JPH07191475A - 電子写真感光体及び光導電層用塗液 - Google Patents
電子写真感光体及び光導電層用塗液Info
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光層にアニソ−ルを含有することにより、
帯電性、暗減衰、及び繰り返し時の電子写真特性の優れ
た電子写真感光体を提供する。 【構成】 導電性基板上に設けられた光導電層に、アニ
ソールが0.05〜10.0重量%含有されてなる電子
写真感光体及びアニソールを含有する光導電層用塗液。
帯電性、暗減衰、及び繰り返し時の電子写真特性の優れ
た電子写真感光体を提供する。 【構成】 導電性基板上に設けられた光導電層に、アニ
ソールが0.05〜10.0重量%含有されてなる電子
写真感光体及びアニソールを含有する光導電層用塗液。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、感度及び暗減衰特性が
良好で、繰り返し使用した場合における表面電位及び暗
減衰の変化が少ない電子写真感光体及び光導電層用塗液
に関する。
良好で、繰り返し使用した場合における表面電位及び暗
減衰の変化が少ない電子写真感光体及び光導電層用塗液
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板の上に50μm程度のセレン(S
e)膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このSe感光体は、波長500nm付近までしか感度
を有していない等の問題がある。また、導電性基板の上
に50μm程度のSe層を形成し、この上に更に数μm
のセレン−テルル(Se−Te)合金層を形成した感光
体があるが、この感光体は上記Se−Te合金のTeの
含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反面、
Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特性が
不良となり、事実上、感光体として使用できなくなると
いう重大な問題がある。
ニウム等の導電性基板の上に50μm程度のセレン(S
e)膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このSe感光体は、波長500nm付近までしか感度
を有していない等の問題がある。また、導電性基板の上
に50μm程度のSe層を形成し、この上に更に数μm
のセレン−テルル(Se−Te)合金層を形成した感光
体があるが、この感光体は上記Se−Te合金のTeの
含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反面、
Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特性が
不良となり、事実上、感光体として使用できなくなると
いう重大な問題がある。
【0003】また、アルミニウム基板の上に1μm程度
のクロロシアンブルー又はスクアリリウム酸誘導体をコ
ーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵抗
の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体と
ポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μmコー
ティングして電荷輸送層を形成した所謂積層型の電子写
真感光体もあるが、この電子写真感光体は700nm以上
の光に対して感度を有していないのが実状である。
のクロロシアンブルー又はスクアリリウム酸誘導体をコ
ーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵抗
の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体と
ポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μmコー
ティングして電荷輸送層を形成した所謂積層型の電子写
真感光体もあるが、この電子写真感光体は700nm以上
の光に対して感度を有していないのが実状である。
【0004】近年、この積層型の電子写真感光体におい
て、上記の欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領
域800nm前後に感度を有する感光体も多く報告されて
いるが、これらのうち多くのものが電荷発生材料として
フタロシアニン顔料を用い、その膜厚0.5〜1μm程
度の電荷発生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリ
ン誘導体又はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂
又はポリエステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を10
〜20μmコーティングして電荷輸送層を形成し積層型
の電子写真感光体を形成している。
て、上記の欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領
域800nm前後に感度を有する感光体も多く報告されて
いるが、これらのうち多くのものが電荷発生材料として
フタロシアニン顔料を用い、その膜厚0.5〜1μm程
度の電荷発生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリ
ン誘導体又はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂
又はポリエステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を10
〜20μmコーティングして電荷輸送層を形成し積層型
の電子写真感光体を形成している。
【0005】積層型の電子写真感光体は、感光層の形成
に使用する物質の選択範囲が広く、帯電特性、暗減衰、
感度、残留電位、繰り返し特性、耐刷性等の電子写真特
性において、最良の物質を組み合わせることにより高性
能な電子写真感光体を提供することができるため、広く
利用されるようになった。
に使用する物質の選択範囲が広く、帯電特性、暗減衰、
感度、残留電位、繰り返し特性、耐刷性等の電子写真特
性において、最良の物質を組み合わせることにより高性
能な電子写真感光体を提供することができるため、広く
利用されるようになった。
【0006】しかし、このような積層型の電子写真感光
体は、機械的耐久性に優れるが、静電的耐久性や繰り返
し特性に問題がないとはいえず、特に、繰り返し使用す
るにしたがって、表面電位が低下したり、帯電から現像
までの時間の間に表面電位が急激に低下、すなわち、暗
減衰が増加するという問題がある。
体は、機械的耐久性に優れるが、静電的耐久性や繰り返
し特性に問題がないとはいえず、特に、繰り返し使用す
るにしたがって、表面電位が低下したり、帯電から現像
までの時間の間に表面電位が急激に低下、すなわち、暗
減衰が増加するという問題がある。
【0007】このような繰り返し特性を改善するため
に、従来においては、酸化防止剤等の種々の添加剤を加
え、特性の低下を改善する試みがなされている。しか
し、このような添加剤を加えることによって多少の改善
はみられるものの、これによって感度が低下することも
あり、満足すべき電子写真感光体は得られなかった。
に、従来においては、酸化防止剤等の種々の添加剤を加
え、特性の低下を改善する試みがなされている。しか
し、このような添加剤を加えることによって多少の改善
はみられるものの、これによって感度が低下することも
あり、満足すべき電子写真感光体は得られなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電子写真感
光体において発生する繰り返し時における表面電位や暗
減衰の変化を抑制し、安定した画像が得られる電子写真
感光体及び光導電層用塗液を提供するものである。
光体において発生する繰り返し時における表面電位や暗
減衰の変化を抑制し、安定した画像が得られる電子写真
感光体及び光導電層用塗液を提供するものである。
【0009】
【0010】本発明は、導電性基板上に設けられた光導
電層に、アニソールが0.05〜10.0重量%含有さ
れてなる電子写真感光体及びアニソールを含有する光導
電層用塗液に関する。
電層に、アニソールが0.05〜10.0重量%含有さ
れてなる電子写真感光体及びアニソールを含有する光導
電層用塗液に関する。
【0011】以下、本発明について詳述する。
【0012】アニソールの含有量は光導電層(光導電層
が電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層型被膜である
場合は、電荷輸送層)に対して0.05〜10.0重量
%とされ、その含有率が0.05重量%未満では、繰り
返し特性を大幅に向上させる効果が十分に発揮されず、
一方、含有量が10.0重量%を超えると、帯電性が低
下し、残留電位も高くなる。アニソールの含有量を0.
1〜8.0重量%とすることがより好ましい。
が電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層型被膜である
場合は、電荷輸送層)に対して0.05〜10.0重量
%とされ、その含有率が0.05重量%未満では、繰り
返し特性を大幅に向上させる効果が十分に発揮されず、
一方、含有量が10.0重量%を超えると、帯電性が低
下し、残留電位も高くなる。アニソールの含有量を0.
1〜8.0重量%とすることがより好ましい。
【0013】アニソールを光導電層に含有させる方法と
しては、例えば、光導電層を作製時にアニソールを含有
する光導電層用塗液(光導電層が電荷発生層及び電荷輸
送層からなる積層型被膜である場合は、電荷輸送層用塗
液)を用い、乾燥条件を調整して適当量のアニソールが
光導電層に残留するようにしたり、光導電層の作製時に
はアニソールを含有しない電子写真感光体製造用塗液を
用い、光導電層の作製後にスプレー法や蒸気浴等の方法
によって適当量のアニソールを光導電層に含有させるよ
うにしたり、光導電層の作製時に用いたアニソールを乾
燥によって除去した後、適当量のアニソールを光導電層
に含有させるようにする方法等がある。
しては、例えば、光導電層を作製時にアニソールを含有
する光導電層用塗液(光導電層が電荷発生層及び電荷輸
送層からなる積層型被膜である場合は、電荷輸送層用塗
液)を用い、乾燥条件を調整して適当量のアニソールが
光導電層に残留するようにしたり、光導電層の作製時に
はアニソールを含有しない電子写真感光体製造用塗液を
用い、光導電層の作製後にスプレー法や蒸気浴等の方法
によって適当量のアニソールを光導電層に含有させるよ
うにしたり、光導電層の作製時に用いたアニソールを乾
燥によって除去した後、適当量のアニソールを光導電層
に含有させるようにする方法等がある。
【0014】ここで、乾燥条件を調整して適当量のアニ
ソールを光導電層に残留させる場合には、光導電層に適
当量のアニソールが含有されるように、その乾燥温度を
好ましくは70〜130℃に、より好ましくは80〜1
20℃になるように調整する。
ソールを光導電層に残留させる場合には、光導電層に適
当量のアニソールが含有されるように、その乾燥温度を
好ましくは70〜130℃に、より好ましくは80〜1
20℃になるように調整する。
【0015】光導電層におけるアニソールの含有量(残
留量)は、熱分析による重量減少量を測定することによ
って定量することができる。例えば、光導電層10mgを
秤取し、200ml/分の窒素ガスを流しながら、室温か
ら170℃に直ちに昇温した後、同温度で10分間保持
し、光導電層の重量減少量を計測し、この重量減少量を
アニソールの含有量として定量することができる。
留量)は、熱分析による重量減少量を測定することによ
って定量することができる。例えば、光導電層10mgを
秤取し、200ml/分の窒素ガスを流しながら、室温か
ら170℃に直ちに昇温した後、同温度で10分間保持
し、光導電層の重量減少量を計測し、この重量減少量を
アニソールの含有量として定量することができる。
【0016】また、ガスクロマトグラフィーを用いて
も、アニソールを定量することができる。例えば、光導
電層を30mg秤取し、これをアセトン、メチルエチルケ
トン、テトラヒドロフラン、エタノール等の溶剤に浸漬
させ、超音波等を用いて残留する溶剤を抽出する。そし
て、これに内部標準物質としてトルエン、ベンゼン、ヘ
キサン等を加え、ガスクロマトグラフィーを用いて内部
標準法によって定量することができる。
も、アニソールを定量することができる。例えば、光導
電層を30mg秤取し、これをアセトン、メチルエチルケ
トン、テトラヒドロフラン、エタノール等の溶剤に浸漬
させ、超音波等を用いて残留する溶剤を抽出する。そし
て、これに内部標準物質としてトルエン、ベンゼン、ヘ
キサン等を加え、ガスクロマトグラフィーを用いて内部
標準法によって定量することができる。
【0017】本発明の電子写真感光体は、導電性基板の
上に光導電層を設けたものである。
上に光導電層を設けたものである。
【0018】光導電層は、有機光導電性物質を含む層で
あり、有機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結
合剤を含む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積
層型被膜等がある。
あり、有機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結
合剤を含む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積
層型被膜等がある。
【0019】上記有機光導電性物質としては、例えば、
下記のフタロシアニン組成物を用いることができ、さら
に公知のものを併用することができる。また、有機光導
電性物質の皮膜にはフタロシアニン組成物と電荷輸送性
物質を併用することが好ましい。なお、上記電荷発生層
には下記フタロシアニン組成物及び/又は電荷を発生す
る有機顔料を使用することが好ましく、電荷輸送層に
は、通常、電荷輸送性物質を使用する。
下記のフタロシアニン組成物を用いることができ、さら
に公知のものを併用することができる。また、有機光導
電性物質の皮膜にはフタロシアニン組成物と電荷輸送性
物質を併用することが好ましい。なお、上記電荷発生層
には下記フタロシアニン組成物及び/又は電荷を発生す
る有機顔料を使用することが好ましく、電荷輸送層に
は、通常、電荷輸送性物質を使用する。
【0020】フタロシアニン組成物としては、公知のも
のを使用しうるが、チタニルフタロシアニンと塩化イン
ジウムフタロシアニンとの混晶、チタニルフタロシアニ
ンと塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体化合
物との混晶等は高感度であり好ましく、そのようなフタ
ロシアニン組成物は、下記のようにして製造することが
できる。
のを使用しうるが、チタニルフタロシアニンと塩化イン
ジウムフタロシアニンとの混晶、チタニルフタロシアニ
ンと塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体化合
物との混晶等は高感度であり好ましく、そのようなフタ
ロシアニン組成物は、下記のようにして製造することが
できる。
【0021】フタロニトリル18.4g(0.144モ
ル)をα−クロロナフタレン120ml中に加え、次に窒
素雰囲気下で四塩化チタン4ml(0.0364モル)を
滴下する。滴下後、昇温し撹拌しながら200〜220
℃で3時間反応させた後、100〜130℃で熱時濾過
して、α−クロロナフタレン、次いでメタノールで洗浄
する。140mlのイオン交換水で加水分解(90℃、1
時間)を行い、溶液が中性になるまでこの操作を繰り返
し、メタノールで洗浄する。次に、100℃のNMPで
充分に洗浄し、続いてメタノールで洗浄する。このよう
にして得られた化合物を60℃で真空加熱乾燥してチタ
ニルフタロシアニンが得られる(収率46%)。
ル)をα−クロロナフタレン120ml中に加え、次に窒
素雰囲気下で四塩化チタン4ml(0.0364モル)を
滴下する。滴下後、昇温し撹拌しながら200〜220
℃で3時間反応させた後、100〜130℃で熱時濾過
して、α−クロロナフタレン、次いでメタノールで洗浄
する。140mlのイオン交換水で加水分解(90℃、1
時間)を行い、溶液が中性になるまでこの操作を繰り返
し、メタノールで洗浄する。次に、100℃のNMPで
充分に洗浄し、続いてメタノールで洗浄する。このよう
にして得られた化合物を60℃で真空加熱乾燥してチタ
ニルフタロシアニンが得られる(収率46%)。
【0022】一方、塩化インジウムフタロシアニン、塩
化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の合成法
は、インオーガニック ケミストリー〔Inorganic・Chem
istry19、3131(1980)〕、特開昭59−44054号公報
等に記載されている。
化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の合成法
は、インオーガニック ケミストリー〔Inorganic・Chem
istry19、3131(1980)〕、特開昭59−44054号公報
等に記載されている。
【0023】塩化インジウムフタロシアニンは、例え
ば、次のようにして製造することができる。
ば、次のようにして製造することができる。
【0024】フタロニトリル78.2ミリモル及び三塩
化インジウム15.8ミリモルを二回蒸留し脱酸素した
キノリン100ml中に入れ、0.5〜3時間加熱還流し
た後徐冷、続いて0℃まで冷した後ろ過し、結晶をメタ
ノール、トルエン、次いでアセトンで洗浄した後、11
0℃で乾燥する。
化インジウム15.8ミリモルを二回蒸留し脱酸素した
キノリン100ml中に入れ、0.5〜3時間加熱還流し
た後徐冷、続いて0℃まで冷した後ろ過し、結晶をメタ
ノール、トルエン、次いでアセトンで洗浄した後、11
0℃で乾燥する。
【0025】また、塩化インジウムフタロシアニンの塩
素化誘導体は、例えば、次のようにして製造することが
できる。フタロニトリル156ミリモル及び三塩化イン
ジウム37.5ミリモルを混合して300℃で、溶融し
てから0.5〜3時間加熱してモノ塩化インジウムクロ
ロフタロシアニンの粗製物を得、これをソックスレー抽
出器を用いてα−クロロナフタレンで洗浄する。
素化誘導体は、例えば、次のようにして製造することが
できる。フタロニトリル156ミリモル及び三塩化イン
ジウム37.5ミリモルを混合して300℃で、溶融し
てから0.5〜3時間加熱してモノ塩化インジウムクロ
ロフタロシアニンの粗製物を得、これをソックスレー抽
出器を用いてα−クロロナフタレンで洗浄する。
【0026】チタニルフタロシアニン及び塩化インジウ
ムフタロシアニンの混晶あるいはチタニルフタロシアニ
ン及び塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の
混晶からなるフタロシアニン組成物の組成比率は、帯電
性、暗減衰、感度等の電子写真特性の点からチタニルフ
タロシアニンの含有率が、20〜95重量%の範囲であ
ることが好ましく、50〜90重量%の範囲であること
がより好ましく、65〜90重量%の範囲が特に好まし
く、75〜90重量%の範囲であることが最も好まし
い。
ムフタロシアニンの混晶あるいはチタニルフタロシアニ
ン及び塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の
混晶からなるフタロシアニン組成物の組成比率は、帯電
性、暗減衰、感度等の電子写真特性の点からチタニルフ
タロシアニンの含有率が、20〜95重量%の範囲であ
ることが好ましく、50〜90重量%の範囲であること
がより好ましく、65〜90重量%の範囲が特に好まし
く、75〜90重量%の範囲であることが最も好まし
い。
【0027】チタニルフタロシアニン及び塩化インジウ
ムフタロシアニンの混晶あるいはチタニルフタロシアニ
ン及び塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の
混晶は、二つのフタロシアニンの単純な混合物からアシ
ッドペースティング処理及び溶剤処理により以下のよう
に製造することができる。
ムフタロシアニンの混晶あるいはチタニルフタロシアニ
ン及び塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の
混晶は、二つのフタロシアニンの単純な混合物からアシ
ッドペースティング処理及び溶剤処理により以下のよう
に製造することができる。
【0028】例えば、二つのフタロシアニンの混合物1
gを濃硫酸50mlに溶解し室温で撹拌した後、これを氷
水で冷却したイオン交換水1リットル中に約1時間、好
ましくは40分〜50分で滴下し再沈させる。一晩放置
後、デカンテ−ションにより上澄み液を除去した後、遠
心分離により沈殿物を回収する。その後、洗浄水として
のイオン交換水で、洗浄水の洗浄後のpHが2〜5でかつ
伝導率が5〜500μS/cmとなるまで沈殿物を繰り返し
洗う。ついでメタノ−ルで充分に洗浄した後、60℃で
真空加熱乾燥し粉末を得る。
gを濃硫酸50mlに溶解し室温で撹拌した後、これを氷
水で冷却したイオン交換水1リットル中に約1時間、好
ましくは40分〜50分で滴下し再沈させる。一晩放置
後、デカンテ−ションにより上澄み液を除去した後、遠
心分離により沈殿物を回収する。その後、洗浄水として
のイオン交換水で、洗浄水の洗浄後のpHが2〜5でかつ
伝導率が5〜500μS/cmとなるまで沈殿物を繰り返し
洗う。ついでメタノ−ルで充分に洗浄した後、60℃で
真空加熱乾燥し粉末を得る。
【0029】pHが5を超えると、以下に示す溶剤処理を
しても目的の混晶が得られず、一方、pHが2以下では得
られた混晶を用いて製造した電子写真感光体の電子写真
特性は劣ったものとなる。
しても目的の混晶が得られず、一方、pHが2以下では得
られた混晶を用いて製造した電子写真感光体の電子写真
特性は劣ったものとなる。
【0030】このようにして得られた粉末を有機溶剤で
処理することによって結晶変換し、高感度なフタロシア
ニン組成物を得ることができる。
処理することによって結晶変換し、高感度なフタロシア
ニン組成物を得ることができる。
【0031】例えば、上記方法で得られた粉末1gを有
機溶剤としてのN−メチル−2−ピロリドン、トルエン
又はキシレン10mlに入れ加熱撹拌する(上記粉末/溶
剤(重量比)は、1/1〜1/100である)。加熱温
度は50℃〜200℃、好ましくは80℃〜150℃で
あり、加熱時間は1時間〜10時間、好ましくは1時間
〜6時間である。加熱撹拌終了後ろ過しメタノールで洗
浄し60℃で真空加熱乾燥しフタロシアニン組成物の結
晶700mgを得ることができる。本処理に用いられる有
機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘ
キサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水
素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル等のエーテル類、アセテート
セロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、イソホロン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸
エチル等のエステル類、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルホルムアミド、フェノール、クレゾール、アニソー
ル、ニトロベンゼン、アセトフェノン、ベンジルアルコ
ール、ピリジン、N−メチル−2−ピロリドン、キノリ
ン、ピコリン等の非塩素系有機溶剤、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ン、四塩化炭素、クロロホルム、クロロメチルオキシラ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの塩素系有
機溶剤などが挙げられる。
機溶剤としてのN−メチル−2−ピロリドン、トルエン
又はキシレン10mlに入れ加熱撹拌する(上記粉末/溶
剤(重量比)は、1/1〜1/100である)。加熱温
度は50℃〜200℃、好ましくは80℃〜150℃で
あり、加熱時間は1時間〜10時間、好ましくは1時間
〜6時間である。加熱撹拌終了後ろ過しメタノールで洗
浄し60℃で真空加熱乾燥しフタロシアニン組成物の結
晶700mgを得ることができる。本処理に用いられる有
機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘ
キサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水
素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル等のエーテル類、アセテート
セロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、イソホロン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸
エチル等のエステル類、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルホルムアミド、フェノール、クレゾール、アニソー
ル、ニトロベンゼン、アセトフェノン、ベンジルアルコ
ール、ピリジン、N−メチル−2−ピロリドン、キノリ
ン、ピコリン等の非塩素系有機溶剤、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ン、四塩化炭素、クロロホルム、クロロメチルオキシラ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの塩素系有
機溶剤などが挙げられる。
【0032】これらのうちケトン類、アルコ−ル類及び
非塩素系有機溶剤が好ましく、そのうちでもN−メチル
−2−ピロリドン、ピリジン、イソプロパノール、メチ
ルエチルケトン及びジエチルケトンが好ましい。
非塩素系有機溶剤が好ましく、そのうちでもN−メチル
−2−ピロリドン、ピリジン、イソプロパノール、メチ
ルエチルケトン及びジエチルケトンが好ましい。
【0033】前記電荷を発生する他の有機顔料として
は、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、
ベンズイミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド
系、キナクリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β
型、γ型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する
無金属タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの
電荷を発生することが知られている顔料が使用できる。
これらの顔料は、例えば、特開昭47−37543号公
報、特開昭47−37544号公報、特開昭47−18
543号公報、特開昭47−18544号公報、特開昭
48−43942号公報、特開昭48−70538号公
報、特開昭49−1231号公報、特開昭49−105
536号公報、特開昭50−75214号公報、特開昭
53−44028号公報、特開昭54−17732号公
報等に開示されている。
は、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、
ベンズイミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド
系、キナクリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β
型、γ型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する
無金属タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの
電荷を発生することが知られている顔料が使用できる。
これらの顔料は、例えば、特開昭47−37543号公
報、特開昭47−37544号公報、特開昭47−18
543号公報、特開昭47−18544号公報、特開昭
48−43942号公報、特開昭48−70538号公
報、特開昭49−1231号公報、特開昭49−105
536号公報、特開昭50−75214号公報、特開昭
53−44028号公報、特開昭54−17732号公
報等に開示されている。
【0034】また、特開昭58−182640号公報、
ヨーロッパ特許公開第92,255号公報などに開示さ
れているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシアニン
も使用可能である。このようなもののほか、光照射によ
り電荷担体を発生する有機顔料はいずれも使用可能であ
る。
ヨーロッパ特許公開第92,255号公報などに開示さ
れているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシアニン
も使用可能である。このようなもののほか、光照射によ
り電荷担体を発生する有機顔料はいずれも使用可能であ
る。
【0035】前記電荷輸送性物質としては、高分子化合
物では、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフ
エン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が挙げられ、低分子化合物
のものではフルオレノン、フルオレン、2,7−ジニト
ロ−9−フルオレノン、4H−インデノ(1,2,6)
チオフエン−4−オン、3,7−ジニトロ−ジベンゾチ
オフエン−5−オキサイド、1−ブロムピレン、2−フ
ェニルピレン、カルバゾール、N−エチルカルバゾー
ル、3−フェニルカルバゾール、3−(N−メチル−N
−フェニルヒドラゾン)メチル−9−エチルカルバゾー
ル、2−フェニルインドール、2−フェニルナフタレ
ン、オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、p−(ジメチ
ルアミノ)−スチルベン、2−(4−ジプロピルアミノ
フェニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5
−(2−クロロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジメチルアミノフェニル)−4−(4−ジメチ
ルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)−
1,3−オキサゾール、2−(4−ジエチルアミノフェ
ニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5−
(2−フルオロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジプロピルアミノフェニル)−4−(4−ジメ
チルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)
−1,3−オキサゾール、イミダゾール、クリセン、テ
トラフェン、アクリデン、トリフェニルアミン、ベンジ
ジン、これらの誘導体等がある。電荷輸送性物質として
は、特に、次の一般式(I)で表されるベンジジン誘導
体が好ましい。
物では、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフ
エン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が挙げられ、低分子化合物
のものではフルオレノン、フルオレン、2,7−ジニト
ロ−9−フルオレノン、4H−インデノ(1,2,6)
チオフエン−4−オン、3,7−ジニトロ−ジベンゾチ
オフエン−5−オキサイド、1−ブロムピレン、2−フ
ェニルピレン、カルバゾール、N−エチルカルバゾー
ル、3−フェニルカルバゾール、3−(N−メチル−N
−フェニルヒドラゾン)メチル−9−エチルカルバゾー
ル、2−フェニルインドール、2−フェニルナフタレ
ン、オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、p−(ジメチ
ルアミノ)−スチルベン、2−(4−ジプロピルアミノ
フェニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5
−(2−クロロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジメチルアミノフェニル)−4−(4−ジメチ
ルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)−
1,3−オキサゾール、2−(4−ジエチルアミノフェ
ニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5−
(2−フルオロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジプロピルアミノフェニル)−4−(4−ジメ
チルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)
−1,3−オキサゾール、イミダゾール、クリセン、テ
トラフェン、アクリデン、トリフェニルアミン、ベンジ
ジン、これらの誘導体等がある。電荷輸送性物質として
は、特に、次の一般式(I)で表されるベンジジン誘導
体が好ましい。
【0036】
【化1】 (R1及びR2は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フルオロ
アルキル基又はフルオロアルコキシ基を示し、R1及び
R2のうち少なくとも一方はフルオロアルキル基又はフ
ルオロアルコキシ基であり、R3は、各々独立して、水
素原子又はアルキル基を示し、Ar1及びAr2は、各々
独立してアリール基を示す)
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フルオロ
アルキル基又はフルオロアルコキシ基を示し、R1及び
R2のうち少なくとも一方はフルオロアルキル基又はフ
ルオロアルコキシ基であり、R3は、各々独立して、水
素原子又はアルキル基を示し、Ar1及びAr2は、各々
独立してアリール基を示す)
【0037】一般式(I)において、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロ
ピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げられ
る。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、
n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基等が挙げられ
る。アリール基としては、フェニル基、トリル基、ビフ
ェニル基、ターフェニル基、ナフチル基等が挙げられ
る。フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル
基、トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基
等が挙げられる。フルオロアルコキシ基としては、トリ
フルオロメトキシ基、2,3−ジフルオロエトキシ基、
2,2,2−トリフルオロエトキシ基、1H、1H−ペ
ンタフルオロプロポキシ基、ヘキサフルオロ−iso−プ
ロポキシ基、1H、1H−ペンタフルオロブトキシ基、
2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブトキシ基、
4,4,4−トリフルオロブトキシ基等のフルオロアル
コキシ基が挙げられる。一般式(I)で表されるベンジ
ジン誘導体としては、例えば、下記のNo.1〜No.
6の化合物等が挙げられる。
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロ
ピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げられ
る。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、
n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基等が挙げられ
る。アリール基としては、フェニル基、トリル基、ビフ
ェニル基、ターフェニル基、ナフチル基等が挙げられ
る。フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル
基、トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基
等が挙げられる。フルオロアルコキシ基としては、トリ
フルオロメトキシ基、2,3−ジフルオロエトキシ基、
2,2,2−トリフルオロエトキシ基、1H、1H−ペ
ンタフルオロプロポキシ基、ヘキサフルオロ−iso−プ
ロポキシ基、1H、1H−ペンタフルオロブトキシ基、
2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブトキシ基、
4,4,4−トリフルオロブトキシ基等のフルオロアル
コキシ基が挙げられる。一般式(I)で表されるベンジ
ジン誘導体としては、例えば、下記のNo.1〜No.
6の化合物等が挙げられる。
【0038】
【化2】
【化3】
【0039】次に、電子写真感光体について説明する。
【0040】上記フタロシアニン組成物及び必要に応じ
て用いる電荷を発生する有機顔料(両方で前者とする)
と電荷輸送性物質(後者とする)とを混合して使用する
場合(単層型の光導電層を形成する場合)は、後者/前
者が重量比で10/1〜2/1の割合で配合するのが好
ましい。このとき、結合剤をこれらの化合物全量(前者
+後者)に対して0〜500重量%、特に30〜500
重量%の範囲で使用するのが好ましい。これらの結合剤
を使用する場合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤を必要に応じて添加することが
できる。
て用いる電荷を発生する有機顔料(両方で前者とする)
と電荷輸送性物質(後者とする)とを混合して使用する
場合(単層型の光導電層を形成する場合)は、後者/前
者が重量比で10/1〜2/1の割合で配合するのが好
ましい。このとき、結合剤をこれらの化合物全量(前者
+後者)に対して0〜500重量%、特に30〜500
重量%の範囲で使用するのが好ましい。これらの結合剤
を使用する場合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤を必要に応じて添加することが
できる。
【0041】電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層型
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、上記フ
タロシアニン組成物及び必要に応じて電荷を発生する有
機顔料が含有され、結合剤をフタロシアニン組成物と有
機顔料の総量に対して500重量%以下の量で含有させ
てもよく、また、上記した添加剤をフタロシアニン組成
物と有機顔料の総量に対して5重量%以下で添加しても
よい。また、電荷輸送層には、上記した電荷輸送性物質
が含有され、さらに、結合剤を電荷輸送性物質に対して
500重量%以下で含有させてもよい。電荷輸送性物質
が低分子量化合物の場合は、結合剤を低分子量化合物に
対して50重量%以上含有させることが好ましい。
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、上記フ
タロシアニン組成物及び必要に応じて電荷を発生する有
機顔料が含有され、結合剤をフタロシアニン組成物と有
機顔料の総量に対して500重量%以下の量で含有させ
てもよく、また、上記した添加剤をフタロシアニン組成
物と有機顔料の総量に対して5重量%以下で添加しても
よい。また、電荷輸送層には、上記した電荷輸送性物質
が含有され、さらに、結合剤を電荷輸送性物質に対して
500重量%以下で含有させてもよい。電荷輸送性物質
が低分子量化合物の場合は、結合剤を低分子量化合物に
対して50重量%以上含有させることが好ましい。
【0042】上記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリブチラール樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化
ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニル
ピレン等が挙げられる。また、熱及び/又は光によって
架橋される熱硬化型樹脂や光硬化型樹脂も使用できる。
しては、シリコーン樹脂、ポリブチラール樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化
ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニル
ピレン等が挙げられる。また、熱及び/又は光によって
架橋される熱硬化型樹脂や光硬化型樹脂も使用できる。
【0043】いずれにしても絶縁性で通常の状態で被膜
を形成しうる樹脂並びに熱及び/又は光によつて硬化し
被膜を形成する樹脂であれば特に制限はない。
を形成しうる樹脂並びに熱及び/又は光によつて硬化し
被膜を形成する樹脂であれば特に制限はない。
【0044】上記可塑剤としては、ハロゲン化パラフィ
ン、ジメチルナフタリン、ジブチルフタレート等が挙げ
られ、流動性付与剤としては、モダフロー (モンサン
トケミカル社製)、アクロナール4F(バスフ社製)等
が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、ベンゾイン、
ジメチルフタレート等が挙げられる。これらは適宜選択
して使用され、その量も適宜決定されればよい。
ン、ジメチルナフタリン、ジブチルフタレート等が挙げ
られ、流動性付与剤としては、モダフロー (モンサン
トケミカル社製)、アクロナール4F(バスフ社製)等
が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、ベンゾイン、
ジメチルフタレート等が挙げられる。これらは適宜選択
して使用され、その量も適宜決定されればよい。
【0045】導電性基板上に光導電層を設けた電子写真
感光体において、光導電層の厚さは5〜50μmが好ま
しい。光導電層として電荷発生層及び電荷輸送層の積層
型のものを使用する場合、電荷発生層は好ましくは0.
001〜10μm、より好ましくは0.2〜5μmの厚
さにする。0.001μm未満では、電荷発生層を均一
に形成するのが困難になり、10μmを越えると、電子
写真特性が低下する傾向がある。電荷輸送層の厚さは好
ましくは5〜50μm、より好ましくは8〜25μmで
ある。5μm未満の厚さでは、初期電位が低くなり、5
0μmを越えると、感度が低下する傾向がある。
感光体において、光導電層の厚さは5〜50μmが好ま
しい。光導電層として電荷発生層及び電荷輸送層の積層
型のものを使用する場合、電荷発生層は好ましくは0.
001〜10μm、より好ましくは0.2〜5μmの厚
さにする。0.001μm未満では、電荷発生層を均一
に形成するのが困難になり、10μmを越えると、電子
写真特性が低下する傾向がある。電荷輸送層の厚さは好
ましくは5〜50μm、より好ましくは8〜25μmで
ある。5μm未満の厚さでは、初期電位が低くなり、5
0μmを越えると、感度が低下する傾向がある。
【0046】導電性基板上に、光導電層を形成するに
は、有機光導電性物質を導電性基板に蒸着する方法、有
機光導電性物質及び必要に応じ結合剤等のその他の成分
をトルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、塩化メチレ
ン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素系溶剤、メタノ
ール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤
に均一に溶解又は分散させて導電性基板上に塗布し、乾
燥する方法などがある。塗布法としては、スピンコート
法、浸漬法等を採用できる。電荷発生層及び電荷輸送層
を形成する場合も同様に行うことができるが、この場
合、電荷発生層と電荷輸送層は、どちらを上層としても
よく、電荷発生層を二層の電荷輸送層ではさむようにし
てもよい。
は、有機光導電性物質を導電性基板に蒸着する方法、有
機光導電性物質及び必要に応じ結合剤等のその他の成分
をトルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、塩化メチレ
ン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素系溶剤、メタノ
ール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤
に均一に溶解又は分散させて導電性基板上に塗布し、乾
燥する方法などがある。塗布法としては、スピンコート
法、浸漬法等を採用できる。電荷発生層及び電荷輸送層
を形成する場合も同様に行うことができるが、この場
合、電荷発生層と電荷輸送層は、どちらを上層としても
よく、電荷発生層を二層の電荷輸送層ではさむようにし
てもよい。
【0047】前記フタロシアニン組成物をスピンコート
法により塗布する場合、フタロシアニン組成物をクロロ
ホルム等又はトルエン等のハロゲン化溶剤又は非極性溶
剤に分散して得た塗布液を用いて回転数500〜400
0rpmでスピンコーティングすることが好ましく、ま
た、浸漬法によって塗布する場合には、フタロシアニン
組成物をメタノール、ジメチルホルムアミド、クロロホ
ルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等の有機
溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散させた塗液に
導電性基板を浸漬することが好ましい。
法により塗布する場合、フタロシアニン組成物をクロロ
ホルム等又はトルエン等のハロゲン化溶剤又は非極性溶
剤に分散して得た塗布液を用いて回転数500〜400
0rpmでスピンコーティングすることが好ましく、ま
た、浸漬法によって塗布する場合には、フタロシアニン
組成物をメタノール、ジメチルホルムアミド、クロロホ
ルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等の有機
溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散させた塗液に
導電性基板を浸漬することが好ましい。
【0048】また、前記電子写真感光体は、導電性基板
のすぐ上に薄い接着層又はバリア層を有していてもよ
く、表面に保護層を有していてもよい。
のすぐ上に薄い接着層又はバリア層を有していてもよ
く、表面に保護層を有していてもよい。
【0049】
【実施例】以下、実施例よって、本発明を詳細に説明す
るが、本発明は、これに限定されるものではない。
るが、本発明は、これに限定されるものではない。
【0050】製造例1 チタニルフタロシアニン0.75g及び塩化インジウム
フタロシアニン0.25gからなるフタロシアニン混合
物1gを硫酸50mlに溶解し室温で30分撹拌した後、
これを氷水で冷却したイオン交換水1リットルに、約4
0分で滴下し再沈させた。さらに冷却下で1時間撹拌
後、一晩放置した。デカンテーションにより上澄み液を
除去後、遠心分離により沈殿物を分離し、700mgの沈
殿物を得た。1回目の洗浄として、沈殿物700mgに洗
浄水としてのイオン交換水120mlを加え撹拌し、次い
で、遠心分離により沈殿物と洗浄水を分離除去した。同
様の洗浄操作をさらに5回続けて行った。6回目の操作
における分離除去した洗浄水(すなわち洗浄後の洗浄
水)のpH及び伝導率を測定した(23℃)。pHの測定に
は、横河電機社製モデルPH51を使用した。また、伝
導率の測定は、柴田科学器械工業社製モデルSC−17
Aを使用した。洗浄水のpHは3.3であり、伝導率は、
65.1μS/cmであった。その後、メタノール60mlで
3回洗浄した後60℃で4時間真空加熱乾燥した。つぎ
にこの真空乾燥物1gをイソプロピルアルコール10ml
に入れ90℃で8時間加熱撹拌し、ろ過後、メタノール
で洗浄して60℃で4時間真空加熱乾燥し、ブラッグ角
(2θ±0.2度)が7.5度、22.5度、24.3
度、25.3度及び28.6度に主な回折ピークを有す
るフタロシアニン結晶を得た。この結晶のX線回折スペ
クトルを図1に示す。
フタロシアニン0.25gからなるフタロシアニン混合
物1gを硫酸50mlに溶解し室温で30分撹拌した後、
これを氷水で冷却したイオン交換水1リットルに、約4
0分で滴下し再沈させた。さらに冷却下で1時間撹拌
後、一晩放置した。デカンテーションにより上澄み液を
除去後、遠心分離により沈殿物を分離し、700mgの沈
殿物を得た。1回目の洗浄として、沈殿物700mgに洗
浄水としてのイオン交換水120mlを加え撹拌し、次い
で、遠心分離により沈殿物と洗浄水を分離除去した。同
様の洗浄操作をさらに5回続けて行った。6回目の操作
における分離除去した洗浄水(すなわち洗浄後の洗浄
水)のpH及び伝導率を測定した(23℃)。pHの測定に
は、横河電機社製モデルPH51を使用した。また、伝
導率の測定は、柴田科学器械工業社製モデルSC−17
Aを使用した。洗浄水のpHは3.3であり、伝導率は、
65.1μS/cmであった。その後、メタノール60mlで
3回洗浄した後60℃で4時間真空加熱乾燥した。つぎ
にこの真空乾燥物1gをイソプロピルアルコール10ml
に入れ90℃で8時間加熱撹拌し、ろ過後、メタノール
で洗浄して60℃で4時間真空加熱乾燥し、ブラッグ角
(2θ±0.2度)が7.5度、22.5度、24.3
度、25.3度及び28.6度に主な回折ピークを有す
るフタロシアニン結晶を得た。この結晶のX線回折スペ
クトルを図1に示す。
【0051】製造例2 同様に、上記真空乾燥物1gにイオン交換水9g及びト
ルエン86gを加え、60℃で8時間加熱撹拌し、ろ過
後、メタノールで洗浄して60℃で4時間真空加熱乾燥
し、ブラッグ角(2θ±0.2度)が7.5度、24.
2度及び27.3度に主な回折ピークを有するフタロシ
アニン結晶を得た。この結晶のX線回折スペクトルを図
2に示す。
ルエン86gを加え、60℃で8時間加熱撹拌し、ろ過
後、メタノールで洗浄して60℃で4時間真空加熱乾燥
し、ブラッグ角(2θ±0.2度)が7.5度、24.
2度及び27.3度に主な回折ピークを有するフタロシ
アニン結晶を得た。この結晶のX線回折スペクトルを図
2に示す。
【0052】実施例1 製造例1で製造したフタロシアニン1.5g、ポリビニ
ルブチラール樹脂エスレックBL−S(積水化学社製)
0.9g、メラミン樹脂ML351W(日立化成工業社
製)0.1g、エチルセロソルブ49g及びテトラヒド
ロフラン49gを配合し、ボールミルで分散した。得ら
れた分散液を浸漬法によりアルミニウム板(導電性基材
100mm×100mm×0.1mm)上に塗工し、120℃
で1時間乾燥して厚さ0.5μmの電荷発生層を形成し
た。前記記載の電荷輸送性物質(No.1)1.5g、
ポリカーボネート樹脂レキサン141(GE社製)1.
5g、テトラヒドロフラン12.4g及びアニソール
3.1gを配合して得られた塗布液を上記基板上に浸漬
法により塗工し、120℃でアニソールの含有量が約
0.2重量%となるように制御しながらこれを乾燥し
て、厚さ20μmの電荷輸送層を形成した。電子写真特
性(感度、残留電位、暗減衰率、光応答性)は、シンシ
ア30HC(ジェンテック社製)により評価した。コロ
ナ帯電方式で電子写真感光体を−650Vまで帯電さ
せ、780nmの単色光を50mS感光体に露光し種々の特
性測定を行った。上記の特性の定義は、以下の通りであ
る。感度(E50)は、初期帯電電位−650Vを露光
0.2秒後に半減させるのに要する780nmの単色光の
照射エネルギー量であり、残留電位(Vr)は、同波長
の20mJ/m2の単色光を50ミリ秒露光し、露光0.2
秒後に電子写真感光体の表面に残る電位である。暗減衰
率(DDR)は、電子写真感光体の初期帯電電位−65
0Vと初期帯電後暗所1秒放置後の表面電位V1(−
V)を用いて(V1/650)×100と定義した。光
応答性(T1/2)は、波長780nmの20mJ/m2の単色
光を50ミリ秒露光し、初期帯電電位−650Vを半減
させるのに要する時間(sec)と定義した。また、繰り
返し特性は、帯電−露光を1000回繰り返した後の帯
電電位V1000の初期帯電電位−650Vに対する比(V
0保持率)及び同様な方法で評価した暗減衰の保持率
(DDR保持率)によって評価した。また、画質は、画
像評価機(負帯電、反転現像方式)を用いてかぶり、黒
点、白抜け及び黒地の画像濃度で評価した。表面電位を
−700V、バイアス電位を−600Vとした。黒地の
画像濃度は、マクベス反射濃度計(A division of Koll
mergen Corporation社製)で評価した。結果を表1に示
す。
ルブチラール樹脂エスレックBL−S(積水化学社製)
0.9g、メラミン樹脂ML351W(日立化成工業社
製)0.1g、エチルセロソルブ49g及びテトラヒド
ロフラン49gを配合し、ボールミルで分散した。得ら
れた分散液を浸漬法によりアルミニウム板(導電性基材
100mm×100mm×0.1mm)上に塗工し、120℃
で1時間乾燥して厚さ0.5μmの電荷発生層を形成し
た。前記記載の電荷輸送性物質(No.1)1.5g、
ポリカーボネート樹脂レキサン141(GE社製)1.
5g、テトラヒドロフラン12.4g及びアニソール
3.1gを配合して得られた塗布液を上記基板上に浸漬
法により塗工し、120℃でアニソールの含有量が約
0.2重量%となるように制御しながらこれを乾燥し
て、厚さ20μmの電荷輸送層を形成した。電子写真特
性(感度、残留電位、暗減衰率、光応答性)は、シンシ
ア30HC(ジェンテック社製)により評価した。コロ
ナ帯電方式で電子写真感光体を−650Vまで帯電さ
せ、780nmの単色光を50mS感光体に露光し種々の特
性測定を行った。上記の特性の定義は、以下の通りであ
る。感度(E50)は、初期帯電電位−650Vを露光
0.2秒後に半減させるのに要する780nmの単色光の
照射エネルギー量であり、残留電位(Vr)は、同波長
の20mJ/m2の単色光を50ミリ秒露光し、露光0.2
秒後に電子写真感光体の表面に残る電位である。暗減衰
率(DDR)は、電子写真感光体の初期帯電電位−65
0Vと初期帯電後暗所1秒放置後の表面電位V1(−
V)を用いて(V1/650)×100と定義した。光
応答性(T1/2)は、波長780nmの20mJ/m2の単色
光を50ミリ秒露光し、初期帯電電位−650Vを半減
させるのに要する時間(sec)と定義した。また、繰り
返し特性は、帯電−露光を1000回繰り返した後の帯
電電位V1000の初期帯電電位−650Vに対する比(V
0保持率)及び同様な方法で評価した暗減衰の保持率
(DDR保持率)によって評価した。また、画質は、画
像評価機(負帯電、反転現像方式)を用いてかぶり、黒
点、白抜け及び黒地の画像濃度で評価した。表面電位を
−700V、バイアス電位を−600Vとした。黒地の
画像濃度は、マクベス反射濃度計(A division of Koll
mergen Corporation社製)で評価した。結果を表1に示
す。
【0053】実施例2 実施例1において製造例2で得られたフタロシアニン、
電荷輸送性物質としてNo.2を用い乾燥温度を100
℃として、アニソールの含有量が約3.0重量%となる
ように乾燥した以外は実施例1に準じて電子写真感光体
を製造し特性を評価した。その結果を表1に示す。
電荷輸送性物質としてNo.2を用い乾燥温度を100
℃として、アニソールの含有量が約3.0重量%となる
ように乾燥した以外は実施例1に準じて電子写真感光体
を製造し特性を評価した。その結果を表1に示す。
【0054】実施例3 実施例1においてτ型無金属フタロシアニン(東洋イン
キ製造株式会社製)、電荷輸送性物質としてNo.3及び
電荷輸送層用塗液の溶剤としてテトラヒドロフランとア
ニソールの重量比1:1混合溶剤を用い乾燥温度を80
℃として、アニソールの含有量が約8.0重量%となる
ように乾燥した以外は実施例1に準じて電子写真感光体
を製造し特性を評価した。その結果を表1に示す。
キ製造株式会社製)、電荷輸送性物質としてNo.3及び
電荷輸送層用塗液の溶剤としてテトラヒドロフランとア
ニソールの重量比1:1混合溶剤を用い乾燥温度を80
℃として、アニソールの含有量が約8.0重量%となる
ように乾燥した以外は実施例1に準じて電子写真感光体
を製造し特性を評価した。その結果を表1に示す。
【0055】比較例1 実施例1において乾燥温度を140℃として、アニソー
ルの含有量が約0.01重量%となるように乾燥した以
外は実施例1に準じて電子写真感光体を製造し特性を評
価した。その結果を表1に示す。
ルの含有量が約0.01重量%となるように乾燥した以
外は実施例1に準じて電子写真感光体を製造し特性を評
価した。その結果を表1に示す。
【0056】比較例2 実施例2において乾燥温度を50℃として、アニソール
の含有量が約12.0重量%となるように乾燥した以外
は実施例2に準じて電子写真感光体を製造し特性を評価
した。その結果を表1に示す。
の含有量が約12.0重量%となるように乾燥した以外
は実施例2に準じて電子写真感光体を製造し特性を評価
した。その結果を表1に示す。
【0057】比較例3 実施例3において電荷輸送層用塗液の溶剤をすべてテト
ラヒドロフラン(THF)に代えた以外は実施例3に準
じて電子写真感光体を製造し特性を評価した。その結果
を表1に示す。
ラヒドロフラン(THF)に代えた以外は実施例3に準
じて電子写真感光体を製造し特性を評価した。その結果
を表1に示す。
【0058】
【表1】
【0059】
【発明の効果】本発明の光導電層用塗液を用いた電子写
真感光体は、繰り返し時における帯電電位及び暗減衰の
保持能力が安定し、良好な画像が得られ、長期にわたっ
て安定に、かつその電子写真特性を損なうことなく使用
することができる。
真感光体は、繰り返し時における帯電電位及び暗減衰の
保持能力が安定し、良好な画像が得られ、長期にわたっ
て安定に、かつその電子写真特性を損なうことなく使用
することができる。
【図1】製造例1により製造したフタロシアニンのX線
回折図である。
回折図である。
【図2】製造例2により製造したフタロシアニンのX線
回折図である。
回折図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板垣 幹男 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 導電性基板上に設けられた光導電層に、
アニソールが0.05〜10.0重量%含有されてなる
電子写真感光体。 - 【請求項2】 光導電層が、乾燥温度を70〜130℃
として設けられたものである請求項1記載の電子写真感
光体。 - 【請求項3】 アニソールを含有する光導電層用塗液。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5331072A JPH07191475A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子写真感光体及び光導電層用塗液 |
| DE69413367T DE69413367T2 (de) | 1993-12-27 | 1994-12-21 | Zusammensetzung zur Herstellung einer Ladungstransportschicht, und elektrophotographisches Element |
| EP94120269A EP0660192B1 (en) | 1993-12-27 | 1994-12-21 | Composition for forming charge transport layer and electro-photographic member |
| US08/361,670 US5534375A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-22 | Composition for forming charge transport layer and electrophotographic member containing alkoxybenzene |
| KR1019940036871A KR100202468B1 (ko) | 1993-12-27 | 1994-12-26 | 전하 수송층용 조성물 및 전자사진 감광체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5331072A JPH07191475A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子写真感光体及び光導電層用塗液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07191475A true JPH07191475A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18239545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5331072A Pending JPH07191475A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子写真感光体及び光導電層用塗液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07191475A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010286762A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2016194678A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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1993
- 1993-12-27 JP JP5331072A patent/JPH07191475A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010286762A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2016194678A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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