JPH07179427A

JPH07179427A - ホモフタル酸誘導体及びそれを含有する電子写真感光体

Info

Publication number: JPH07179427A
Application number: JP34647793A
Authority: JP
Inventors: Yumi Ichikawa; 由美市川; Masayuki Shiyoji; 正幸所司; Akio Kojima; 明夫小島
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-12-23
Filing date: 1993-12-23
Publication date: 1995-07-18

Abstract

(57)【要約】【目的】電子写真感光体に用いられるアクセプター性
化合物として有用な新規なホモフタル酸誘導体、及びそ
の製造中間体及びそれを使用した高感度で耐久性の良好
な電子写真感光体を提供する。【構成】下記一般式（Ｉ）又は（II）で表わされるホ
モフタル酸誘導体【化１】【化２】および誘導性支持体上に、前記一般式（II）で表わされ
るホモフタル酸誘導体を含有させた感光層を設けたこと
を特徴とする電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体に用い
られるアクセプター性化合物等として有用な新規ホモフ
タル酸誘導体、その製造中間体、及び該ホモフタル酸誘
導体を電荷輸送物質として含有させた電子写真感光体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真感光体の感光層として、
セレン、セレン−テルル合金、酸化亜鉛などの無機光導
電性物質が広く用いられてきたが、近年、有機光導電性
物質を用いた電子写真感光体に関する研究が進み、その
一部は実用化されている。ここで、実用化に至った感光
体のほとんどは、電荷発生層と電荷輸送層に機能を分離
した感光層からなる積層型電子写真感光体であり、これ
により、無機光導電性物質からなる感光体と比較して劣
っていた感度及び感光体寿命の点で改善され、低コスト
で、安全性や多様性など有機光導電性物質の長所を生か
した電子写真感光体の設計が活発に行なわれるようにな
った。

【０００３】この種の積層型電子写真感光体は、一般に
は、導電性支持体上に、顔料、染料などの電荷発生物質
からなる電荷発生層、ヒドラゾン、ピラゾリンなど電荷
輸送物質からなる電荷輸送層を順に形成したもので、電
子供与性である電荷輸送物質の性質上、正孔移動型とな
り、感光体表面に負帯電したとき感度を有する。ところ
が、負帯電では、帯電時に用いるコロナ放電が正帯電に
比べて不安定であり、正帯電時の１０倍程度のオゾン、
窒素酸化物などを発生し、感光体表面に吸着などの物理
的劣化や化学的劣化を引き起こしやすく、さらに、環境
を悪くすると言う問題があり、また、負帯電用感光体の
現象には正極性のトナーが必要となるが正極性のトナー
は強磁性体キャリア粒子に対する摩擦帯電系列から見て
製造が困難であるという問題があり、２成分高抵抗磁気
ブラシ現像方式においては、負帯電トナー／現像剤の方
が安定であり、選択と使用条件の自由度も大きく、この
点でも正帯電型感光体に適用範囲は広く有利である。

【０００４】そこで、有機光導電正物質を用いる感光体
を正帯電で使用することが提案されている。例えば、電
荷発生層上に電荷輸送層を積層して感光体を形成する
際、前記電荷輸送層に電子輸送能の大きい、例えば２，
４，７−トリニトロ−９−フルオレノン等が使用されて
いるが、その物質は発癌性があり、労働衛生上極めて不
適当である等の問題がある。また、電子輸送化合物とし
ては、特開昭６０−６９６５７号公報にはフルオレニデ
ンメタン化合物が、特開昭６１−２３３７５０号公報に
はアントラキノジメタン及びアンロン誘導体が使用され
ているが、これらは共に繰返し特性に問題があり、ま
た、特開平５−２５１３６号公報にはナフタレンジカル
ボン酸イミド化合物、特開平５−２５１７４号公報には
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドが使用されている
が、バインダ樹脂との相溶性が悪い等、改善すべき問題
点がある。更に正帯電感光体として、米国特許３，６１
５，４１４号には、チアピリリウム塩（電荷発生物質）
をポリカーボネート（バインダ樹脂）と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリ現象が大きく、ゴーストも発
生し易いと言う欠点がある。

