JPS63128783A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63128783A JPS63128783A JP27583386A JP27583386A JPS63128783A JP S63128783 A JPS63128783 A JP S63128783A JP 27583386 A JP27583386 A JP 27583386A JP 27583386 A JP27583386 A JP 27583386A JP S63128783 A JPS63128783 A JP S63128783A
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- Japan
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- light
- laser beam
- semiconductor laser
- resonator
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- Granted
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関する。
（ロ）従来の技術
現在、半導体レーザチップから出力されるレーザ光のモ
ニタ方法としては特公昭５Ｂ−４６８７９号公報に開示
されているように半導体レーザチップの１対の共振器端
面の両方からレーザ光を出力せしめ、その一方から出力
されるレーザ光を受光素子で検出することにより行なっ
ていた。
ニタ方法としては特公昭５Ｂ−４６８７９号公報に開示
されているように半導体レーザチップの１対の共振器端
面の両方からレーザ光を出力せしめ、その一方から出力
されるレーザ光を受光素子で検出することにより行なっ
ていた。
Ｖｌ 発明が解決しようとする問題轟然るに、斯る方
法では常に雨具振器端面よりレーザ光を出力せねばなら
ず、一方の共振器端面の反射率を略１００％として、他
方の共振器端面のみからレーザ光を出力させることによ
り、高出力のレーザ光を取出す構成とはできない。
法では常に雨具振器端面よりレーザ光を出力せねばなら
ず、一方の共振器端面の反射率を略１００％として、他
方の共振器端面のみからレーザ光を出力させることによ
り、高出力のレーザ光を取出す構成とはできない。
に）問題点を解決するための手段
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴＃′ｉ１対の共振器端面を有する半導体レーザチップ
、該チップの上記共振器端面とｔヱする側面に積層され
た受光素子からなることにある。
徴＃′ｉ１対の共振器端面を有する半導体レーザチップ
、該チップの上記共振器端面とｔヱする側面に積層され
た受光素子からなることにある。
（ホ）作 用
半導体レーザチップの共振器端面からはレーザ光が出力
されるが、その他の面からも、上記レーザ発振にほぼ比
例して自然光が放出されている。
されるが、その他の面からも、上記レーザ発振にほぼ比
例して自然光が放出されている。
従って、上記受光素子は上記自然光を受光する。
（ハ）実施例
第１図は本発明の第１の実施例を示し、Ｓｌからなるヒ
ートシンク（１）上には第１〜第３の半導体レーザチッ
プ（２１〜（４）が固着されている。斯るチ・ｌプ（２
）〜（４）は共に一生面の略中央に紙面垂直方向に延在
する溝が形成されたＰ型（）ａＡｓ基板（５）上にＰ型
Ｇａｏ、ｓｓ ＡｌＯ，４５Ａｓからなる第１クラッド
層（６）、ノンドープＧａ（１，，５Ａｊ？ｏ、ｔｓ
Ａｓからなる活性層（７）、ｎ型Ｇａｏ、ｓ６ ｋｌ
Ｏ，４５Ａｓからなる第２クラッド層（８）及びｎ型Ｇ
ａ Ａｓ からなるキャップ層（９）を順次積層して
なる屈折率導波型の半導体レーザチップである。斯る各
チップ（２）〜（４）において基板（５）の他主面及び
キャップ層（９）の表面に夫々形成された第１、第２電
極１０αυ間に順方向バイアスを印加すると夫々紙面に
平行となる１対の共振器端面より紙面垂直方向にレーザ
光が出射される。また、上記各チップ（２）〜（４）の
共振器端面と直交する右側面には第１〜第３の受光素子
０２〜［１４１が８を層されている。上記各受光素子（
２）〜αＩは夫々、各チップ（２）〜（４）の右側面及
び第２電極０１１表面の一部に積層された５ｉ０２、Ｓ
ｉＮ、ＡＮｚ ０５等からなる１０００人厚の透明絶縁
膜−上に工ＴＯ％５ｎ０２ 等からなる２０００人厚
の透明電極α臥アモルファス半導体材料からなる受光層
αり及び２０００人厚の透明電極α咎を順次積層してな
る。尚、上記受光層Ｃ１７１とししたものを用いる。ま
た、上記Ａｌｌ電極裏表面は受光層αηへの外来光の入
射を防止するためのんぽからなる光学バリアα９が積層
されている。
ートシンク（１）上には第１〜第３の半導体レーザチッ
プ（２１〜（４）が固着されている。斯るチ・ｌプ（２
）〜（４）は共に一生面の略中央に紙面垂直方向に延在
する溝が形成されたＰ型（）ａＡｓ基板（５）上にＰ型
Ｇａｏ、ｓｓ ＡｌＯ，４５Ａｓからなる第１クラッド
層（６）、ノンドープＧａ（１，，５Ａｊ？ｏ、ｔｓ
Ａｓからなる活性層（７）、ｎ型Ｇａｏ、ｓ６ ｋｌ
Ｏ，４５Ａｓからなる第２クラッド層（８）及びｎ型Ｇ
ａ Ａｓ からなるキャップ層（９）を順次積層して
なる屈折率導波型の半導体レーザチップである。斯る各
チップ（２）〜（４）において基板（５）の他主面及び
キャップ層（９）の表面に夫々形成された第１、第２電
極１０αυ間に順方向バイアスを印加すると夫々紙面に
平行となる１対の共振器端面より紙面垂直方向にレーザ
光が出射される。また、上記各チップ（２）〜（４）の
共振器端面と直交する右側面には第１〜第３の受光素子
０２〜［１４１が８を層されている。上記各受光素子（
２）〜αＩは夫々、各チップ（２）〜（４）の右側面及
び第２電極０１１表面の一部に積層された５ｉ０２、Ｓ
ｉＮ、ＡＮｚ ０５等からなる１０００人厚の透明絶縁
膜−上に工ＴＯ％５ｎ０２ 等からなる２０００人厚
の透明電極α臥アモルファス半導体材料からなる受光層
αり及び２０００人厚の透明電極α咎を順次積層してな
る。尚、上記受光層Ｃ１７１とししたものを用いる。ま
た、上記Ａｌｌ電極裏表面は受光層αηへの外来光の入
射を防止するためのんぽからなる光学バリアα９が積層
されている。
第２図に例えば第１の半導体レーザ光出力（２）の第１
、第２電極００α１）間に順方向バイアスを印加した際
の、レーザの駆動電流と第１の半導体レーザチップ（２
）のレーザ光出力との関係及びこのレーザ光出力と第１
の受光素子（１ｚの出力との関係を夫々実線及び一点鎖
線で示す。尚、図中Ａ％Ｂ点は夫々半導体レーザチップ
にしきい値電流が印加された時点を示す。尚、上記チッ
プ（２）の水平方向の幅は約１００μｍである。
、第２電極００α１）間に順方向バイアスを印加した際
の、レーザの駆動電流と第１の半導体レーザチップ（２
）のレーザ光出力との関係及びこのレーザ光出力と第１
の受光素子（１ｚの出力との関係を夫々実線及び一点鎖
線で示す。尚、図中Ａ％Ｂ点は夫々半導体レーザチップ
にしきい値電流が印加された時点を示す。尚、上記チッ
プ（２）の水平方向の幅は約１００μｍである。
第２図より明らかな如く、第１の半導体レーザチップ（
２）にしきい値以上の電流が印加されレーザ光が出力さ
れた後は、レーザ光出力と受光素子出力とは比例関係と
なる。ゆえに、受光素子の出力に基づいてレーザ光の出
力を制御することができる。
２）にしきい値以上の電流が印加されレーザ光が出力さ
れた後は、レーザ光出力と受光素子出力とは比例関係と
なる。ゆえに、受光素子の出力に基づいてレーザ光の出
力を制御することができる。
従って、本実施例装置では、共振器端面より出力される
レーザ光をモニタ光として使用しなくて面 も良いので、１対の共振器シ一方を高反射率として、他
方の共振器端面のみからレーザ光を出力させることによ
り、高出力のレーザ光を取出すことができる。
レーザ光をモニタ光として使用しなくて面 も良いので、１対の共振器シ一方を高反射率として、他
方の共振器端面のみからレーザ光を出力させることによ
り、高出力のレーザ光を取出すことができる。
また、第１〜第３の半導体レーザチップ（２）〜（４）
を第１図に示す如く、近接配置した際でも例えば第２の
半導体レーザチップ（３）の左側面から放出される自然
光は第１の受光素子α２及び光学バリアＯｊの存在によ
り、第１の半導体レーザチップ（２）内に入射すること
を防止できる。従って、第１の半導体レーザチップ（２
）において、第２の半導体レーザチップ（３）の側面か
ら放出される自然光の影響による出力変動、ＳＮ比の低
下等を防止できる。
を第１図に示す如く、近接配置した際でも例えば第２の
半導体レーザチップ（３）の左側面から放出される自然
光は第１の受光素子α２及び光学バリアＯｊの存在によ
り、第１の半導体レーザチップ（２）内に入射すること
を防止できる。従って、第１の半導体レーザチップ（２
）において、第２の半導体レーザチップ（３）の側面か
ら放出される自然光の影響による出力変動、ＳＮ比の低
下等を防止できる。
更に、上記各受光素子０２〜αりは各チップ（２）〜（
４）の右側面に対してパッジベージ賞ン膜として働くの
で、半導体レーザチップの長寿命化が計れる。
４）の右側面に対してパッジベージ賞ン膜として働くの
で、半導体レーザチップの長寿命化が計れる。
尚、本実施例では右側面のみに受光素子を積層したが、
左側面にも受光素子を積層することにより更にパッシベ
ーション効果を上げることができる。
左側面にも受光素子を積層することにより更にパッシベ
ーション効果を上げることができる。
第３図は本発明の第２の実施例を示し、第１の実施例と
の相違は、第１の実施例ではヒートシンク（１）上にハ
イブリッドに載置した第１〜第３の半導体レーザチップ
（２）〜（４）の各々に第１〜第３の受光素子■〜α滲
を形成したのに対して、第２の実施例では１つの基板（
５）上に第１〜第３の半導体レーザチップ（２）〜（４
）ヲモノリシックに形成してなる装置の各々のチップに
第１〜第３の受光素子０ｚ〜０滲を形成したものである
。尚、第３図中、第１図と同一箇所には同一符号を付し
説明を省略する。
の相違は、第１の実施例ではヒートシンク（１）上にハ
イブリッドに載置した第１〜第３の半導体レーザチップ
（２）〜（４）の各々に第１〜第３の受光素子■〜α滲
を形成したのに対して、第２の実施例では１つの基板（
５）上に第１〜第３の半導体レーザチップ（２）〜（４
）ヲモノリシックに形成してなる装置の各々のチップに
第１〜第３の受光素子０ｚ〜０滲を形成したものである
。尚、第３図中、第１図と同一箇所には同一符号を付し
説明を省略する。
このような第２の実施例の構成でも第１の実施例と同様
な効果が得られる。
な効果が得られる。
（ト） 発明の効果
本発明によれば、半導体レーザチップの側面から放出さ
れる自然光をモニタ光として用いることができるので、
共振器端面の一方から高出力のレーザ光を出力可能であ
る。
れる自然光をモニタ光として用いることができるので、
共振器端面の一方から高出力のレーザ光を出力可能であ
る。
第１図及び第３図は夫々本発明の第１、第２の実施例を
示す断面図、第２図はレーザ光出力と駆動電流及び受光
素子出力との関係を示す特性図である。 （２）〜（４）・・・第１〜第３半導体レーザチップ、
０２〜αト・・第１〜第３受光素子。
示す断面図、第２図はレーザ光出力と駆動電流及び受光
素子出力との関係を示す特性図である。 （２）〜（４）・・・第１〜第３半導体レーザチップ、
０２〜αト・・第１〜第３受光素子。
Claims (1)
- （１）１対の共振器端面を有する半導体レーザチップ、
該チップの上記共振器端面と交叉する側面に積層された
受光素子からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27583386A JPH071815B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27583386A JPH071815B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128783A true JPS63128783A (ja) | 1988-06-01 |
| JPH071815B2 JPH071815B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=17561062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27583386A Expired - Fee Related JPH071815B2 (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071815B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021432A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27583386A patent/JPH071815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021432A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071815B2 (ja) | 1995-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |