JPH071815B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPH071815B2 JPH071815B2 JP27583386A JP27583386A JPH071815B2 JP H071815 B2 JPH071815 B2 JP H071815B2 JP 27583386 A JP27583386 A JP 27583386A JP 27583386 A JP27583386 A JP 27583386A JP H071815 B2 JPH071815 B2 JP H071815B2
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- semiconductor laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザ装置に関する。
（ロ） 従来の技術 現在、半導体レーザチップから出力されるレーザ光のモ
ニタ方法としては特公昭58-46879号公報に開示されてい
るように半導体レーザチップの１対の共振器端面の両方
からレーザ光を出力せしめ、その一方から出力されるレ
ーザ光を受光素子で検出することにより行なっていた。
ニタ方法としては特公昭58-46879号公報に開示されてい
るように半導体レーザチップの１対の共振器端面の両方
からレーザ光を出力せしめ、その一方から出力されるレ
ーザ光を受光素子で検出することにより行なっていた。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 然るに、斯る方法では常に両共振器端面よりレーザ光を
出力せねばならず、一方の共振器端面の反射率を略100
％として、他方の共振器端面のみからレーザ光を出力さ
せることにより、高出力のレーザ光を取出す構成とはで
きない。
出力せねばならず、一方の共振器端面の反射率を略100
％として、他方の共振器端面のみからレーザ光を出力さ
せることにより、高出力のレーザ光を取出す構成とはで
きない。
（ニ） 問題点を解決するための手段 本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴は１対の共振器端面を有する半導体レーザチップ、該
チップの上記共振器端面と交叉する側面に積層された受
光素子からなることにある。
徴は１対の共振器端面を有する半導体レーザチップ、該
チップの上記共振器端面と交叉する側面に積層された受
光素子からなることにある。
（ホ） 作用 半導体レーザチップの共振器端面からはレーザ光が出力
されるが、その他の面からも、上記レーザ発振にほぼ比
例して自然光が放出されている。従って、上記受光素子
は上記自然光を受光する。
されるが、その他の面からも、上記レーザ発振にほぼ比
例して自然光が放出されている。従って、上記受光素子
は上記自然光を受光する。
（ヘ） 実施例 第１図は本発明の第１の実施例を示し、Siからなるヒー
トシンク（１）上には第１〜第３の半導体レーザチップ
（２）〜（４）が固着されている。斯るチップ（２）〜
（４）は共に一主面の略中央に紙面垂直方向に延在する
溝が形成されたＰ型GaAs基板（５）上にＰ型Ga0.55Al
0.45Asからなる第１クラッド層（６）、ノンドープGa
0.85Al0.15Asからなる活性層（７）、ｎ型Ga0.55Al0.45
Asからなる第２クラッド層（８）及びｎ型GaAsからなる
キャップ層（９）を順次積層してなる屈折率導波型の半
導体レーザチップである。斯る各チップ（２）〜（４）
において基板（５）の他主面及びキャップ層（９）の表
面に夫々形成された第１、第２電極（10）（11）間に順
方向バイアスを印加すると夫々紙面に平行となる１対の
共振器端面より紙面垂直方向にレーザ光が出射される。
また、上記各チップ（２）〜（４）の共振器端面と直交
する右側面には第１〜第３の受光素子（12）〜（14）が
積層されている。上記各受光素子（12）〜（14）は夫
々、各チップ（２）〜（４）の右側面及び第２電極（1
1）表面の一部に積層されたSiO2、SiN、Al2O3等からな
る1000Å厚の透明絶縁膜（15）上にITO、SnO2等からな
る2000Å厚の透明電極（16）、アモルファス半導体材料
からなる受光層（17）及び2000Å厚のAl電極（18）を順
次積層してなる。尚、上記受光層（17）としては、例え
ば150〜200Å厚のＰ型a-Si層、4000〜8000Å厚のｉ型a-
Si0.5Ge0.5:H層及び300〜500Å厚のｎ型a-Si層を順次積
層したものを用いる。また、上記Al電極（18）表面には
受光層（17）への外来光の入射を防止するためのAuから
なる光学バリア（19）が積層されている。
トシンク（１）上には第１〜第３の半導体レーザチップ
（２）〜（４）が固着されている。斯るチップ（２）〜
（４）は共に一主面の略中央に紙面垂直方向に延在する
溝が形成されたＰ型GaAs基板（５）上にＰ型Ga0.55Al
0.45Asからなる第１クラッド層（６）、ノンドープGa
0.85Al0.15Asからなる活性層（７）、ｎ型Ga0.55Al0.45
Asからなる第２クラッド層（８）及びｎ型GaAsからなる
キャップ層（９）を順次積層してなる屈折率導波型の半
導体レーザチップである。斯る各チップ（２）〜（４）
において基板（５）の他主面及びキャップ層（９）の表
面に夫々形成された第１、第２電極（10）（11）間に順
方向バイアスを印加すると夫々紙面に平行となる１対の
共振器端面より紙面垂直方向にレーザ光が出射される。
また、上記各チップ（２）〜（４）の共振器端面と直交
する右側面には第１〜第３の受光素子（12）〜（14）が
積層されている。上記各受光素子（12）〜（14）は夫
々、各チップ（２）〜（４）の右側面及び第２電極（1
1）表面の一部に積層されたSiO2、SiN、Al2O3等からな
る1000Å厚の透明絶縁膜（15）上にITO、SnO2等からな
る2000Å厚の透明電極（16）、アモルファス半導体材料
からなる受光層（17）及び2000Å厚のAl電極（18）を順
次積層してなる。尚、上記受光層（17）としては、例え
ば150〜200Å厚のＰ型a-Si層、4000〜8000Å厚のｉ型a-
Si0.5Ge0.5:H層及び300〜500Å厚のｎ型a-Si層を順次積
層したものを用いる。また、上記Al電極（18）表面には
受光層（17）への外来光の入射を防止するためのAuから
なる光学バリア（19）が積層されている。
第２図に例えば第１の半導体レーザチップ（２）の第
１、第２電極（10）（11）間に順方向バイアスを印加し
た際の、レーザの駆動電流と第１の半導体レーザチップ
（２）のレーザ光出力との関係及びこのレーザ光出力と
第１の受光素子（12）の出力との関係を夫々実線及び一
点鎖線で示す。尚、図中Ａ、Ｂ点は夫々半導体レーザチ
ップにしきい値電流が印加された時点を示す。尚、上記
チップ（２）の水平方向の幅は約100μｍである。
１、第２電極（10）（11）間に順方向バイアスを印加し
た際の、レーザの駆動電流と第１の半導体レーザチップ
（２）のレーザ光出力との関係及びこのレーザ光出力と
第１の受光素子（12）の出力との関係を夫々実線及び一
点鎖線で示す。尚、図中Ａ、Ｂ点は夫々半導体レーザチ
ップにしきい値電流が印加された時点を示す。尚、上記
チップ（２）の水平方向の幅は約100μｍである。
第２図より明らかな如く、第１の半導体レーザチップ
（２）にしきい値以上の電流が印加されレーザ光が出力
された後は、レーザ光出力と受光素子出力とは比例関係
となる。ゆえに、受光素子の出力に基づいてレーザ光の
出力を制御することができる。
（２）にしきい値以上の電流が印加されレーザ光が出力
された後は、レーザ光出力と受光素子出力とは比例関係
となる。ゆえに、受光素子の出力に基づいてレーザ光の
出力を制御することができる。
従って、本実施例装置では、共振器端面より出力される
レーザ光をモニタ光として使用しなくても良いので、１
対の共振器端面の一方を高反射率として、他方の共振器
端面のみからレーザ光を出力させることにより、高出力
のレーザ光を取出すことができる。
レーザ光をモニタ光として使用しなくても良いので、１
対の共振器端面の一方を高反射率として、他方の共振器
端面のみからレーザ光を出力させることにより、高出力
のレーザ光を取出すことができる。
また、第１〜第３の半導体レーザチップ（２）〜（４）
を第１図に示す如く、近接配置した際でも例えば第２の
半導体レーザチップ（３）の左側面から放出される自然
光は第１の受光素子（12）及び光学バリア（19）の存在
により、第１の半導体レーザチップ（２）内に入射する
ことを防止できる。従って、第１の半導体レーザチップ
（２）において、第２の半導体レーザチップ（３）の側
面から放出される自然光の影響による出力変動、SN比の
低下等を防止できる。
を第１図に示す如く、近接配置した際でも例えば第２の
半導体レーザチップ（３）の左側面から放出される自然
光は第１の受光素子（12）及び光学バリア（19）の存在
により、第１の半導体レーザチップ（２）内に入射する
ことを防止できる。従って、第１の半導体レーザチップ
（２）において、第２の半導体レーザチップ（３）の側
面から放出される自然光の影響による出力変動、SN比の
低下等を防止できる。
更に、上記各受光素子（12）〜（14）は各チップ（２）
〜（４）の右側面に対してパッシベーション膜として働
くので、半導体レーザチップの長寿命化が計れる。尚、
本実施例では右側面のみに受光素子を積層したが、左側
