JPH0719066B2

JPH0719066B2 - 電子写真感光体

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Publication number: JPH0719066B2
Application number: JP21703686A
Authority: JP
Inventors: 元宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-09-17
Filing date: 1986-09-17
Publication date: 1995-03-06
Anticipated expiration: 2010-03-06
Also published as: JPS6373257A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特定
の分子構造を有するのジスアゾ顔料を光導電層中に含有
する電子写真感光体に関する。

［従来の技術］従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多く
の文献などで発表されている。

例えば、"RCA Review"Vol.23,P.413〜P.419（1962.9）
ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表がさ
れており、またこのフタロシアニン顔料を用いた電子写
真感光体が米国特許第3397086号公報や米国特許第38161
18号公報などに記載されている。その他に、電子写真感
光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特許第43
15983号公報、米国特許第4327169号公報や"Reseach Dis
closure"20517（1981.5）に記載されているピリリウム
系染料、米国特許第3824099号公報に記載されているス
クエアリック酸メチン染料、米国特許第3898084号公
報、米国特許第4251613号公報などに記載されたジスア
ゾ顔料などが挙げられる。

このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感
光体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、
感度および耐久性において実用できるものはごく僅かで
ある。

［発明が解決しようとする問題点］本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、現
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供すること、可
視域から近赤外、赤外領域にまたがる広い分光感度を有
する電子写真感光体を提供することにある。

［問題点を解決する手段、作用］本発明は、導電性基板上に光導電層を有する電子写真感
光体において、光導電層に下記一般式（１）で示される
トリスアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感
光体から構成される。

式中、R₁およびR₂は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基
あるいは置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アラルキル基を示し、具体的にはフ
ッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチ
ル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フ
ェノキシ、フェニル、ｐ−トルイル、ベンジル、フェネ
チル、ナフチルメチル基を示し、さらに上記アルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基の置換基
としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニ
トロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミ
ノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロ
リジノなど置換アミノ基などが挙げられる。

Ａはフェノール性OH基を有するカプラー残基を示し、Ａ
のカプラー残基のより好ましい具体例は、下記一般式
（２）〜（８）で示される。

式中、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフェニレ
ンサルファイト環などの多環芳香環あるいはヘテロ環を
形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。

R₃およびR₄は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、アリール、アラルキル基、ヘテロ環基ないしはR₃と
R₄の結合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど、アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具
体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンス
リルなど、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、
ジベンゾフラン、チアゾール、ピリジンなどが挙げられ
る。

式中、R₅、R₆は置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基あるいはアラルキル基示す。R₅、R₆の具体例は前
記R₃、R₄と同じ例によって示される。

一般式（２）〜（４）中の置換基R₃〜R₆の示すアルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテロ
環基は、さらに他の置換基例えばフッ素原子、塩素原
子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などに
より置換されていてもよい。

式中Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子を
環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。

芳香族炭化水素の２価の基としてはｏ−フェニレンなど
の単環芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フェナンス
リレンなどの縮合多環芳香族炭化水素の２価の基が挙げ
られ、窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基として
は、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル
基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾールジイ
ル基、6,7−キノリンジイル基などの２価の基が挙げら
れる。

式中、R₇は置換基を有してもよいアリール基あるいはヘ
テロ環基を示し、具体的にはフェニル、ナフチル、アン
スリル、ピレニル、ピリジル、チエニル、フリル、カル
バゾリル基を示す。さらにアリール基、ヘテロ環基の置
換基としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭
素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキ
シ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジ
ノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げられる。

Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。

式中、R₈およびR₉は置換基を有してもよいアルキル基、
アリール基、アラルキル基あるいはヘテロ環基を示し、
具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、ジフェニ
ル、ナフチル、アンスリル、カルバゾール、ジベンゾフ
ラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、チアゾ
ール、ピリジンを示す。

さらに、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテ
ロ環基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ
素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなど
のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミ
ノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げら
れる。

Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。

次に本発明に用いられるトリスアゾ顔料の一般的な製法
について説明する。

一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料は既知の方法に
より製造することができる。

下記の反応経路で合成されるトリスアミンを亜硝酸ソーダあるいはニトロシル硫酸なぢによりヘキサ
アゾニウム塩とし、フェノール性OH基を有するカプラー
などとカップリング反応を行なうことで一般的に得るこ
とができる。

以下に本発明の一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料
の具体例を列挙する。

なお、一般式（１）を基本として、式中のＡ、R₁、R₂についてのみの相違を
示すこととする。

以下例におけるR₁およびR₂の置換位置は下記の位置であ
る。

上記具体例で示したトリスアゾ顔料は本発明の特許請求
の範囲を限定するものではない。

前述のトリスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、
従って下述する電子写真感光体の感光層に用いることが
できる。

即ち、本発明の具体例では導電性基板の上に前述のトリ
スアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるい
は適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成するこ
とにより電子写真感光体を作成することができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光分を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、かつ発生
した電荷キャリアーの飛程を短くするため薄膜層、例え
ば５μ以下、好ましくは0.01〜１μの膜厚をもつ薄膜層
とすることが好ましい。

このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収されて
多く電荷キャリアーを生成すること、さらに発生したキ
ャリアーを再結合や捕獲（トラップ）により失活するこ
となく電荷輸送層に注入する必要があることに起因して
いる。

電荷発生層は、例えば前記トリスアゾ顔料を適当なバイ
ンダーに分散させ、これを基体の上に塗工することによ
って形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成す
ることによって得ることができる。

電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。好ましくはポリビニルブチラール、ポリアリレ
ート（ビスフェノールＡとフタル酸の縮重合体など）、
ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポ
リ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポ
リアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポ
リウレタン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げ
ることができる。

電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好まし
くは40重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。

具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪属ハロゲン化炭化水素類あるいは
ベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化水素類
などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。

乾燥は、室温における接触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい。加熱乾燥は、30〜200℃の温度で５分〜２時
間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことがで
きる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアーを受け取るとともに、これらの電荷キャリアー
を表面まで輸送できる機能を有している。この際、この
電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、
またその下に積層されていてもよい。

電荷輸送層における電荷キャリアーを輸送する物質（以
下、電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感応
する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好
ましい。ここでいう電磁波とはγ線、Ｘ線、紫外線、可
視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広
義の光線の定義を包含する。

電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致
またはオーバーラップする時には、両者で発生した電荷
キャリアーが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下
の原因となる。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロモ
アニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7
−テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリニト
ロ−９−ジシアノメチレンフルオレノン、2,4,5,7−テ
トラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサン
トンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高
分子化したものなどがある。

正孔輸送性物質としてはピレン、Ｎ−エチルカルバゾー
ル、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−
フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカル
バゾール、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデ
ン−９−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラ
ジノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジン、N,
N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−10−エチ
ルフェノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒ
ドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−N,N−ジ
フェニルヒドラゾン、1,3,4−トリメチルインドレニン
−ω−アルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−
ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾリ
ノン−２−ヒドラゾンなどのヒドラゾン類、2,5−ビス
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−1,3,4−オキサジア
ゾール、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［キノリル（２）］−２−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリン、１−［６−メトキシ−ピリジル
（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（３）］−３−（ｐジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
［レピジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐジエチルアミノ
スチリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−
（α−メチル−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−フェニル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミノ
ベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（２
−クロロフェニル）オキサゾールなどのオキサゾール系
化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジ
エチルアミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化合
物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）
−フェニルメタンなどのトリアリールメタン系化合物、
1,1−ビス（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メチルフェ
ニル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラキス（４−N,N−ジメ
チルアミノ−２−メチルフェニル）エタンなどのポリア
リールアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフ
ェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、
エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂などがあ
る。

この有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テルル、
アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機材料
も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は１種または２種以上組合
せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していないときには適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリピニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電性
ポリマーが挙げられる。

電荷輸送層は、電荷キャリアーを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には５〜30μであるが、好ましい範囲は８〜20μであ
る。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述し
たような適当なコーティング法を用いることができる。

このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電
層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつも
の、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられ
る。

その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど）、導電性粒子（例えばカーボンブ
ラック、銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラ
スチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプラスチッ
クや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有するプラス
チックなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層はカゼイン、ポ
リビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−ア
クリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイロ
ン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキシメチ
ル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化ア
ルミニウムなどによって形成できる。下引層の膜厚は0.
1〜５μ、好ましくは0.5〜３μが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を性に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、表面に
到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ、未露
光部との間に静電コントラストが生じる。

このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。

これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラス
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。

また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。

一方電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いたと
きとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。

導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した電子写
真感光体を使用する場合において、電荷輸送物質が電子
輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電
する必要があり、帯電後露光すると、露光部では電荷発
生層において生成した電子は電荷輸送層に注入され、そ
の後基盤に達する。一方電荷発生層において生成した正
孔は表面に到達し、表面電位の減衰が生じ、未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。このようにしてでき
た静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するかあるいはトナー像を紙や
プラスチックフィルムなどに転写後現像し定着すること
ができる。

一方電荷発生層が正孔輸送物質からなるときは、電荷発
生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光する
と、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基盤に達する。一方電荷発生
層において生成する電子は表面に到達し、表面電位の減
衰が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負
荷電性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では前述のヒドラゾン類、ピ
ラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリ
ールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニル
アミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光導
電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの無
機光導電性物質の増感剤として前記一般式（１）で示さ
れるトリスアゾ顔料を含有させた感光被膜とすることが
できる。この感光被膜は、これらの光導電性物質と前記
トリスアゾ顔料をバインダーと共に塗工によって被膜形
成される。さらに本発明の別の具体例として、前述の一
般式（１）で示されるトリスアゾ顔料を電荷輸送物質と
ともに同一層に含有させた電子写真感光体を挙げること
ができる。この際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンからな
る電荷移動錯化合物を用いることができる。

この例の電子写真感光体は、前述のトリスアゾ顔料と電
荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリ
エステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成で
きる。

いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
（１）で示されるトリスアゾ顔料から選ばれる少なくと
も１種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であって
も結晶質であってもよい。

また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式（１）で示されるトリスアゾ顔
料を２種類以上組合せたり、または公知の染料顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、LEDプ
リンター、液晶プリンター、レーザー製版などの電子写
真応用分野にも広く用いることができる。

［実施例］実施例１〜28 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン1
1.2％、アンモニア水1g、水222ml）をマイヤーバーで乾
燥後の膜厚が1.0μとなるように塗布し乾燥した。

次に前記例示のトリスアゾ顔料（１）の5gをエタノール
95mlにブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）2gを
溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散した。この
分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が
0.5μとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷
発生層を形成した。

次いで、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−α
−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾン5gとポリメチルメ
タクリレート（数平均分子量10万）5gをベンゼン70mlに
溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μと
なるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を
形成し、実施例１の電子写真感光体を作成した。

トリスアゾ顔料（１）に代え他の例示顔料を用い実施例
２〜28に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成
した。

このようにして作成した電子写真感光体を川口電機
（株）製、静電複写紙試験装置Model SP-428を用いてス
タチック方式で−5KVでコロナ帯電し、暗所で１秒間保
持した後、照度２ルックスで露光し、帯電特性を調べ
た。

帯電特性としては表面電位(V_O)と１秒間暗減衰させた時
の電位を1/2に減衰するに必要な露光量（E1/2）を測定
した。結果を示す。

さらに、実施例１、10、16、18、22で使用した電子写真
感光体を使用して、繰り返し使用時の明部電位と暗部電
位の変動を測定した。

方法としては、−5KVのコロナ帯電器、露光光学系、現
像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリナーを備
えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付け
た。この複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に
画像が得られる構成になっている。

この複写機を用いて初期の明部電位(V_L)と暗部電位(V_D)
をそれぞれ−100V、−600V付近に設定し、5,000回使用
した後の明部電位(V_L)と暗部電位(V_D)を測定した。

この結果を示す。

さらに、実施例（22）で作成した電子写真感光体を780n
mに発振波長をもつ半導体レーザーにより露光したとこ
ろ、780nmにおける分光感度は1.2μJ/cm₂（半減露光
量）であった。次にこの感光体をキヤノン（株）製LBP-
CXのドラム上に塗布し、実写テストを行なったところカ
ブリのない良好な画像が得られた。

またこれは10,000回繰り返しても変わることはなかっ
た。

実施例（22）の例示顔料に代えて、例示顔料（12）、
（18）および（24）を用いた他は同様にしてドラム状の
感光体を作成した。

それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は次のとお
りであった。

上記と同様にして実写テストを行なったところカブリの
ない画像が得られ、これは10,000回繰り返しても変化は
なかった。

実施例29 実施例22と同様にして電荷発生層までを形成し、この層
の上に2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ
−4,4−ジオキシジフェニル−2,2−プロパンカーボネー
ト（分子量30万）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解し
て調製した塗布液を、乾燥後の塗工量が10g/m²となるよ
うに塗布して乾燥した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行なった。このときの帯電は＋とした。
結果を示す。

V_O：＋580V、 E1/2:4.5lux,sec 実施例30 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5μのポリビニルアルコールの被膜を形
成した。次に実施例22で用いたトリスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後の
膜厚が0.5μとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。

次いで、のピラゾリン化合物5gとポリアリレート（ビスフェノー
ルＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶解した液を電荷発生層の上に
乾燥後の膜厚が10μとなるように塗布し乾燥して電荷輸
送層を形成した。こうして作成した感光体の帯電特性お
よび耐久特性を実施例１と同様の方法によって測定し
た。結果を示す。

V_O：−600V、 E1/2:2.5lux,sec 耐久特性初期 V_D：−600V、 V_L：−100V ５千枚耐久後 V_D：−570V、 V_L：−110V 上記の結果のとおり、感度も良好で、耐久使用時の電位
安定性も良好である。

実施例31 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液
を塗布し乾燥して0.5μの下引層を形成した。

次に2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量30万）5gをテト
ラヒドロフランの70mlに溶解して電荷移動錯体化合物を
調製した。

この電荷移動錯体化合物と前記例示トリスアゾ顔料（2
1）の1gをポリエステル（バイロン、東洋紡（株）製）5
gをテトラヒドロフラン70mlに溶解した液に加え分散し
た。この分散液を下引層の上に塗布し乾燥して膜厚12μ
とした。

作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例１と同様の
方法により測定した。但し、帯電極性は＋とした。結果
を示す。

V_O：＋570V、 E1/2:4.0lux,sec 実施例32 実施例31で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカゼ
イン層上に実施例１と同様の電荷輸送層と電荷発生層を
順次積層し、層構成を相違する他は実施例１と同様にし
て感光体を作成した。

実施例１と同様の方法で帯電特性を測定した。

但し、帯電極性は＋とした。

V_O：＋600V、 E1/2:4.0lux,sec ［発明の効果］本発明は、特定のトリスアゾ顔料を感光層に用いること
により、当該のトリスアゾ顔料を含む感光層内部におけ
るキヤリアー発生効率ないしはキヤリアー輸送効率のい
ずれか一方ないし双方が良くなることが推定され、高感
度で耐久使用時における電位安定性の優れた感光体が得
られる。

また半導体レーザーの発振波長域においても高感度でカ
ブリのない良好な画像を得ることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上に光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層に下記一般式（１）で示され
るトリスアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真
感光体。式中、Ａはフェノール性OH基を有するカプラー残基を示
し、R₁およびR₂は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基あ
るいは置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、
アルコキシ基、アラルキル基を示す。
【請求項２】一般式（１）中のＡが下記一般式（２）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいはヘ
テロ環を形成するに必要な残基を示し、R₃およびR₄は水
素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基、ヘテロ環基ないしはR₃とR₄の結合す
る窒素原子と共に環状アミノ基を示す。
【請求項３】一般式（１）中のＡが下記一般式（３）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、R₅は置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基あるいはアラルキル基を示す。
【請求項４】一般式（１）中のＡが下記一般式（４）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、R₆は置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基あるいはアラルキル基を示す。
【請求項５】一般式（１）中のＡが下記一般式（５）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子
を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項６】一般式（１）中のＡが下記一般式（６）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子
を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項７】一般式（１）中のＡが下記一般式（７）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、R₇は置換基を有してもよいアリール基あるいはヘ
テロ環基を示し、Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義で
ある。
【請求項８】一般式（１）中のＡが下記一般式（８）で
示されるフェノール性OH基を有するカプラー残基である
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。式中、R₈およびR₉は置換基を有してもよいアルキル基、
アリール基、アラルキル基あるいはヘテロ環基を示し、
Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。