JPH11259845A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH11259845A JPH11259845A JP5561198A JP5561198A JPH11259845A JP H11259845 A JPH11259845 A JP H11259845A JP 5561198 A JP5561198 A JP 5561198A JP 5561198 A JP5561198 A JP 5561198A JP H11259845 A JPH11259845 A JP H11259845A
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- thin film
- magnetic
- coercive force
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 更なる高記録密度化に対応できるような高い
保磁力を確保する。 【解決手段】 非磁性支持体上に保磁力が200(kA
/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜
を蒸着により下地層として形成し、その上に金属磁性薄
膜を蒸着により積層形成する。
保磁力を確保する。 【解決手段】 非磁性支持体上に保磁力が200(kA
/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜
を蒸着により下地層として形成し、その上に金属磁性薄
膜を蒸着により積層形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体及び
その製造方法に関する。詳しくは金属薄膜型の磁気記録
媒体の下地層の改良に係わるものである。
その製造方法に関する。詳しくは金属薄膜型の磁気記録
媒体の下地層の改良に係わるものである。
【0002】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体としては、酸化物磁
性粉末や合金磁性粉末等の強磁性粉末と塩化ビニル−酢
酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹
脂、ポリウレタン樹脂等の結合剤、有機溶剤よりなる磁
性塗料を非磁性支持体上に塗布することで磁性層が形成
される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用され
ている。
性粉末や合金磁性粉末等の強磁性粉末と塩化ビニル−酢
酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹
脂、ポリウレタン樹脂等の結合剤、有機溶剤よりなる磁
性塗料を非磁性支持体上に塗布することで磁性層が形成
される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用され
ている。
【0003】これに対し、高密度記録化への要求の高ま
りとともに、Co、Co−Ni合金、Co−Cr合金、
Co−O等の金属磁性材料をめっきや真空薄膜形成技術
(真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等)によってポリエステルフィルムやポリアミドフ
ィルム、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接
被着させることで磁性層が形成される、いわゆる金属磁
性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めている。
りとともに、Co、Co−Ni合金、Co−Cr合金、
Co−O等の金属磁性材料をめっきや真空薄膜形成技術
(真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等)によってポリエステルフィルムやポリアミドフ
ィルム、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接
被着させることで磁性層が形成される、いわゆる金属磁
性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めている。
【0004】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、塗
布型の磁気記録媒体に比べて保磁力、角形比等の磁気特
性に優れ、短波長領域での電磁変換特性に優れるばかり
でなく、磁性層の厚みを極めて薄くすることが可能であ
るため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必
要がないことから、磁性材料の充填密度を高めることが
可能である等数々の利点を有している。
布型の磁気記録媒体に比べて保磁力、角形比等の磁気特
性に優れ、短波長領域での電磁変換特性に優れるばかり
でなく、磁性層の厚みを極めて薄くすることが可能であ
るため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必
要がないことから、磁性材料の充填密度を高めることが
可能である等数々の利点を有している。
【0005】また、このような金属磁性薄膜型の磁気記
録媒体においては、電磁変換特性を更に向上させ、より
大きな出力を得ることを可能とするために、磁性層形成
