散乱するので、その散乱光は比較
的に弱く受光される。また、レーザビームＬT の投射角
θT とＣＣＤカメラ22の受光角θR とはＩＣマスク１に
対して斜め方向であり、両側のエッジＥg は傾斜してい
るため、その反射光は投射角θT と受光角θR の関係に
左右されて変動し、これがＣＣＤカメラ22に受光されて
ノイズとなるので、がある程度の大きさ以下の異物ｉの
映像は、かならずしも明瞭でなく、従ってその検出精度
は良好とはいい難い。このために検出精度を余儀なく低
下して、ある程度以上の大きさの異物ｉに対する検査が
なされている。
映像をＣＣＤイメージセンサ222 に明瞭に結像して、パ
ターンＰＴと明確に区別することが必要である。これに
対して上記の検出光学系２では、ＣＣＤカメラ22の受光
する反射光ＲL は、パターンＰＴとガラス基板11の両者
の表面の反射光が主体で、異物ｉは通常、レーザビーム
ＬT をランダム方向に散乱するので、その散乱光は比較
的に弱く受光される。また、レーザビームＬT の投射角
θT とＣＣＤカメラ22の受光角θR とはＩＣマスク１に
対して斜め方向であり、両側のエッジＥg は傾斜してい
るため、その反射光は投射角θT と受光角θR の関係に
左右されて変動し、これがＣＣＤカメラ22に受光されて
ノイズとなるので、がある程度の大きさ以下の異物ｉの
映像は、かならずしも明瞭でなく、従ってその検出精度
は良好とはいい難い。このために検出精度を余儀なく低
下して、ある程度以上の大きさの異物ｉに対する検査が
なされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】最近においては、ＩＣ
の集積密度の向上に伴ってパターンＰＴの微細化と複雑
化が進展し、異物検査装置はさらに微小な異物ｉまで検
査することを要請されており、この発明は、従来の異物
検査装置に勝る検出精度を有する異物検出方法を提供す
ることを課題とする。
の集積密度の向上に伴ってパターンＰＴの微細化と複雑
化が進展し、異物検査装置はさらに微小な異物ｉまで検
査することを要請されており、この発明は、従来の異物
検査装置に勝る検出精度を有する異物検出方法を提供す
ることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＩＣマスク
の異物検出方法であって、前記したＩＣマスクに対して
レーザビームＬT を垂直に投射し、ＩＣマスクのパター
ンとガラス基板およびこれらの付着異物による反射光Ｒ
L を、垂直方向に設けた第１の撮像装置、例えば、第１
のＣＣＤカメラに結像し、またガラス基板を透過した透
過光ＴL を、垂直方向に設けた第２の撮像装置、例え
ば、第２のＣＣＤカメラに結像する。第１のＣＣＤカメ
ラの映像信号ＳR を第１の閾値ＶS1に比較して、ガラス
基板とその付着異物とに対する信号成分を除去して、パ
ターンとその付着異物とに対する信号成分ＳR ’を抽出
する。抽出された信号成分ＳR ’の波高値と、第２のカ
メラＣＣＤカメラの映像信号ＳT の波高値を同一に調整
し、両者を加算して反転した反転信号［−（ＳR ’＋Ｓ
T)］を合成し、これに現れたパターンの各エッジによる
エッジ信号を、第２の閾値ＶS2に比較して抽出した後、
除去する。各エッジ信号が除去された反転信号［−（Ｓ
R ’＋ＳT)］に残存する、パターンまたはガラス基板の
付着異物による異物信号を、第３の閾値ＶS3に比較して
各異物を検出するものである。
の異物検出方法であって、前記したＩＣマスクに対して
レーザビームＬT を垂直に投射し、ＩＣマスクのパター
ンとガラス基板およびこれらの付着異物による反射光Ｒ
L を、垂直方向に設けた第１の撮像装置、例えば、第１
のＣＣＤカメラに結像し、またガラス基板を透過した透
過光ＴL を、垂直方向に設けた第２の撮像装置、例え
ば、第２のＣＣＤカメラに結像する。第１のＣＣＤカメ
ラの映像信号ＳR を第１の閾値ＶS1に比較して、ガラス
基板とその付着異物とに対する信号成分を除去して、パ
ターンとその付着異物とに対する信号成分ＳR ’を抽出
する。抽出された信号成分ＳR ’の波高値と、第２のカ
メラＣＣＤカメラの映像信号ＳT の波高値を同一に調整
し、両者を加算して反転した反転信号［−（ＳR ’＋Ｓ
T)］を合成し、これに現れたパターンの各エッジによる
エッジ信号を、第２の閾値ＶS2に比較して抽出した後、
除去する。各エッジ信号が除去された反転信号［−（Ｓ
R ’＋ＳT)］に残存する、パターンまたはガラス基板の
付着異物による異物信号を、第３の閾値ＶS3に比較して
各異物を検出するものである。
【０００８】上記において、予め、パターンと各異物を
有するテスト用のＩＣマスクを使用し、このＩＣマスク
に対する第１および第２のＣＣＤカメラの映像信号Ｓ
R ，ＳT を求める。この映像信号ＳR により、パターン
とその付着異物とに対する信号成分ＳR ’を抽出する第
１の閾値ＶS1を定め、またこれらの信号成分ＳR ’と映
像信号ＳT との反転信号［−（ＳR ’＋ＳT)］により、
エッジ信号を抽出する第２の閾値ＶS2と、異物信号を検
出する第３の閾値ＶS3とをそれぞれ定める。
有するテスト用のＩＣマスクを使用し、このＩＣマスク
に対する第１および第２のＣＣＤカメラの映像信号Ｓ
R ，ＳT を求める。この映像信号ＳR により、パターン
とその付着異物とに対する信号成分ＳR ’を抽出する第
１の閾値ＶS1を定め、またこれらの信号成分ＳR ’と映
像信号ＳT との反転信号［−（ＳR ’＋ＳT)］により、
エッジ信号を抽出する第２の閾値ＶS2と、異物信号を検
出する第３の閾値ＶS3とをそれぞれ定める。
【０００９】
【発明の実施の形態】まず、この発明のヒントとなった
事柄について述べると、ＩＣマスクのパターンＰＴは、
その寸法測定が光学式の寸法測定器によりなされてお
り、この寸法測定器は、ＩＣマスクに対してレーザビー
ムを垂直に投射し、その反射光を垂直方向でＣＣＤカメ
ラに受光し、パターンＰＴの映像をＣＣＤイメージセン
サに結像して、その寸法が測定するものであるが、この
場合、ＩＣマスクに異物が存在すると、この異物とパタ
ーンＰＴとの明瞭な映像がえられることが、この発明の
発明者により確認されており、従来の斜め方向のレーザ
ビームの投射と反射光の受光方式に比較して、パターン
ＰＴと異物がより明確に区別できると期待され、これが
この発明のヒントである。
事柄について述べると、ＩＣマスクのパターンＰＴは、
その寸法測定が光学式の寸法測定器によりなされてお
り、この寸法測定器は、ＩＣマスクに対してレーザビー
ムを垂直に投射し、その反射光を垂直方向でＣＣＤカメ
ラに受光し、パターンＰＴの映像をＣＣＤイメージセン
サに結像して、その寸法が測定するものであるが、この
場合、ＩＣマスクに異物が存在すると、この異物とパタ
ーンＰＴとの明瞭な映像がえられることが、この発明の
発明者により確認されており、従来の斜め方向のレーザ
ビームの投射と反射光の受光方式に比較して、パターン
ＰＴと異物がより明確に区別できると期待され、これが
この発明のヒントである。
【００１０】すなわち、この発明の異物検出方法におい
ては、レーザビームＬT はＩＣマスクに対して垂直に投
射され、そのパターンとガラス基板およびこれらの付着
異物による反射光ＲL は、垂直方向に設けた第１のＣＣ
Ｄカメラに明瞭に結像して良好な映像信号ＳR がえら
れ、また、ガラス基板を透過した透過光ＴL は垂直方向
に設けた第２のＣＣＤカメラに結像してやはり良好な映
像信号ＳT がえられる。
ては、レーザビームＬT はＩＣマスクに対して垂直に投
射され、そのパターンとガラス基板およびこれらの付着
異物による反射光ＲL は、垂直方向に設けた第１のＣＣ
Ｄカメラに明瞭に結像して良好な映像信号ＳR がえら
れ、また、ガラス基板を透過した透過光ＴL は垂直方向
に設けた第２のＣＣＤカメラに結像してやはり良好な映
像信号ＳT がえられる。
【００１１】映像信号ＳR は第１の閾値ＶS1に比較され
て、ガラス基板とその付着異物とに対する信号成分が除
去され、パターンとその付着異物とに対する信号成分Ｓ
R ’が抽出される。この信号成分ＳR ’の波高値と、映
像信号ＳT の波高値は同一に調整され、両者を加算して
反転した反転信号［−（ＳR ’＋ＳT)］を合成すると、
これにはパターンの各エッジによるエッジ信号と、パタ
ーンまたはガラス基板の各付着異物に対する異物信号と
が現れる。エッジ信号は第２の閾値ＶS2に比較されて抽
出された後、除去され、異物信号は第３の閾値ＶS3に比
較されて各異物が検出される。
て、ガラス基板とその付着異物とに対する信号成分が除
去され、パターンとその付着異物とに対する信号成分Ｓ
R ’が抽出される。この信号成分ＳR ’の波高値と、映
像信号ＳT の波高値は同一に調整され、両者を加算して
反転した反転信号［−（ＳR ’＋ＳT)］を合成すると、
これにはパターンの各エッジによるエッジ信号と、パタ
ーンまたはガラス基板の各付着異物に対する異物信号と
が現れる。エッジ信号は第２の閾値ＶS2に比較されて抽
出された後、除去され、異物信号は第３の閾値ＶS3に比
較されて各異物が検出される。
【００１２】上記において、パターンと各異物を有する
テスト用のＩＣマスクを使用し、このＩＣマスクに対す
る第１ＣＣＤカメラの映像信号ＳR により、信号成分Ｓ
R ’を抽出する第１の閾値ＶS1が適切に定められ、また
これらの信号成分ＳR ’と映像信号ＳT との反転信号
［−（ＳR ’＋ＳT)］により、エッジ信号を抽出する第
２の閾値ＶS2と、異物信号を検出する第３の閾値ＶS3と
がそれぞれ適切に定められる。
テスト用のＩＣマスクを使用し、このＩＣマスクに対す
る第１ＣＣＤカメラの映像信号ＳR により、信号成分Ｓ
R ’を抽出する第１の閾値ＶS1が適切に定められ、また
これらの信号成分ＳR ’と映像信号ＳT との反転信号
［−（ＳR ’＋ＳT)］により、エッジ信号を抽出する第
２の閾値ＶS2と、異物信号を検出する第３の閾値ＶS3と
がそれぞれ適切に定められる。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明の一実施例における異物検
査装置の概略の構成図、図２は、図１に対する各部の信
号波形を示す波形図である。図１において、異物検査装
置は検出光学系４と異物検出部５よりなる。検出光学系
４は、レーザ光源41とプリズムミラー42、ハーフミラー
43、プリズムミラー44、第１のＣＣＤカメラ45a 、およ
び第２のＣＣＤカメラ45b よりなり、両ＣＣＤカメラ45
a.45b は撮像レンズ451 とＣＣＤイメージセンサ452 を
有する。異物検出部５は、信号処理回路51と、加算回路
52、反転回路53、エッジ抽出除去回路54、および異物検
出回路55よりなる。
査装置の概略の構成図、図２は、図１に対する各部の信
号波形を示す波形図である。図１において、異物検査装
置は検出光学系４と異物検出部５よりなる。検出光学系
４は、レーザ光源41とプリズムミラー42、ハーフミラー
43、プリズムミラー44、第１のＣＣＤカメラ45a 、およ
び第２のＣＣＤカメラ45b よりなり、両ＣＣＤカメラ45
a.45b は撮像レンズ451 とＣＣＤイメージセンサ452 を
有する。異物検出部５は、信号処理回路51と、加算回路
52、反転回路53、エッジ抽出除去回路54、および異物検
出回路55よりなる。
【００１４】レーザ光源41が出力するレーザビームＬT
は、プリズムミラー42により反射され、ハーフミラー43
を透過してＩＣマスク１に対して垂直に投射され、ある
範囲が照明される。パターンＰＴはクロムであるので、
レーザビームＬT を良好に反射し、ガラス基板11はせい
ぜい数％反射する。またこの照明範囲内に存在する異物
ｉは、ランダムな方向の散乱光を散乱し、これらを合成
した反射光ＲL はハーフミラー43を介して第１のＣＣＤ
カメラ45a に入射し、撮像レンズ451 によりＣＣＤイメ
ージセンサ452 に結像される。一方、投射されたレーザ
ビームＬT はクロムのパターンＰＴは透過しないが、ガ
ラス基板11は９０％以上透過し、これに付着した異物ｉ
は、レーザビームＬT を大部分遮断するが散乱光の一部
は透過する。これらの透過光ＴL はプリズムミラー44を
介して第２のＣＣＤカメラ45b に入射し、撮像レンズ45
1 によりＣＣＤイメージセンサ452 に結像される。
は、プリズムミラー42により反射され、ハーフミラー43
を透過してＩＣマスク１に対して垂直に投射され、ある
範囲が照明される。パターンＰＴはクロムであるので、
レーザビームＬT を良好に反射し、ガラス基板11はせい
ぜい数％反射する。またこの照明範囲内に存在する異物
ｉは、ランダムな方向の散乱光を散乱し、これらを合成
した反射光ＲL はハーフミラー43を介して第１のＣＣＤ
カメラ45a に入射し、撮像レンズ451 によりＣＣＤイメ
ージセンサ452 に結像される。一方、投射されたレーザ
ビームＬT はクロムのパターンＰＴは透過しないが、ガ
ラス基板11は９０％以上透過し、これに付着した異物ｉ
は、レーザビームＬT を大部分遮断するが散乱光の一部
は透過する。これらの透過光ＴL はプリズムミラー44を
介して第２のＣＣＤカメラ45b に入射し、撮像レンズ45
1 によりＣＣＤイメージセンサ452 に結像される。
【００１５】以下、図１に図２を併用して異物検出部５
の異物検出動作を説明する。第１のＣＣＤカメラ45a の
映像信号ＳR は、図２に示すように、良好な反射性能の
パターンＰＴによる高い波高値ｈP の波形があり、これ
に付着異物ｉ1 の弱い散乱光が重畳して凹んでいる。ま
た比較的小さい反射率のガラス基板11の低い波高値ｈGR
の波形は、その付着異物ｉ1 の弱い散乱光により凹んで
いる。ただし、パターンＰＴの両側のエッジＥg はほと
んど反射しないので、パターンＰＴとガラス基板11の波
形の間には、エッジＥg に対する深いギャップがある。
この映像信号ＳR は、信号処理回路51に入力して、これ
に設定されている波高値ｈGRよりやや大きい第１の閾値
ＶS1に比較され、ガラス基板11と付着異物ｉ2に対する
信号積分は除去され、パターンＰＴとその付着異物ｉ2
に対する、波高値ｈP ’の信号成分ＳR ’が抽出され
る。
の異物検出動作を説明する。第１のＣＣＤカメラ45a の
映像信号ＳR は、図２に示すように、良好な反射性能の
パターンＰＴによる高い波高値ｈP の波形があり、これ
に付着異物ｉ1 の弱い散乱光が重畳して凹んでいる。ま
た比較的小さい反射率のガラス基板11の低い波高値ｈGR
の波形は、その付着異物ｉ1 の弱い散乱光により凹んで
いる。ただし、パターンＰＴの両側のエッジＥg はほと
んど反射しないので、パターンＰＴとガラス基板11の波
形の間には、エッジＥg に対する深いギャップがある。
この映像信号ＳR は、信号処理回路51に入力して、これ
に設定されている波高値ｈGRよりやや大きい第１の閾値
ＶS1に比較され、ガラス基板11と付着異物ｉ2に対する
信号積分は除去され、パターンＰＴとその付着異物ｉ2
に対する、波高値ｈP ’の信号成分ＳR ’が抽出され
る。
【００１６】一方、第２のＣＣＤカメラ45b のＣＣＤイ
メージセンサ452 の映像信号ＳT は、良好な透過性能の
ガラス基板11による高い波高値ｈGTの波形があり、これ
が付着異物ｉ2 により遮断されて凹んでいる。上記によ
り抽出された信号成分ＳR ’は、信号処理回路51におい
て波高値が調整されて、映像信号ＳT と同一の波高値ｈ
C とされ、これらは加算回路52により加算され、ついで
反転回路53により極性が反転されて反転信号［−（Ｓ
R ’＋ＳT)が合成されると、これには図示のようにエッ
ジ信号ＳEgと異物信号Ｓi が現れる。反転信号［−（Ｓ
R ’＋ＳT)はエッジ抽出除去回路54に入力し、これに設
定されている第２の閾値ＶS2に比較されて、エッジ信号
ＳEgが抽出されて除去され、異物信号Ｓi のみが異物検
出回路55に入力し、これに設定されている第３の閾値Ｖ
S3に比較されて検出され、異物ｉのデータが出力され
る。
メージセンサ452 の映像信号ＳT は、良好な透過性能の
ガラス基板11による高い波高値ｈGTの波形があり、これ
が付着異物ｉ2 により遮断されて凹んでいる。上記によ
り抽出された信号成分ＳR ’は、信号処理回路51におい
て波高値が調整されて、映像信号ＳT と同一の波高値ｈ
C とされ、これらは加算回路52により加算され、ついで
反転回路53により極性が反転されて反転信号［−（Ｓ
R ’＋ＳT)が合成されると、これには図示のようにエッ
ジ信号ＳEgと異物信号Ｓi が現れる。反転信号［−（Ｓ
R ’＋ＳT)はエッジ抽出除去回路54に入力し、これに設
定されている第２の閾値ＶS2に比較されて、エッジ信号
ＳEgが抽出されて除去され、異物信号Ｓi のみが異物検
出回路55に入力し、これに設定されている第３の閾値Ｖ
S3に比較されて検出され、異物ｉのデータが出力され
る。
【００１７】なお、上記の第１、第２および第３の各閾
値ＶS1，ＶS2，ＶS2 は、パターンＰＴと、両異物ｉ1,
ｉ2 を有するテスト用のＩＣマスクを使用して、前記し
た方法により、それぞれが定められる。
値ＶS1，ＶS2，ＶS2 は、パターンＰＴと、両異物ｉ1,
ｉ2 を有するテスト用のＩＣマスクを使用して、前記し
た方法により、それぞれが定められる。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明の異物検
出方法によれば、異物とパターンＰＴの明瞭な映像がえ
られ、従来のレーザビームの投射方向と反射光の受光方
向とをともに斜め方向とする方式に比較して、両者がよ
り明確に区別されて、従来より微小な異物の検出を可能
とするもので、進展するパターンＰＴの微細化に対応し
て、異物検査装置の検出精度を向上できる効果には、大
きいものがある。
出方法によれば、異物とパターンＰＴの明瞭な映像がえ
られ、従来のレーザビームの投射方向と反射光の受光方
向とをともに斜め方向とする方式に比較して、両者がよ
り明確に区別されて、従来より微小な異物の検出を可能
とするもので、進展するパターンＰＴの微細化に対応し
て、異物検査装置の検出精度を向上できる効果には、大
きいものがある。
【図１】 図１は、この発明の一実施例における異物検
査装置の概略の構成図である。
査装置の概略の構成図である。
【図２】 図２は、図１に対する各部の信号波形を示す
波形図である。
波形図である。
【図３】 図３は、ＩＣマスクのパターンの一部と、付
着異物を例示する平面および断面図である。
着異物を例示する平面および断面図である。
【図４】 図４は、従来の異物検査装置の要部の概略構
成図である。
成図である。
１…ＩＣマスク、11…ガラス基板、４…この発明の検出
光学系、43…ハーフミラー、45a …第１のＣＣＤカメ
ラ、45b …第２のＣＣＤカメラ、451 …撮像レンズ、45
2 …ＣＣＤイメージセンサ、５…この発明の異物検出
部、51…信号処理回路、52…加算回路、53…反転回路54
…エッジ抽出除去回路、55…異物検出回路、ＰＴ…パタ
ーン、ｉ…付着異物、ＳR.ＳT …映像信号、ＶS1…第１
の閾値、ＶS2…第２の閾値、ＶS3…第３の閾値。
光学系、43…ハーフミラー、45a …第１のＣＣＤカメ
ラ、45b …第２のＣＣＤカメラ、451 …撮像レンズ、45
2 …ＣＣＤイメージセンサ、５…この発明の異物検出
部、51…信号処理回路、52…加算回路、53…反転回路54
…エッジ抽出除去回路、55…異物検出回路、ＰＴ…パタ
ーン、ｉ…付着異物、ＳR.ＳT …映像信号、ＶS1…第１
の閾値、ＶS2…第２の閾値、ＶS3…第３の閾値。
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス基板の表面にクロムのパターンが形
成されたＩＣマスクを対象とし、該ＩＣマスクに対して
レーザビームＬT を垂直に投射し、該パターンと該ガラ
ス基板およびこれらの付着異物による反射光ＲL を、垂
直方向に設けた第１の撮像装置に結像し、かつ該ガラス
基板を透過した透過光ＴL を、垂直方向に設けた第２の
撮像装置に結像し、該第１の撮像装置の映像信号ＳR を
第１の閾値ＶS1に比較して、該ガラス基板とその付着異
物とに対する信号成分を除去して、該パターンとその付
着異物とに対する信号成分ＳR ’を抽出し、該抽出され
た信号成分ＳR’の波高値と、該第２の撮像装置の映像
信号ＳT の波高値とを同一に調整し、両者を加算して反
転した反転信号［−（ＳR ’＋ＳT)］を合成し、該反転
信号［−（ＳR ’＋ＳT)］に現れる前記パターンの各エ
ッジによるエッジ信号を、第２の閾値ＶS2に比較して抽
出した後、除去し、該各エッジ信号が除去された反転信
号［−（ＳR ’＋ＳT)］に残存する、該パターンまたは
ガラス基板の付着異物による異物信号を、第３の閾値Ｖ
S3に比較して該各異物を検出することを特徴とする、Ｉ
Ｃマスクの異物検出方法。 - 【請求項２】第１および第２の撮像装置はＣＣＤ受光素
子を用いるカメラであり、予め、前記パターンと前記各
異物を有するテスト用のＩＣマスクを使用して、該ＩＣ
マスクに対する前記第１および第２のＣＣＤカメラの映
像信号ＳR ，ＳT を求め、該映像信号ＳR により、前記
パターンとその付着異物とに対する信号成分ＳR ’を抽
出する第１の閾値ＶS1を定め、該信号成分ＳR ’と該映
像信号ＳT との反転信号［−（ＳR ’＋ＳT)］により、
前記エッジ信号を抽出する第２の閾値ＶS2と、前記異物
信号を検出する第３の閾値ＶS3とをそれぞれ定めること
を特徴とする、請求項１記載のＩＣマスクの異物検出方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17701396A JPH102863A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | Ｉｃマスクの異物検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17701396A JPH102863A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | Ｉｃマスクの異物検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH102863A true JPH102863A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=16023645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17701396A Pending JPH102863A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | Ｉｃマスクの異物検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH102863A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096296A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Lasertec Corp | 異物検査方法及びその異物検査方法を用いた異物検査装置 |
| CN104303048A (zh) * | 2012-03-20 | 2015-01-21 | 科磊股份有限公司 | 使用反射及透射图来检测光罩劣化 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP17701396A patent/JPH102863A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096296A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Lasertec Corp | 異物検査方法及びその異物検査方法を用いた異物検査装置 |
| CN104303048A (zh) * | 2012-03-20 | 2015-01-21 | 科磊股份有限公司 | 使用反射及透射图来检测光罩劣化 |
| US9417191B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Using reflected and transmission maps to detect reticle degradation |
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