JPH07187845A - セラミックス多孔体及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス多孔体及びその製造方法Info
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- JPH07187845A JPH07187845A JP6145425A JP14542594A JPH07187845A JP H07187845 A JPH07187845 A JP H07187845A JP 6145425 A JP6145425 A JP 6145425A JP 14542594 A JP14542594 A JP 14542594A JP H07187845 A JPH07187845 A JP H07187845A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229920003203 poly(dimethylsilylene-co-phenylmethyl- silylene) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0022—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof obtained by a chemical conversion or reaction other than those relating to the setting or hardening of cement-like material or to the formation of a sol or a gel, e.g. by carbonising or pyrolysing preformed cellular materials based on polymers, organo-metallic or organo-silicon precursors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭化ケイ素又は窒化ケイ素を主成分とし、従
来よりも強度、耐熱性、耐熱衝撃性等に優れ、しかも微
細な気孔を多量に含むセラミックス多孔体、並びにその
製造方法を提供する。 【構成】 炭化ケイ素又は窒化ケイ素を主成分とし、気
孔径が1μm以下で且つ気孔率が35%以上であり、曲
げ強度が100MPa以上であるセラミックス多孔体。
このセラミックス多孔体は、焼成により炭化ケイ素又は
窒化ケイ素を生成し得るシリコーンオリゴマーを使用
し、これに平均粒径1.0μm以下の炭化ケイ素粉末又
は窒化ケイ素粉末若しくはその他のセラミックス粉末を
混合し、これを成形した後、適切な雰囲気中において1
200℃以上の温度で焼結する方法により製造される。
来よりも強度、耐熱性、耐熱衝撃性等に優れ、しかも微
細な気孔を多量に含むセラミックス多孔体、並びにその
製造方法を提供する。 【構成】 炭化ケイ素又は窒化ケイ素を主成分とし、気
孔径が1μm以下で且つ気孔率が35%以上であり、曲
げ強度が100MPa以上であるセラミックス多孔体。
このセラミックス多孔体は、焼成により炭化ケイ素又は
窒化ケイ素を生成し得るシリコーンオリゴマーを使用
し、これに平均粒径1.0μm以下の炭化ケイ素粉末又
は窒化ケイ素粉末若しくはその他のセラミックス粉末を
混合し、これを成形した後、適切な雰囲気中において1
200℃以上の温度で焼結する方法により製造される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微小な気孔を多量に含
み、しかも高強度なセラミックス多孔体、及びその製造
方法に関する。
み、しかも高強度なセラミックス多孔体、及びその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】セラミックス多孔体は断熱材等の建築材
料のほか、触媒の担体、フィルター、センサー等とし
て、広い分野で使用されている。又、セラミックス多孔
体の材質としては、アルミナ、炭化ケイ素、アルミニウ
ムシリケート、シリカ、コーディエライト等が知られ、
その用途に応じて適切な材料が用いられている。
料のほか、触媒の担体、フィルター、センサー等とし
て、広い分野で使用されている。又、セラミックス多孔
体の材質としては、アルミナ、炭化ケイ素、アルミニウ
ムシリケート、シリカ、コーディエライト等が知られ、
その用途に応じて適切な材料が用いられている。
【0003】しかし、最近ではフィルターや触媒担体等
の用途において、負荷応力の増大や使用温度の高温化な
ど使用環境が益々きびしくなる傾向にあるため、従来の
セラミックス多孔体では強度や耐熱性の要求を満たすこ
とが困難になりつつある。
の用途において、負荷応力の増大や使用温度の高温化な
ど使用環境が益々きびしくなる傾向にあるため、従来の
セラミックス多孔体では強度や耐熱性の要求を満たすこ
とが困難になりつつある。
【0004】例えば、自動車排気ガス浄化用触媒担体と
して、押出法によりハニカム形状に成形したものを焼結
して製造したコーディエライトのハニカムフィルターが
実用化されているが、強度や耐熱性、耐熱衝撃性等の特
性を更に向上させることが要望されている。
して、押出法によりハニカム形状に成形したものを焼結
して製造したコーディエライトのハニカムフィルターが
実用化されているが、強度や耐熱性、耐熱衝撃性等の特
性を更に向上させることが要望されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】強度や耐熱性に優れた
セラミックスとして炭化ケイ素や窒化ケイ素が知られて
いるが、これらの多孔体としては気孔の比較的大きなも
の、あるいは低強度のものが一部で実現されているに過
ぎない現状である。例えば、「粉末および粉末冶金」第
38巻第3号62頁〜63頁の記載によれば、SiC粉
末とポリシラスチレンの複合体を焼結し、高強度の多孔
体が得られているが、気孔径が1μm程度のもので気孔
率は34%程度のものである。
セラミックスとして炭化ケイ素や窒化ケイ素が知られて
いるが、これらの多孔体としては気孔の比較的大きなも
の、あるいは低強度のものが一部で実現されているに過
ぎない現状である。例えば、「粉末および粉末冶金」第
38巻第3号62頁〜63頁の記載によれば、SiC粉
末とポリシラスチレンの複合体を焼結し、高強度の多孔
体が得られているが、気孔径が1μm程度のもので気孔
率は34%程度のものである。
【0006】本発明は、かかる従来の事情に鑑み、従来
よりも強度、耐熱性、耐熱衝撃性等に優れ、しかも微細
な気孔を多量に含むセラミックス多孔体、並びにその製
造方法を提供することを目的とする。
よりも強度、耐熱性、耐熱衝撃性等に優れ、しかも微細
な気孔を多量に含むセラミックス多孔体、並びにその製
造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供するセラミックス多孔体は、炭化ケイ
素又は窒化ケイ素を主成分とし、平均気孔径が1μm以
下で且つ気孔率が35%以上であり、曲げ強度が100
MPa以上であることを特徴とする。
め、本発明が提供するセラミックス多孔体は、炭化ケイ
素又は窒化ケイ素を主成分とし、平均気孔径が1μm以
下で且つ気孔率が35%以上であり、曲げ強度が100
MPa以上であることを特徴とする。
【0008】かかるセラミックス多孔体の製造は、焼成
により炭化ケイ素又は窒化ケイ素を生成し得るシリコー
ンオリゴマーを使用し、これに平均粒径1.0μm以下
の炭化ケイ素粉末又は窒化ケイ素粉末若しくはその他の
セラミックス粉末を混合し、これを成形した後、適切な
雰囲気中において1200℃以上の温度で焼結する方法
による。
により炭化ケイ素又は窒化ケイ素を生成し得るシリコー
ンオリゴマーを使用し、これに平均粒径1.0μm以下
の炭化ケイ素粉末又は窒化ケイ素粉末若しくはその他の
セラミックス粉末を混合し、これを成形した後、適切な
雰囲気中において1200℃以上の温度で焼結する方法
による。
【0009】具体的には、炭化ケイ素を主成分とするセ
ラミックス多孔体の製造方法では、平均粒径1.0μm
以下の炭化ケイ素粉末に、炭素原子を含むシリコーンオ
リゴマーをケイ素含有量に換算して1〜99重量%添加
して混合し、これを成形した後、非酸化性雰囲気中にお
いて1200℃以上好ましくは1500〜1900℃の
温度で焼結することを特徴とする。
ラミックス多孔体の製造方法では、平均粒径1.0μm
以下の炭化ケイ素粉末に、炭素原子を含むシリコーンオ
リゴマーをケイ素含有量に換算して1〜99重量%添加
して混合し、これを成形した後、非酸化性雰囲気中にお
いて1200℃以上好ましくは1500〜1900℃の
温度で焼結することを特徴とする。
【0010】又、炭化ケイ素粉末を使用せず、炭素原子
を含むシリコーンオリゴマーに、炭化ケイ素以外の平均
粒径1.0μm以下のセラミックス粉末を1〜40重量
%好ましくは10〜30重量%添加して混合し、これを
成形した後、非酸化性雰囲気中において1200℃以上
好ましくは1500〜1900℃の温度で焼結する方法
によっても、炭化ケイ素を主成分とするセラミックス多
孔体を製造することができる。
を含むシリコーンオリゴマーに、炭化ケイ素以外の平均
粒径1.0μm以下のセラミックス粉末を1〜40重量
%好ましくは10〜30重量%添加して混合し、これを
成形した後、非酸化性雰囲気中において1200℃以上
好ましくは1500〜1900℃の温度で焼結する方法
によっても、炭化ケイ素を主成分とするセラミックス多
孔体を製造することができる。
【0011】一方、窒化ケイ素を主成分とするセラミッ
クス多孔体の製造方法では、平均粒径1.0μm以下の
窒化ケイ素粉末に、炭素原子を含むシリコーンオリゴマ
ーをケイ素含有量に換算して1〜99重量%添加して混
合し、これを成形した後、窒素雰囲気中又は窒素を含む
不活性雰囲気中において1200℃以上好ましくは15
00〜1900℃の温度で焼結する。
クス多孔体の製造方法では、平均粒径1.0μm以下の
窒化ケイ素粉末に、炭素原子を含むシリコーンオリゴマ
ーをケイ素含有量に換算して1〜99重量%添加して混
合し、これを成形した後、窒素雰囲気中又は窒素を含む
不活性雰囲気中において1200℃以上好ましくは15
00〜1900℃の温度で焼結する。
【0012】又、窒化ケイ素粉末を使用せず、炭素原子
を含むシリコーンオリゴマーに、窒化ケイ素以外の平均
粒径1.0μm以下のセラミックス粉末を1〜40重量
%好ましくは10〜30重量%添加して混合し、これを
成形した後、窒素雰囲気中又は窒素を含む不活性雰囲気
中において1200℃以上好ましくは1500〜190
0℃の温度で焼結する方法によっても、窒化ケイ素を主
成分とするセラミックス多孔体を製造することができ
る。
を含むシリコーンオリゴマーに、窒化ケイ素以外の平均
粒径1.0μm以下のセラミックス粉末を1〜40重量
%好ましくは10〜30重量%添加して混合し、これを
成形した後、窒素雰囲気中又は窒素を含む不活性雰囲気
中において1200℃以上好ましくは1500〜190
0℃の温度で焼結する方法によっても、窒化ケイ素を主
成分とするセラミックス多孔体を製造することができ
る。
【0013】
【作用】本発明におけるセラミックス多孔体は、炭化ケ
イ素(SiC)又は窒化ケイ素(Si3N4)を主成分と
し、場合により炭窒化ケイ素(SiCN)等を含み、必
要に応じて他のセラミックス成分及び焼結助剤や炭素等
の残留があってもよい。SiC及びSi3N4は強度及び
耐熱性に優れた材料であるが、従来その多孔体としては
気孔が比較的大きく、低強度のものが知られているに過
ぎなかった。
イ素(SiC)又は窒化ケイ素(Si3N4)を主成分と
し、場合により炭窒化ケイ素(SiCN)等を含み、必
要に応じて他のセラミックス成分及び焼結助剤や炭素等
の残留があってもよい。SiC及びSi3N4は強度及び
耐熱性に優れた材料であるが、従来その多孔体としては
気孔が比較的大きく、低強度のものが知られているに過
ぎなかった。
【0014】これに対し本発明の多孔体は、気孔径が1
μm以下と微細な開放した気孔を多数有し、表面積が大
きいうえ、気孔率が35%以上と高いため気体等の流体
の通過量が大きく、フィルターや触媒担体等として優れ
た機能を備えている。又、曲げ強度が100MPa以上
と高強度であるから、構造体として高い信頼性を備えて
いる。
μm以下と微細な開放した気孔を多数有し、表面積が大
きいうえ、気孔率が35%以上と高いため気体等の流体
の通過量が大きく、フィルターや触媒担体等として優れ
た機能を備えている。又、曲げ強度が100MPa以上
と高強度であるから、構造体として高い信頼性を備えて
いる。
【0015】かかる本発明のセラミックス多孔体は、幾
つかの方法により製造できるが、基本的には焼成により
SiCやSi3N4を生成し得るシリコーンオリゴマーを
用い、これと平均粒径1.0μm以下のSiC粉末又は
Si3N4粉末若しくはその他のセラミックス粉末を混合
し、これを成形した後、適切な雰囲気中において120
0℃以上の温度、好ましくは1500℃〜1900℃の
温度で焼結する方法により製造することができる。12
00℃未満の焼結温度では、焼結体強度が低く、又、よ
り高強度のものを得るためには1500℃以上での焼結
温度とするのが好ましい。1900℃を越えると気孔径
が大きくなったり、又は焼結体の強度低下を招くことに
なる。
つかの方法により製造できるが、基本的には焼成により
SiCやSi3N4を生成し得るシリコーンオリゴマーを
用い、これと平均粒径1.0μm以下のSiC粉末又は
Si3N4粉末若しくはその他のセラミックス粉末を混合
し、これを成形した後、適切な雰囲気中において120
0℃以上の温度、好ましくは1500℃〜1900℃の
温度で焼結する方法により製造することができる。12
00℃未満の焼結温度では、焼結体強度が低く、又、よ
り高強度のものを得るためには1500℃以上での焼結
温度とするのが好ましい。1900℃を越えると気孔径
が大きくなったり、又は焼結体の強度低下を招くことに
なる。
【0016】シリコーンオリゴマーとは有機ケイ素化合
物の低重合物であり、その中で本発明方法に用いる焼成
によりSiCやSi3N4を生成し得るシリコーンオリゴ
マーとしては主鎖又は側鎖に炭素と水素とケイ素以外を
含まないもの、例えばポリカルボシラン、ポリシラザ
ン、ポリシラスチレン等が好ましく、主鎖又は側鎖に酸
素を含むポリシロキサン等はSiC,Si3N4への変換
が充分なされないため好ましくない。シリコーンオリゴ
マーをAr等の不活性雰囲気中で焼成すれば主にSiC
が生成し、窒素雰囲気中で焼成すれば主にSi3N4が生
成するが、シリコーンオリゴマーのみから得られたSi
CやSi3N4は強度が不十分であり且つ気孔も比較的大
きい。
物の低重合物であり、その中で本発明方法に用いる焼成
によりSiCやSi3N4を生成し得るシリコーンオリゴ
マーとしては主鎖又は側鎖に炭素と水素とケイ素以外を
含まないもの、例えばポリカルボシラン、ポリシラザ
ン、ポリシラスチレン等が好ましく、主鎖又は側鎖に酸
素を含むポリシロキサン等はSiC,Si3N4への変換
が充分なされないため好ましくない。シリコーンオリゴ
マーをAr等の不活性雰囲気中で焼成すれば主にSiC
が生成し、窒素雰囲気中で焼成すれば主にSi3N4が生
成するが、シリコーンオリゴマーのみから得られたSi
CやSi3N4は強度が不十分であり且つ気孔も比較的大
きい。
【0017】そこで本発明方法では、かかるシリコーン
オリゴマーに微細なSiC粉末又はSi3N4粉末若しく
は他のセラミックス粉末を混合して用いることにより、
気孔径が1μm以下で気孔率が35%以上の微細な気孔
を多数有し、且つ曲げ強度が100MPa以上のSiC
又はSi3N4を主成分とする多孔体が得られたものであ
る。かかる微細な気孔を持ち且つ高強度な多孔体を得る
ためには、シリコーンオリゴマーに混合するセラミック
ス粉末の平均粒径を1.0μm以下とする必要がある。
オリゴマーに微細なSiC粉末又はSi3N4粉末若しく
は他のセラミックス粉末を混合して用いることにより、
気孔径が1μm以下で気孔率が35%以上の微細な気孔
を多数有し、且つ曲げ強度が100MPa以上のSiC
又はSi3N4を主成分とする多孔体が得られたものであ
る。かかる微細な気孔を持ち且つ高強度な多孔体を得る
ためには、シリコーンオリゴマーに混合するセラミック
ス粉末の平均粒径を1.0μm以下とする必要がある。
【0018】本発明方法を多孔体の主成分ごとに更に詳
しく説明する。まずSiCを主成分とする多孔体の製造
は、基本的にはシリコーンオリゴマーとSiC粉末とを
混合し、その成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する。非
酸化性雰囲気はAr等の不活性ガス、窒素ガス、水素ガ
ス又はそれらの混合ガスであってよい。ただし、窒素ガ
スを用いた場合には、SiCの外にSiCNやSi3N4
等も生成するものと考えられる。SiC粉末の一部に代
えて、他のセラミックス粉末を全体の40重量%以下好
ましくは10〜30重量%添加してもよい。他のセラミ
ックス粉末とは、Si3N4,TiN,AlN等の窒化
物、Al2O3,SiO2,ZrO2等の酸化物、TiC,
WC,ZrC等の炭化物のような、SiC以外の粉末で
ある。
しく説明する。まずSiCを主成分とする多孔体の製造
は、基本的にはシリコーンオリゴマーとSiC粉末とを
混合し、その成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する。非
酸化性雰囲気はAr等の不活性ガス、窒素ガス、水素ガ
ス又はそれらの混合ガスであってよい。ただし、窒素ガ
スを用いた場合には、SiCの外にSiCNやSi3N4
等も生成するものと考えられる。SiC粉末の一部に代
えて、他のセラミックス粉末を全体の40重量%以下好
ましくは10〜30重量%添加してもよい。他のセラミ
ックス粉末とは、Si3N4,TiN,AlN等の窒化
物、Al2O3,SiO2,ZrO2等の酸化物、TiC,
WC,ZrC等の炭化物のような、SiC以外の粉末で
ある。
【0019】又、Si3N4を主成分とする多孔体の製造
方法は、基本的にはシリコーンオリゴマーとSi3N4粉
末を混合し、その成形体を窒素雰囲気中又は窒素を含む
不活性雰囲気中で焼結するものである。不活性雰囲気と
してはAr等の不活性ガスを用いる。ただし、シリコー
ンオリゴマーには炭素が含まれるので、Si3N4の生成
と同時にSiCNやSiC等も生成するものと考えられ
る。Si3N4粉末の一部に代えて、他のセラミックス粉
末を全体の40重量%以下好ましくは10〜30重量%
添加してもよい。他のセラミックス粉末とは、AlN,
TiN等の窒化物、Al2O3,SiO2,ZrO2等の酸
化物、SiCやTiC等の炭化物のような、Si3N4以
外の粉末である。
方法は、基本的にはシリコーンオリゴマーとSi3N4粉
末を混合し、その成形体を窒素雰囲気中又は窒素を含む
不活性雰囲気中で焼結するものである。不活性雰囲気と
してはAr等の不活性ガスを用いる。ただし、シリコー
ンオリゴマーには炭素が含まれるので、Si3N4の生成
と同時にSiCNやSiC等も生成するものと考えられ
る。Si3N4粉末の一部に代えて、他のセラミックス粉
末を全体の40重量%以下好ましくは10〜30重量%
添加してもよい。他のセラミックス粉末とは、AlN,
TiN等の窒化物、Al2O3,SiO2,ZrO2等の酸
化物、SiCやTiC等の炭化物のような、Si3N4以
外の粉末である。
【0020】上記2方法の場合はいずれも、シリコーン
オリゴマーの添加量はケイ素含有量に換算して1〜99
重量%とする。シリコーンオリゴマーの添加量がSi含
有量に換算して1重量%未満では気孔率が小さくなり、
99重量%を越えると多孔体の強度が極端に低下するか
らである。尚、シリコーンオリゴマーは成形バインダー
となり焼結助剤としても作用するので、本発明方法では
必ずしも通常のバインダー及び焼結助剤を用いる必要が
ない。
オリゴマーの添加量はケイ素含有量に換算して1〜99
重量%とする。シリコーンオリゴマーの添加量がSi含
有量に換算して1重量%未満では気孔率が小さくなり、
99重量%を越えると多孔体の強度が極端に低下するか
らである。尚、シリコーンオリゴマーは成形バインダー
となり焼結助剤としても作用するので、本発明方法では
必ずしも通常のバインダー及び焼結助剤を用いる必要が
ない。
【0021】更に、本発明の多孔体はSiC粉末やSi
3N4粉末を用いずに製造することも可能である。即ち、
炭素原子を含むシリコーンオリゴマーにSiC及びSi
3N4以外の平均粒径1.0μm以下のセラミックス粉末
を1〜40重量%添加して混合し、これを成形した後、
SiCを主成分とする多孔体の製造では非酸化性雰囲気
中において、又Si3N4を主成分とする多孔体の製造で
は窒素雰囲気又は窒素を含む不活性雰囲気中で、いずれ
も1200℃以上好ましくは1500〜1900℃の温
度で焼結する。
3N4粉末を用いずに製造することも可能である。即ち、
炭素原子を含むシリコーンオリゴマーにSiC及びSi
3N4以外の平均粒径1.0μm以下のセラミックス粉末
を1〜40重量%添加して混合し、これを成形した後、
SiCを主成分とする多孔体の製造では非酸化性雰囲気
中において、又Si3N4を主成分とする多孔体の製造で
は窒素雰囲気又は窒素を含む不活性雰囲気中で、いずれ
も1200℃以上好ましくは1500〜1900℃の温
度で焼結する。
【0022】この方法の場合、用いるセラミックス粉末
はSiC粉末及びSi3N4粉末以外のものであり、その
添加量が全体の1重量%未満ではシリコーンオリゴマー
が多すぎるため得られる多孔体の強度が低下し、40重
量%を越えると多孔体の耐熱衝撃性が低下すると共に気
孔率も小さくなるので、添加量は1〜40重量%の範囲
とする。
はSiC粉末及びSi3N4粉末以外のものであり、その
添加量が全体の1重量%未満ではシリコーンオリゴマー
が多すぎるため得られる多孔体の強度が低下し、40重
量%を越えると多孔体の耐熱衝撃性が低下すると共に気
孔率も小さくなるので、添加量は1〜40重量%の範囲
とする。
【0023】以上説明した本発明方法によれば、シリコ
ーンオリゴマーを用いない従来の方法に比べて低い温度
で焼結でき、得られる多孔体はシリコーンオリゴマーか
ら生成されたSiC又はSi3N4を含むにも拘らずケイ
素(Si)や炭素(C)の残留が少なく高純度であるか
ら、優れた曲げ強度や耐熱性、耐熱衝撃性を有してい
る。又、シリコーンオリゴマーから生成するSiCやS
i3N4は結晶質であっても、非結晶質であってもよい。
ーンオリゴマーを用いない従来の方法に比べて低い温度
で焼結でき、得られる多孔体はシリコーンオリゴマーか
ら生成されたSiC又はSi3N4を含むにも拘らずケイ
素(Si)や炭素(C)の残留が少なく高純度であるか
ら、優れた曲げ強度や耐熱性、耐熱衝撃性を有してい
る。又、シリコーンオリゴマーから生成するSiCやS
i3N4は結晶質であっても、非結晶質であってもよい。
【0024】本発明方法の焼結時の雰囲気は常圧であっ
てよいが、50気圧以上に加圧することによって気孔が
維持されながら焼結が促進されるので、一層高強度の多
孔体を得ることができ好ましい。尚、加圧圧力は高い程
望ましいが、製造コスト面から2000気圧までであ
る。又、添加するSiC粉末やSi3N4粉末又はその他
のセラミックス粉末の粒径を小さくするほど、得られる
セラミックス多孔体の気孔径を小さくでき、例えば粉末
の平均粒径が0.05μm以下のものを用いれば焼結後
には気孔径0.01μm以下の多孔体が得られるので、
添加する各セラミックス粉末の粒径を選択することが極
めて重要である。
てよいが、50気圧以上に加圧することによって気孔が
維持されながら焼結が促進されるので、一層高強度の多
孔体を得ることができ好ましい。尚、加圧圧力は高い程
望ましいが、製造コスト面から2000気圧までであ
る。又、添加するSiC粉末やSi3N4粉末又はその他
のセラミックス粉末の粒径を小さくするほど、得られる
セラミックス多孔体の気孔径を小さくでき、例えば粉末
の平均粒径が0.05μm以下のものを用いれば焼結後
には気孔径0.01μm以下の多孔体が得られるので、
添加する各セラミックス粉末の粒径を選択することが極
めて重要である。
【0025】
(実施例1) 表1及び表2に示すシリコーンオリゴマ
ーとセラミックス粉末を用いて、それぞれSiCを主成
分とする多孔体とSi3N4を主成分とする多孔体を製造
した。即ち、シリコーンオリゴマーとセラミックス粉末
を表1及び表2に示すごとく配合して混合し、長さ30
mm,巾30mm,厚み3mmの板状に成形した後、表
1及び表2に示す焼結条件でそれぞれ1時間焼結した。
尚、表1及び表2中のシリコーンオリゴマーの配合組成
(重量%)はSi含有量に換算した値である。
ーとセラミックス粉末を用いて、それぞれSiCを主成
分とする多孔体とSi3N4を主成分とする多孔体を製造
した。即ち、シリコーンオリゴマーとセラミックス粉末
を表1及び表2に示すごとく配合して混合し、長さ30
mm,巾30mm,厚み3mmの板状に成形した後、表
1及び表2に示す焼結条件でそれぞれ1時間焼結した。
尚、表1及び表2中のシリコーンオリゴマーの配合組成
(重量%)はSi含有量に換算した値である。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】得られた各多孔体について、気孔率を求め
ると共に走査型電子顕微鏡により気孔径を求めた。又、
各多孔体から切り出した4mm×2mm×30mmの試
料を用いて20mmのスパンで3点曲げ強度を測定し
た。これらの結果を表3及び表4に示した。
ると共に走査型電子顕微鏡により気孔径を求めた。又、
各多孔体から切り出した4mm×2mm×30mmの試
料を用いて20mmのスパンで3点曲げ強度を測定し
た。これらの結果を表3及び表4に示した。
【0029】更に、いずれの多孔体も1000℃の大気
中での耐酸化性に優れていることを確認した後、天然ガ
スバーナーで局部的に加熱して赤熱させ亀裂が発生する
か否かを観察することにより耐熱衝撃性を評価した。比
較のため、市販されている従来のAl2O3多孔体、Si
C多孔体、及びセラフォームについても同様の測定を行
った。得られた結果を表3及び表4に併せて示した。
中での耐酸化性に優れていることを確認した後、天然ガ
スバーナーで局部的に加熱して赤熱させ亀裂が発生する
か否かを観察することにより耐熱衝撃性を評価した。比
較のため、市販されている従来のAl2O3多孔体、Si
C多孔体、及びセラフォームについても同様の測定を行
った。得られた結果を表3及び表4に併せて示した。
【0030】
【表3】
【0031】
【表4】
【0032】(実施例2) 実施例1に示した2及び1
9のSiC及びSi3N4多孔体を用いて1000℃のデ
ィーゼルエンジン燃焼ガスを透過させた。その結果、微
細な炭素粒子等の固形分の捕捉率が90%を越え、また
熱による破損もないことがわかった。比較として市販の
Al2O3,コーディエライト,SiCからなる多孔体を
用いたガス透過試験を行なったところ、いずれの材料も
固形分の捕捉率は50%以下でしかも加熱による破損
(クラック)が生じ使用に耐えるものではなかった。以
上のデータより従来のセラミック多孔体に比べ本発明の
セラミック多孔体はフィルターとしての分離性能のみな
らず、耐熱性,耐熱衝撃性にも優れていることがわか
り、工業的に有用な材料であると考えられる。
9のSiC及びSi3N4多孔体を用いて1000℃のデ
ィーゼルエンジン燃焼ガスを透過させた。その結果、微
細な炭素粒子等の固形分の捕捉率が90%を越え、また
熱による破損もないことがわかった。比較として市販の
Al2O3,コーディエライト,SiCからなる多孔体を
用いたガス透過試験を行なったところ、いずれの材料も
固形分の捕捉率は50%以下でしかも加熱による破損
(クラック)が生じ使用に耐えるものではなかった。以
上のデータより従来のセラミック多孔体に比べ本発明の
セラミック多孔体はフィルターとしての分離性能のみな
らず、耐熱性,耐熱衝撃性にも優れていることがわか
り、工業的に有用な材料であると考えられる。
【0033】上記した実施例1及び2の結果から、本発
明のセラミックス多孔体は微小な気孔を有する気孔率の
高い多孔体であり、しかも100MPa以上の高い曲げ
強度と、優れた耐熱性、耐熱衝撃性及び耐酸化性を備え
ていることが判る。
明のセラミックス多孔体は微小な気孔を有する気孔率の
高い多孔体であり、しかも100MPa以上の高い曲げ
強度と、優れた耐熱性、耐熱衝撃性及び耐酸化性を備え
ていることが判る。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、炭化ケイ素又は窒化ケ
イ素を主成分とし、従来よりも強度、耐熱性、及び耐熱
衝撃性等に優れ、しかも微細な気孔を多量に含む大きな
気孔率のセラミックス多孔体を提供することができる。
イ素を主成分とし、従来よりも強度、耐熱性、及び耐熱
衝撃性等に優れ、しかも微細な気孔を多量に含む大きな
気孔率のセラミックス多孔体を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C04B 38/06 E
Claims (10)
- 【請求項1】 炭化ケイ素又は窒化ケイ素を主成分と
し、平均気孔径が1μm以下で且つ気孔率が35%以上
であり、曲げ強度が100MPa以上であることを特徴
とするセラミックス多孔体。 - 【請求項2】 主成分である炭化ケイ素又は窒化ケイ素
以外のセラミックス成分を1〜40重量%含有すること
を特徴とする、請求項1に記載のセラミックス多孔体。 - 【請求項3】 平均粒径1.0μm以下の炭化ケイ素粉
末に、炭素原子を含むシリコーンオリゴマーをケイ素含
有量に換算して1〜99重量%添加して混合し、これを
成形した後、非酸化性雰囲気中において1200℃以上
の温度で焼結することを特徴とするセラミックス多孔体
の製造方法。 - 【請求項4】 炭化ケイ素粉末に、炭化ケイ素粉末以外
の平均粒径1.0μm以下のセラミックス粉末を全体の
40重量%以下添加することを特徴とする、請求項3に
記載のセラミックス多孔体の製造方法。 - 【請求項5】 平均粒径1.0μm以下の窒化ケイ素粉
末に、炭素原子を含むシリコーンオリゴマーをケイ素含
有量に換算して1〜99重量%添加して混合し、これを
成形した後、窒素雰囲気中又は窒素を含む不活性雰囲気
中において1200℃以上の温度で焼結することを特徴
とするセラミックス多孔体の製造方法。 - 【請求項6】 窒化ケイ素粉末に、窒化ケイ素粉末以外
の平均粒径1.0μm以下のセラミックス粉末を全体の
40重量%以下添加することを特徴とする、請求項5に
記載のセラミックス多孔体の製造方法。 - 【請求項7】 炭素原子を含むシリコーンオリゴマー
に、炭化ケイ素以外の平均粒径1.0μm以下のセラミ
ックス粉末を1〜40重量%添加して混合し、これを成
形した後、非酸化性雰囲気中において1200℃以上の
温度で焼結することを特徴とするセラミックス多孔体の
製造方法。 - 【請求項8】 炭素原子を含むシリコーンオリゴマー
に、窒化ケイ素以外の平均粒径1.0μm以下のセラミ
ックス粉末を1〜40重量%添加して混合し、これを成
形した後、窒素雰囲気中又は窒素を含む不活性雰囲気中
において1200℃以上の温度で焼結することを特徴と
するセラミックス多孔体の製造方法。 - 【請求項9】 焼結雰囲気を50気圧以上に加圧するこ
とを特徴とする、請求項3〜8のいずれかに記載のセラ
ミックス多孔体の製造方法。 - 【請求項10】 シリコーンオリゴマーが、ポリカルボ
シラン、ポリシラザン、又はポリシラスチレンであるこ
とを特徴とする、請求項3〜9のいずれかに記載のセラ
ミックス多孔体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542594A JP3596910B2 (ja) | 1993-06-14 | 1994-06-02 | セラミックス多孔体及びその製造方法 |
| DE69429323T DE69429323T2 (de) | 1993-06-14 | 1994-06-08 | Poröses keramisches material und verfahren zu seiner herstellung |
| EP94917794A EP0657403B1 (en) | 1993-06-14 | 1994-06-08 | Porous ceramic and process for producing the same |
| PCT/JP1994/000941 WO1994029238A1 (en) | 1993-06-14 | 1994-06-08 | Porous ceramic and process for producing the same |
| US08/771,431 US5750449A (en) | 1993-06-14 | 1996-12-20 | Ceramic porous bodies and method of producing the same |
| US08/820,133 US5759460A (en) | 1993-06-14 | 1997-03-19 | Ceramic porous bodies and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-167506 | 1993-06-14 | ||
| JP16750693 | 1993-06-14 | ||
| JP14542594A JP3596910B2 (ja) | 1993-06-14 | 1994-06-02 | セラミックス多孔体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07187845A true JPH07187845A (ja) | 1995-07-25 |
| JP3596910B2 JP3596910B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=26476545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14542594A Expired - Fee Related JP3596910B2 (ja) | 1993-06-14 | 1994-06-02 | セラミックス多孔体及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5750449A (ja) |
| EP (1) | EP0657403B1 (ja) |
| JP (1) | JP3596910B2 (ja) |
| DE (1) | DE69429323T2 (ja) |
| WO (1) | WO1994029238A1 (ja) |
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| US7368076B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-05-06 | Asahi Glass Company, Limited | Method for producing a silicon nitride filter |
| WO2013171824A1 (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体の製造方法、及び、ハニカム構造体 |
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| US5563212A (en) * | 1994-05-24 | 1996-10-08 | Exxon Research And Engineering Company | Synthesis of microporous ceramics |
| JP2753577B2 (ja) * | 1996-04-30 | 1998-05-20 | 工業技術院長 | 配向した柱状粒子からなる窒化ケイ素多孔体とその製造方法 |
| DE19648270A1 (de) * | 1996-11-21 | 1998-05-28 | Basf Ag | Offenzellige poröse Sinterprodukte und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| FR2776287B1 (fr) * | 1998-03-20 | 2000-05-12 | Ceramiques Tech Soc D | Materiau ceramique poreux massif homogene |
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| KR100491022B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2005-05-24 | 한국기계연구원 | 미세다공질 세라믹스 소재 및 그 제조방법 |
| DE10245307A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Brilex Gesellschaft für Explosionsschutz mbH | Flammensperrender Festkörper |
| KR100538690B1 (ko) * | 2003-07-16 | 2005-12-23 | 한국기계연구원 | 팽창 가능한 미세구와 고분자 세라믹 전구체로부터제조되는 고기공율 다공질 세라믹스 및 그 제조방법 |
| DE102004039343B4 (de) * | 2003-08-16 | 2013-01-17 | Helsa-Automotive Gmbh & Co. Kg | Mechanisch stabiler, poröser Aktivkohleformkörper mit hohem Adsorptionsvermögen, Verfahren zur Herstellung desselben und Filtersystem |
| CN100450973C (zh) * | 2003-10-07 | 2009-01-14 | 庆东塞拉泰克有限公司 | 具有高隔热性能的免烧陶瓷体的制造方法 |
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| WO2006035645A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | 多孔体の製造方法、多孔体及びハニカム構造体 |
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| EP1899280B1 (de) | 2005-07-05 | 2015-09-02 | MANN+HUMMEL Innenraumfilter GmbH & Co. KG | PORÖSER ß-SIC-HALTIGER KERAMISCHER FORMKÖRPER MIT EINER ALUMINIUMOXIDBESCHICHTUNG UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG |
| EP1741687B1 (de) | 2005-07-05 | 2011-10-12 | MANN+HUMMEL Innenraumfilter GmbH & Co. KG | Poröser beta-SIC-haltiger keramischer Formkörper und Verfahren zu dessen Herstellung aus einem Kohlenstoff-haltigen Formkörper |
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- 1994-06-08 WO PCT/JP1994/000941 patent/WO1994029238A1/ja not_active Ceased
- 1994-06-08 DE DE69429323T patent/DE69429323T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-08 EP EP94917794A patent/EP0657403B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 1996-12-20 US US08/771,431 patent/US5750449A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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| JP3596910B2 (ja) | 2004-12-02 |
| US5759460A (en) | 1998-06-02 |
| DE69429323D1 (de) | 2002-01-17 |
| WO1994029238A1 (en) | 1994-12-22 |
| EP0657403B1 (en) | 2001-12-05 |
| US5750449A (en) | 1998-05-12 |
| EP0657403A1 (en) | 1995-06-14 |
| EP0657403A4 (en) | 1997-05-14 |
| DE69429323T2 (de) | 2002-07-18 |
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