JPH07176589A

JPH07176589A - 製造装置および製造方法

Info

Publication number: JPH07176589A
Application number: JP5342572A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Ushijima; 満牛島; Masami Akumoto; 正己飽本; Osamu Hirakawa; 修平河; Yoshio Kimura; 義雄木村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1993-12-13
Filing date: 1993-12-13
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】処理工程を必要に応じて選択的に変更が可能
で、処理のスループットを向上させる。【構成】被処理体を一枚毎にアライメントするアライ
メント手段に前記被処理体を搬送する第一の搬送アーム
と、前記アライメント手段の被処理体を受け取って共通
搬送路に沿ってＸ方向に移動可能な被処理体の搬送を行
う第二の搬送手段と、前記共通搬送路に沿って両側に対
向して配置された複数の処理室とを備え、前記第一の搬
送手段は、前記各処理室に対向して位置決めされ、前記
被処理体を前記各処理装置へ搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、製造装置および製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置の製造には、シリコ
ンのような半導体単結晶のウエハーにトランジスタ等の
素子を形成するために、多数の微細加工工程が含まれ
る。その中で、ウエハーの表面に所定のレジストパター
ンを形成するＰＥＰ（ｐｈｏｔ−ｏｅｎｇｒａｖｉｎｇ
ｐｒｏｃｅｓｓ）は非常に重要な地位を占める。何故
なら、ＰＥＰで形成されるレジストパターンはエッチン
グマスク等として使用され、現在の微細加工技術の基礎
を提供するからである。

【０００３】ＰＥＰにおけるレジストパターンの形成
は、ウエハー表面にフォトレジストを塗布して均一な膜
厚のフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジ
スト膜の所定領域を選択的に露光する工程と、該露光さ
れたフォトレジスト膜を現像して所望のレジストパター
ンを形成する工程とからなる。このうち露光工程は、例
えばステップ・アンド・リピート・アライナー（ステッ
パーと称される）等の露光装置を用いて行われる。他
方、基板表面にフォトレジスト膜を形成する工程は、例
えば以下に説明する装置を用いて行われる。

【０００４】図７は、トラック方式と呼ばれるフォトレ
ジスト膜形成装置での処理手順を示すフローチャートで
ある。この装置は図示のように、夫々予備加熱工程４、
冷却工程５、塗布工程６、加熱工程８を行う処理ステー
ションを有している。表面にフォトレジスト膜を形成す
べき半導体ウエハー１は、カセット状容器２に収納され
てこの装置に導入される。半導体ウエハー１は一枚づつ
カセット２から取出され、ベルト搬送機構３により順次
各処理ステーションに搬送され、所定の処理を施され
る。予備加熱工程４において、ウエハー１は加熱により
水分を除去される。予備加熱されたウエハー１は、冷却
工程５で冷却された後、塗布工程６に送られる。塗布工
程６では、例えばスピンナーコーター（ｓｐｉｎｎｅｒ
ｃｏａｔ−ｅｒ）等の塗布装置により、ウエハー１の
表面にフォトレジストが均一に塗布される。フォトレジ
ストを塗布されたウエハー１は、ウォーキングビーム方
式と称される搬送機構７を具備した加熱工程８に送られ
る。この加熱工程８で加熱されることにより、ウエハー
に塗布されたフォトレジスト液は膜状に安定化される。
加熱工程８を終了し、表面に初期のフォトレジスト薄膜
が形成されたウエハー９は、ベルト搬送機構３により、
処理済みウエハーを収納するためのカセット１０に収納
される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
装置においては夫々の独立した処理ステーションが直列
に配置され、処理されるべき半導体ウエハーはこれらの
ステーションを所定の順序で、かつ一方通行で必ず通
り、必要の有無に関係なく処理を受けなければならない
ようになっている。このため、一旦設定された処理順序
を任意に変更することはできず、また或る処理ステーシ
ョンだけを選択的に通過させることも不可能であった。

【０００６】これに対し、半導体ウエハー１に半導体素
子を形成するに必要な処理工程はその順序も含めて、ウ
エハー１に形成されるＩＣの種類によって変わる。にも
かかわらず、上記従来のフォトレジスト膜形成装置で
は、或る処理工程が不要な半導体ウエハーについても総
ての処理工程を実施せざるを得ないため、スループット
を向上する妨げとなっている。

【０００７】従って、処理すべき半導体ウエハー１の種
類に応じ、装置に設けられた処理ステーションのうち、
どの処理ステーションをどの順序で使用するかを任意に
変更できる装置が望まれる。

【０００８】本発明は、上述の従来事情に対処してなさ
れたもので、処理工程を必要に応じ選択的に変更が可能
で処理のスループットが高い製造装置を提供しようとす
るものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、被処理体
を一枚毎にアライメントするアライメント手段に前記被
処理体を搬送する第一の搬送アームと、

【００１０】前記アライメント手段の被処理体を受け取
って共通搬送路に沿ってＸ方向に移動可能な被処理体の
搬送を行う第二の搬送手段と、

【００１１】前記共通搬送路に沿って両側に対向して配
置された複数の処理室とを備え、

【００１２】前記第一の搬送手段は、前記各処理室に対
向して位置決めされ、前記被処理体を前記各処理装置へ
搬送することを特徴とする。

【００１３】第２の発明は、複数の被処理体を収納する
カセットを備え、

【００１４】このカセットから取り出した被処理体を前
記アライメント手段に、前記第一の搬送アームにより搬
送することを特徴とする。

【００１５】第３の発明は、前記第一の搬送アームは、
Ｙ方向に移動可能であり、前記カセットをこの第一の搬
送アームの移動路に沿って複数載置可能であることを特
徴とする。

【００１６】第４の発明は、被処理体を保持して直線状
に移動する搬送装置と、

【００１７】この搬送装置の移動路に沿って設けられた
複数の処理ステーションと、

【００１８】前記搬送装置により被処理体を予め定めら
れた工程順に従って前記処理ステーションに搬送する手
段と、

【００１９】この手段により搬送された各処理ステーシ
ョンにおいて処理済被処理体を搬出し、未処理被処理体
を搬入する操作を前記搬送装置により実行する手段とを
具備してなることを特徴とする。

【００２０】第５の発明は、未処理被処理体の収納され
た容器から前記未処理被処理体を一枚づつ搬出する工程
と、

【００２１】この工程により搬出された未処理被処理体
を位置合せする工程と、

【００２２】この工程により位置合せされた未処理被処
理体を直線状に搬送して第一の処理ステーションに移動
させ第一の処理済被処理体を搬出した後、未処理被処理
体を搬入する工程と、

【００２３】この工程により搬出した前記第一の処理済
被処理体を予め定められた第二の処理ステーションに移
動し、第二の処理済被処理体の搬出後前記第一の処理済
被処理体を搬入する工程と、

【００２４】この工程の後前記処理済被処理体を位置合
せする工程と、

【００２５】この工程により位置合せされた前記処理済
被処理体を容器内に収納する工程とを具備してなること
を特徴とする。

【００２６】第６の発明は、カセットに収納された被処
理体を搬入搬出するとともに、被処理体の位置決めを行
う搬入搬出機構と、

【００２７】この搬入搬出機構から被処理体を受取ると
ともに、直線状を往復移動して被処理体を搬送する搬送
機構と、

【００２８】この搬送機構が往復移動する直線状の移動
路の両側に設けられた複数の処理部と、

【００２９】これらの複数の処理部に対して、処理の順
序を任意に設定できる制御機構を設けたことを特徴とす
る。

【００３０】第７の発明は、カセットに収納された被処
理体を搬入搬出するとともに、被処理体の位置決めを行
う搬入搬出機構と、

【００３１】この搬入搬出機構から被処理体を受取ると
ともに、直線状を往復移動して被処理体を搬送する搬送
機構と、

【００３２】この搬送機構が往復移動する直線状の移動
路の片側に沿って設けられた少なくとも１つの加熱処理
部と、この加熱処理部と対向する側に沿って設けられた
少なくとも１つの処理済塗布部と、

【００３３】前記少なくとも１つの加熱処理部と前記少
なくとも１つの処理液塗布部に対して、被処理体を搬入
搬出するに際し、処理済被処理体を搬出するとともに、
未処理被処理体を搬入する制御手段を設けたことを特徴
とする。

【００３４】第８の発明は、被処理体が収納されたカセ
ットから搬入搬出機構により被処理体を搬出する工程
と、

【００３５】この被処理体を前記搬入搬出機構により位
置決めした後、直線状の搬送路を往復移動する搬送機構
に受渡す工程と、

【００３６】直線状の搬送路を移動して、直線状の搬送
路に沿って搬送する工程と、

【００３７】前記搬送機構によって前記直線状の搬送路
に沿って設けられた複数の処理ステーションに被処理体
を搬入搬出する工程と、

【００３８】被処理体を搬入された後、処理ステーショ
ンにおいて被処理体に処理を行う工程と、

【００３９】前記搬送機構から前記搬入搬出機構に被処
理体を受け渡す工程と、

【００４０】受渡された被処理体を前記搬入搬出機構に
よりカセットに収納する工程とからなることを特徴とす
る。

【００４１】

【作用】本発明製造装置および製造方法では、対向配置
された複数の工程間を選択して被処理体を搬送できるよ
うにした処理装置により、被処理体の種類に応じた処理
工程を選択し得る。

【００４２】

【実施例】以下、本発明製造装置を塗布現像装置に適用
した一実施例を図面に参照して説明する。

【００４３】図１は、フォトレジスト膜の塗布現像装置
１００を示す平面図であり、図中、１０１は本体基台で
ある。この基台１０１の中央部には、矢印Ｙ方向（横方
向）に延設された通路１０２が設けられている。この通
路１０２の一方の側には、未処理の半導体ウエハーを加
熱して水分等を除去するためのＨＭＤＳ処理を伴うか、
又は単に加熱する予備加熱ステーション１０３、予備加
熱されたウエハーを冷却するための冷却ステーション１
０４、例えばフォトレジスト液を塗布した後のウエハー
を加熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するために
用いる垂直方向にそれぞれ２枚の加熱装置を有する第１
及び第２の加熱ステーション１０５、１０６が設けられ
ている。また、通路１０２の他方の側には、予備加熱お
よび冷却を終了したウエハーの表面に、例えばフォトレ
ジスト液を塗布するために用いる第１および第２の塗布
ステーション１０７、１０８が設けられている。なお、
図では冷却ステーション１０４、および予備加熱ステー
ション１０３、第１、第２の加熱ステーション１０５、
１０６が平面的に配置されているように記載されている
が、これは便宜上のもので、実際には冷却ステーション
１０４の上に予備加熱ステーション１０３の加熱装置が
上下に２枚設けられた積層構造となっている。

【００４４】通路１０２には、この通路１０２内を例え
ばボールスクリュー等の図示しない駆動機構によってＹ
方向に移動するハンドリング手段例えばウエハー搬送装
置１１０が設けられている。この搬送装置１１０はキャ
リッジ１１１を有し、このキャリッジ１１１にはバキュ
ームピンセット例えばウエハーＷを吸着保持するための
２つのピンセット１１２、１１３が上下に重畳されて取
付けられている。ピンセット１１２、１１３は夫々独立
にＸ方向（縦方向）、Ｙ方向（横方向）に移動可能で、
重畳されたピンセット１１２、１１３は同時にＺ方向
（垂直方向）に平行移動が可能で、またθ方向に回動す
ることができる。ピンセット１１２、１１３のこのよう
な平行移動および回動を可能とするため、キャリッジ１
１１にはステッピングモータ及びこれに連結されたボー
ルスクリュー等の図示しない駆動機構が設けられてい
る。ピンセット１１２、１１３は、一方のピンセットで
ウエハーを保持して処理ステーションに搬送し、この処
理ステーションに処理済ウエハーがあった時、他のピン
セットで処理済ウエハーをピックアップし、上記ウエハ
ーをセットする。この搬送装置１１０はウエハーＷを前
述の各処理ステーション１０３〜１０８に搬送するため
に用いられる。

【００４５】基台１０１の左側には、ウエハー搬入搬出
機構１２０が設けられている。この搬入搬出機構１２０
には、処理前の半導体ウエハーＷ_Bを収容したウエハー
カセット１２２及び処理後のウエハーＷ_Fを収容するウ
エハーカセット１２３が設けられている。また、搬入搬
出機構１２０はウエハーＷの裏面を吸着保持するための
ピンセット１２１を具備している。このピンセット１２
１は、前記のピンセット１１２、１１３と同様の構成に
よりＸ、Ｙ方向に平行移動が可能になっている。このピ
ンセット１２１は、処理前のウエハーＷ_Bをカセット１
２２から取出し、また処理済みのウエハーＷ_Fをウエハ
ーカセット１２３に収納する。

【００４６】搬入搬出機構１２０のピンセット１２１
は、処理前のウエハーＷ_Bを搬送装置１１０のピンセッ
ト１１２、１１３に渡し、また処理後のウエハーＷ_Fを
ピンセット１１２、１１３から受け取る。この受渡しを
可能とするインターフェースが、通路１０２と搬入搬出
機構１２０との境界に設けられている。

【００４７】また、搬送装置１１０のピンセット１１
２、１１３は、各処理ステーション１０３〜１０８との
間でウエハーＷの受渡しを行う。これによって、ウエハ
ーＷは所定の順序に従い、各処理ステーション１０３〜
１０８での処理を受け取る。そして、搬送装置１１０の
動作は、全て図示しない制御システムによって制御され
るようになっている。従って、制御システムのプログラ
ムを変更することによって、処理ステーション１０３〜
１０８における処理を任意に設定することできる。即
ち、処理ステーション１０３〜１０８における処理の幾
つかのみを行うことも、処理の順序を変更することも可
能である。

【００４８】図２および図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に、上
記ピンセット１１２、１１３、１２１を詳細に記載して
いる。これらの図において、２１はピンセット本体であ
る。この本体２１には３つの支点２２、２３、２４が突
設され、半導体ウエハーＷはこれら支点によって三点支
持される。この三点支持は、ピンセット２１表面のゴミ
の付着を防止する効果がある。これら支点２２〜２４の
内２４には、その頂面に開口した真空吸着のための吸引
口が設けられている。また、ウエハーＷのアライメント
のために、ウエハーＷの周縁に対応した円弧状のガイド
部材２５と、ストッパ部材２６とが設けられている。半
導体ウエハーＷは、まず図３（Ａ）に示す状態でピンセ
ット上に載置される。この状態では、ウエハーＷはアラ
インメントされておらず、真空吸着もされていない。つ
いで、図３（Ｂ）に示すように、ピンセットをストッパ
部材２６に向けて水平に移動させ、ウエハーＷのオリエ
ンテーションフラットＷ_aがストッパ部材２６に当接さ
せる。その後、更に水平移動を続けることにより、半導
体ウエハーＷはピンセットの支点２２〜２４上をスライ
ドし、最終的にはガイド部材２５に当接して停止する。
従って、もし図３（Ａ）の状態でウエハーＷの位置がピ
ンセットの中央部からズレていたとしても、ガイド部材
２５に案内されることによって、ピンセット中央の所定
位置にアラインメントすることができる。

【００４９】図４は、通路１０２とウエハー搬入搬出機
構１２０との境界に設けられたインターフェース機構３
０を示している。このインターフェース機構３０はピン
セット１２１とピンセット１１２、１１３との間で受渡
しされる半導体ウエハーＷを一時待機させる機能を有
し、真空吸着機構により半導体ウエハーＷを保持する保
持部材３１と、この保持部材を昇降させるための駆動装
置（例えばエアシリンダ）３２とからなっている。搬入
搬出機構１２０のピンセット１２１が図示の位置に半導
体ウエハーＷを搬送してくると、保持部材３２が上昇
し、図示のように半導体ウエハーＷを持上げて保持す
る。次に、レジスト塗布現像装置１００側のウエハー搬
送装置１１０が、図示のインターフェース機構３０の位
置に移動する。そして、保持部材３１が下降することに
より、保持部材３１に保持されている半導体ウエハーＷ
はピンセット１１２又は１１３に載置される。ピンセッ
ト１１２、１１３からピンセット１２１への半導体ウエ
ハーＷの受渡しも、上記と同様にして行われる。

【００５０】次に、上記実施例の装置１００によって、
半導体ウエハーＷの表面にフォトレジスト膜を形成する
工程を順を追って説明する。この工程は、既述の制御シ
ステムの予め記憶されたプログラムに基づいて実施され
る。

【００５１】先ず、搬入搬出機構１２０のピンセット１
２１によりカセット１２２からウエハーＷを１枚取出
し、インターフェース機構３０の位置まで搬送する。搬
送されてきた半導体ウエハーＷは、インターフェース機
構３０を介して、通路１０２の左端に待機している搬送
装置１１０の一方のピンセット、例えばピンセット１１
２に渡され、吸着保持される。なお、１つのカセット１
２２に同一種の半導体ウエハーのみが収納されている場
合には、カセット１２２にＩＤコードを表示し、このＩ
Ｄを読取って製造工程プログラムを選択するようにして
もよい。

【００５２】以下、予備加熱ステーション１０３、冷却
ステーション１０４、第１の塗布ステーション１０７、
第１の加熱ステーション１０５での処理がこの順序で選
択された場合について説明する。

【００５３】まず、ウエハーＷを受取ったピンセット１
１２を予備加熱ステーション１０３に向かって移動さ
せ、ウエハーＷを予備加熱ステーション１０３にセット
して予備加熱する。予備加熱は、ヒータプレートにより
構成し、ウエハーＷをヒータプレート上に載置する。こ
の時、ウエハーＷはプレート上に直接接触させず三点支
持により０．３ｍｍ程度浮かせるとゴミ対策が良好であ
る。この間にピンセット１２１を移動させて２番目のウ
エハーＷをカセット１２２から取出し、前記インターフ
ェース機構３０に待機させておく。最初のウエハーを予
備加熱ステーション１０３に搬入し終わった後、搬送装
置１１０はインターフェース機構３０から２番目のウエ
ハーＷをピンセット１１２で受取り、ピンセット１１２
上に吸着保持する。そして、予備加熱ステーション１０
３での最初のウエハーの処理が終了するまでそのまま待
機する。

【００５４】最初のウエハーＷの予備加熱処理が終了し
たとき、搬送装置１１０は次の動作を行う。即ち、まず
ウエハーを保持していないピンセット１１３を移動させ
ることにより、予備加熱処理が終了した最初のウエハー
を予備加熱ステーション１０３から取出す。こうして予
備加熱ステーション１０３を空にした後、２番目のウエ
ハーを保持しているピンセット１１２を動作させ、２番
目のウエハーを予備加熱ステーション１０３にセットす
る。次いで、ピンセット１１２、１１３をＹ方向、θ方
向、Ｚ方向に移動し、冷却ステーション１０４位置に移
動し、基板を保持したピンセット１１３をＸ方向に動作
し、この最初のウエハーを冷却ステーション１０４にセ
ットする。この動作から、２つのピンセット１１２、１
１３を設けた利点が理解される。即ち、ピンセットが１
つしかない場合には、搬送装置１１０はまず最初のウエ
ハーを予備加熱ステーション１０３から取出し、これを
冷却ステーション１０４にセットし、その後にインター
フェース機構３０から２番目のウエハーを受け取ってこ
れを予備加熱ステーション１０３にセットする動作を行
わなければならないからである。なお、上記の動作が行
われている間に、搬入搬出機構１２０では、ピンセット
１２１により次に処理する３番目のウエハーを前記イン
ターフェース機構３０に待機させておく。

【００５５】次に、搬送装置１１０はインターフェース
機構３０から３番目のウエハーをピンセット１１２に保
持する。そして、冷却ステーション１０４での処理が終
了するまで待機させる。最初のウエハーの冷却工程が終
了したとき、搬送装置１１０はウエハーを保持していな
い方のピンセット１１３で冷却ステーション１０４内の
ウエハーを取出し、次にプログラムされたフォトレジス
トの塗布工程のための第１の塗布ステーション１０７に
セットする。この塗布処理の間に予備加熱ステーション
１０３における２番目のウエハーの処理が終了したら、
搬送装置１１０はウエハーを保持していない方のピンセ
ット１１３によってこのウエハーを予備加熱ステーショ
ン１０３から取出す。そして、ピンセット１１２に保持
している３番目のウエハーを予備加熱ステーション１０
３にセットすると同時に、ピンセット１１３に保持して
いる２番目のウエハーを冷却ステーション１０４にセッ
トする。この動作は、既述した通りと同じである。