面にも受光素子を積層することにより更にパッシベーシ
ョン効果を上げることができる。
〜（４）の右側面に対してパッシベーション膜として働
くので、半導体レーザチップの長寿命化が計れる。尚、
本実施例では右側面のみに受光素子を積層したが、左側
面にも受光素子を積層することにより更にパッシベーシ
ョン効果を上げることができる。
第３図は本発明の第２の実施例を示し、第１の実施例と
の相違は、第１の実施例ではヒートシンク（１）上にハ
イブリッドに載置した第１〜第３の半導体レーザチップ
（２）〜（４）の各々に第１〜第３の受光素子（12）〜
（14）を形成したのに対して、第２の実施例では１つの
基板（５）上に第１〜第３の半導体レーザチップ（２）
〜（４）をモノリシックに形成してなる装置の各々のチ
ップに第１〜第３の受光素子（12）〜（14）を形成した
ものである。尚、第３図中、第１図と同一箇所には同一
符号を付し説明を省略する。
の相違は、第１の実施例ではヒートシンク（１）上にハ
イブリッドに載置した第１〜第３の半導体レーザチップ
（２）〜（４）の各々に第１〜第３の受光素子（12）〜
（14）を形成したのに対して、第２の実施例では１つの
基板（５）上に第１〜第３の半導体レーザチップ（２）
〜（４）をモノリシックに形成してなる装置の各々のチ
ップに第１〜第３の受光素子（12）〜（14）を形成した
ものである。尚、第３図中、第１図と同一箇所には同一
符号を付し説明を省略する。
このような第２の実施例の構成でも第１の実施例と同様
な効果が得られる。
な効果が得られる。
（ト） 発明の効果 本発明によれば、半導体レーザチップの側面から放出さ
れる自然光をモニタ光として用いることができるので、
共振器端面の一方から高出力のレーザ光を出力可能であ
る。
れる自然光をモニタ光として用いることができるので、
共振器端面の一方から高出力のレーザ光を出力可能であ
る。
第１図及び第３図は夫々本発明の第１、第２の実施例を
示す断面図、第２図はレーザ光出力と駆動電流及び受光
素子出力との関係を示す特性図である。 （２）〜（４）……第１〜第３半導体レーザチップ、
（12）〜（14）……第１〜第３受光素子。
示す断面図、第２図はレーザ光出力と駆動電流及び受光
素子出力との関係を示す特性図である。 （２）〜（４）……第１〜第３半導体レーザチップ、
（12）〜（14）……第１〜第３受光素子。
Claims (1)
- 【請求項１】１対の共振器端面を有する半導体レーザチ
ップ、該チップの上記共振器端面と交叉する側面に積層
された受光素子からなることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27583386A JPH071815B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27583386A JPH071815B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128783A JPS63128783A (ja) | 1988-06-01 |
| JPH071815B2 true JPH071815B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=17561062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27583386A Expired - Fee Related JPH071815B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071815B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5076694B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2012-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP5063300B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2012-10-31 | 富士フイルム株式会社 | レーザモジュール |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27583386A patent/JPH071815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63128783A (ja) | 1988-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |