JPH0719064B2

JPH0719064B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0719064B2
Application number: JP14829386A
Authority: JP
Inventors: 元宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-06-26
Filing date: 1986-06-26
Publication date: 1995-03-06
Anticipated expiration: 2010-03-06
Also published as: JPS636564A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、新規な電子写真感光材料を利用した電子写真
感光体に関し、さらに詳しくは特定の分子構造を有する
テトラキスアゾ顔料を光導電層中に含有する電子写真感
光体に関する。

［従来の技術］従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多く
の文献などで発表されている。

例えば、RCA Review Vol.23、P.423〜P.419（1962.9）
ではフタロシアニン顔料の光導電性について発表がなさ
れており、また、このフタロシアニン顔料を用いた電子
写真感光体が米国特許第3397086号明細書や米国特許第3
816118号明細書などに記載されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許第4315983号明細書、米国特許第4327169号明細書やRe
seach Disclosure20517（1981.5）に記載されているピ
リリウム系染料、米国特許第3824099号明細書に記載さ
れているスクエアリック酸メチン染料、米国特許第3898
084号明細書、米国特許第4251613号明細書などに記載さ
れているジスアゾ顔料などが挙げられる。

このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性基盤に形成した電子写真感光
体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感
度および耐久性において実用できるものは、ごく僅かで
ある。

［発明が解決しようとする問題点］本発明の目的は、新規な光導電性材料を提供することで
あり、さらに別の目的は、現存する全ての電子写真プロ
セスにおいても使用可能であり、実用的な高感度特性と
繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子写真
感光体を提供することである。

［問題点を解決する手段、作用］本発明は、導電性基盤上に光導電層を有する電子写真感
光体において、光導電層が、（式中、Ａはフェノール性OH基を有するカプラー残基を
示し、X₁およびX₂は水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基あ
るいはアルコキシ基を示す、）で示されるジスアゾ顔料
を含有することを特徴とする電子写真感光体から構成さ
れる。

上記一般式（１）においてＡの示すカプラー残基のより
好ましい具体例としては、下記一般式（２）〜（８）で
示される。

式中、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アンス
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェニレン
サルファイド環から選ばれる多環芳香族環あるいはヘテ
ロ環を形成する残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アンスラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより望
ましい。

R₁およびR₂は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環あるいはR₁と
R₂の結合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す。

アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなどの基が挙げられ、アラルキル基の具体例
としては、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなど
の基が挙げられ、アリール基の具体例としては、フェニ
ル、ジフェニル、ナフチル、アンスリルなどの基が挙げ
られ、ヘテロ環基の具体例としては、カルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジンなどの基が挙げられる。

一般式（３）および（４）中、R₃およびR₄は置換基を有
してもよいアルキル基、アラルキル基あるいはアリール
基を示し、これらの基の具体例としては、前記R₁、R₂と
同じ具体例の基が挙げられる。

一般式（２）〜（４）中、R₁〜R₄の示すアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、ヘテロ環基が有してもよい置
換基としては、例えばメチル、エチル、プロピルなどの
アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシなどのア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェ
ニルアミノなどの置換アミノ基などが挙げられる。

一般式（５）および（６）中、Ｙは芳香族炭化水素の２
価の基あるいは窒素原子をヘテロ原子として含むヘテロ
環の２価の基を示す。

芳香族炭化水素の２価の基としては、ｏ−フェニレンな
どの単環式芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレ
ン、ペリナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フェ
ナンスレンなどの縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基
が挙げられる。

また、窒素原子をヘテロ原子として含むヘテロ環の２価
の基としては、3,4ピラゾールジイル、2,3−ピリジンジ
イル、4,5−ピリミジンジイル、6,7−インダゾールジイ
ル、6,7−キノリンジイルなどの５〜６員環の２価の基
が挙げられる。

一般式（７）中、R₅は置換基を有してもよいフェニル、
ナフチル、アンスリル、ピレニルなどのアリール基ある
いはピリジル、チエニル、フリル、カルバゾリルなどの
ヘテロ環基を示す。

上記基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシなどのアルコキシ基、ニ
トロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換ア
ミノ基などが挙げられる。

一般式（８）中、R₆およびR₇は、置換基を有してもよい
アルキル基、アラルキル基、アリール基あるいはヘテロ
環を示す。アルキル基の具体例としてはメチル、エチ
ル、プロピル、ブチルなどの基、アラルキル基の具体例
としてはベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどの
基、アリール基の具体例としてはフェニル、ナフチル、
アンスリル、ジフェニルなどの基、ヘテロ環基としては
カルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、
ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジンなどの基が挙
げられる。上記基の有する置換基の例としては、前記R₅
における置換基と同様の基が挙げられる。

一般式（１）中、X₁およびX₂の具体例としては水素原子
あるいは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子あるいはメチル、エチル、ブチルなどのアルキル
基、フェニル、ナフチル、アンスラニルなどのアリール
基、ベンジル、ナフチルメチルなどのアラルキル基、メ
トキシ、エトキシ、フェノキシなどのアルコキシ基であ
り、これらの基は前記R₅における置換基と同様の置換基
を有してもよい。

本発明に用いるジスアゾ顔料の一般的な製法を説明す
る。

一般式（１）で示される顔料は、2,7−ジニトロフェナ
ンスレンキノンとジベンジルケトンとをアルカリ存在下
脱水縮合反応により2,5−ジフェニル−3,4−（4,4′−
ジニトロ−o,o′−ビフェニレン）シクロペンタジエノ
ンとし、ニトロ基をアミノ基に還元した後、亜硝酸ソー
ダあるいはニトロシル硫酸にてテトラゾ化し、さらにカ
ップリング成分とアゾカップリングすることにより製造
することができる。

以下に本発明に用いるジスアゾ顔料の代表的な例を列挙
する。

において、Ａ、X₁およびX₂の部分のみが相違するので、
以下の顔料例としては、その構造は、Ａの部分とX₁、X₂
の部分のみを掲記する。

上記具体例で記載したジスアゾ顔料は、該記載によって
特許請求の範囲を限定されない。

前述のジスアゾ顔料を含有する被膜は光導電性を示し、
下記電子写真感光体の感光層に用いることができる。

即ち、本発明の具体例では、導電性基盤の上に前記ジス
アゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるいは
適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成すること
により、光導電層に該顔料を含有する電子写真感光体と
する。

好ましい具体例としては、感光層を電荷発生層と電荷輸
送層に機能分離した電子写真感光体における電荷発生層
として、上記光導電性被膜を適用したものである。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るためにできる限り多
くのジスアゾ顔料を含有し、かつ、発生した電荷キヤリ
アの飛程を短くするために薄膜層、例えば５μ以下、好
ましくは0.01〜１μの範囲の膜厚を持つ薄膜層とするこ
とが好ましい。

これは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収されて、
多くの電荷キヤリアを生成すること、さらに発生した電
荷キヤリアを再結合や捕獲（トラップ）により失活する
ことなく電荷輸送層に注入する必要があることに起因し
ている。

電荷発生層は、ジスアゾ顔料を適当なバインダーに分散
させ、これを導電性基盤の上に塗工することによって形
成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成すること
によって作成することができる。

電荷発生層を塗工によって形成する際に用いるバインダ
ーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリー
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアンスラセンやポ
リビニルピレンなどの有機導電性ポリマーから選択でき
る。好ましくはポリビニルブチラール、ポリアリレート
（ビスフェノールＡとフタル酸の縮重合体など）、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリア
ミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタ
ン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げるこ
とができる。

電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好まし
くは40重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また、後記電荷輸送層や下引き層を溶解しないも
のから選択することが好ましい。

具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ルなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレ
ンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベン
ゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化水素類などを
用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などの手段を用いて行なうことができる。乾燥は、室
温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい。
加熱乾燥は30〜200℃の温度で５分〜２時間の範囲の時
間で、静止または送風下で行なうことができる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ヤリアを受け取るとともに、これらの電荷キヤリアを表
面まで輸送できる機能を有している。電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合、電荷輸
送層における電荷キヤリアを輸送する物質（以下、電荷
輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感応する電磁
波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい。
ここでいう電磁波とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光
線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包括する広義の
光線の定義を包含する。

電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致
またはオーバーラップする時には、両者で発生した電荷
キヤリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。

電荷輸送物質としては、電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、2,3,
5,7−テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリニ
トロ−９−ジシアノメチレンフルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサ
ントンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を
高分子化したものなどが挙げられる。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−９−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒド
ラジノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジン、
N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−10−エ
チルフェノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニル
ヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−N,N−
ジフェニルヒドラゾン、1,3,3−トリメチルインドレニ
ン−ω−アルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ
−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾ
リノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−1,3,4−オキサジア
ゾール、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［キノリル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリン、１−［６−メトキシ−ピリジル
（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（３）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−［レピジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−
（α−メチル−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−フェニル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、スピロピラゾリン等のピラゾリン類、２−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミノ
ベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（２
−クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール系化
合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエ
チルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、
ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フ
ェニルメタン等のトリアリールメタンン系化合物、1,1
−ビス（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラキス（４−N,N−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリー
ルアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラ
セン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニ
ルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチ
ルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

またこれらの電荷輸送物質は１種または２種以上組合せ
て用いることができる。

電荷輸送物質が成膜性を有していないときには、適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。

バインダーとして使用できる樹脂は、例えば、アクリル
樹脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポルスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限度があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜30μの範囲であるが、好ましい範囲は８〜20
μである。

塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述したよ
うな適当なコーティング法を用いることができる。

このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電層を有する基体（導電性基盤）の上に設
けられる。

導電層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金、白金等を用いること
ができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金等
を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラス
チック（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビ
ニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹
脂、ポリフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例えばカ
ーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダーとと
もにプラスチック上に被覆した基体、導電性粒子をプラ
スチックや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有する
プラスチック等を用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引き層を設けることもできる。

下引き層は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロ
セルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリア
ミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン610、共重合
ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウ
レタン、ゼラチン、酸化アルミニウムなどによって形成
できる。

下引き層の膜厚は、0.1〜５μ、好ましくは0.5〜３μの
範囲が適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、表面
に達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ、未露
光部との間に静電コントラストが生じる。

このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。これを直接定着するか、
あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルムなどに転
写後、現像し、定着することができる。

また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後、
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知の剤や公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後、表面に達して負電荷を中
和し、表面電位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コ
ントラストが生じる。

現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正荷電
性トナーを用いる必要がある。

導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、基盤
に達する。

一方、電荷発生層において生成した正孔は表面に達し表
面電位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コントラス
トが生じる。

このようにしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。これを直接定着するか、
あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルムなどに転
写後、現像し、定着することができる。

これに対して、電荷発生層が正孔輸送性物質からなると
きは、電荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電
後、露光すると露光部では電荷発生層において生成した
正孔が電荷輸送層に注入され、その後、基盤に達する。

一方、電荷発生層において生成した電子は表面に達し表
面電位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コントラス
トが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場合と
は逆に負荷電性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の電子写真感光体においては、前記ヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール
類、トリアリールメタン類、ポリアリールアルカン類、
トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類
などの有機光導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、
セレンなどの無機光導電性物質の増感剤として一般式
（１）で示されるジスアゾ顔料を含有させた感光被膜と
することができる。

この感光被膜は、前記光導電性物質と前記ジスアゾ顔料
をバインダーとともに塗工することによって被膜形成さ
れる。

さらに本発明の電子写真感光体として、前記特定のジス
アゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた電
子写真感光体を挙げることができる。

この際、前記電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯
体化合物を用いることができる。

この例の電子写真感光体は、ジスアゾ顔料と電荷移動錯
体化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエステ
ル溶液中に分散させた後、被膜形成させることにより作
成される。

上記したいずれの型の電子写真感光体においても、使用
する顔料は、一般式（１）で示されるジスアゾ顔料から
選ばれる少なくとも１種類の顔料を含有し、その結晶形
は、非晶質、結晶質のいずれでもよい。

場合により、光吸収の異なる顔料を組合せて使用し感光
体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を得る
などの目的で、一般式（１）で示されるジスアゾ顔料を
２種類以上組合せたり、あるいは公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することができ
る。

本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に使用する
他、レーザープリンターやCRTプリンター、LEDプリンタ
ー、液晶プリンター、レーザー製版などの電子写真応用
分野にも広く使用することができる。

［実施例］実施例１〜25 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン1
1.2g、アンモニア水1g、水222ml）をマイヤーバーで乾
燥後の膜厚が1.0μとなるように塗布、乾燥した。

次に、前記ジスアゾ顔料例（１）の顔料5gをエタノール
95mlにブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）2gを
溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散した。この
分散液を、先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚
が0.5μとなるようにマイヤーバーで塗布、乾燥して電
荷発生層を形成した。

次いで、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−α
−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾンを5gとポリメチル
メタクリレート（数平均分子量10万）5gをベンゼン70ml
に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μ
となるようにマイヤーバーで塗布、乾燥して電荷輸送層
を形成し、実施例１の電子写真感光体とした。

前記顔料例（１）に代え、下記の実験成績の欄に記載す
る前記ジスアゾ顔料例の顔料を用い、実施例２〜25に対
応する電子写真感光体を実施例１と同様の手段で作成し
た。

上記作成した電子写真感光体を、川口電機（株）製静電
複写紙試験装置Model SP−428を用いて、スタティック
方式、−5KVでコロナ帯電し、暗所で１秒間保持した
後、照度２ルックスで露光し、帯電特性を調べた。

帯電特性として、表面電位（Vo）と１秒間暗減衰させた
時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量（E1/2）を測
定した。

さらに、実施例２、３、16および19で作成した電子写真
感光体を使用して、繰り返し使用時の明部電位と暗部電
位の変動を測定した。

測定方法は、−5KVのコロナ帯電器、露光光学系、現像
器、転写帯電器、除電露光光学系およびグリーナーを備
えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付け
た。この複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に
画像が得られる構成になっている。

初期の明部電位（V_L）と暗部電位（V_D）をそれぞれ−10
0V、−600V付近に設定し、5,000回使用した後の明部電
位（V_L）と暗部電位（V_D）を測定した。

実施例26 実施例１と同様にして電荷発生層まで形成した層の上
に、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリー
4,4′−ジオキシジフェニル−2,2−プロパンカーボネー
ト（数平均分子量30万）5gとをテトラヒドロフラン70ml
に溶解して調製した塗布液を、乾燥後の塗工量が10g/m²
となるように塗布、乾燥した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様にし
て帯電特性を測定した。この時、帯電極性は＋とした。
結果を示す。

Vo:＋580V E1/2:5.5 lux,sec 実施例27 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に、膜厚0.5μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。

次に、実施例１で用いたジスアゾ顔料分散液を先のポリ
ビニルアルコール層の上に乾燥後の膜厚が0.5μとなる
ようにマイヤーバーで塗布、乾燥して電荷発生層を形成
した。

次いで、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリンを5gとポリアリレート（ビスフェノール
Ａとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）の5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶解した液を上記電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が10μとなるように塗布、乾燥して電
荷輸送層を形成した。

作成した電子写真感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例１と同様にして測定した。

帯電特性 Vo:−600V E1/2:4.2 lux,sec 耐久特性上記の結果から明らかなように、感度も良く、耐久使用
時の電位の安定性も良好であった。

実施例28 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液
を塗布、乾燥して0.5μの下引き層を形成した。

次に、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量30万）5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶解して電荷移動錯体化合物を
形成した。

この電荷移動錯体化合物と前記ジスアゾ顔料例（２）の
顔料1gをポリエステル（商品名バイロン、東洋紡績
（株）製）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解した液に
加え分散した。

この分散液を上記下引き層の上に塗布、乾燥して12μの
感光層を形成した。

こうして作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法により測定した。但し、帯電は＋とした。
結果を示す。

Vo:＋600V E1/2:2.9 lux,sec 実施例29 実施例28で用いたカゼイン層を形成したアルミ板のカゼ
イン層上に、実施例１と同様の組成の電荷輸送層、電荷
発生層を順次積層し、層構成を相違する他は実施例１と
全く同様の手段で電子写真感光体を作成し、実施例１と
同様に帯電特性を測定した。但し、帯電極性を＋とし
た。

Vo:＋580V E1/2:4.2 lux,sec 実施例30 ジスアゾ顔料例（20）の顔料を用い、他は実施例１と全
く同様にして電子写真感光体を作成し、780nmに発振波
長をもつ半導体レーザーにより露光した。

780nmにおける分光感度： 2.8μJ/cm²（半減露光量）次に、該感光体と同様の光導電層をレーザープリンター
（LBP-CX、キヤノン（株）製）のドラム上に形成して、
実写テストを行なったところ、カブリのない良好な画像
が得られた。

また、上記テストを１万回繰り返しても同様の結果が得
られ、変わることはなかった。

実施例31〜34 実施例30におけるジスアゾ顔料例（20）の顔料に代えて
ジスアゾ顔料例（12）、（19）、（25）、（31）の顔料
を用いた他は同様にしてドラム状の感光体をそれぞれ作
成した。

各電子写真感光体の780nmにおける分光感度を測定した
結果を示す。

実施例顔料例半減露光量（μJ/cm²） 31 （12） 3.0 32 （19） 1.7 33 （25） 2.0 34 （31） 2.5 次に、実施例30と同様にして実写テストを行なったとこ
ろ、それぞれ、カブリのない画像が得られ、これは、１
万回繰り返しても変化を認めなかった。

［発明の効果］本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を光導
電層に含有せしめたことにより、該顔料を含有する感光
層内部におけるキヤリア発生効率あるいはキヤリア輸送
効率のいずれか一方または双方が良くなることが推定さ
れ、高感度で耐久使用時における電位安定性の優れた電
子写真感光体が得られ、さらに、半導体レーザーの発振
波長域においても高感度でカブリのない良好な画像が得
られるという顕著な効果を奏する。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基盤上に光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層が、（式中、Ａはフェノール性OH基を有するカプラー残基を
示し、X₁およびX₂は水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基あ
るいはアルコキシ基を示す、）で示されるジスアゾ顔料
を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】一般式（１）においてＡが、（式中、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
スラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、
ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェニレ
ンサルファイド環から選らばれる多環芳香族環あるいは
ヘテロ環を形成する残基を示し、R₁およびR₂は水素原
子、置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、
アリール基、ヘテロ環あるいはR₁とR₂の結合する窒素原
子と共に環状アミノ基を示す、）で示される特許請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。
【請求項３】一般式（１）においてＡが、（式中、R₃は置換基を有してもよいアルキル基、アラル
キル基あるいはアリール基を示す、）で示される特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
【請求項４】一般式（１）においてＡが、（式中、R₄は置換基を有してもよいアルキル基、アラル
キル基あるいはアリール基を示す、）で示される特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
【請求項５】一般式（１）においてＡが、（式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原
子をヘテロ原子として含むヘテロ環の２価の基を示
す、）で示される特許請求の範囲第１項記載の電子写真
感光体。
【請求項６】一般式（１）においてＡが、（式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原
子をヘテロ原子として含むヘテロ環の２価の基を示
す、）で示される特許請求の範囲第１項記載の電子写真
感光体。
【請求項７】一般式（１）においてＡが、（式中、R₅は置換基を有してもよいアリール基あるいは
ヘテロ環、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ンスラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェ
ニレンサルファイド環から選らばれる多環芳香族環ある
いはヘテロ環を形成する残基を示す、）で示される特許
請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
【請求項８】一般式（１）においてＡが、（式中、R₆およびR₇は置換基を有してもよいアルキル
基、アラルキル基、アリール基あるいはヘテロ環、Ｘは
ベンゼン環と縮合してナフタレン環、アンスラセン環、
カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラ
ン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェニレンサルファイ
ド環から選らばれる多環芳香族環あるいはヘテロ環を形
成する残基を示す、）で示される特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。
【請求項９】導電層と一般式（１）で示されるテトラキ
スアゾ顔料を含有する電荷発生層と電荷輸送層の少なく
とも３層からなる特許請求の範囲第１項、第２項、第３
項、第４項、第５項、第６項、第７項または第８項記載
の電子写真感光体。