【００５６】なお、もし最初のウエハーの冷却工程が終
了する前に、２番目のウエハーの予備加熱処理が終了す
る場合には、次のような動作を行うようにプログラムす
ることも可能である。即ち、まず３番目の未処理のウエ
ハーをピンセット１１２に保持した状態で、ピンセット
１１３により２番目のウエハーを予備加熱ステーション
１０３から取出す。続いてピンセット１１２に保持され
ている３番目のウエハーを予備加熱ステーション１０３
にセットした後、待機する。そして、冷却ステーション
１０４における最初のウエハーの冷却工程が終了した
後、この最初のウエハーをピンセット１１２又は１１３
で取出し、第１の塗布ステーション１０７にセットす
る。この塗布は、例えばレジスト液を滴下スピンコーテ
ィング装置により実行する。

【００５７】第１の塗布ステーション１０７において最
初のウエハーに対するフォトレジストの塗布処理が終了
したとき、搬送装置１１０はピンセット１１３によりこ
のウエハーを第１の塗布ステーション１０７から取出
す。続いてＹ方向に沿って右側に移動し、取出した最初
のウエハーを第１の加熱ステーション１０５にセットし
て加熱処理を行う。この加熱処理を行っている間に冷却
ステーション１０４内での２番目のウエハーの冷却処理
が終了したら、搬送装置１１０はこのウエハーをピンセ
ット１１３にて取出し、更に第１の塗布ステーション１
０７にセットしてフォトレジストの塗布を開始する。

【００５８】第１の加熱ステーション１０５において最
初のウエハーの処理が終了し、所望のフォトレジスト膜
が形成されたら、搬送装置１１０はこの最初のウエハー
をピンセット１１３にて取出す。続いて、搬送装置１１
０はＹ方向左側に移動し、ピンセット１１３に保持した
ウエハーを前記のインターフェース機構３０に渡す。イ
ンターフェース機構３０での待機中、直接載置部に接触
させず、わずかに浮かせて載置することがゴミ対策上有
効である。また、待機機構はキャリアカセットにより構
成するとさらに有利である。こうして処理済みの半導体
ウエハーＷ_Fがインターフェース機構３０に待機される
と、搬入搬出機構１２０のピンセット１２１がこのウエ
ハーを受取り、カセット１２３に収納する。以上述べた
一連の処理動作は、カセット１２２内の未処理のウエハ
ーＷ_Bがなくなるまで続けられる。

【００５９】なお、上記の動作説明では第１の塗布ステ
ーション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用
いたが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１
０８及び第２の加熱ステーション１０６を使用してもよ
い。また、フォトレジストの塗布工程および／または加
熱工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つ
の塗布ステーション１０７、１０８および／または２つ
の加熱ステーション１０５、１０６を同時に使用するこ
とも可能である。

【００６０】ところで、上記のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、１枚のウエハーにつ
いて試しに処理を行ってみるのが普通である。この場
合、試しの処理が終了したテストウエハーＷ_Tを、検査
のためにカセット１２１から取出す必要がある。この取
出しを容易にするため、図５に示すように、カセット１
２３の基部に引出し可能なレシーバ４０を設けるのが好
ましい。このレシーバ４０の一端には取手４１を設け、
内部にはウエハー載置台４２を設けておく。試しの処理
を終了したテストウエハーＷ_Tは、ピンセット１２１に
よって開口部４３から挿入され、載置台４２に載せられ
る。従って、このテストウエハーＷ_Tはレシーバ４０を
図示のように引出すことによって容易に取出すことがで
きる。

【００６１】なお、上記の動作説明では第１の塗布ステ
ーション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用
いたが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１
０８及び第２の加熱ステーション１０６を使用してもよ
い。また、フォトレジストの塗布工程および／または加
熱工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つ
の塗布ステーション１０７、１０８および／または２つ
の加熱ステーション１０５、１０６を同時に使用するこ
とも可能である。

【００６２】以上の動作説明から明らかなように、上記
実施例の装置によれば、半導体ウエハーの表面にフォト
レジスト膜を形成するために必要な複数の工程を、その
順序をも含めた任意に組合せて最良の工程をプログラム
することができる。従って、処理すべき半導体ウエハー
の種類に応じて最も効率のよい組合せプロセスを選択
し、最大のスループットを得ることができる。

【００６３】また、搬送装置１１０が２つのピンセット
１１２、１１３を有し、夫々独立の動作をすることか
ら、処理の自由度が高い。例えば、次工程のステーショ
ンにウエハーが存在しているとその工程のウエハーの入
替えができないといった不都合がない。なお、搬送機構
１１０のピンセットは必ずしも２つである必要はなく、
３つ以上であってもよい。

【００６４】更に、各処理ステーションを通路１０２に
沿ってその両側に配設しているため、搬送装置１１０の
動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高い。従
って、処理プログラムの変更が容易である。また、予備
加熱ステーション１０３と冷却ステーション１０４とを
上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積も
節減される。

【００６５】上記の実施例の装置は、所定のパターンで
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても使用することができる。その
場合、塗布ステーション１０７、１０８に現像液を塗布
する装置も設けられている。現像装置は、例えば変速回
転中のウエハー上に現像液をジェット状に噴出させて現
像する構成である。

【００６６】また、２つの塗布ステーション１０７、１
０８の何れか一方をフォトレジストの塗布に用い、他方
を現像液の塗布に用いることにより、フォトレジスト膜
の形成および現像の両方を行う装置として使用すること
ができる。その際、通路１０２の右端にも図４のような
インターフェース機構３０を設け、露光装置との間でウ
エハーの受渡しを行えるようにすることにより、レジス
ト塗布から現像までを一貫した連続プロセスとして実施
することができる。

【００６７】なお、処理ユニットを複数連設したい場合
には、通路１０２の延長線上に次の通路が形成されるよ
うに構成し、この接続部にウエハーの待機機構、例えば
キャリアステーションを設けると良い。

【００６８】例えば図６に示すように、カセット１２
２、１２３内のウエハーＷを搬出、或いはカセット１２
２、１２３内へ搬入するアーム１２０ａを有する搬入搬
出機構１２０と、インターフェース機構３０でウエハー
Ｗの受渡しを行う搬送装置１１０ａを有する第１の処理
系１５０により上述したような動作で各処理を行う。例
えば、この第１の処理系１５０に、ＨＭＤＳ（ヘキサメ
チルジシラザン）処理ステーション１５１、第１の加熱
ステーション１５２、第１の冷却ステーション１５３、
第１層目のレジストを回転塗布する第１の塗布ステーシ
ョン１５４、第２層目のレジストを回転塗布する第２の
塗布ステーション１５５を設け、これら各ステーション
に選択的にウエハーを搬送して処理を行う。更に、複数
の処理ステーション例えば第２の加熱ステーション１５
６、第２の冷却ステーション１５７、露光工程時の光乱
反射を防止するためにレジスト上面にＣＥＬ膜等の表面
被覆層を塗布形成する第３の塗布ステーション１５８等
が夫々対向配置され、且つ、これら各ステーションにウ
エハーを搬送する搬送装置１１０ｂを備えた第２の処理
系１５９を設け、この第２の処理系１５９及び第１の処
理系１５０の間に待機機構１６０を配置させる。この待
機機構１６０には、ウエハーＷ１枚を載置できる載置台
１６１を設け、上記インターフェース機構３０における
ウエハーＷの受渡しと同様に、上記載置台１６１を利用
して、第１の処理系１５０の搬送装置１１０ａと第２の
処理系１５９の搬送装置１１０ｂとの間で、ウエハーＷ
の受渡しを行う。この待機機構１６０の構成は、載置台
１６１を設けずにバッファー用カセット（図示せず）を
設け、このカセットにより複数枚のウエハーＷを待機で
きる構造としてもよい。このバッファー用カセットによ
り、搬送機構１１０ａおよび搬送機構１１０ｂの作業量
の差があっても、一方の搬送機構が待機する時間を少な
くすることが可能となる。

【００６９】このように、待機機構１６０を介して搬送
機構を２系統とすることにより、処理ステーションの増
加に容易に対応できると共に、高スループット処理が可
能となる。

【００７０】上記搬送機構は２系統に限定するものでは
なく、２系統以上としてもよく、待機機構の増設に伴っ
て増加させることができる。

【００７１】上記実施例では、製造装置としてレジスト
の塗布現像処理に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えばエッチング処理、ＣＶ
Ｄ処理、アッシング処理等でも同様な効果が得られる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
種プロセスに対応できるとともに、処理のスループット
を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の一実施例を説明するための塗布現
像装置の構成図である。

【図２】図１のピンセット説明図である。

【図３】図１のピンセット説明図である。

【図４】図１装置のインターフェース機構説明図であ
る。

【図５】図１のカセット説明図である。

【図６】本発明装置の他の実施例説明図である。

【図７】従来の塗布装置構成図である。

【符号の説明】

１１０搬送装置１１２、１１３ピンセット１２０搬入搬出機構１６０待機機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者平河修熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地テル九州株式会社内 (72)発明者木村義雄熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地テル九州株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を一枚毎にアライメントするアラ
イメント手段に前記被処理体を搬送する第一の搬送アー
ムと、前記アライメント手段の被処理体を受け取って共通搬送
路に沿ってＸ方向に移動可能な被処理体の搬送を行う第
二の搬送手段と、前記共通搬送路に沿って両側に対向して配置された複数
の処理室とを備え、前記第一の搬送手段は、前記各処理室に対向して位置決
めされ、前記被処理体を前記各処理装置へ搬送すること
を特徴とする製造装置。
【請求項２】複数の被処理体を収納するカセットを備
え、このカセットから取り出した被処理体を前記アライメン
ト手段に、前記第一の搬送アームにより搬送することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の製造装置。
【請求項３】前記第一の搬送アームは、Ｙ方向に移動可
能であり、前記カセットをこの第一の搬送アームの移動
路に沿って複数載置可能であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の製造装置。
【請求項４】被処理体を保持して直線状に移動する搬送
装置と、この搬送装置の移動路に沿って設けられた複数の処理ス
テーションと、前記搬送装置により被処理体を予め定められた工程順に
従って前記処理ステーションに搬送する手段と、この手段により搬送された各処理ステーションにおいて
処理済被処理体を搬出し、未処理被処理体を搬入する操
作を前記搬送装置により実行する手段とを具備してなる
ことを特徴とする製造装置。
【請求項５】未処理被処理体の収納された容器から前記
未処理被処理体を一枚づつ搬出する工程と、この工程により搬出された未処理被処理体を位置合せす
る工程と、この工程により位置合せされた未処理被処理体を直線状
に搬送して第一の処理ステーションに移動させ第一の処
理済被処理体を搬出した後、未処理被処理体を搬入する
工程と、この工程により搬出した前記第一の処理済被処理体を予
め定められた第二の処理ステーションに移動し、第二の
処理済被処理体の搬出後前記第一の処理済被処理体を搬
入する工程と、この工程の後前記処理済被処理体を位置合せする工程
と、この工程により位置合せされた前記処理済被処理体を容
器内に収納する工程とを具備してなることを特徴とする
製造方法。
【請求項６】カセットに収納された被処理体を搬入搬出
するとともに、被処理体の位置決めを行う搬入搬出機構
と、この搬入搬出機構から被処理体を受取るとともに、直線
状を往復移動して被処理体を搬送する搬送機構と、この搬送機構が往復移動する直線状の移動路の両側に設
けられた複数の処理部と、これらの複数の処理部に対して、処理の順序を任意に設
定できる制御機構を設けたことを特徴とする製造装置。
【請求項７】カセットに収納された被処理体を搬入搬出
するとともに、被処理体の位置決めを行う搬入搬出機構
と、この搬入搬出機構から被処理体を受取るとともに、直線
状を往復移動して被処理体を搬送する搬送機構と、この搬送機構が往復移動する直線状の移動路の片側に沿
って設けられた少なくとも１つの加熱処理部と、この加
熱処理部と対向する側に沿って設けられた少なくとも１
つの処理液塗布部と、前記少なくとも１つの加熱処理部と前記少なくとも１つ
の処理液塗布部に対して、被処理体を搬入搬出するに際
し、処理済被処理体を搬出するとともに、未処理被処理
体を搬入する制御手段を設けたことを特徴とする製造装
置。
【請求項８】被処理体が収納されたカセットから搬入搬
出機構により被処理体を搬出する工程と、この被処理体を前記搬入搬出機構により位置決めした
後、直線状の搬送路を往復移動する搬送機構に受渡す工
程と、直線状の搬送路を移動して、直線状の搬送路に沿って搬
送する工程と、前記搬送機構によって前記直線状の搬送路に沿って設け
られた複数の処理ステーションに被処理体を搬入搬出す
る工程と、被処理体を搬入された後、処理ステーションにおいて被
処理体に処理を行う工程と、前記搬送機構から前記搬入搬出機構に被処理体を受け渡
す工程と、受渡された被処理体を前記搬入搬出機構によりカセット
に収納する工程とからなることを特徴とする製造方法。