【０００５】そこで光照射時、正孔及び電子を発生する
電荷発生物質を含有する電荷発生層を上層（表面層）と
し、正孔輸送能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層
を下層とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電
用として使用することが考えられる。しかしながら、前
記正帯電用感光体は電荷発生物質を含む層が表面層とし
て形成されるため、光照射時、特に紫外線等の短波長光
照射、コロナ放電、湿度、機械的摩擦等の外部作用に脆
弱な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することにな
り、感光体の保存中及び像形成過程で電子写真性能が劣
化し、画質が低下するようになる。従来の電荷輸送層を
表面層とする負帯電用感光体においては、前記各種の外
部作用の影響は極めて少なく、むしろ前記電荷輸送層が
下層の電荷発生層を保護する作用を有している。

【０００６】そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から
なる薄い保護層を設け、前記電荷発生物質を含む層を外
部作用から保護することが考えられるが、光照射時発生
する電荷がその保護層でブロッキングされて光照射効果
が失われてくるし、また表面層となる保護層の膜厚が大
きい場合には感度低下を招くことになる。このように正
帯電用感光体を得るための試みが種々行なわれている
が、いずれも光感度、メモリ現象または労働衛生等の点
で改善すべき多くの問題点がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、電子写真感
光体に用いられるアクセプター性化合物等として有用な
新規ホモフタル酸誘導体、その製造中間体、及び導電性
支持体上に電荷発生物質及び電荷輸送物質を含んだ感光
層を設けた電子写真感光体であって、特にバインダ樹脂
との相溶性のよい高性能の電荷輸送物質として該ホモフ
タル酸誘導体を用いたことを特徴とする高感度で耐久性
のよい電子写真感光体を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく従来より研究を重ねてきた結果、特定の
一群の化合物を見出すに至り、本発明を完成した。即
ち、本発明によれば、下記一般式（Ｉ）で表わされるホ
モフタル酸誘導体、

【化１】（式中、Ｒ₁は、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ
基、及びニトロ基を表わし、Ｒ₂は、置換または無置換
のアルキル基、置換または無置換のシクロアルキル基、
或いは置換または無置換のフェニール基を表わし、ｎは
０〜４の整数を表わす。）及び、下記一般式（II）で表
わされるホモフタル酸誘導体が提供される。

【化２】（式中、Ｒ₁は、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ
基、及びニトロ基を表わし、Ｒ₂は、置換または無置換
のアルキル基、置換または無置換のシクロアルキル基、
或いは置換または無置換のフェニル基を表わし、Ａｒ
は、置換または無置換のフェニル基、置換または多環芳
香族基、或いは置換または無置換の複素環基を表わし、
ｎは０〜４の整数を表わす。）また、本発明によれば、
導電性支持体とその上に設けた感光層を必須の構成要素
とする電子写真感光体において、該感光層中に前記一般
式（II）で表わされるホモフタル酸誘導体を含有させた
ことを特徴とする電子写真感光体が提供され、更に、前
記感光層を電荷発生層及び電荷輸送層で構成し、少なく
とも電荷輸送層中に前記一般式（II）で表わされるホモ
フタル酸誘導体を含有させたことを特徴とする電子写真
感光体が提供され、更にまた、前記感光層を少なくとも
電荷発生物質、電荷輸送物質を必須成分とする単一の層
で構成し、該電荷輸送物質として前記一般式（II）で表
わされるホモフタル酸誘導体を含有させたことを特徴と
する電子写真感光体が提供される。

【０００９】以下、本発明を更に詳細に説明する。前記
一般式（Ｉ）は、及び前記一般式（II）のＲ₁におい
て、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基等のアルキル基等のアルキ
ル基を、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等を挙げることができる。

【００１０】また前記一般式（Ｉ）、及び前記一般式
（II）のＲ₂において、アルキル基としては、メチル
基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の
アルキル基を表し、その置換基としては、フッ素原子、
塩素原子などのハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基
等のアルコキシ基、シクロヘキシル基、４−ブトキシカ
ルボニルシクロヘキシル基、４−ヘキシルオキシカルボ
ニルシクロヘキシル基等のシクロアルキル基を、シクロ
アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基等を挙げることができ、その置換基としては、メチ
ル基、エチル基等のアルキル基、ブトキシカルボニル
基、ヘキシルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボ
ニル基を挙げることができ、フェニル基の置換基として
はメチル基、エチル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキ
シル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基などの
置換アルキル基、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン
原子、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基などのアルコキシカルボニル基、シアノ
基、ニトロ基などを挙げることができる。

【００１１】前記一般式（II）中、Ａｒの多環芳香族基
としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナンス
レニル基、或いはピレニル基を、複素環基としては、ピ
リジル基、フラニル基或いはキノリル基などを挙げるこ
とができる。また、Ａｒにおけるフェニル基、多環芳香
族基、或いは複素環基の置換基としては、メトキシ基、
或いはエトキシ基などのアルコキシ基、メチル基、プロ
ピル基、ブチル基、或いはｔ−ブチル基などのアルキル
基、フッ素原子塩素原子、或いは臭素原子などのハロゲ
ン原子、トリフルオロメチル基などのハロゲン化アルキ
ル基、メトキシカルボニル基、エトキシルカルボニル
基、或いはブトキシカルボニル基などのアルコキシカル
ボニル基、シアノ基、ニトロ基などを挙げることができ
る。

【００１２】前記一般式（Ｉ）及び一般式（II）で表わ
されるホモフタル酸誘導体の具体例を下記表１及び表２
に示すが、これらに限定されるものではない。

【００１３】

【表１−（１）】

【００１４】

【表１−（２）】

【００１５】

【表１−（３）】

【００１６】

【表１−（４）】

【００１７】

【表１−（５）】

【００１８】

【表２−（１）】

【００１９】

【表２−（２）】

【００２０】

【表２−（３）】

【００２１】

【表２−（４）】

【００２２】

【表２−（５）】

【００２３】

【表２−（６）】

【００２４】

【表２−（７）】

【００２５】

【表２−（８）】

【００２６】

【表２−（９）】

【００２７】

【表２−（１０）】

【００２８】

【表２−（１１）】

【００２９】次に、本発明の前記一般式（Ｉ）及び一般
式（II）で表わされるホモフタル酸誘導体の製造方法に
ついて説明する。一般式（Ｉ）で表わされるホモフタル
酸誘導体を製造するための反応式を下記表３に示す。前
記一般式（Ｉ）の化合物は、一般に下記ホモフタル酸無
水物（III）と下記アミン化合物（IV）を反応すること
により得ることができる。反応において必要に応じて硫
酸、パラトルエンスルホン酸などの酸触媒、ピリジン、
キノリンなどの塩基触媒を使用することができる。また
反応は通常無溶媒か、トルエン、キシレンなどの芳香族
系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサンあるいは
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒が使用さ
れ、反応温度は室温〜２００℃である。

【００３０】次に前記一般式（II）の化合物は、一般に
下記ホモフタル酸誘導体（Ｉ）と下記アルデヒド化合物
（Ｖ）とを塩基性触媒の存在下で反応することにより得
ることができる。反応に使用される触媒としては、例え
ばピリジン、ピペリジンあるいはトリエチルアミンなど
の有機塩基、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムあるいは酢
酸アンモニウムなどの酢酸塩、苛性ソーダ、苛性カリウ
ム、炭酸ナトリウムあるいは炭酸カリウムなどの無機塩
基などを挙げることができる。反応は通常無溶媒か、メ
タノール、エタノール、ブタノール、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン、あるいはＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドなどの極性溶媒中で行うことができる。反応
温度は室温〜１５０℃、好ましくは〜１００℃である。

【００３１】

【表３】

【００３２】本発明の前記一般式（II）で表わされるホ
モフタル酸誘導体は、電子写真感光体の電荷輸送物質と
して使用できるばかりでなく、太陽電池、有機ＥＬ素子
等の電子デバイスとしてエレクトロニクス分野で好適に
使用することができる。

【００３３】次に本発明の感光体の構成を図面によって
説明する。感光体としては例えば図１に示すように支持
体１（導電性支持体またはシート上に導電層を設けたも
の）上に電荷発生物質と必要に応じてバインダ樹脂を含
有する層（電荷発生層）２を下層とし、電荷輸送物質と
必要に応じてバインダ樹脂を含有する層（電荷輸送層）
３を上層とする積層構成の感光体層４を設けたもの、図
２に示すように図１の感光体層４の上に保護層５を設け
たもの、及び図３に示すように支持体上に電荷発生物質
と電荷輸送物質と必要に応じてバインダ樹脂を含有する
単層構成の感光体層６を設けたもの、等が挙げられる
が、図３の単層構成の感光体層６の上層に保護層が設け
られてもよく、また支持体と感光体層の間に中間層が設
けられてもよい。

