JPH07183280A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07183280A JPH07183280A JP34738693A JP34738693A JPH07183280A JP H07183280 A JPH07183280 A JP H07183280A JP 34738693 A JP34738693 A JP 34738693A JP 34738693 A JP34738693 A JP 34738693A JP H07183280 A JPH07183280 A JP H07183280A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 覆い体によって被処理体の処理面の周縁部に
プラズマによる処理の進行を抑制し、被処理体の周縁部
の被処理体の周縁部に付着するパーティクルの付着量を
抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること
にある。 【構成】 処理室内に配置された静電チャック機構に被
処理体をクーロン力で吸着保持し、前記処理室内にプラ
ズマを生起して、前記被処理体を処理するプラズマ処理
装置であって、前記被処理体とプラズマのシース部との
間に配置され、前記被処理体の処理面の周縁部を非接触
で覆う覆い体を具備し、この覆い体によって前記被処理
体の処理面の周縁部にプラズマによる処理を施さないこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
プラズマによる処理の進行を抑制し、被処理体の周縁部
の被処理体の周縁部に付着するパーティクルの付着量を
抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること
にある。 【構成】 処理室内に配置された静電チャック機構に被
処理体をクーロン力で吸着保持し、前記処理室内にプラ
ズマを生起して、前記被処理体を処理するプラズマ処理
装置であって、前記被処理体とプラズマのシース部との
間に配置され、前記被処理体の処理面の周縁部を非接触
で覆う覆い体を具備し、この覆い体によって前記被処理
体の処理面の周縁部にプラズマによる処理を施さないこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体製造工程において、ガ
スをプラズマ化し、被処理体を処理するプラズマ処理装
置として、例えばプラズマエッチング装置が知られてい
る。このようなプラズマエッチング装置として、例えば
特開昭６３−３００５１７号が開示されている。この技
術は、半導体ウエハの直径より大きな直径の静電チャッ
クにより半導体ウエハを保持し、プラズマを生起させ半
導体ウエハをエッチング処理するものであった。
スをプラズマ化し、被処理体を処理するプラズマ処理装
置として、例えばプラズマエッチング装置が知られてい
る。このようなプラズマエッチング装置として、例えば
特開昭６３−３００５１７号が開示されている。この技
術は、半導体ウエハの直径より大きな直径の静電チャッ
クにより半導体ウエハを保持し、プラズマを生起させ半
導体ウエハをエッチング処理するものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハを吸着保持する静電チャックのウエハ保持面にポ
リミド系の樹脂等を使用した場合、静電チャックのウエ
ハ吸着面の半導体ウエハを保持しない箇所がプラズマに
よりエッチングされてしまうので、静電チャックの寿命
を延命化することができないという問題点があった。ま
た被処理体、例えば半導体ウエハの周縁部は、例えば特
開平１−１９８０２６号等にも開示されているように、
半導体ウエハを搬送する際、パーティクルの発生を防止
するために、周辺露光等の処理が施されている。そし
て、この露光等の処理が施された半導体ウエハを前述の
エッチング装置でエッチングする際、半導体ウエハの本
来処理を施したい箇所と共に、露光等の処理でレジスト
膜等が剥離された半導体ウエハの周縁部も同様にエッチ
ング処理されてしまう。そして、この半導体ウエハの周
縁部がエッチング処理されると、半導体ウエハの周縁部
が微細な凹凸形状となり、エッチング処理の後、搬送装
置等で半導体ウエハを搬送する際、半導体ウエハの周縁
部が破損したり損傷するという問題が生じていた。
ウエハを吸着保持する静電チャックのウエハ保持面にポ
リミド系の樹脂等を使用した場合、静電チャックのウエ
ハ吸着面の半導体ウエハを保持しない箇所がプラズマに
よりエッチングされてしまうので、静電チャックの寿命
を延命化することができないという問題点があった。ま
た被処理体、例えば半導体ウエハの周縁部は、例えば特
開平１−１９８０２６号等にも開示されているように、
半導体ウエハを搬送する際、パーティクルの発生を防止
するために、周辺露光等の処理が施されている。そし
て、この露光等の処理が施された半導体ウエハを前述の
エッチング装置でエッチングする際、半導体ウエハの本
来処理を施したい箇所と共に、露光等の処理でレジスト
膜等が剥離された半導体ウエハの周縁部も同様にエッチ
ング処理されてしまう。そして、この半導体ウエハの周
縁部がエッチング処理されると、半導体ウエハの周縁部
が微細な凹凸形状となり、エッチング処理の後、搬送装
置等で半導体ウエハを搬送する際、半導体ウエハの周縁
部が破損したり損傷するという問題が生じていた。
【０００４】また、半導体ウエハの周縁部が凸凹形状と
なると搬送等の際、この凸凹形状にパーティクルがトラ
ップされ、次の工程を行なう装置の処理室内に、このト
ラップされたパーティクルが飛散し、半導体ウエハに付
着して歩留りを低下させてしまうという改善点を有して
いた。さらに、プラズマ処理装置が例えばＣＶＤ装置で
あれば、半導体ウエハの周縁部に膜が付着してしまうの
で、この膜が、半導体ウエハを搬送する搬送手段等によ
って搬送される際に破損或いは損傷しパーティクルとし
て飛散してしまうという問題が生じていた。
なると搬送等の際、この凸凹形状にパーティクルがトラ
ップされ、次の工程を行なう装置の処理室内に、このト
ラップされたパーティクルが飛散し、半導体ウエハに付
着して歩留りを低下させてしまうという改善点を有して
いた。さらに、プラズマ処理装置が例えばＣＶＤ装置で
あれば、半導体ウエハの周縁部に膜が付着してしまうの
で、この膜が、半導体ウエハを搬送する搬送手段等によ
って搬送される際に破損或いは損傷しパーティクルとし
て飛散してしまうという問題が生じていた。
【０００５】本発明の目的は、覆い体によって被処理体
の処理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制
し、被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパ
ーティクルの付着量を抑制することができるプラズマ処
理装置を提供することにある。
の処理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制
し、被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパ
ーティクルの付着量を抑制することができるプラズマ処
理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室内に配
置された静電チャック機構に被処理体をクーロン力で吸
着保持し、前記処理室内にプラズマを生起して、前記被
処理体を処理するプラズマ処理装置であって、前記被処
理体とプラズマのシース部との間に配置され、前記被処
理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を具備し、
この覆い体によって前記被処理体の処理面の周縁部にプ
ラズマによる処理を施さないことを特徴とする。
置された静電チャック機構に被処理体をクーロン力で吸
着保持し、前記処理室内にプラズマを生起して、前記被
処理体を処理するプラズマ処理装置であって、前記被処
理体とプラズマのシース部との間に配置され、前記被処
理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を具備し、
この覆い体によって前記被処理体の処理面の周縁部にプ
ラズマによる処理を施さないことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明は、被処理体とプラズマのシース部との
間に被処理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を
配置したので、この覆い体によって被処理体の処理面の
周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制することがで
き、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができる。
間に被処理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を
配置したので、この覆い体によって被処理体の処理面の
周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制することがで
き、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に基づくプラズマ処理装置を
プラズマエッチング装置に適用した一実施例を、添付図
面を参照しながら説明する。
プラズマエッチング装置に適用した一実施例を、添付図
面を参照しながら説明する。
【０００９】まず図１に示すようにプラズマエッチング
装置１は、導電性材料、例えばアルミニウム製の略円筒
形状の気密に構成された処理室２を有している。この処
理室２内の下部には昇降機構、例えばサーボモータ３が
設けられており、サーボモータ３によって上下動自在に
構成された載置台としての下部電極４が前記処理室２の
内部に設けられている。また、この下部電極４の周囲に
は下部電極４の上下動にともなって伸縮自在に構成さ
れ、前記処理室２内部を気密に隔離する材質、例えばス
テンレス鋼等からなるべローズ５が設けられている。
装置１は、導電性材料、例えばアルミニウム製の略円筒
形状の気密に構成された処理室２を有している。この処
理室２内の下部には昇降機構、例えばサーボモータ３が
設けられており、サーボモータ３によって上下動自在に
構成された載置台としての下部電極４が前記処理室２の
内部に設けられている。また、この下部電極４の周囲に
は下部電極４の上下動にともなって伸縮自在に構成さ
れ、前記処理室２内部を気密に隔離する材質、例えばス
テンレス鋼等からなるべローズ５が設けられている。
【００１０】前記下部電極４には、冷媒、例えばチラー
等を流通循環させるための冷媒収容部、例えば冷却ジャ
ケット６が設けられ、この冷却ジャケット６には、チラ
ーを供給及び排出するための冷媒供給／排出路７が接続
されている。さらに、前記下部電極４には、温調用ヒー
タ８が設けられており、この温調用ヒータ８は、電力供
給リード線９を介して温調用ヒータ８に電力を供給する
ための電力源１０に接続され、温調用ヒータ８と前記冷
媒ジャケット６に収容される冷媒とによって前記下部電
極４を所定温度、例えば２０℃以下に設定可能に構成さ
れている。
等を流通循環させるための冷媒収容部、例えば冷却ジャ
ケット６が設けられ、この冷却ジャケット６には、チラ
ーを供給及び排出するための冷媒供給／排出路７が接続
されている。さらに、前記下部電極４には、温調用ヒー
タ８が設けられており、この温調用ヒータ８は、電力供
給リード線９を介して温調用ヒータ８に電力を供給する
ための電力源１０に接続され、温調用ヒータ８と前記冷
媒ジャケット６に収容される冷媒とによって前記下部電
極４を所定温度、例えば２０℃以下に設定可能に構成さ
れている。
【００１１】さらに、前記下部電極４は、表面にアルマ
イト処理を施した導電材質、例えばアルミニウム等から
なり、被処理体、例えば半導体ウエハＷを載置する面に
前記半導体ウエハＷをクーロン力によって吸着保持する
静電チャック機構４０が設けられている。この静電チャ
ック機構４０は、図２に示すように、２枚の高分子フィ
ルム４２，４３の間に銅箔等の導電膜４１を封入したも
ので、この静電チャック機構４０の半導体ウエハＷの載
置面は、半導体ウエハＷの径より小さな径に構成されて
いる。そして、前記導電膜４１は、開閉手段、例えば電
磁スイッチ４５を介して直流電源４４に接続され、この
直流電源４４をＯＮするとともに前記電磁スイッチ４５
を閉じることで前記高分子フィルム４２，４３の表面に
分極による静電気が発生し、そのクーロン力によって前
記半導体ウエハＷは、前記高分子フィルム４２の半導体
ウエハＷ載置面側に吸着され保持されるよう構成されて
いる。また、前記下部電極４には、複数、例えば３つの
貫通孔部１２が設けられ、この貫通孔部１２には、それ
ぞれリフターピン１３が設けられ、これらのリフターピ
ン１３は接合部材１４を介して上下機構、例えばエアー
シリンダー１５と接続され、上下動自在に構成されてい
る。なお、前記半導体ウエハＷは、前記リフターピン１
３にて支持され、前記エアーシリンダー１５が上下動す
ることにより前記静電チャック機構４０のウエハ載置面
から着脱するよう構成されている。
イト処理を施した導電材質、例えばアルミニウム等から
なり、被処理体、例えば半導体ウエハＷを載置する面に
前記半導体ウエハＷをクーロン力によって吸着保持する
静電チャック機構４０が設けられている。この静電チャ
ック機構４０は、図２に示すように、２枚の高分子フィ
ルム４２，４３の間に銅箔等の導電膜４１を封入したも
ので、この静電チャック機構４０の半導体ウエハＷの載
置面は、半導体ウエハＷの径より小さな径に構成されて
いる。そして、前記導電膜４１は、開閉手段、例えば電
磁スイッチ４５を介して直流電源４４に接続され、この
直流電源４４をＯＮするとともに前記電磁スイッチ４５
を閉じることで前記高分子フィルム４２，４３の表面に
分極による静電気が発生し、そのクーロン力によって前
記半導体ウエハＷは、前記高分子フィルム４２の半導体
ウエハＷ載置面側に吸着され保持されるよう構成されて
いる。また、前記下部電極４には、複数、例えば３つの
貫通孔部１２が設けられ、この貫通孔部１２には、それ
ぞれリフターピン１３が設けられ、これらのリフターピ
ン１３は接合部材１４を介して上下機構、例えばエアー
シリンダー１５と接続され、上下動自在に構成されてい
る。なお、前記半導体ウエハＷは、前記リフターピン１
３にて支持され、前記エアーシリンダー１５が上下動す
ることにより前記静電チャック機構４０のウエハ載置面
から着脱するよう構成されている。
【００１２】また、前記下部電極４には、ブロッキング
コンデンサー３０を介して高周波、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚ或いは４０ＭＨｚ等の高周波電源３１が接続され、
また、前記高周波電源３１は、制御器３２の指示により
ＯＮ／ＯＦＦされるよう構成され、この制御器３２は、
前記高周波電源３１のＯＮ時間を積算するよう構成され
ている。また、前記処理室２の下部側部付近には排気管
１６を介して排気手段、例えば真空ポンプ１７が接続さ
れており、前記処理室２内を所望の減圧雰囲気に真空引
き可能なように構成されている。
コンデンサー３０を介して高周波、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚ或いは４０ＭＨｚ等の高周波電源３１が接続され、
また、前記高周波電源３１は、制御器３２の指示により
ＯＮ／ＯＦＦされるよう構成され、この制御器３２は、
前記高周波電源３１のＯＮ時間を積算するよう構成され
ている。また、前記処理室２の下部側部付近には排気管
１６を介して排気手段、例えば真空ポンプ１７が接続さ
れており、前記処理室２内を所望の減圧雰囲気に真空引
き可能なように構成されている。
【００１３】また、前記下部電極４の上部には、前記半
導体ウエハＷの処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体と
してのリング１８が配置されている。このリング１８
は、複数例えば４本の高純度アルミナ製のシャフト１９
を介して処理室２の外側上部に設けられたエアシリンダ
２０に接続され構成されている。
導体ウエハＷの処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体と
してのリング１８が配置されている。このリング１８
は、複数例えば４本の高純度アルミナ製のシャフト１９
を介して処理室２の外側上部に設けられたエアシリンダ
２０に接続され構成されている。
【００１４】そして、前記リング１８の半導体ウエハＷ
との対向面側即ち内側部には、半導体ウエハＷの処理面
の周縁部にプラズマによるエッチングが進行しないよう
に、廂部２２が形成されており、この廂部２２の外周に
はテーパー面２１が形成されている。さらに、この廂部
２２の幅は、半導体ウエハＷの外周部、つまりエッジか
ら、０．１〜２．０ｍｍの範囲の所定の領域Ａを覆うよ
うに構成されている。つまり、この所定の領域Ａは、前
述のように、この装置の処理の前処理として、レジスト
等を周辺露光で剥離した領域である。そして、このリン
グの材質としては、後述する反応ガス種によって選択さ
れるものである。例えば反応ガスとして塩素系のガスを
使用する場合は、塩素系のガスと反応するＳｉ系の素材
例えばＳｉ，ＳｉＣ等は、使用せず、塩素系のガスと反
応しない材質、例えばセラミックス，石英ガラス，窒化
アルミ等の材質で形成するのが好ましい。また、反応ガ
スとしてフッ素系のガスを使用する場合は、前述のＳｉ
系の素材例えばＳｉ，ＳｉＣ等で形成するのが好まし
い。
との対向面側即ち内側部には、半導体ウエハＷの処理面
の周縁部にプラズマによるエッチングが進行しないよう
に、廂部２２が形成されており、この廂部２２の外周に
はテーパー面２１が形成されている。さらに、この廂部
２２の幅は、半導体ウエハＷの外周部、つまりエッジか
ら、０．１〜２．０ｍｍの範囲の所定の領域Ａを覆うよ
うに構成されている。つまり、この所定の領域Ａは、前
述のように、この装置の処理の前処理として、レジスト
等を周辺露光で剥離した領域である。そして、このリン
グの材質としては、後述する反応ガス種によって選択さ
れるものである。例えば反応ガスとして塩素系のガスを
使用する場合は、塩素系のガスと反応するＳｉ系の素材
例えばＳｉ，ＳｉＣ等は、使用せず、塩素系のガスと反
応しない材質、例えばセラミックス，石英ガラス，窒化
アルミ等の材質で形成するのが好ましい。また、反応ガ
スとしてフッ素系のガスを使用する場合は、前述のＳｉ
系の素材例えばＳｉ，ＳｉＣ等で形成するのが好まし
い。
【００１５】また、前記リング１８の上部には、前記下
部電極４と対向する上部電極２４が設けられている。こ
の上部電極２４の下面には、材質例えばアモルファスカ
ーボン等からなる導電性を有する板状部材２５が設けら
れ、その上部に空隙２６を開けて配置されている。この
空隙２６には、反応ガス、例えばＣＨＦ３ ，ＣＦ４等
のガスや不活性ガス、例えばＮ2 ，Ａｒ等のガスを供
給するためのガス供給管２７が接続されており、このガ
ス供給管２７から供給されたガスを、前記空隙２６内に
設けられた多数の透孔を有する複数のバッフル板２８に
よって前記ガスを均等に拡散させ、前記板状部材２５に
設けられた複数の透孔２９から前記処理室２内に供給す
るよう構成されている。
部電極４と対向する上部電極２４が設けられている。こ
の上部電極２４の下面には、材質例えばアモルファスカ
ーボン等からなる導電性を有する板状部材２５が設けら
れ、その上部に空隙２６を開けて配置されている。この
空隙２６には、反応ガス、例えばＣＨＦ３ ，ＣＦ４等
のガスや不活性ガス、例えばＮ2 ，Ａｒ等のガスを供
給するためのガス供給管２７が接続されており、このガ
ス供給管２７から供給されたガスを、前記空隙２６内に
設けられた多数の透孔を有する複数のバッフル板２８に
よって前記ガスを均等に拡散させ、前記板状部材２５に
設けられた複数の透孔２９から前記処理室２内に供給す
るよう構成されている。
【００１６】そして、前記上部電極２４は、電気的に接
地され、前記下部電極４に高周波電力を高周波電源３１
によって印加することにより、それらの電極４，２４間
でブラズマを生起するよう構成されている。
地され、前記下部電極４に高周波電力を高周波電源３１
によって印加することにより、それらの電極４，２４間
でブラズマを生起するよう構成されている。
【００１７】次に、以上のように構成されたプラズマエ
ッチング装置１の作用について説明する。
ッチング装置１の作用について説明する。
【００１８】まず、図１に示すように処理室２内圧力を
真空ポンプ１７にて所定圧力、例えば１０-3Ｔｏｒｒ以
下の減圧雰囲気とし、半導体ウエハＷをリフターピン１
３にて支持し、エアーシリンダー１５によってリフター
ピン１３を下動し、下部電極４に設けられた静電チャッ
ク機構４０の半導体ウエハＷ載置面に載置し、直流電源
４４をＯＮするとともに、電磁スイッチ４５を閉じて、
静電チャック機構４０の半導体ウエハＷ載置面に吸着し
保持する。
真空ポンプ１７にて所定圧力、例えば１０-3Ｔｏｒｒ以
下の減圧雰囲気とし、半導体ウエハＷをリフターピン１
３にて支持し、エアーシリンダー１５によってリフター
ピン１３を下動し、下部電極４に設けられた静電チャッ
ク機構４０の半導体ウエハＷ載置面に載置し、直流電源
４４をＯＮするとともに、電磁スイッチ４５を閉じて、
静電チャック機構４０の半導体ウエハＷ載置面に吸着し
保持する。
【００１９】この後、昇降機構３によって下部電極４を
上昇させ、半導体ウエハＷの周縁部をリング１８と離間
させた所定間隔位置で上昇を停止する。この停止位置
は、図３に示すように、半導体ウエハＷの処理面と廂部
２２とが接触しない間隔Ｂであり、この間隔Ｂは、プラ
ズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用しな
い間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ以下
の所定距離に設定する。
上昇させ、半導体ウエハＷの周縁部をリング１８と離間
させた所定間隔位置で上昇を停止する。この停止位置
は、図３に示すように、半導体ウエハＷの処理面と廂部
２２とが接触しない間隔Ｂであり、この間隔Ｂは、プラ
ズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用しな
い間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ以下
の所定距離に設定する。
【００２０】しかる後、図１に示すように処理室２内を
排気して所定の真空度、例えば数十ｍＴｏｒｒに設定し
つつ、ガス供給管２７から所定のガスを供給し、制御器
３２からの指示信号によって高周波電源３１をＯＮし、
下部電極４と上部電極２４との間に高周波電力、例えば
２００Ｗ以上の電力を印加し、プラズマを生起させ半導
体ウエハＷをエッチング処理する。
排気して所定の真空度、例えば数十ｍＴｏｒｒに設定し
つつ、ガス供給管２７から所定のガスを供給し、制御器
３２からの指示信号によって高周波電源３１をＯＮし、
下部電極４と上部電極２４との間に高周波電力、例えば
２００Ｗ以上の電力を印加し、プラズマを生起させ半導
体ウエハＷをエッチング処理する。
【００２１】このエッチング処理にて、図３に示すよう
に、上部電極２４と下部電極４との間に生起したプラズ
マＰのプラズマシース部Ｐ１の下部に配置したリング１
８は、プラズマＰ中の活性種、例えばイオン等で処理さ
れる半導体ウエハＷの周縁部をそれらの活性種が作用し
ないように半導体ウエハＷの周縁部を非接触で覆ってい
る。このように、リング１８と半導体ウエハＷの周縁部
とが非接触にされる理由としては、エッチング処理で生
成される反応生成物が半導体ウエハＷの周縁部とリング
１８との間に付着するのを抑制できる、或いは半導体ウ
エハＷがリング１８に接触した際、その振動によってリ
ング１８に付着した反応生成物が半導体ウエハＷ上に落
下するのを防止するためである。また、エッチング処理
ではなくて、ＣＶＤ装置では、膜付けするので、半導体
ウエハＷがリング１８に接触していると半導体ウエハＷ
の処理面とリング１８の上面に生成される膜がつながっ
て成長する恐れがあり、半導体ウエハＷの処理面とリン
グ１８が離れる際に、この膜が剥離し、半導体ウエハＷ
上に落下し付着するのを防止するためである。
に、上部電極２４と下部電極４との間に生起したプラズ
マＰのプラズマシース部Ｐ１の下部に配置したリング１
８は、プラズマＰ中の活性種、例えばイオン等で処理さ
れる半導体ウエハＷの周縁部をそれらの活性種が作用し
ないように半導体ウエハＷの周縁部を非接触で覆ってい
る。このように、リング１８と半導体ウエハＷの周縁部
とが非接触にされる理由としては、エッチング処理で生
成される反応生成物が半導体ウエハＷの周縁部とリング
１８との間に付着するのを抑制できる、或いは半導体ウ
エハＷがリング１８に接触した際、その振動によってリ
ング１８に付着した反応生成物が半導体ウエハＷ上に落
下するのを防止するためである。また、エッチング処理
ではなくて、ＣＶＤ装置では、膜付けするので、半導体
ウエハＷがリング１８に接触していると半導体ウエハＷ
の処理面とリング１８の上面に生成される膜がつながっ
て成長する恐れがあり、半導体ウエハＷの処理面とリン
グ１８が離れる際に、この膜が剥離し、半導体ウエハＷ
上に落下し付着するのを防止するためである。
【００２２】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２３】このように、半導体ウエハＷの処理面と廂
部２２とが接触しない間隔Ｂ、つまり、この間隔Ｂは、
プラズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用
しない間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ
以下の所定距離に設定して配置され半導体ウエハＷの処
理が行なわれるので、半導体ウエハＷの処理面の周縁部
にプラズマによる処理の進行を抑制することができ、半
導体ウエハＷの処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができるので、半導体
ウエハＷの周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。
部２２とが接触しない間隔Ｂ、つまり、この間隔Ｂは、
プラズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用
しない間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ
以下の所定距離に設定して配置され半導体ウエハＷの処
理が行なわれるので、半導体ウエハＷの処理面の周縁部
にプラズマによる処理の進行を抑制することができ、半
導体ウエハＷの処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができるので、半導体
ウエハＷの周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。
【００２４】なお、実施例では、被処理体として半導体
ウエハを用いた場合を説明したが、これに限定されず、
例えばＬＣＤ基板でもよく、また、覆い体としてリング
状の形状を用いたが四角でもよく、さらに被処理体の形
状に依存しても良く、被処理体の周縁部を実質的に覆え
るものなら何でもよいことは言うまでもない。また、上
部電極側に高周波電力を印加し、下部電極に、高周波電
力を印加し下部電極を電気的に接地したが、この印加を
逆として等方性エッチング（アノードカップル型）とし
て構成してもよいことは言うまでもない。
ウエハを用いた場合を説明したが、これに限定されず、
例えばＬＣＤ基板でもよく、また、覆い体としてリング
状の形状を用いたが四角でもよく、さらに被処理体の形
状に依存しても良く、被処理体の周縁部を実質的に覆え
るものなら何でもよいことは言うまでもない。また、上
部電極側に高周波電力を印加し、下部電極に、高周波電
力を印加し下部電極を電気的に接地したが、この印加を
逆として等方性エッチング（アノードカップル型）とし
て構成してもよいことは言うまでもない。
【００２５】さらに、実施例では、一例として本発明に
基づくプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置に適
用した例を示したが、かかる装置に限定されることな
く、ＣＶＤ装置、アッシング装置、ＬＣＤ装置等の処理
の際に反応生成物が発生する装置であればどのような装
置にも適応可能である。
基づくプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置に適
用した例を示したが、かかる装置に限定されることな
く、ＣＶＤ装置、アッシング装置、ＬＣＤ装置等の処理
の際に反応生成物が発生する装置であればどのような装
置にも適応可能である。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、覆い体によって被処理体の処
理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制するこ
とができ、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終
了しても、処理前の状態に維持することができるので、
被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。
理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制するこ
とができ、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終
了しても、処理前の状態に維持することができるので、
被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。
【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マエッチング装置の概略的な断面図である。
マエッチング装置の概略的な断面図である。
【図２】図１の静電チャック機構の部分概略図である。
【図３】図１の覆い体の作用を説明する部分概略図であ
る。
る。
１ プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置） ２ 処理室 ４ 載置台（下部電極） １８ 覆い体（リング） ２１ テーパー面 ２２ 廂部 ２４ 上部電極 ４６ エッジ Ｗ 被処理体（半導体ウエハ） Ｐ プラズマ Ｐ１ シース部
Claims (4)
- 【請求項１】 処理室内に配置された静電チャック機構
に被処理体をクーロン力で吸着保持し、前記処理室内に
プラズマを生起して、前記被処理体を処理するプラズマ
処理装置であって、前記被処理体とプラズマのシース部
との間に配置され、前記被処理体の処理面の周縁部を非
接触で覆う覆い体を具備し、この覆い体によって前記被
処理体の処理面の周縁部にプラズマによる処理を施さな
いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記プラズマ処理装置はエッチング装置
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記覆い体で覆う被処理体の処理面の周
縁部は被処理体のエッジから、０．１〜２．０ｍｍの範
囲の所定の領域であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載又は特許請求の範囲第２項記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】 前記覆い体は、被処理体の処理面から、
１０ｍｍ以下の距離に配置され、前記被処理体の処理面
とは非接触であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載又は特許請求の範囲第２項記載のプラズマ処理装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34738693A JP3118497B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TW083111929A TW357404B (en) | 1993-12-24 | 1994-12-20 | Apparatus and method for processing of plasma |
| US08/363,270 US5578164A (en) | 1993-12-24 | 1994-12-23 | Plasma processing apparatus and method |
| KR1019940036495A KR100290048B1 (ko) | 1993-12-24 | 1994-12-24 | 플라즈마처리장치및방법 |
| US08/696,224 US5779803A (en) | 1993-12-24 | 1996-08-13 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34738693A JP3118497B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183280A true JPH07183280A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3118497B2 JP3118497B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=18389881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34738693A Expired - Fee Related JP3118497B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118497B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505903B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2005-08-05 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 이것을 사용한 플라즈마처리방법 |
| JP2007234939A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
| US8383000B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, method for measuring distance between electrodes, and storage medium storing program |
| CN105047599A (zh) * | 2011-03-14 | 2015-11-11 | 等离子瑟姆有限公司 | 用于对基板进行等离子切割的方法 |
| JP2017063212A (ja) * | 2011-05-31 | 2017-03-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ |
| CN114566450A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 珠海市硅酷科技有限公司 | 晶圆上料装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34738693A patent/JP3118497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505903B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2005-08-05 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 이것을 사용한 플라즈마처리방법 |
| JP2007234939A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
| US8383000B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, method for measuring distance between electrodes, and storage medium storing program |
| CN105047599A (zh) * | 2011-03-14 | 2015-11-11 | 等离子瑟姆有限公司 | 用于对基板进行等离子切割的方法 |
| JP2017063212A (ja) * | 2011-05-31 | 2017-03-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ |
| CN114566450A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 珠海市硅酷科技有限公司 | 晶圆上料装置 |
| CN114566450B (zh) * | 2022-03-02 | 2022-11-25 | 珠海市硅酷科技有限公司 | 晶圆上料装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3118497B2 (ja) | 2000-12-18 |
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|---|---|---|---|
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