JPH07176481A - 多層膜作成装置 - Google Patents
多層膜作成装置Info
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- JPH07176481A JPH07176481A JP34527993A JP34527993A JPH07176481A JP H07176481 A JPH07176481 A JP H07176481A JP 34527993 A JP34527993 A JP 34527993A JP 34527993 A JP34527993 A JP 34527993A JP H07176481 A JPH07176481 A JP H07176481A
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】薄膜の膜厚制御を可能にするとともに、ターゲ
ットのエロージョンを均一にし、酸素等の補足を十分に
行い、薄膜に酸素等の欠損の発生を防止することの可能
な多層膜作成装置を提供することにある。 【構成】真空チャンバー２１内に基板２５と複数のター
ゲット２４を対向するように配設し、プラズマ放電中の
イオンでターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を
作成する多層膜作成装置において、上記基板を載置し、
回転させる基板回転機構と、上記基板方向に活性ガスお
よびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパッタ粒
子供給機構と、上記ターゲットをカソード２３に取り付
けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させる
ようにヘリカルコイル３３を配設し、そのヘリカルコイ
ルに高周波発振源３４を接続した高真空高速プラズマス
パッタ源とを備えた。
ットのエロージョンを均一にし、酸素等の補足を十分に
行い、薄膜に酸素等の欠損の発生を防止することの可能
な多層膜作成装置を提供することにある。 【構成】真空チャンバー２１内に基板２５と複数のター
ゲット２４を対向するように配設し、プラズマ放電中の
イオンでターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を
作成する多層膜作成装置において、上記基板を載置し、
回転させる基板回転機構と、上記基板方向に活性ガスお
よびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパッタ粒
子供給機構と、上記ターゲットをカソード２３に取り付
けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させる
ようにヘリカルコイル３３を配設し、そのヘリカルコイ
ルに高周波発振源３４を接続した高真空高速プラズマス
パッタ源とを備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高真空中に設けられた
基板の表面に金属や酸化物等の多層膜を形成するときに
使用される多層膜作成装置に関するものである。
基板の表面に金属や酸化物等の多層膜を形成するときに
使用される多層膜作成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層膜作成装置には種々のものが
あるが、その一例が図４に示されている。同図におい
て、真空チャンバー１内の下部には２つのカソード２が
並列に配置され、各カソード２の上にはターゲット３が
載置されている。真空チャンバー１内の上部には基板４
を載せた基板用ターンテーブル９がカソード２およびタ
ーゲット３と対向するように配設されている。基板４の
背後には基板加熱機構５が配設されている。ターゲット
３前方の基板４側にはシャッタ６が配設されている。カ
ソード２にはスパッタ電源７が接続されている。なお、
図中、８は膜厚モニタである。
あるが、その一例が図４に示されている。同図におい
て、真空チャンバー１内の下部には２つのカソード２が
並列に配置され、各カソード２の上にはターゲット３が
載置されている。真空チャンバー１内の上部には基板４
を載せた基板用ターンテーブル９がカソード２およびタ
ーゲット３と対向するように配設されている。基板４の
背後には基板加熱機構５が配設されている。ターゲット
３前方の基板４側にはシャッタ６が配設されている。カ
ソード２にはスパッタ電源７が接続されている。なお、
図中、８は膜厚モニタである。
【０００３】このような従来の１例においては、カソー
ド２と基板４との間でプラズマ放電が起こり、そのプラ
ズマ中のイオンターゲット３をスパッタし、基板４の表
面にターゲット３より飛び出したスパッタ粒子が付着し
て薄膜が形成されるようになる。その際、各カソード２
の上にターゲット３を載置しているので、一つのターゲ