【００３４】本発明において使用する電荷発生物質とし
ては、可視光を吸収してフリー電荷を発生するものであ
れば、無機物質及び有機物質のいずれをも用いることが
できる。例えば、無定形セレン、三方晶系セレン、セレ
ン−砒素合金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、
セレン化カドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水
銀、酸化鉛、硫化鉛、アモルファスシリコン等の無機物
質、或いはビスアゾ系色素、ポリアゾ系色素、トリアリ
ールメタン系色素、チアジン系色素、オキサジン系色
素、キサンテン系色素、シアニン系色素、スチリル系色
素、ピリリウム系色素、キナクリドン系色素、インジゴ
系色素、ペリレン系色素、多環キノン系色素、ビスベン
ズイミダゾール系色素、インダンスロン系色素、スクア
リリウム系色素、アントラキノン系色素、及びフタロシ
アニン系色素等の有機物質が挙げられる。

【００３５】本発明において感光体層に使用可能なバイ
ンダ樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の
付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びに
これらの樹脂の繰返し単位のうち２つ以上を含む共重合
体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の
絶縁性樹脂のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の
高分子有機半導体が挙げられる。

【００３６】前記感光体層を支持する導電性支持体とし
ては、アルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラ
ムまたは金属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウ
ムなどを蒸着したプラスチックフィルム或いは導電性物
質を塗布した紙、プラスチックなどのフィルムまたはド
ラムを使用することができる。

【００３７】本発明に係る感光体を電荷発生層と電荷輸
送層の積層構成で形成する場合、すなわち前記図１及び
図２の場合、電荷発生層は電荷発生物質を導電性支持体
上に真空蒸着するか、或いは適当な溶媒に単独もしくは
適当なバインダ樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたも
のを塗布、乾燥して形成することができる。前記電荷発
生物質を分散せしめて電荷発生層を形成する場合、その
電荷発生物質は２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平
均粒径の粉粒体とするのが好ましい。すなわち、粒径が
あまりに大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子
が表面に一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合に
よっては粒子の突出部分で放電が生じたり或いはそこに
トナー粒子が付着してトナーフィルミング現象が生じや
すい。ただし、上記の粒径があまり小さいと却って凝集
しやすく、層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感
度及び繰返し特性が低下したり、或いは微細かする上で
限界があるから、平均粒径の下限を０．０１μｍとする
のが好ましい。

【００３８】電荷発生層は、次の如き方法によって設け
ることができる。すなわち、電荷発生物質はボールミ
ル、ホモミキサー等によって分散媒中で微細粒子とし、
バインダ樹脂を加えて混合分散して得られる分散液を塗
布する方法である。この方法において超音波の作用下に
粒子を分散させると、均一分散が可能である。また電荷
発生層中、電荷発生物質がバインダ樹脂に含有する割合
は、バインダ樹脂１００重量部に対して２０〜２００重
量部とする。以上のようにして形成される電荷発生層の
膜厚は、好ましくは０．１〜１０μｍ、特に好ましくは
０．５〜５μｍである。

【００３９】次に本発明の電荷輸送層は、前記一般式
（II）で表されるホモフタル酸誘導体を、適当な溶媒に
単独もしくは適当なバインダ樹脂とともに溶解もしくは
分散せしめたものを塗布して乾燥させる方法により電荷
発生層と同様に設ける。電荷輸送層に用いられる溶媒と
しては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエ
ン、キシレン、モノクロルベンゼン、１，２−ジクロル
エタン、ジクロルメタン、１，１，１−トリクロルエタ
ン、１，１，２−トリクロルエチレン、テトラヒドロフ
ラン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エ
チル、酢酸ブチル等を挙げることができる。この電荷輸
送層中、電荷輸送物質がバインダ樹脂に含有される割合
は、バインダ樹脂１００重量部に対して電荷輸送物質が
２０〜２００重量部の割合で使用する。この時の、電荷
輸送層の膜厚は、好ましくは５〜５０μｍ、特に好まし
くは５〜３０μｍである。

【００４０】次に本発明の感光体を単層構成で形成する
場合、すなわち図３の場合、電荷発生物質及び電荷輸送
物質がバインダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂
１００重量部に対して電荷発生物質は２０〜２００重量
部、電荷輸送物質は２０〜２００重量部の割合で使用す
る。この単層構成の感光体の膜厚は７〜５０μｍ、さら
に好ましくは１０〜３０μｍである。

【００４１】また、前記中間層は接着層またはバリヤ層
等として機能するもので、上記のバインダ樹脂のほか
に、例えばポリビニルアルコール、エチルセルロース、
カルボキシメチルセルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体、カゼイン、Ｎ−アルコキシメチルナイロン等の
樹脂をそのまま、または酸化スズあるいはインジュウム
などを分散させたもの、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、
或いは酸化ケイ素などの蒸着膜等が用いられる。中間層
の膜厚は、１μｍ以下が望ましい。また、前記保護層に
用いられる材料としては、前述の樹脂をそのまま使用す
るか、または酸化スズや酸化インジュウムなどの低抵抗
物質を分散させたものが適当である。また、有機プラズ
マ重合膜も使用でき、その有機プラズマ重合膜は、必要
に応じて適宜酸素、窒素、ハロゲン、周期率表の第III
族、第Ｖ族原子を含んでもよい。

【００４２】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、実
施例中「部」は特に限定しないかぎり、「重量部」であ
る。

【００４３】合成例１市販の前記一般式（III）で表わされるホモフタル酸無
水物３６．０３ｇ、トルエン５００ｍｌに溶解し、撹拌
しながらｎ−ヘキシルアミン２０．２４ｇを滴下し、徐
々に加熱し、還流下水を除きながら、８時間反応を行っ
た。反応後、トルエンを留去し、ついで残渣に対しトル
エンを展開溶媒としたカラムクロマトグラフィー処理を
行ない、得られた粗製の目的物をｎ−ヘキサンから再結
晶して純粋の目的物３３．９５ｇを得た。融点：３９．０〜３９．５℃ 元素分析：Ｃ（％）Ｈ（％）Ｎ（％）実測値７３．４９７．８５５．７１計算値７３．４４７．８１５．７１

【００４４】合成例２〜４前記一般式（III）で表されるホモフタル酸無水物と、
前記一般式（IV）で表されるアミン化合物を用い、合成
例１と同様の方法で純粋な目的物を得た。以上のように
して得られた化合物の融点及び元素分析結果を表４に示
す。

【００４５】

【表４】

【００４６】合成例５前記合成例１で得たＮ−ヘキシルホモフタル酸イミド
２．９４ｇ、ｐ−ニトロベンズアルデヒド１．５１ｇを
エタノール１００ｍｌに溶解し、撹拌しながらピペリジ
ンを２滴加え、還流下で６時間反応させた。反応後、エ
タノールを留去し、ついで残渣に対しトルエンを展開溶
媒としたカラムクロマトグラフィー処理を行ない、得ら
れた粗製の目的物をエタノールから再結晶して純粋の目
的物１．９０ｇを得た。融点：１２５．０〜１２５．８℃ 元素分析：Ｃ（％）Ｈ（％）Ｎ（％）実測値６９．８５５．９０７．４１計算値６９．８３５．８６７．４０

【００４７】合成例６〜７前記一般式（Ｉ）で表されるホモフタル酸誘導体と、前
記一般式（Ｖ）で表されるアルデヒド化合物を用い、合
成例５と同じ方法で純粋な目的物を得た。以上のように
して得られた化合物の融点及び元素分析の結果を表５に
示す。

【００４８】

【表５】

【００４９】実施例１下記化学式（Ｐ−１）で表されるビスアゾ色素５部、ブ
チラール樹脂（デンカブチラール樹脂＃３０００−２：
電気化学工業製）２．５部、及びテトラヒドロフラン９
２．５部をボールミルにて１２時間分散させ、次にテト
ラヒドロフランを２重量％の分散液濃度になるように加
え、再分散させて塗布液を調整した。調整した分散液を
アルミニウムを蒸着した１００μｍ厚のポリエステルフ
ィルム上にドクターブレードにて流延塗布し、乾燥後の
膜厚が１．０μｍの電荷発生層を形成した。

【化３】このようにして得られた電荷発生層上に、例示化合物
（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）６部、ポリカーボネート樹
脂（Ｋ−１３００：帝人化成製）１０部、メチルフェニ
ールシリコン（ＫＦ５０−１００ｃｐｓ：信越化学製）
０．００２部、及びテトラヒドロフラン９４部からなる
処方の塗布液を調整し、ドクターブレードにて流延塗布
し、乾燥後の膜厚が２０．０μｍの電荷輸送層を形成
し、アルミニウム電極／電荷発生層／電荷輸送層で構成
される積層型電子写真感光体（感光体Ｎｏ．１）を作成
した。

【００５０】実施例２〜１２実施例１の例示化合物（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）の代
わりに、表６に示した化合物を用いること以外は実施例
１と同様の方法で感光体を作成した。

【００５１】実施例１３下記化学式（Ｐ−１）で表されるビスアゾ色素５部の代
わりに下記化学式（Ｐ−２）で表されるトリスアゾ色素
６部を用いること以外は実施例１と同様の方法で電荷発
生層を作成した。

【化４】このようにして得られた電荷発生層上に、例示化合物
（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）６部、ポリカーボネート樹
脂（Ｋ−１３００：帝人化成製）１０部、メチルフェニ
ールシリコン（ＫＦ５０−１００ｃｐｓ：信越化学製）
０．００２部、及びテトラヒドロフラン９４部からなる
塗布液を調整し、実施例１と同様に方法で乾燥後の膜厚
が２０．０μｍの電荷輸送層を形成し、アルミニウム電
極／電荷発生層／電荷輸送層で構成される積層型電子写
真感光体（感光体Ｎｏ．１３）を作成した。

【００５２】実施例１４〜２４実施例１３の例示化合物（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）の
代わりに、表５に示した化合物を用いること以外は実施
例１３と同様の方法で感光体を作成した。

【００５３】実施例２５ｘ型フタロシアニン（Ｐ−３）５部、ポリビニールブチ
ラール樹脂（エスレックスＢＬＳ：積水化学製）５部、
及びテトラヒドロフラン９０部をボールミルにて１２時
間分散させ、次にテトラヒドロフランを２重量％の分散
液濃度になるように加え、再分散させて塗布液を調整し
た。調整した分散液をアルミニウムを蒸着した１００μ
ｍ厚のポリエステルフィルム上にドクターブレードにて
流延塗布し、乾燥後の膜厚が０．５μｍの電荷発生層を
形成した。このようにして得られた電荷発生層上に、例
示化合物（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）６部、ポリカーボ
ネート樹脂（Ｋ−１３００：帝人化成製）１０部、及び
テトラヒドロフラン９４部からなる処方の塗布液を調整
し、ドクターブレードにて流延塗布し、乾燥後の膜厚が
２０．０μｍの電荷輸送層を形成し、アルミニウム電極
／電荷発生層／電荷輸送層で形成される積層型電子写真
感光体を作成した。

【００５４】実施例２６〜３６実施例２５の例示化合物（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）の
代わりに、表６に示した化合物を用いること以外は実施
例２５と同様の方法で感光体を作成した。

【００５５】以上のようにして得られた電子写真感光体
について、静電複写紙試験装置（ＳＰ−４２：川口電気
製作所）を用いて＋６ＫＶのコロナ帯電を施して、正帯
電した後、２０秒間暗所に放置し、その時の表面電位Ｖ
ｏを測定し、次いでタングステンランプを用いて表面の
照度が４０ルックスになるように光照射し、半減露光量
Ｅ１／２（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定した。その結果を表
６に示す。

【００５６】

【表６】

【００５７】実施例３７前記化合物（Ｐ−１）０．０９ｇ、ポリカーボネート樹
脂（ＰＣ−Ｚ：帝人化成製）の１０ｗｔ％テトラヒドロ
フラン溶液１５ｇ、ドナー性化合物（Ｄ−１）０．９
ｇ、例示化合物（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）０．６ｇ、
シリコンオイル（ＫＦ５０：信越化学製）の１ｗｔ％テ
トラヒドロフラン溶液０．３ｇをボールミルポットに計
り取り、２４時間ボールミリングし、塗布液を作成し
た。作成した塗布液を、アルミニウムを蒸着した１００
μｍ厚のポリエステルフィルム上にドクターブレードに
て流延塗布し、乾燥後の膜厚が約２０μｍの単層型電子
写真感光体を作成した。

【００５８】実施例３８〜４３実施例３７の例示化合物（化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２）の
代わりに、表７に示した化合物を用いること以外は実施
例３７と同様の方法で感光体を作成した。

【００５９】比較例１本発明のアクセプター性化合物を加えないこと以外は実
施例３７と同様にして単層型電子写真感光体を作成し
た。

【００６０】以上のようにして得られた電子写真感光体
について、静電複写紙試験装置（ＳＰ−４２８：川口電
気製作所）を用いて＋６ＫＶのコロナ帯電を施して、正
帯電した後、２０秒間暗所に放置し、その時の表面電位
Ｖｏを測定し、次いでタングステンランプを用いて表面
の照度が４０ルックスになるように光照射し、半減露光
量Ｅ１／２（ｌｕｘ・ｓｅｃ）、及び光照射３０秒後の
表面電位Ｖｒを測定した。次に５０００回上記の操作を
繰り返した後のＶＯ、Ｅ１／２、Ｖｒを測定し、その結
果を表７に示す。

【００６１】

【表７】

【００６２】

【発明の効果】本発明に係る、アクセプター性化合物と
して優れた新規なホモフタル酸誘導体、及びその製造中
間体は、比較的簡単で収率の良い方法により製造するこ
とができ、該ホモフタル酸誘導体はバインダ樹脂中で優
れた溶解性または分散性を有する。また、本発明の該ホ
モフタル酸誘導体は電荷発生物質より発生された電荷
を、受入れそして輸送する優れた能力を有する、電荷輸
送物質として機能し、電荷輸送物質として、このホモフ
タル酸誘導体を含有する電子写真感光体を作成した場
合、高感度及び高耐久性を有する。

【００６３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の、支持体上に電荷発生層、電荷輸送層
を順次設けた積層型電子写真感光体の断面図である。

【図２】本発明の、図１に示す断面を有する電子写真感
光体に更に保護層を設けた電子写真感光体の断面図であ
る。

【図３】本発明の、支持体上に感光体層を設けた単層型
電子写真感光体の断面図である。

【符号の説明】

１支持体２電荷発生層３電荷輸送層４感光体層（積層構成）５保護層６感光体層（単層構成）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされるホモフタ
ル酸誘導体。【化１】（式中、Ｒ₁は、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ
基、及びニトロ基を表わし、Ｒ₂は、置換または無置換
のアルキル基、置換または無置換のシクロアルキル基、
或いは置換または無置換のフェニル基を表わし、ｎは０
〜４の整数を表わす。）
【請求項２】下記一般式（II）で表わされるホモフタ
ル酸誘導体。【化２】（式中、Ｒ₁は、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ
基、及びニトロ基を表わし、Ｒ₂は、置換または無置換
のアルキル基、置換または無置換のシクロアルキル基、
或いは置換または無置換のフェニル基を表わし、Ａｒ
は、置換または無置換のフェニル基、置換または多環芳
香族基、或いは置換または無置換の複素環基を表わし、
ｎは０〜４の整数を表わす。）
【請求項３】導電性支持体とその上に設けた感光層を
必須の構成要素とする電子写真感光体において、該感光
層中に請求項２記載の一般式（II）で表わされるホモフ
タル酸誘導体を含有させたことを特徴とする電子写真感
光体。
【請求項４】前記感光層を電荷発生層及び電荷輸送層
で構成し、少なくとも電荷輸送層中に請求項２記載の一
般式（II）で表わされるホモフタル酸誘導体を含有させ
たことを特徴とする請求項３記載の電子写真感光体。
【請求項５】前記感光層を少なくとも電荷発生物質、
電荷輸送物質を必須成分とする単一の層で構成し、該電
荷輸送物質として請求項２記載の一般式（II）で表わさ
れるホモフタル酸誘導体を含有させたことを特徴とする
請求項３記載の電子写真感光体。