時に磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れている。
録媒体においては、電磁変換特性を更に向上させ、より
大きな出力を得ることを可能とするために、磁性層形成
時に磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な金属薄膜型の磁気記録媒体においては、更なる高記録
密度化への要求から高い保磁力が要求されており、これ
に対応するべく、金属磁性薄膜を斜方蒸着する際に、酸
素を導入するといった手段が提案されているものの、高
記録密度化の要求に十分応え得るものではなかった。
な金属薄膜型の磁気記録媒体においては、更なる高記録
密度化への要求から高い保磁力が要求されており、これ
に対応するべく、金属磁性薄膜を斜方蒸着する際に、酸
素を導入するといった手段が提案されているものの、高
記録密度化の要求に十分応え得るものではなかった。
【0007】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提
案されるものであって、更なる高記録密度化に対応でき
るような高い保磁力が確保される磁気記録媒体及びその
製造方法を提供しようとするものである。
案されるものであって、更なる高記録密度化に対応でき
るような高い保磁力が確保される磁気記録媒体及びその
製造方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上に金
属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体であって、上
記金属磁性薄膜の下地層として保磁力が200(kA/
m)〜500(kA/m)の強磁性金属薄膜が形成され
ていることを特徴とするものである。
め、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上に金
属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体であって、上
記金属磁性薄膜の下地層として保磁力が200(kA/
m)〜500(kA/m)の強磁性金属薄膜が形成され
ていることを特徴とするものである。
【0009】このように、下地層として保磁力が200
(kA/m)〜500(kA/m)と高い保磁力を有す
る強磁性金属薄膜を下地層として形成すれば、その上に
形成される金属磁性薄膜において記録の際に磁化が反転
するといった現象は抑えられる。
(kA/m)〜500(kA/m)と高い保磁力を有す
る強磁性金属薄膜を下地層として形成すれば、その上に
形成される金属磁性薄膜において記録の際に磁化が反転
するといった現象は抑えられる。
【0010】すなわち、本発明においては金属薄膜の下
地層を上記金属薄膜より保磁力が大である強磁性金属薄
膜とすることで上述のような現象を抑えている。そし
て、上記金属磁性薄膜の保磁力が通常約100(kA/
m)〜130(kA/m)であることから、下地層とな
る強磁性金属薄膜の保磁力が200(kA/m)未満で
は、これら金属磁性薄膜と強磁性金属薄膜の保磁力の差
が有効なものとならず、本発明の効果が十分に得られな
い。
地層を上記金属薄膜より保磁力が大である強磁性金属薄
膜とすることで上述のような現象を抑えている。そし
て、上記金属磁性薄膜の保磁力が通常約100(kA/
m)〜130(kA/m)であることから、下地層とな
る強磁性金属薄膜の保磁力が200(kA/m)未満で
は、これら金属磁性薄膜と強磁性金属薄膜の保磁力の差
が有効なものとならず、本発明の効果が十分に得られな
い。
【0011】また、強磁性金属薄膜の保磁力が500
(kA/m)よりも大であると再生装置に対しノイズ等
の悪影響を及ぼし得る。さらに、現行の磁気ヘッドでは
保磁力が500(kA/m)よりも大である強磁性金属
薄膜を下地層とした金属磁性薄膜への情報の書き込みは
難しい。さらにまた、保磁力が500(kA/m)より
も大である強磁性金属薄膜は現時点では実現が困難であ
る。
(kA/m)よりも大であると再生装置に対しノイズ等
の悪影響を及ぼし得る。さらに、現行の磁気ヘッドでは
保磁力が500(kA/m)よりも大である強磁性金属
薄膜を下地層とした金属磁性薄膜への情報の書き込みは
難しい。さらにまた、保磁力が500(kA/m)より
も大である強磁性金属薄膜は現時点では実現が困難であ
る。
【0012】なお、上記のような磁気記録媒体を製造す
る方法としては、非磁性支持体上に保磁力が200(k
A/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄
膜を蒸着により下地層として形成し、その上に金属磁性
薄膜を蒸着により積層形成する方法が挙げられる。
る方法としては、非磁性支持体上に保磁力が200(k
A/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄
膜を蒸着により下地層として形成し、その上に金属磁性
薄膜を蒸着により積層形成する方法が挙げられる。
【0013】上記下地層を形成する手段である蒸着の具
体的な例としては、電子ビーム溶解による蒸着やスパッ
タ法による蒸着が挙げられる。
体的な例としては、電子ビーム溶解による蒸着やスパッ
タ法による蒸着が挙げられる。
【0014】なお、上記下地層を形成する強磁性金属材
料としては、上記の条件を満たすものであれば何れでも
良いが、Pt−Co、Y−Co、La−Co、Ce−C
o、Pr−Co、Sm−Co等が例示される。
料としては、上記の条件を満たすものであれば何れでも
良いが、Pt−Co、Y−Co、La−Co、Ce−C
o、Pr−Co、Sm−Co等が例示される。
【0015】また、上記金属磁性薄膜は、通常の金属磁
性薄膜型磁気記録媒体に使用される材料により形成すれ
ば良い。例示すれば、Fe,Co,Ni等の強磁性金属
材料、Fe−Co,Co−Ni,Fe−Co−Ni,F
e−Cu,Co−Cu,Co−Au,Co−Pt,Fe
−Cr,Co−Cr,Ni−Cr,Fe−Co−Cr,
Co−Ni−Cr,Fe−Co−Ni−Cr等の強磁性
合金材料等が挙げられる。そして、例えば上記金属磁性
薄膜表面近傍が耐食性改善等のために酸化物となってい
ても良い。
性薄膜型磁気記録媒体に使用される材料により形成すれ
ば良い。例示すれば、Fe,Co,Ni等の強磁性金属
材料、Fe−Co,Co−Ni,Fe−Co−Ni,F
e−Cu,Co−Cu,Co−Au,Co−Pt,Fe
−Cr,Co−Cr,Ni−Cr,Fe−Co−Cr,
Co−Ni−Cr,Fe−Co−Ni−Cr等の強磁性
合金材料等が挙げられる。そして、例えば上記金属磁性
薄膜表面近傍が耐食性改善等のために酸化物となってい
ても良い。
【0016】さらに、本発明の磁気記録媒体においては
金属磁性薄膜上に保護膜が形成されていても良く、上記
保護膜は、金属磁性薄膜型磁気記録媒体の保護膜形成材
料として一般的に使用されるものにより形成すれば良
い。このような材料としては、例えば、カーボン,Cr
O2 ,Al2 O3 ,BN,Co酸化物,MgO,SiO
2 ,Si3 O4 ,SiNX ,SiC,SiNX −SiO
2 ,ZrO2 ,TiO2,TiC等が挙げられる。な
お、この保護膜を形成する場合、上記のような材料より
なる単層膜、多層膜或いは金属との複合膜であっても良
い。
金属磁性薄膜上に保護膜が形成されていても良く、上記
保護膜は、金属磁性薄膜型磁気記録媒体の保護膜形成材
料として一般的に使用されるものにより形成すれば良
い。このような材料としては、例えば、カーボン,Cr
O2 ,Al2 O3 ,BN,Co酸化物,MgO,SiO
2 ,Si3 O4 ,SiNX ,SiC,SiNX −SiO
2 ,ZrO2 ,TiO2,TiC等が挙げられる。な
お、この保護膜を形成する場合、上記のような材料より
なる単層膜、多層膜或いは金属との複合膜であっても良
い。
【0017】さらにまた、本発明を適用した金属磁性薄
膜型磁気記録媒体においては、その構成はこれに限定さ
れるものではなく、例えば必要に応じてバックコート層
を形成したり、潤滑剤、防錆剤等の層を形成することは
何等差し支えない。この場合、バックコート層に含まれ
る非磁性顔料、樹脂結合剤或いは潤滑剤、防錆剤層に含
まれる材料としては従来公知のものが何れも使用可能で
ある。
膜型磁気記録媒体においては、その構成はこれに限定さ
れるものではなく、例えば必要に応じてバックコート層
を形成したり、潤滑剤、防錆剤等の層を形成することは
何等差し支えない。この場合、バックコート層に含まれ
る非磁性顔料、樹脂結合剤或いは潤滑剤、防錆剤層に含
まれる材料としては従来公知のものが何れも使用可能で
ある。
【0018】本発明の磁気記録媒体及びその製造方法に
おいては、非磁性支持体上に保磁力が200(kA/
m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜を
蒸着により下地層として形成し、その上に金属磁性薄膜
を蒸着により積層形成するようにしているため、上記金
属磁性薄膜の保磁力が高まり、配向性も制御され、その
電磁変換特性は良好なものとなる。
おいては、非磁性支持体上に保磁力が200(kA/
m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜を
蒸着により下地層として形成し、その上に金属磁性薄膜
を蒸着により積層形成するようにしているため、上記金
属磁性薄膜の保磁力が高まり、配向性も制御され、その
電磁変換特性は良好なものとなる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0020】本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持
体上に、保磁力が200(kA/m)〜500(kA/
m)の強磁性金属薄膜である下地層が形成され、さらに
その上に金属磁性薄膜が形成されてなるものである。
体上に、保磁力が200(kA/m)〜500(kA/
m)の強磁性金属薄膜である下地層が形成され、さらに
その上に金属磁性薄膜が形成されてなるものである。
【0021】上記下地層を形成する強磁性金属材料とし
ては、上記の条件を満たすものであれば何れでも良い
が、Pt−Co、Y−Co、La−Co、Ce−Co、
Pr−Co、Sm−Co等が例示される。
ては、上記の条件を満たすものであれば何れでも良い
が、Pt−Co、Y−Co、La−Co、Ce−Co、
Pr−Co、Sm−Co等が例示される。
【0022】また、上記金属磁性薄膜は、通常の金属磁
性薄膜型磁気記録媒体に使用される材料により形成すれ
ば良い。例示すれば、Fe,Co,Ni等の強磁性金属
材料、Fe−Co,Co−Ni,Fe−Co−Ni,F
e−Cu,Co−Cu,Co−Au,Co−Pt,Fe
−Cr,Co−Cr,Ni−Cr,Fe−Co−Cr,
Co−Ni−Cr,Fe−Co−Ni−Cr等の強磁性
合金材料等が挙げられる。そして、例えば金属磁性薄膜
表面近傍が耐食性改善等のために酸化物となっていても
良い。
性薄膜型磁気記録媒体に使用される材料により形成すれ
ば良い。例示すれば、Fe,Co,Ni等の強磁性金属
材料、Fe−Co,Co−Ni,Fe−Co−Ni,F
e−Cu,Co−Cu,Co−Au,Co−Pt,Fe
−Cr,Co−Cr,Ni−Cr,Fe−Co−Cr,
Co−Ni−Cr,Fe−Co−Ni−Cr等の強磁性
合金材料等が挙げられる。そして、例えば金属磁性薄膜
表面近傍が耐食性改善等のために酸化物となっていても
良い。
【0023】さらに、本発明の磁気記録媒体においては
金属磁性薄膜上に保護膜が形成されていても良く、上記
保護膜は、金属磁性薄膜型磁気記録媒体の保護膜形成材
料として一般的に使用されるものにより形成すれば良
い。このような材料としては、例えば、カーボン,Cr
O2 ,Al2 O3 ,BN,Co酸化物,MgO,SiO
2 ,Si3 O4 ,SiNX ,SiC,SiNX −SiO
2 ,ZrO2 ,TiO2,TiC等が挙げられる。な
お、この保護膜を形成する場合、上記のような材料より
なる単層膜、多層膜或いは金属との複合膜であっても良
い。
金属磁性薄膜上に保護膜が形成されていても良く、上記
保護膜は、金属磁性薄膜型磁気記録媒体の保護膜形成材
料として一般的に使用されるものにより形成すれば良
い。このような材料としては、例えば、カーボン,Cr
O2 ,Al2 O3 ,BN,Co酸化物,MgO,SiO
2 ,Si3 O4 ,SiNX ,SiC,SiNX −SiO
2 ,ZrO2 ,TiO2,TiC等が挙げられる。な
お、この保護膜を形成する場合、上記のような材料より
なる単層膜、多層膜或いは金属との複合膜であっても良
い。
【0024】さらにまた、本発明を適用した金属磁性薄
膜型磁気記録媒体においては、その構成はこれに限定さ
れるものではなく、例えば必要に応じてバックコート層
を形成したり、潤滑剤、防錆剤等の層を形成することは
何等差し支えない。この場合、バックコート層に含まれ
る非磁性顔料、樹脂結合剤或いは潤滑剤、防錆剤層に含
まれる材料としては従来公知のものが何れも使用可能で
ある。
膜型磁気記録媒体においては、その構成はこれに限定さ
れるものではなく、例えば必要に応じてバックコート層
を形成したり、潤滑剤、防錆剤等の層を形成することは
何等差し支えない。この場合、バックコート層に含まれ
る非磁性顔料、樹脂結合剤或いは潤滑剤、防錆剤層に含
まれる材料としては従来公知のものが何れも使用可能で
ある。
【0025】上記本発明の磁気記録媒体においては、保
磁力が200(kA/m)〜500(kA/m)と高い
保磁力を有する強磁性金属薄膜を下地層とし、その上に
金属磁性薄膜を形成するようにしていることから、この
金属磁性薄膜においても保磁力が高まり、記録の際に磁
化が反転するといった現象は抑えられ、配向性も制御さ
れ、その電磁変換特性が良好なものとなり、更なる高記
録密度化へ十分対応可能となる。
磁力が200(kA/m)〜500(kA/m)と高い
保磁力を有する強磁性金属薄膜を下地層とし、その上に
金属磁性薄膜を形成するようにしていることから、この
金属磁性薄膜においても保磁力が高まり、記録の際に磁
化が反転するといった現象は抑えられ、配向性も制御さ
れ、その電磁変換特性が良好なものとなり、更なる高記
録密度化へ十分対応可能となる。
【0026】そして、上記のような磁気記録媒体を製造
する方法としては、非磁性支持体上に保磁力が200
(kA/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりな
る薄膜を蒸着により下地層として形成し、その上に金属
磁性薄膜を蒸着により積層形成する方法が挙げられる。
する方法としては、非磁性支持体上に保磁力が200
(kA/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりな
る薄膜を蒸着により下地層として形成し、その上に金属
磁性薄膜を蒸着により積層形成する方法が挙げられる。
【0027】上記下地層を形成する手段である蒸着の具
体的な例としては、電子ビーム溶解による蒸着やスパッ
タ法による蒸着が挙げられる。
体的な例としては、電子ビーム溶解による蒸着やスパッ
タ法による蒸着が挙げられる。
【0028】そこで、電子ビーム溶解による蒸着を適用
し、本発明の磁気記録媒体製造方法に対応可能な磁気記
録媒体製造装置の一例を挙げる。
し、本発明の磁気記録媒体製造方法に対応可能な磁気記
録媒体製造装置の一例を挙げる。
【0029】この磁気記録媒体製造装置は、図1に模式
的に示すように、頭部と底部及び側部にそれぞれ設けら
れた排気口13から排気されて内部が真空状態となされ
た真空室l内に、図中の時計回り方向に定速回転する送
りロール3と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取
りロール4とが設けられ、これら送りロール3から巻取
りロール4にテープ状の非磁性支持体2が順次走行する
ようになされている。
的に示すように、頭部と底部及び側部にそれぞれ設けら
れた排気口13から排気されて内部が真空状態となされ
た真空室l内に、図中の時計回り方向に定速回転する送
りロール3と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取
りロール4とが設けられ、これら送りロール3から巻取
りロール4にテープ状の非磁性支持体2が順次走行する
ようになされている。
【0030】これら送りロール3から巻取りロール4側
に上記非磁性支持体2が走行する中途部には、上記各ロ
ール3,4の径よりも大径となされた冷却キャン5が設
けられている。この冷却キャン5は、上記非磁性支持体
2を図中右方に引き出すように設けられ、図中の時計回
り方向に定速回転する構成とされる。なお、上記送りロ
ール3、巻取りロール4及び冷却キャン5は、それぞれ
非磁性支持体2の幅と略同じ長さからなる円筒状をなす
ものである。また上記冷却キャン5には、内部に図示し
ない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体2の温度上
昇による変形等を抑制し得るようになされている。
に上記非磁性支持体2が走行する中途部には、上記各ロ
ール3,4の径よりも大径となされた冷却キャン5が設
けられている。この冷却キャン5は、上記非磁性支持体
2を図中右方に引き出すように設けられ、図中の時計回
り方向に定速回転する構成とされる。なお、上記送りロ
ール3、巻取りロール4及び冷却キャン5は、それぞれ
非磁性支持体2の幅と略同じ長さからなる円筒状をなす
ものである。また上記冷却キャン5には、内部に図示し
ない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体2の温度上
昇による変形等を抑制し得るようになされている。
【0031】従って、上記非磁性支持体2は、図中矢印
M1 で示すように、送りロール3から順次送り出され、
さらに上記冷却キャン5の周面を通過し、巻取りロール
4に巻取られていくようになされている。なお、上記送
りロール3と上記冷却キャン5との間及び該冷却キャン
5と上記巻取りロール4との間にはそれぞれガイドロー
ル6、7が配設され、上記送りロール3から冷却キャン
5及び該冷却キャン5から巻取りロール4にわたって走
行する非磁性支持体2に所定のテンションをかけ、該非
磁性支持体2が円滑に走行するようになされている。ま
た、上記真空室1内には、上記冷却キャン5の下方にル
ツボ8が設けられ、このルツボ8内に薄膜形成材料9が
充填されている。このルツボ8は、上記冷却キャン5の
長手方向の幅と略同一の幅を有している。
M1 で示すように、送りロール3から順次送り出され、
さらに上記冷却キャン5の周面を通過し、巻取りロール
4に巻取られていくようになされている。なお、上記送
りロール3と上記冷却キャン5との間及び該冷却キャン
5と上記巻取りロール4との間にはそれぞれガイドロー
ル6、7が配設され、上記送りロール3から冷却キャン
5及び該冷却キャン5から巻取りロール4にわたって走
行する非磁性支持体2に所定のテンションをかけ、該非
磁性支持体2が円滑に走行するようになされている。ま
た、上記真空室1内には、上記冷却キャン5の下方にル
ツボ8が設けられ、このルツボ8内に薄膜形成材料9が
充填されている。このルツボ8は、上記冷却キャン5の
長手方向の幅と略同一の幅を有している。
【0032】一方、上記真空室lの側壁部には、上記ル
ツボ8内に充填された薄膜形成材料9を加熱蒸発させる
ための電子銃10が取り付けられる。この電子銃10
は、当該電子銃10より放出される図中矢印Xで示され
る電子線が上記ルツボ8内の薄膜形成材料9に照射され
るような位置に配設される。そして、この電子銃10に
よって蒸発した薄膜形成材料9が上記冷却キャン5の周
面を定速走行する非磁性支持体2上に被着して薄膜が被
着形成されるようになっている。また、上記冷却キャン
5と上記ルツボ8との間であって該冷却キャン5の近傍
には、シャッタ11が配設されている。このシャッタ1
1は、上記冷却キャン5の周面を定速走行する非磁性支
持体2の所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ1
1により上記蒸発せしめられた薄膜形成材料9が上記非
磁性支持体2に対して所定の最低入射角で斜めに蒸着さ
れるようになっている。さらに、このような蒸着に際
し、上記真空室1の底面側の壁部を貫通して設けられる
酸素ガス導入口12を介してポンプ14より非磁性支持
体2の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及
び耐候性の向上が図られている。なお、この酸素ガス導
入口12はその噴出口がシャッタ11と冷却キャン5の
周面の間に開口するように設けられている。
ツボ8内に充填された薄膜形成材料9を加熱蒸発させる
ための電子銃10が取り付けられる。この電子銃10
は、当該電子銃10より放出される図中矢印Xで示され
る電子線が上記ルツボ8内の薄膜形成材料9に照射され
るような位置に配設される。そして、この電子銃10に
よって蒸発した薄膜形成材料9が上記冷却キャン5の周
面を定速走行する非磁性支持体2上に被着して薄膜が被
着形成されるようになっている。また、上記冷却キャン
5と上記ルツボ8との間であって該冷却キャン5の近傍
には、シャッタ11が配設されている。このシャッタ1
1は、上記冷却キャン5の周面を定速走行する非磁性支
持体2の所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ1
1により上記蒸発せしめられた薄膜形成材料9が上記非
磁性支持体2に対して所定の最低入射角で斜めに蒸着さ
れるようになっている。さらに、このような蒸着に際
し、上記真空室1の底面側の壁部を貫通して設けられる
酸素ガス導入口12を介してポンプ14より非磁性支持
体2の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及
び耐候性の向上が図られている。なお、この酸素ガス導
入口12はその噴出口がシャッタ11と冷却キャン5の
周面の間に開口するように設けられている。
【0033】また、この真空蒸着装置においては、真空
室1内部をルツボ8等が設けられる図中右下部と送りロ
ール3と巻取りロール4が設けられる部分に分割する分
割板15が冷却キャン5の回転を損なうことのないよう
に設けられている。
室1内部をルツボ8等が設けられる図中右下部と送りロ
ール3と巻取りロール4が設けられる部分に分割する分
割板15が冷却キャン5の回転を損なうことのないよう
に設けられている。
【0034】すなわち、上記磁気記録媒体製造装置によ
り本発明の磁気記録媒体の製造方法を実施するには、蒸
着を2段階に分けて行う必要がある。
り本発明の磁気記録媒体の製造方法を実施するには、蒸
着を2段階に分けて行う必要がある。
【0035】先ず、下地層を形成する。真空室1内を例
えば真空度を133.322×10-4(Pa)に保ち、
薄膜形成材料9としてSmCo5 合金100(wt%)
を使用し、入射角を45゜〜90゜として、上記のよう
に非磁性支持体2を図中矢印M1 で示すように、送りロ
ール3から順次送り出し、冷却キャン5の周面を通過さ
せ、巻取りロール4に巻取らせて真空蒸着を行い、厚さ
100(nm)の薄膜を下地層として形成する。
えば真空度を133.322×10-4(Pa)に保ち、
薄膜形成材料9としてSmCo5 合金100(wt%)
を使用し、入射角を45゜〜90゜として、上記のよう
に非磁性支持体2を図中矢印M1 で示すように、送りロ
ール3から順次送り出し、冷却キャン5の周面を通過さ
せ、巻取りロール4に巻取らせて真空蒸着を行い、厚さ
100(nm)の薄膜を下地層として形成する。
【0036】次に、金属磁性薄膜を形成する。そのため
に、一度巻き取りロール4に巻き取られた下地層が形成
された非磁性支持体2を図1中矢印M1 で示す方向とは
逆方向に走行させて送りロール3に巻取り直す。そし
て、真空室1内を例えば真空度を133.322×10
-4(Pa)に保ち、薄膜形成材料9としてCo100
(wt%)を使用し、入射角を45゜〜90゜とし、酸
素ガス導入口12から酸素ガスを250(cc/分)の
流量で供給しながら、上記のように非磁性支持体2を図
中矢印M1 で示すように、送りロール3から順次送り出
し、冷却キャン5の周面を通過させ、巻取りロール4に
巻取らせて真空蒸着を行い、厚さ200(nm)の薄膜
を金属磁性薄膜として形成する。
に、一度巻き取りロール4に巻き取られた下地層が形成
された非磁性支持体2を図1中矢印M1 で示す方向とは
逆方向に走行させて送りロール3に巻取り直す。そし
て、真空室1内を例えば真空度を133.322×10
-4(Pa)に保ち、薄膜形成材料9としてCo100
(wt%)を使用し、入射角を45゜〜90゜とし、酸
素ガス導入口12から酸素ガスを250(cc/分)の
流量で供給しながら、上記のように非磁性支持体2を図
中矢印M1 で示すように、送りロール3から順次送り出
し、冷却キャン5の周面を通過させ、巻取りロール4に
巻取らせて真空蒸着を行い、厚さ200(nm)の薄膜
を金属磁性薄膜として形成する。
【0037】
【実施例】次に、本発明の効果を確認するべく、実際に
磁気記録媒体を製造してその特性について調査した。
磁気記録媒体を製造してその特性について調査した。
【0038】すなわち、先ず、非磁性支持体として、幅
が150(mm)、厚さが10(μm)のポリエチレン
テレフタレートを用意した。そして、この非磁性支持体
の一主面側に下塗り層を形成した。この下塗り層は、ア
クリル酸エステルを主成分とする水溶性ラテックスを1
000(万個/mm2 )の密度で塗布して形成した。
が150(mm)、厚さが10(μm)のポリエチレン
テレフタレートを用意した。そして、この非磁性支持体
の一主面側に下塗り層を形成した。この下塗り層は、ア
クリル酸エステルを主成分とする水溶性ラテックスを1
000(万個/mm2 )の密度で塗布して形成した。
【0039】次に、この下塗り層上に下地層となる強磁
性金属薄膜を形成した。すなわち、先に図1に示した磁
気記録媒体製造装置を用い、真空室1内の分割板15で
仕切られたルツボ8側の真空度を7×10-2(Pa)に
保ち、巻取りロール4側の真空度を9×10-1(Pa)
に保ち、薄膜形成材料9としてSmCo5 合金100
(wt%)を使用し、入射角を45゜〜90゜として、
上記のように非磁性支持体2を60(m/分)の速度で
図中矢印M1 で示すように、送りロール3から順次送り
出し、冷却キャン5の周面を通過させ、巻取りロール4
に巻取らせて真空蒸着を行い、厚さ100(nm)の薄
膜を下地層として形成した。
性金属薄膜を形成した。すなわち、先に図1に示した磁
気記録媒体製造装置を用い、真空室1内の分割板15で
仕切られたルツボ8側の真空度を7×10-2(Pa)に
保ち、巻取りロール4側の真空度を9×10-1(Pa)
に保ち、薄膜形成材料9としてSmCo5 合金100
(wt%)を使用し、入射角を45゜〜90゜として、
上記のように非磁性支持体2を60(m/分)の速度で
図中矢印M1 で示すように、送りロール3から順次送り
出し、冷却キャン5の周面を通過させ、巻取りロール4
に巻取らせて真空蒸着を行い、厚さ100(nm)の薄
膜を下地層として形成した。
【0040】このとき、上記下地層となる強磁性金属薄
膜の保磁力は240(kA/m)であった。
膜の保磁力は240(kA/m)であった。
【0041】次に、金属磁性薄膜を形成した。そのため
に、一度巻き取りロール4に巻き取られた下地層が形成
された非磁性支持体2を図1中矢印M1 で示す方向とは
逆方向に走行させて送りロール3に巻取り直した。そし
て、真空室1内の分割板15で仕切られたルツボ8側の
真空度を7×10-2(Pa)に保ち、巻取りロール4側
の真空度を9×10-1(Pa)に保ち、薄膜形成材料9
としてCo100(wt%)を使用し、入射角を45゜
〜90゜とし、酸素ガス導入口12から酸素ガスを25
0(cc/分)の流量で供給しながら、上記のように非
磁性支持体2を60(m/分)の速度で図中矢印M1 で
示すように、送りロール3から順次送り出し、冷却キャ
ン5の周面を通過させ、巻取りロール4に巻取らせて真
空蒸着を行い、厚さ100(nm)の薄膜を金属磁性薄
膜として形成した。
に、一度巻き取りロール4に巻き取られた下地層が形成
された非磁性支持体2を図1中矢印M1 で示す方向とは
逆方向に走行させて送りロール3に巻取り直した。そし
て、真空室1内の分割板15で仕切られたルツボ8側の
真空度を7×10-2(Pa)に保ち、巻取りロール4側
の真空度を9×10-1(Pa)に保ち、薄膜形成材料9
としてCo100(wt%)を使用し、入射角を45゜
〜90゜とし、酸素ガス導入口12から酸素ガスを25
0(cc/分)の流量で供給しながら、上記のように非
磁性支持体2を60(m/分)の速度で図中矢印M1 で
示すように、送りロール3から順次送り出し、冷却キャ
ン5の周面を通過させ、巻取りロール4に巻取らせて真
空蒸着を行い、厚さ100(nm)の薄膜を金属磁性薄
膜として形成した。
【0042】続いて、強磁性金属薄膜と金属磁性薄膜が
形成された非磁性支持体を磁気記録媒体製造装置より取
り出し、非磁性支持体のこれら薄膜が形成されていない
主面にカーボン及びウレタンバインダーの混合系溶液を
塗布してバックコート層を形成した。このバックコート
層はこの種の磁気記録媒体の製造に使用される塗布装置
を用い、非磁性支持体の送り速度を150(m/分)と
し、塗布厚が0.6(μm)となるようにして形成し
た。
形成された非磁性支持体を磁気記録媒体製造装置より取
り出し、非磁性支持体のこれら薄膜が形成されていない
主面にカーボン及びウレタンバインダーの混合系溶液を
塗布してバックコート層を形成した。このバックコート
層はこの種の磁気記録媒体の製造に使用される塗布装置
を用い、非磁性支持体の送り速度を150(m/分)と
し、塗布厚が0.6(μm)となるようにして形成し
た。
【0043】さらに、金属磁性薄膜上にパーフルオロポ
リエーテルを塗布して保護膜を形成した。そして最後に
8(mm)幅に裁断して磁気記録媒体を完成し、これを
実施サンプルとした。
リエーテルを塗布して保護膜を形成した。そして最後に
8(mm)幅に裁断して磁気記録媒体を完成し、これを
実施サンプルとした。
【0044】次に、比較のために、下地層となる強磁性
金属薄膜を形成しない以外は実施サンプル1と同様に製
造を行って磁気記録媒体を完成し、これを比較サンプル
1とした。
金属薄膜を形成しない以外は実施サンプル1と同様に製
造を行って磁気記録媒体を完成し、これを比較サンプル
1とした。
【0045】さらに、比較のために下地層の厚さを40
(nm)に変更した以外は実施サンプル1と同様に製造
を行って磁気記録媒体を完成し、これを比較サンプル2
とした。このとき、上記下地層となる強磁性金属薄膜の
保磁力は162(kA/m)であった。
(nm)に変更した以外は実施サンプル1と同様に製造
を行って磁気記録媒体を完成し、これを比較サンプル2
とした。このとき、上記下地層となる強磁性金属薄膜の
保磁力は162(kA/m)であった。
【0046】そして、これら実施サンプル及び比較サン
プル1,2の磁気記録特性と電磁変換特性を調査した。
上記磁気特性としては、試料振動式磁気特性測定器(V
SM)を用いて飽和磁化(Ms)と保磁力(Hc)を調
査することとした。また、上記電磁変換特性としては、
ソニー社製のビデオテープレコーダーEV−S900
(機種名)の改造機を用いて再生出力(Y−out)と
ノイズ比(Y−C/N)を調査することとし、比較サン
プル1の結果を零(dB)とした場合の相対値で表示す
ることとした。結果を表1に示す。なお、表1中には実
施サンプルと比較サンプル2の下地層となる強磁性薄膜
の保磁力も併せて示す。
プル1,2の磁気記録特性と電磁変換特性を調査した。
上記磁気特性としては、試料振動式磁気特性測定器(V
SM)を用いて飽和磁化(Ms)と保磁力(Hc)を調
査することとした。また、上記電磁変換特性としては、
ソニー社製のビデオテープレコーダーEV−S900
(機種名)の改造機を用いて再生出力(Y−out)と
ノイズ比(Y−C/N)を調査することとし、比較サン
プル1の結果を零(dB)とした場合の相対値で表示す
ることとした。結果を表1に示す。なお、表1中には実
施サンプルと比較サンプル2の下地層となる強磁性薄膜
の保磁力も併せて示す。
【0047】
【表1】
【0048】表1の結果を見てわかるように、下地層と
なる強磁性金属薄膜が形成されていない比較サンプル1
と下地層となる強磁性金属薄膜が形成されているものの
その保磁力が162(kA/m)である比較サンプル2
を比較すると、飽和磁化(Ms)は変化しているもの
の、電磁変換特性はあまり向上していない。しかしなが
ら、下地層となる強磁性金属薄膜が形成されており、そ
の保磁力が240(kA/m)である実施サンプルにお
いては、飽和磁化(Ms)が変化するとともに、電磁変
換特性が大幅に向上している。
なる強磁性金属薄膜が形成されていない比較サンプル1
と下地層となる強磁性金属薄膜が形成されているものの
その保磁力が162(kA/m)である比較サンプル2
を比較すると、飽和磁化(Ms)は変化しているもの
の、電磁変換特性はあまり向上していない。しかしなが
ら、下地層となる強磁性金属薄膜が形成されており、そ
の保磁力が240(kA/m)である実施サンプルにお
いては、飽和磁化(Ms)が変化するとともに、電磁変
換特性が大幅に向上している。
【0049】すなわち、これらの結果から、本発明のよ
うに非磁性支持体上に保磁力が200(kA/m)〜5
00(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜を蒸着によ
り下地層として形成し、その上に金属磁性薄膜を蒸着に
より積層形成するようにすれば、上記金属磁性薄膜の保
磁力が高まり、配向性も制御され、その電磁変換特性は
良好なものとなり、更なる高記録密度化に十分対応可能
となることが確認された。
うに非磁性支持体上に保磁力が200(kA/m)〜5
00(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜を蒸着によ
り下地層として形成し、その上に金属磁性薄膜を蒸着に
より積層形成するようにすれば、上記金属磁性薄膜の保
磁力が高まり、配向性も制御され、その電磁変換特性は
良好なものとなり、更なる高記録密度化に十分対応可能
となることが確認された。
【0050】
【発明の効果】上述のように、本発明の磁気記録媒体及
びその製造方法においては、非磁性支持体上に保磁力が
200(kA/m)〜500(kA/m)の強磁性金属
よりなる薄膜を蒸着により下地層として形成し、その上
に金属磁性薄膜を蒸着により積層形成するようにしてい
るため、上記金属磁性薄膜の保磁力が高まり、配向性も
制御され、その電磁変換特性は良好なものとなり、更な
る高記録密度化に十分対応可能となる。
びその製造方法においては、非磁性支持体上に保磁力が
200(kA/m)〜500(kA/m)の強磁性金属
よりなる薄膜を蒸着により下地層として形成し、その上
に金属磁性薄膜を蒸着により積層形成するようにしてい
るため、上記金属磁性薄膜の保磁力が高まり、配向性も
制御され、その電磁変換特性は良好なものとなり、更な
る高記録密度化に十分対応可能となる。
【図1】磁気記録媒体製造装置を模式的に示す要部概略
断面図である。
断面図である。
1 真空室、2 非磁性支持体、3 送りロール、4
巻取りロール、5 冷却キャン、6,7 ガイドロー
ル、8 ルツボ、9 薄膜形成材料、10 電子銃
巻取りロール、5 冷却キャン、6,7 ガイドロー
ル、8 ルツボ、9 薄膜形成材料、10 電子銃
Claims (2)
- 【請求項1】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成さ
れてなる磁気記録媒体であって、 上記金属磁性薄膜の下地層として保磁力が200(kA
/m)〜500(kA/m)の強磁性金属薄膜が形成さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 非磁性支持体上に保磁力が200(kA
/m)〜500(kA/m)の強磁性金属よりなる薄膜
を蒸着により下地層として形成し、 その上に金属磁性薄膜を蒸着により積層形成することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5561198A JPH11259845A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5561198A JPH11259845A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11259845A true JPH11259845A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13003570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5561198A Abandoned JPH11259845A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11259845A (ja) |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP5561198A patent/JPH11259845A/ja not_active Abandoned
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050119 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060807 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060815 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20061016 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |