JPH07183429A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH07183429A JPH07183429A JP5328401A JP32840193A JPH07183429A JP H07183429 A JPH07183429 A JP H07183429A JP 5328401 A JP5328401 A JP 5328401A JP 32840193 A JP32840193 A JP 32840193A JP H07183429 A JPH07183429 A JP H07183429A
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ピン数の多い小型のパッケ−ジで
も、リ−ドフレ−ムが放熱フィンと接触する短絡不良又
はワイヤ流れによる不良の発生を防止する。 【構成】放熱フィン11の上に半導体チップ15を載置し、
前記放熱フィン11の上にセラミック板14を載置し、この
セラミック板14は半導体チップ15の周囲を囲むように位
置している。前記セラミック板14の表面に銅パタ−ンを
形成し、この銅パタ−ンにリ−ドフレ−ム12を接続し、
このリ−ドフレ−ム12は放熱フィン11の上にこの放熱フ
ィン11と所定の間隔18を設けた状態で固定する。前記銅
パタ−ンと半導体チップ15とはワイヤ17により接続して
いる。このワイヤ17、半導体チップ15、セラミック板14
およびリ−ドフレ−ム12は樹脂により封止されている。
従って、ピン数の多い小型のパッケ−ジであっても、リ
−ドフレ−ム12が放熱フィン11と接触する短絡不良又は
ワイヤ流れによる不良の発生を防止することができる。
も、リ−ドフレ−ムが放熱フィンと接触する短絡不良又
はワイヤ流れによる不良の発生を防止する。 【構成】放熱フィン11の上に半導体チップ15を載置し、
前記放熱フィン11の上にセラミック板14を載置し、この
セラミック板14は半導体チップ15の周囲を囲むように位
置している。前記セラミック板14の表面に銅パタ−ンを
形成し、この銅パタ−ンにリ−ドフレ−ム12を接続し、
このリ−ドフレ−ム12は放熱フィン11の上にこの放熱フ
ィン11と所定の間隔18を設けた状態で固定する。前記銅
パタ−ンと半導体チップ15とはワイヤ17により接続して
いる。このワイヤ17、半導体チップ15、セラミック板14
およびリ−ドフレ−ム12は樹脂により封止されている。
従って、ピン数の多い小型のパッケ−ジであっても、リ
−ドフレ−ム12が放熱フィン11と接触する短絡不良又は
ワイヤ流れによる不良の発生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に係わり、特にリ−ドフレ−ムが放熱フィンと接触す
る短絡不良又はワイヤ流れによる不良の発生を防止した
樹脂封止型半導体装置に関する。
置に係わり、特にリ−ドフレ−ムが放熱フィンと接触す
る短絡不良又はワイヤ流れによる不良の発生を防止した
樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のＩＣ、ＬＳＩ化に伴って、パッ
ケ−ジのピン数が増大する傾向にあり、放熱フィンを有
するパッケ−ジの場合も同様である。このピン数の増大
とパッケ−ジの小型化を同時に実現することが市場動向
である。
ケ−ジのピン数が増大する傾向にあり、放熱フィンを有
するパッケ−ジの場合も同様である。このピン数の増大
とパッケ−ジの小型化を同時に実現することが市場動向
である。
【０００３】図５は、従来の樹脂封止型半導体装置を示
す斜視図であり、図６は、図５に示す樹脂封止型半導体
装置の内部を示す平面図であり、図７は、図６に示す樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
す斜視図であり、図６は、図５に示す樹脂封止型半導体
装置の内部を示す平面図であり、図７は、図６に示す樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
【０００４】図６及び図７に示すように、放熱フィン１
の上には半導体チップ２が載置される。前記放熱フィン
１の上にはリ−ドフレ−ム３が取り付けられ、かしめ方
法を用いて固定される。即ち、前記リ−ドフレ−ム３
は、放熱フィン１の上面における四隅近傍でかしめ部材
４により固定される。これにより、リ−ドフレ−ム３と
放熱フィン１との間には所定の間隔６が設けられ、この
間隔６により前記リ−ドフレ−ム３と放熱フィン１とは
電気的に絶縁される。つまり、リ−ドフレ−ム３はギャ
ップ６による絶縁構造をとっている。次に、前記リ−ド
フレ−ム３におけるインナ−リ−ド３ａはワイヤ５によ
り半導体チップ２と電気的に接続される。
の上には半導体チップ２が載置される。前記放熱フィン
１の上にはリ−ドフレ−ム３が取り付けられ、かしめ方
法を用いて固定される。即ち、前記リ−ドフレ−ム３
は、放熱フィン１の上面における四隅近傍でかしめ部材
４により固定される。これにより、リ−ドフレ−ム３と
放熱フィン１との間には所定の間隔６が設けられ、この
間隔６により前記リ−ドフレ−ム３と放熱フィン１とは
電気的に絶縁される。つまり、リ−ドフレ−ム３はギャ
ップ６による絶縁構造をとっている。次に、前記リ−ド
フレ−ム３におけるインナ−リ−ド３ａはワイヤ５によ
り半導体チップ２と電気的に接続される。
【０００５】この後、図５に示すように、前記半導体チ
ップ２、ワイヤ５及びリ−ドフレ−ム３の一部は、樹脂
７により封止される。この結果、半導体パッケ−ジ８が
形成される。
ップ２、ワイヤ５及びリ−ドフレ−ム３の一部は、樹脂
７により封止される。この結果、半導体パッケ−ジ８が
形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
樹脂封止型半導体装置では、ピン数を増大させるととも
にパッケ−ジ８を小型化するには、リ−ドフレ−ム３の
パタ−ンを微細化する必要がある。この場合、上記従来
の樹脂封止型半導体装置の構造では、放熱フィン１の上
に位置する部分のリ−ドフレ−ム３、半導体チップ２及
びワイヤ５を樹脂７により封止する際、この樹脂７を注
入するときの樹脂圧、即ち成形圧力がリ−ドフレ−ム３
とワイヤ５にかかる。このとき、リ−ドフレ−ム３が前
記成形圧力に負けて変形することによって、このリ−ド
フレ−ム３と放熱フィン１とが接触する短絡不良が発生
することがある。
樹脂封止型半導体装置では、ピン数を増大させるととも
にパッケ−ジ８を小型化するには、リ−ドフレ−ム３の
パタ−ンを微細化する必要がある。この場合、上記従来
の樹脂封止型半導体装置の構造では、放熱フィン１の上
に位置する部分のリ−ドフレ−ム３、半導体チップ２及
びワイヤ５を樹脂７により封止する際、この樹脂７を注
入するときの樹脂圧、即ち成形圧力がリ−ドフレ−ム３
とワイヤ５にかかる。このとき、リ−ドフレ−ム３が前
記成形圧力に負けて変形することによって、このリ−ド
フレ−ム３と放熱フィン１とが接触する短絡不良が発生
することがある。
【０００７】また、ピン数が増大されると、リ−ドフレ
−ム３におけるインナ−リ−ド３ａの先端と半導体チッ
プ２との距離が長くなる。このため、ワイヤ長も長くな
るから、前記樹脂７により封止する際の樹脂圧がワイヤ
５にかかると、ワイヤ５同士が接触することによるワイ
ヤショ−トの不良、即ちワイヤ流れによる不良が発生す
ることがある。
−ム３におけるインナ−リ−ド３ａの先端と半導体チッ
プ２との距離が長くなる。このため、ワイヤ長も長くな
るから、前記樹脂７により封止する際の樹脂圧がワイヤ
５にかかると、ワイヤ５同士が接触することによるワイ
ヤショ−トの不良、即ちワイヤ流れによる不良が発生す
ることがある。
【０００８】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、ピン数の多い小型のパ
ッケ−ジであっても、リ−ドフレ−ムが放熱フィンと接
触する短絡不良又はワイヤ流れによる不良が発生するこ
とのない樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、ピン数の多い小型のパ
ッケ−ジであっても、リ−ドフレ−ムが放熱フィンと接
触する短絡不良又はワイヤ流れによる不良が発生するこ
とのない樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、半導体チップから生ずる熱を放出する放
熱フィンと、前記放熱フィンの上に載置された絶縁物
と、前記絶縁物の表面に形成された配線パタ−ンと、前
記配線パタ−ンに接続され、前記放熱フィンの上にこの
放熱フィンと絶縁した状態で固定されたリ−ドフレ−ム
と、前記半導体チップ、前記絶縁物および前記リ−ドフ
レ−ムが封止される樹脂と、を具備することを特徴とし
ている。
解決するため、半導体チップから生ずる熱を放出する放
熱フィンと、前記放熱フィンの上に載置された絶縁物
と、前記絶縁物の表面に形成された配線パタ−ンと、前
記配線パタ−ンに接続され、前記放熱フィンの上にこの
放熱フィンと絶縁した状態で固定されたリ−ドフレ−ム
と、前記半導体チップ、前記絶縁物および前記リ−ドフ
レ−ムが封止される樹脂と、を具備することを特徴とし
ている。
【００１０】また、放熱フィンと、前記放熱フィンの上
に載置された半導体チップと、前記放熱フィンの上に載
置され、前記半導体チップの周囲を囲むように設けられ
た絶縁物と、前記絶縁物の表面に形成された配線パタ−
ンと、前記配線パタ−ンに接続され、前記放熱フィンの
上にこの放熱フィンと所定の間隔を設けた状態で固定さ
れたリ−ドフレ−ムと、前記配線パタ−ンに一端が接続
され、前記半導体チップに他端が接続されたワイヤと、
前記ワイヤ、前記半導体チップ、前記絶縁物および前記
リ−ドフレ−ムが封止される樹脂と、を具備することを
特徴としている。
に載置された半導体チップと、前記放熱フィンの上に載
置され、前記半導体チップの周囲を囲むように設けられ
た絶縁物と、前記絶縁物の表面に形成された配線パタ−
ンと、前記配線パタ−ンに接続され、前記放熱フィンの
上にこの放熱フィンと所定の間隔を設けた状態で固定さ
れたリ−ドフレ−ムと、前記配線パタ−ンに一端が接続
され、前記半導体チップに他端が接続されたワイヤと、
前記ワイヤ、前記半導体チップ、前記絶縁物および前記
リ−ドフレ−ムが封止される樹脂と、を具備することを
特徴としている。
【００１１】
【作用】この発明は、放熱フィンの上に絶縁物を載置
し、この絶縁物の表面に配線パタ−ンを形成し、この配
線パタ−ンにリ−ドフレ−ムを接続している。このた
め、前記配線パタ−ンがあることによりリ−ドフレ−ム
の長さを短くすることができる。この結果、リ−ドフレ
−ムのパタ−ンを微細化しても、リ−ドフレ−ムの長さ
を短くしているから、樹脂封止する際の成形圧力による
リ−ドフレ−ムの変形を防止することができる。したが
って、リ−ドフレ−ムが放熱フィンと接触する短絡不良
の発生を防止することができる。
し、この絶縁物の表面に配線パタ−ンを形成し、この配
線パタ−ンにリ−ドフレ−ムを接続している。このた
め、前記配線パタ−ンがあることによりリ−ドフレ−ム
の長さを短くすることができる。この結果、リ−ドフレ
−ムのパタ−ンを微細化しても、リ−ドフレ−ムの長さ
を短くしているから、樹脂封止する際の成形圧力による
リ−ドフレ−ムの変形を防止することができる。したが
って、リ−ドフレ−ムが放熱フィンと接触する短絡不良
の発生を防止することができる。
【００１２】また、放熱フィンの上に絶縁物を載置し、
この絶縁物の表面に配線パタ−ンを形成し、この配線パ
タ−ンと半導体チップとをワイヤにより接続している。
このため、ワイヤの長さを従来品より短くすることがで
きる。この結果、リ−ドフレ−ムのパタ−ンを微細化し
ても、ワイヤの長さを短くしているから、樹脂封止する
際の成形圧力によるワイヤの変形を防止することができ
る。したがって、ワイヤ同士が接触することによるワイ
ヤショ−トの不良、即ちワイヤ流れによる不良の発生を
防止することができる。
この絶縁物の表面に配線パタ−ンを形成し、この配線パ
タ−ンと半導体チップとをワイヤにより接続している。
このため、ワイヤの長さを従来品より短くすることがで
きる。この結果、リ−ドフレ−ムのパタ−ンを微細化し
ても、ワイヤの長さを短くしているから、樹脂封止する
際の成形圧力によるワイヤの変形を防止することができ
る。したがって、ワイヤ同士が接触することによるワイ
ヤショ−トの不良、即ちワイヤ流れによる不良の発生を
防止することができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。図１は、この発明の実施例による樹脂
封止型半導体装置を示す斜視図であり、図２は、図１に
示す樹脂封止型半導体装置の内部を示す平面図であり、
図３は、図２に示す樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。図４は、この発明の実施例による樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示すものである。
ついて説明する。図１は、この発明の実施例による樹脂
封止型半導体装置を示す斜視図であり、図２は、図１に
示す樹脂封止型半導体装置の内部を示す平面図であり、
図３は、図２に示す樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。図４は、この発明の実施例による樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示すものである。
【００１４】図４に示すように、樹脂封止型半導体装置
は、放熱フィン１１、リ−ドフレ−ム１２、及び上面に
銅パタ−ン１３が形成された例えばＡｌ2 Ｏ3 からなる
セラミック板１４等から構成されている。前記セラミッ
ク板１４の中央部には図示せぬ半導体チップを載置する
ための孔１４ａが設けられている。
は、放熱フィン１１、リ−ドフレ−ム１２、及び上面に
銅パタ−ン１３が形成された例えばＡｌ2 Ｏ3 からなる
セラミック板１４等から構成されている。前記セラミッ
ク板１４の中央部には図示せぬ半導体チップを載置する
ための孔１４ａが設けられている。
【００１５】上記構成において、図４に示す放熱フィン
１１の上面の中央部には銅パタ−ン１３付のセラミック
板１４が取り付けられる。この後、このセラミック板１
４における孔１４ａの内に位置する放熱フィン１１の上
には図２及び図３に示す半導体チップ１５が載置され
る。次に、前記放熱フィン１１の上にはリ−ドフレ−ム
１２が取り付けられ、かしめ方法を用いて固定される。
即ち、前記リ−ドフレ−ム１２は、放熱フィン１１の上
面における四隅近傍でかしめ部材１６により固定され
る。これにより、図３に示すように、リ−ドフレ−ム１
２と放熱フィン１１との間には所定の間隔１８が設けら
れ、この間隔１８により前記リ−ドフレ−ム１２と放熱
フィン１１とは電気的に絶縁される。つまり、リ−ドフ
レ−ム１２はギャップ１８による絶縁構造をとってい
る。この後、前記リ−ドフレ−ム１２におけるインナ−
リ−ド１２ａの先端は前記銅パタ−ン１３と直接、接続
される。次に、この銅パタ−ン１３はＡｕからなるワイ
ヤ１７の一端と接続され、このワイヤ１７の他端は前記
半導体チップ１５と電気的に接続される。
１１の上面の中央部には銅パタ−ン１３付のセラミック
板１４が取り付けられる。この後、このセラミック板１
４における孔１４ａの内に位置する放熱フィン１１の上
には図２及び図３に示す半導体チップ１５が載置され
る。次に、前記放熱フィン１１の上にはリ−ドフレ−ム
１２が取り付けられ、かしめ方法を用いて固定される。
即ち、前記リ−ドフレ−ム１２は、放熱フィン１１の上
面における四隅近傍でかしめ部材１６により固定され
る。これにより、図３に示すように、リ−ドフレ−ム１
２と放熱フィン１１との間には所定の間隔１８が設けら
れ、この間隔１８により前記リ−ドフレ−ム１２と放熱
フィン１１とは電気的に絶縁される。つまり、リ−ドフ
レ−ム１２はギャップ１８による絶縁構造をとってい
る。この後、前記リ−ドフレ−ム１２におけるインナ−
リ−ド１２ａの先端は前記銅パタ−ン１３と直接、接続
される。次に、この銅パタ−ン１３はＡｕからなるワイ
ヤ１７の一端と接続され、このワイヤ１７の他端は前記
半導体チップ１５と電気的に接続される。
【００１６】この後、図１に示すように、前記半導体チ
ップ１５、ワイヤ１７、リ−ドフレ−ム１２におけるイ
ンナ−リ−ド１２ａ及びセラミック板１４は、樹脂１９
により封止される。この結果、半導体パッケ−ジ２０が
形成される。
ップ１５、ワイヤ１７、リ−ドフレ−ム１２におけるイ
ンナ−リ−ド１２ａ及びセラミック板１４は、樹脂１９
により封止される。この結果、半導体パッケ−ジ２０が
形成される。
【００１７】上記実施例によれば、放熱フィン１１の上
面の中央部にセラミック板１４を取り付け、このセラミ
ック板１４の上面に銅パタ−ン１３を形成し、この銅パ
タ−ン１３にインナ−リ−ド１２ａの先端を直接接続し
ている。このため、インナ−リ−ド１２ａの長さ、即ち
リ−ドフレ−ム１２が樹脂封止される部分の長さを従来
品より短くすることができる。この結果、ピン数を増大
させるとともにパッケ−ジを小型化するためにリ−ドフ
レ−ム１２のパタ−ンを微細化しても、インナ−リ−ド
１２ａの長さを短くしているから、樹脂封止する際の樹
脂圧、即ち成形圧力によるリ−ドフレ−ム１２の変形を
防止することができる。したがって、リ−ドフレ−ム１
２と放熱フィン１１とが接触する短絡不良の発生を防止
することができる。このため、樹脂封止型半導体装置の
品質、信頼性を向上させることができ、高信頼性の要求
されるＣＡＲ製品にも適用することが可能となる。
面の中央部にセラミック板１４を取り付け、このセラミ
ック板１４の上面に銅パタ−ン１３を形成し、この銅パ
タ−ン１３にインナ−リ−ド１２ａの先端を直接接続し
ている。このため、インナ−リ−ド１２ａの長さ、即ち
リ−ドフレ−ム１２が樹脂封止される部分の長さを従来
品より短くすることができる。この結果、ピン数を増大
させるとともにパッケ−ジを小型化するためにリ−ドフ
レ−ム１２のパタ−ンを微細化しても、インナ−リ−ド
１２ａの長さを短くしているから、樹脂封止する際の樹
脂圧、即ち成形圧力によるリ−ドフレ−ム１２の変形を
防止することができる。したがって、リ−ドフレ−ム１
２と放熱フィン１１とが接触する短絡不良の発生を防止
することができる。このため、樹脂封止型半導体装置の
品質、信頼性を向上させることができ、高信頼性の要求
されるＣＡＲ製品にも適用することが可能となる。
【００１８】また、放熱フィン１１の上面にセラミック
板１４を取り付け、このセラミック板１４の上面に銅パ
タ−ン１３を形成し、この銅パタ−ン１３にワイヤ１７
の一端を接続し、このワイヤ１７の他端を半導体チップ
１５と接続している。このため、ワイヤ１７の長さを従
来品より短くすることができる。この結果、リ−ドフレ
−ム１２のパタ−ンを微細化しても、ワイヤ１７の長さ
を短くしているから、樹脂封止する際の成形圧力による
ワイヤ１７の変形を防止することができる。したがっ
て、ワイヤ１７同士が接触することによるワイヤショ−
トの不良、即ちワイヤ流れによる不良の発生を防止する
ことができる。このため、樹脂封止型半導体装置の品
質、信頼性を向上させることができ、高信頼性の要求さ
れるＣＡＲ製品にも適用することが可能となる。
板１４を取り付け、このセラミック板１４の上面に銅パ
タ−ン１３を形成し、この銅パタ−ン１３にワイヤ１７
の一端を接続し、このワイヤ１７の他端を半導体チップ
１５と接続している。このため、ワイヤ１７の長さを従
来品より短くすることができる。この結果、リ−ドフレ
−ム１２のパタ−ンを微細化しても、ワイヤ１７の長さ
を短くしているから、樹脂封止する際の成形圧力による
ワイヤ１７の変形を防止することができる。したがっ
て、ワイヤ１７同士が接触することによるワイヤショ−
トの不良、即ちワイヤ流れによる不良の発生を防止する
ことができる。このため、樹脂封止型半導体装置の品
質、信頼性を向上させることができ、高信頼性の要求さ
れるＣＡＲ製品にも適用することが可能となる。
【００１９】また、従来品では必要であった信頼性を保
証するための検査等、即ちＸ−Ｒａｙによる全数検査、
かしめ後のリ−ドフレ−ム１２と放熱フィン１１とのギ
ャップ検査、及び放熱フィン１１の反り量のコントロ−
ル等の複雑な管理等を行わなくても、樹脂封止型半導体
装置の信頼性を保証することができる。つまり、この発
明では、ピン数の多い小型のパッケ−ジであっても、リ
−ドフレ−ム１２が放熱フィン１１と接触する短絡不良
又はワイヤ１７流れによる不良の発生を防止することが
できるため、信頼性を保証するための検査等を行う必要
がない。したがって、製造プロセスの管理を簡略化する
ことができ、樹脂封止型半導体装置の製造コストを低下
させることができる。
証するための検査等、即ちＸ−Ｒａｙによる全数検査、
かしめ後のリ−ドフレ−ム１２と放熱フィン１１とのギ
ャップ検査、及び放熱フィン１１の反り量のコントロ−
ル等の複雑な管理等を行わなくても、樹脂封止型半導体
装置の信頼性を保証することができる。つまり、この発
明では、ピン数の多い小型のパッケ−ジであっても、リ
−ドフレ−ム１２が放熱フィン１１と接触する短絡不良
又はワイヤ１７流れによる不良の発生を防止することが
できるため、信頼性を保証するための検査等を行う必要
がない。したがって、製造プロセスの管理を簡略化する
ことができ、樹脂封止型半導体装置の製造コストを低下
させることができる。
【００２０】また、大きいサイズのチップにこの発明を
用いることにより、高付加価値製品を造出することがで
きる。尚、上記実施例では、放熱フィン１１の上面の中
央部にセラミック板１４を取り付けているが、放熱フィ
ン１１の上面の中央部に他の絶縁物を取り付けることも
可能である。また、セラミック板１４の上面に銅パタ−
ン１３を形成しているが、セラミック板１４の上面に他
の材料からなる配線パタ−ンを形成することも可能であ
る。
用いることにより、高付加価値製品を造出することがで
きる。尚、上記実施例では、放熱フィン１１の上面の中
央部にセラミック板１４を取り付けているが、放熱フィ
ン１１の上面の中央部に他の絶縁物を取り付けることも
可能である。また、セラミック板１４の上面に銅パタ−
ン１３を形成しているが、セラミック板１４の上面に他
の材料からなる配線パタ−ンを形成することも可能であ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
放熱フィンの上に絶縁物を載置し、この絶縁物の表面に
配線パタ−ンを形成している。したがって、ピン数の多
い小型のパッケ−ジであっても、リ−ドフレ−ムが放熱
フィンと接触する短絡不良又はワイヤ流れによる不良の
発生を防止することができる。
放熱フィンの上に絶縁物を載置し、この絶縁物の表面に
配線パタ−ンを形成している。したがって、ピン数の多
い小型のパッケ−ジであっても、リ−ドフレ−ムが放熱
フィンと接触する短絡不良又はワイヤ流れによる不良の
発生を防止することができる。
【図１】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図２】この発明の図１に示す樹脂封止型半導体装置の
内部を示す平面図。
内部を示す平面図。
【図３】この発明の図２に示す樹脂封止型半導体装置の
断面図。
断面図。
【図４】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す平面図。
の製造方法を示す平面図。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す斜視図。
【図６】図５に示す樹脂封止型半導体装置の内部を示す
平面図。
平面図。
【図７】図６に示す樹脂封止型半導体装置の断面図。
11…放熱フィン、12…リ−ドフレ−ム、12a …インナ−
リ−ド、13…銅パタ−ン、14…セラミック板、14a …
孔、15…半導体チップ、16…かしめ部材、17…ワイヤ、
18…所定の間隔（ギャップ）、19…樹脂、20…半導体パ
ッケ−ジ。
リ−ド、13…銅パタ−ン、14…セラミック板、14a …
孔、15…半導体チップ、16…かしめ部材、17…ワイヤ、
18…所定の間隔（ギャップ）、19…樹脂、20…半導体パ
ッケ−ジ。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップから生ずる熱を放出する放
熱フィンと、 前記放熱フィンの上に載置された絶縁物と、 前記絶縁物の表面に形成された配線パタ−ンと、 前記配線パタ−ンに接続され、前記放熱フィンの上にこ
の放熱フィンと絶縁した状態で固定されたリ−ドフレ−
ムと、 前記半導体チップ、前記絶縁物および前記リ−ドフレ−
ムが封止される樹脂と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 放熱フィンと、 前記放熱フィンの上に載置された半導体チップと、 前記放熱フィンの上に載置され、前記半導体チップの周
囲を囲むように設けられた絶縁物と、 前記絶縁物の表面に形成された配線パタ−ンと、 前記配線パタ−ンに接続され、前記放熱フィンの上にこ
の放熱フィンと所定の間隔を設けた状態で固定されたリ
−ドフレ−ムと、 前記配線パタ−ンに一端が接続され、前記半導体チップ
に他端が接続されたワイヤと、 前記ワイヤ、前記半導体チップ、前記絶縁物および前記
リ−ドフレ−ムが封止される樹脂と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5328401A JPH07183429A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP94120262A EP0660401A3 (en) | 1993-12-24 | 1994-12-21 | Resin encapsulated semiconductor device. |
| KR1019940036225A KR950021456A (ko) | 1993-12-24 | 1994-12-23 | 수지밀봉형 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5328401A JPH07183429A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183429A true JPH07183429A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18209848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5328401A Pending JPH07183429A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0660401A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07183429A (ja) |
| KR (1) | KR950021456A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137756A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPH04280462A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレームおよびこのリードフレームを使用した半導体装置 |
| JPH0563113A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Sony Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5328401A patent/JPH07183429A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-21 EP EP94120262A patent/EP0660401A3/en active Pending
- 1994-12-23 KR KR1019940036225A patent/KR950021456A/ko not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950021456A (ko) | 1995-07-26 |
| EP0660401A2 (en) | 1995-06-28 |
| EP0660401A3 (en) | 1996-08-28 |
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