ット３をスパッタして、基板４に一層目の薄膜を形成し
た後、基板用ターンテーブル９を回転させて、基板４を
別のターゲット３と対向させるようにし、その後、その
別のターゲット３をスパッタして、一層目の薄膜の上に
二層目の薄膜を形成する。そして、このような手順をお
こなうことによって、基板４の表面に多層膜を形成する
ようにする。
ド２と基板４との間でプラズマ放電が起こり、そのプラ
ズマ中のイオンターゲット３をスパッタし、基板４の表
面にターゲット３より飛び出したスパッタ粒子が付着し
て薄膜が形成されるようになる。その際、各カソード２
の上にターゲット３を載置しているので、一つのターゲ
ット３をスパッタして、基板４に一層目の薄膜を形成し
た後、基板用ターンテーブル９を回転させて、基板４を
別のターゲット３と対向させるようにし、その後、その
別のターゲット３をスパッタして、一層目の薄膜の上に
二層目の薄膜を形成する。そして、このような手順をお
こなうことによって、基板４の表面に多層膜を形成する
ようにする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の多層膜作成装置
の１例は、上記のようにプラズマ放電が起こるカソード
２と基板４との間の距離が短かく限定されているため、
膜厚モニタ８の配置に制約が生じるようになる。それゆ
え、膜厚モニタ８の配置の仕方によっては、基板４の表
面に実際に形成される膜厚と、膜厚モニタ８に表示され
る膜厚とに違いが起こり、正確な膜厚制御が出来なくな
る問題が起きた。
の１例は、上記のようにプラズマ放電が起こるカソード
２と基板４との間の距離が短かく限定されているため、
膜厚モニタ８の配置に制約が生じるようになる。それゆ
え、膜厚モニタ８の配置の仕方によっては、基板４の表
面に実際に形成される膜厚と、膜厚モニタ８に表示され
る膜厚とに違いが起こり、正確な膜厚制御が出来なくな
る問題が起きた。
【０００５】また、基板用ターンテーブル９を回転させ
ることによって、基板４の位置を変え、そして、基板４
の表面に多層膜を形成するようにしているが、多層膜の
それぞれの薄膜の膜厚を制御することは難しい問題が起
きた。
ることによって、基板４の位置を変え、そして、基板４
の表面に多層膜を形成するようにしているが、多層膜の
それぞれの薄膜の膜厚を制御することは難しい問題が起
きた。
【０００６】更に、各ターゲット３のエロージョンが必
ずしも均一にはならず、不均一になり易くなる問題が起
きた。
ずしも均一にはならず、不均一になり易くなる問題が起
きた。
【０００７】更にその上、酸素等のガスを供給して、酸
素等の補足を行うことが必ずしも完全とはいえないた
め、薄膜に酸素等の欠損が発生する問題が起きた。
素等の補足を行うことが必ずしも完全とはいえないた
め、薄膜に酸素等の欠損が発生する問題が起きた。
【０００８】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、薄膜の膜厚制御を可能にするとともに、ターゲッ
トのエロージョンを均一にし、酸素等の補足を十分に行
い、薄膜に酸素等の欠損の発生を防止することの可能な
多層膜作成装置を提供することにある。
して、薄膜の膜厚制御を可能にするとともに、ターゲッ
トのエロージョンを均一にし、酸素等の補足を十分に行
い、薄膜に酸素等の欠損の発生を防止することの可能な
多層膜作成装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、真空チャンバー内に基板と複数のター
ゲットを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオ
ンで複数のターゲットを交互にスパッタして基板の表面
に多層膜を作成する多層膜作成装置において、上記基板
を載置し、回転させる基板回転機構と、上記基板方向に
活性ガスおよびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよび
スパッタ粒子供給機構と、上記ターゲットをカソードに
取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交
させるようにヘリカルコイルを配設し、そのヘリカルコ
イルに高周波発振源を接続した複数の高真空高速プラズ
マスパッタ源とを備えたものである。
に、この発明は、真空チャンバー内に基板と複数のター
ゲットを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオ
ンで複数のターゲットを交互にスパッタして基板の表面
に多層膜を作成する多層膜作成装置において、上記基板
を載置し、回転させる基板回転機構と、上記基板方向に
活性ガスおよびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよび
スパッタ粒子供給機構と、上記ターゲットをカソードに
取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交
させるようにヘリカルコイルを配設し、そのヘリカルコ
イルに高周波発振源を接続した複数の高真空高速プラズ
マスパッタ源とを備えたものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、基板とカソードとの間で
放電が起こりプラズマが発生するが、プラズマ中のヘリ
コン波はヘリカルコイルにより励起され、高真空高速プ
ラズマスパッタ源内で高密度プラズマが生成される。こ
の高密度プラズマ中のイオンはターゲットをスパッタ
し、スパッタ粒子が基板に付着して、そこに薄膜が形成
されるようになる。その際、複数のターゲットの一つを
スパッタして、基板に一層目の薄膜を形成した後、別の
ターゲットをスパッタして一層目の薄膜の上に二層目の
薄膜を形成して、基板に多層膜が形成されるようにな
る。そのとき、基板回転機構で基板を回転すると、膜厚
の調整ができるようになる。更に、基板方向に活性ガス
およびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパッタ
粒子供給機構を備えているので、真空チャンバー内に活
性ガスの補足が可能になり、薄膜に酸素等の欠損の発生
を防止することができるようになる。更にその上、高真
空高速イオン源内で生成した高密度プラズマ中のイオン
でターゲットをスパッタするので、ターゲットのエロー
ジョンが不均一にならず、均一になる。
放電が起こりプラズマが発生するが、プラズマ中のヘリ
コン波はヘリカルコイルにより励起され、高真空高速プ
ラズマスパッタ源内で高密度プラズマが生成される。こ
の高密度プラズマ中のイオンはターゲットをスパッタ
し、スパッタ粒子が基板に付着して、そこに薄膜が形成
されるようになる。その際、複数のターゲットの一つを
スパッタして、基板に一層目の薄膜を形成した後、別の
ターゲットをスパッタして一層目の薄膜の上に二層目の
薄膜を形成して、基板に多層膜が形成されるようにな
る。そのとき、基板回転機構で基板を回転すると、膜厚
の調整ができるようになる。更に、基板方向に活性ガス
およびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパッタ
粒子供給機構を備えているので、真空チャンバー内に活
性ガスの補足が可能になり、薄膜に酸素等の欠損の発生
を防止することができるようになる。更にその上、高真
空高速イオン源内で生成した高密度プラズマ中のイオン
でターゲットをスパッタするので、ターゲットのエロー
ジョンが不均一にならず、均一になる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例の窒化物薄膜作成
装置は図１に示されており、同図において、真空チャン
バー２１内の下部には２つの高真空高速プラズマスパッ
タ源２２がハの字状に並列に配置され、その高真空高速
プラズマスパッタ源２２のカソード２３の上にはターゲ
ット２４が載置されている。真空チャンバー２１内の上
部には基板２５を載せた基板回転機構２６が配設され、
基板２５がターゲット２４と対向している。基板２５の
背後には基板加熱機構２７が配設されている。また、高
真空高速プラズマスパッタ源２２前方のターゲット２４
側にはシャッタ２８が配設されている。更に、真空チャ
ンバー２１には活性ガスおよびスパッタ粒子供給機構２
８が設けられ、その活性ガスおよびスパッタ粒子供給機
構２８より基板２５方向に活性ガスおよびスパッタ粒子
が供給されるようになる。なお、図中、２９は高周波電
源、３０は膜厚モニタである。
しながら説明する。この発明の実施例の窒化物薄膜作成
装置は図１に示されており、同図において、真空チャン
バー２１内の下部には２つの高真空高速プラズマスパッ
タ源２２がハの字状に並列に配置され、その高真空高速
プラズマスパッタ源２２のカソード２３の上にはターゲ
ット２４が載置されている。真空チャンバー２１内の上
部には基板２５を載せた基板回転機構２６が配設され、
基板２５がターゲット２４と対向している。基板２５の
背後には基板加熱機構２７が配設されている。また、高
真空高速プラズマスパッタ源２２前方のターゲット２４
側にはシャッタ２８が配設されている。更に、真空チャ
ンバー２１には活性ガスおよびスパッタ粒子供給機構２
８が設けられ、その活性ガスおよびスパッタ粒子供給機
構２８より基板２５方向に活性ガスおよびスパッタ粒子
が供給されるようになる。なお、図中、２９は高周波電
源、３０は膜厚モニタである。
【００１２】図２は高真空高速プラズマスパッタ源２２
の詳細を示しており、同図において、真空ケース３２の
下部にはカソード２３が取り付けられ、そのカソード２
３の上にはターゲット２４が載置されている。真空ケー
ス３２内にはヘリカルコイル３３が配設され、そのヘリ
カルコイル３３の中心軸はターゲット２４面に直交して
いる。ヘリカルコイル３３には高周波発振源３４が接続
されている。図２において、３５は電磁石、３６は高周
波電源、３７は永久磁石である。
の詳細を示しており、同図において、真空ケース３２の
下部にはカソード２３が取り付けられ、そのカソード２
３の上にはターゲット２４が載置されている。真空ケー
ス３２内にはヘリカルコイル３３が配設され、そのヘリ
カルコイル３３の中心軸はターゲット２４面に直交して
いる。ヘリカルコイル３３には高周波発振源３４が接続
されている。図２において、３５は電磁石、３６は高周
波電源、３７は永久磁石である。
【００１３】図３は活性ガスおよびスパッタ粒子供給機
構２８の詳細を示しており、同図において、筒状のケー
シング４１の先端部の内側にはこの内側と間隔を置くよ
うに内部がプラズマ室４２ａになった耐熱性および絶縁
性を有する有底形状のプラズマセル４２が取り付けられ
ている。プラズマセル４２の開口部にはこれを覆うよう
に中央部にアパーチャ４３ａをもつグリッド４３が取り
付けられている。グリッド４３の前面には絶縁物４４を
介して中央部にアパーチャ４５ａをもつ引き出し電極４
５が取り付けられ、更に、その引き出し電極４５の前面
には絶縁物４６を介して中央部にアパーチャ４７ａをも
つアース電極４７が取り付けられ、各アパーチャ４３ａ
４５ａ ４７ａはケーシング４１の軸線上に一列にな
っている。プラズマセル４２の外周には、高周波電源２
９に接続された高周波コイル４９が巻回されている。プ
ラズマセル４２の底部背後には高周波コイル４９の軸線
と平行な磁場を形成するように永久磁石５０が高周波コ
イル４９の軸線と一致するケーシング４１の軸線上に配
置されている。プラズマセル４２のプラズマ室４２ａ側
の底部にはスパッタターゲット５５が取り付けられてい
る。図３において、５１はガス導入口、５２はガス導入
管、５３は磁石ホルダーである。
構２８の詳細を示しており、同図において、筒状のケー
シング４１の先端部の内側にはこの内側と間隔を置くよ
うに内部がプラズマ室４２ａになった耐熱性および絶縁
性を有する有底形状のプラズマセル４２が取り付けられ
ている。プラズマセル４２の開口部にはこれを覆うよう
に中央部にアパーチャ４３ａをもつグリッド４３が取り
付けられている。グリッド４３の前面には絶縁物４４を
介して中央部にアパーチャ４５ａをもつ引き出し電極４
５が取り付けられ、更に、その引き出し電極４５の前面
には絶縁物４６を介して中央部にアパーチャ４７ａをも
つアース電極４７が取り付けられ、各アパーチャ４３ａ
４５ａ ４７ａはケーシング４１の軸線上に一列にな
っている。プラズマセル４２の外周には、高周波電源２
９に接続された高周波コイル４９が巻回されている。プ
ラズマセル４２の底部背後には高周波コイル４９の軸線
と平行な磁場を形成するように永久磁石５０が高周波コ
イル４９の軸線と一致するケーシング４１の軸線上に配
置されている。プラズマセル４２のプラズマ室４２ａ側
の底部にはスパッタターゲット５５が取り付けられてい
る。図３において、５１はガス導入口、５２はガス導入
管、５３は磁石ホルダーである。
【００１４】このような実施例においては、基板２５と
カソード２３との間で放電が起こりプラズマが発生する
が、プラズマ中のヘリコン波はヘリカルコイル３３によ
り励起され、高真空高速プラズマスパッタ源２２内で高
密度プラズマが生成される。この高密度プラズマ中のイ
オンはターゲット２４をスパッタし、スパッタ粒子が基
板２５に付着して、そこに薄膜が形成されるようにな
る。その際、複数のターゲット２４の一つをスパッタし
て、基板２５に一層目の薄膜を形成した後、別のターゲ
ット２４をスパッタして一層目の薄膜の上に二層目の薄
膜を形成して、基板２５に多層膜が形成されるようにな
る。そのとき、基板回転機構２６で基板２５を回転する
と、膜厚の調整ができるようになる。更に、活性ガスお
よびスパッタ粒子供給機構２８のプラズマセル４２のプ
ラズマ室４２ａ内に発生したプラズマによって、ガス導
入口５１内に放出された酸素が活性化されると共に、イ
オンによってスパッタターゲット５５がスパッタされる
ので、基板２５の方向に活性ガスおよびスパッタ粒子が
供給される。そのため、真空チャンバー２１内に活性ガ
スの補足が可能になり、薄膜に酸素等の欠損の発生を防
止することができるようになる。更にその上、高真空高
速プラズマスパッタ源２２内で生成した高密度プラズマ
中のイオンでターゲット２４をスパッタするので、ター
ゲット２４のエロージョンが不均一にならず、均一にな
る。
カソード２３との間で放電が起こりプラズマが発生する
が、プラズマ中のヘリコン波はヘリカルコイル３３によ
り励起され、高真空高速プラズマスパッタ源２２内で高
密度プラズマが生成される。この高密度プラズマ中のイ
オンはターゲット２４をスパッタし、スパッタ粒子が基
板２５に付着して、そこに薄膜が形成されるようにな
る。その際、複数のターゲット２４の一つをスパッタし
て、基板２５に一層目の薄膜を形成した後、別のターゲ
ット２４をスパッタして一層目の薄膜の上に二層目の薄
膜を形成して、基板２５に多層膜が形成されるようにな
る。そのとき、基板回転機構２６で基板２５を回転する
と、膜厚の調整ができるようになる。更に、活性ガスお
よびスパッタ粒子供給機構２８のプラズマセル４２のプ
ラズマ室４２ａ内に発生したプラズマによって、ガス導
入口５１内に放出された酸素が活性化されると共に、イ
オンによってスパッタターゲット５５がスパッタされる
ので、基板２５の方向に活性ガスおよびスパッタ粒子が
供給される。そのため、真空チャンバー２１内に活性ガ
スの補足が可能になり、薄膜に酸素等の欠損の発生を防
止することができるようになる。更にその上、高真空高
速プラズマスパッタ源２２内で生成した高密度プラズマ
中のイオンでターゲット２４をスパッタするので、ター
ゲット２４のエロージョンが不均一にならず、均一にな
る。
【００１５】
【発明の効果】この発明は、次のような効果をもってい
る。 高真空高速プラズマスパッタ源内の高密度プラズマ中
のイオンでターゲットをスパッタして、基板に薄膜を形
成するようにしているので、基板の表面に実際に形成さ
れる膜厚と、膜厚モニタに表示される膜厚とに違いが小
さくなり、正確な膜厚制御が可能になる。 複数のターゲットの一つをスパッタして、基板に一層
目の薄膜を形成した後、別のターゲットをスパッタして
一層目の薄膜の上に二層目の薄膜を形成して、基板に多
層膜を形成するようにしているので、基板回転機構で基
板を回転させると、膜厚の調整ができるようになる。 基板方向に活性ガスおよびスパッタ粒子を供給する活
性ガスおよびスパッタ粒子供給機構を備えているので、
真空チャンバー内に活性ガスの補足が可能になり、薄膜
に酸素等の欠損の発生を防止することができるようにな
る。 高真空高速プラズマスパッタ源内の高密度プラズマ中
のイオンでターゲットをスパッタするようにしているの
で、ターゲットを均一にエロージョンすることが可能に
なる。
る。 高真空高速プラズマスパッタ源内の高密度プラズマ中
のイオンでターゲットをスパッタして、基板に薄膜を形
成するようにしているので、基板の表面に実際に形成さ
れる膜厚と、膜厚モニタに表示される膜厚とに違いが小
さくなり、正確な膜厚制御が可能になる。 複数のターゲットの一つをスパッタして、基板に一層
目の薄膜を形成した後、別のターゲットをスパッタして
一層目の薄膜の上に二層目の薄膜を形成して、基板に多
層膜を形成するようにしているので、基板回転機構で基
板を回転させると、膜厚の調整ができるようになる。 基板方向に活性ガスおよびスパッタ粒子を供給する活
性ガスおよびスパッタ粒子供給機構を備えているので、
真空チャンバー内に活性ガスの補足が可能になり、薄膜
に酸素等の欠損の発生を防止することができるようにな
る。 高真空高速プラズマスパッタ源内の高密度プラズマ中
のイオンでターゲットをスパッタするようにしているの
で、ターゲットを均一にエロージョンすることが可能に
なる。
【図１】この発明の実施例の説明図
【図２】この発明の実施例に用いられる高真空高速プラ
ズマスパッタ源の詳細を示す説明図
ズマスパッタ源の詳細を示す説明図
【図３】この発明の実施例に用いられる活性ガスおよび
スパッタ粒子供給機構の詳細を示す説明図
スパッタ粒子供給機構の詳細を示す説明図
【図４】従来の多層膜作成装置を示す説明図
２１・・・・・・・真空チャンバー ２２・・・・・・・高真空高速プラズマスパッタ源 ２３・・・・・・・カソード ２４・・・・・・・ターゲット ２５・・・・・・・基板 ２６・・・・・・・基板回転機構 ２７・・・・・・・基板加熱機構 ２８・・・・・・・活性ガスおよびスパッタ粒子供給機
構 ２９・・・・・・・高周波電源 ３０・・・・・・・膜厚モニタ ３２・・・・・・・真空ケース ３３・・・・・・・ヘリカルコイル ３４・・・・・・・高周波発振源 ３５・・・・・・・電磁石 ３６・・・・・・・高周波電源 ３７・・・・・・・永久磁石
構 ２９・・・・・・・高周波電源 ３０・・・・・・・膜厚モニタ ３２・・・・・・・真空ケース ３３・・・・・・・ヘリカルコイル ３４・・・・・・・高周波発振源 ３５・・・・・・・電磁石 ３６・・・・・・・高周波電源 ３７・・・・・・・永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ 8826−4Ｍ 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】真空チャンバー内に基板と複数のターゲッ
トを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオンで
複数のターゲットを交互にスパッタして基板の表面に多
層膜を作成する多層膜作成装置において、上記基板を載
置し、回転させる基板回転機構と、上記基板方向に活性
ガスおよびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパ
ッタ粒子供給機構と、上記ターゲットをカソードに取り
付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させ
るようにヘリカルコイルを配設し、そのヘリカルコイル
に高周波発振源を接続した複数の高真空高速プラズマス
パッタ源とを備えた多層膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34527993A JPH07176481A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 多層膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34527993A JPH07176481A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 多層膜作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176481A true JPH07176481A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18375520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34527993A Pending JPH07176481A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 多層膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176481A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011017087A (ja) * | 2010-09-13 | 2011-01-27 | Ulvac Japan Ltd | ヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置 |
| CN102330126A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-01-25 | 南京航空航天大学 | 多元喷射电沉积加工多层膜的方法及装置 |
| JP2016079438A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 凸版印刷株式会社 | フレシキブル基板上への気相成長法による成膜方法 |
| US10422037B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-09-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
| US10685817B2 (en) | 2015-03-17 | 2020-06-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Film forming apparatus |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP34527993A patent/JPH07176481A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011017087A (ja) * | 2010-09-13 | 2011-01-27 | Ulvac Japan Ltd | ヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置 |
| CN102330126A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-01-25 | 南京航空航天大学 | 多元喷射电沉积加工多层膜的方法及装置 |
| US10422037B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-09-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
| JP2016079438A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 凸版印刷株式会社 | フレシキブル基板上への気相成長法による成膜方法 |
| US10685817B2 (en) | 2015-03-17 | 2020-06-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Film forming apparatus |
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