JPH07192260A - 表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH07192260A JPH07192260A JP33541693A JP33541693A JPH07192260A JP H07192260 A JPH07192260 A JP H07192260A JP 33541693 A JP33541693 A JP 33541693A JP 33541693 A JP33541693 A JP 33541693A JP H07192260 A JPH07192260 A JP H07192260A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910018459 Al—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016943 AlZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- SZMZREIADCOWQA-UHFFFAOYSA-N chromium cobalt nickel Chemical compound [Cr].[Co].[Ni] SZMZREIADCOWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】コンタクトスタートストップ特性を良くする表
面凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法を提供する
こと。 【構成】ガラス板上にアルミニウムとゲルマニウムを含
むターゲットを用いて、連続した金属被膜を被覆し、そ
の後被膜を金属の共晶点以上に加熱して溶融し、その後
冷却して連続被膜を凝集して離散的な凹凸形成物とし、
その後クロム下地膜、コバルト合金磁性膜、カーボン保
護膜を被覆する。上記の膜は、いずれもスパッタリング
法で被覆される。凹凸形成物の金属系としてはＡｌーＧ
ｅ，ＡｌーＭｇが好んで用いられる。
面凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法を提供する
こと。 【構成】ガラス板上にアルミニウムとゲルマニウムを含
むターゲットを用いて、連続した金属被膜を被覆し、そ
の後被膜を金属の共晶点以上に加熱して溶融し、その後
冷却して連続被膜を凝集して離散的な凹凸形成物とし、
その後クロム下地膜、コバルト合金磁性膜、カーボン保
護膜を被覆する。上記の膜は、いずれもスパッタリング
法で被覆される。凹凸形成物の金属系としてはＡｌーＧ
ｅ，ＡｌーＭｇが好んで用いられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
る磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳述すると磁
気ヘッドとの摩擦摺動特性が向上した磁気記録媒体の製
造方法に関する。
る磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳述すると磁
気ヘッドとの摩擦摺動特性が向上した磁気記録媒体の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在コンピューター等の記録装置として
普及しているハードディスクドライブには，磁気記録媒
体（磁気ディスク）の停止時に磁気ヘッドが磁気ディス
クに接触し，起動初期に磁気ヘッドが磁気ディスク上を
摺動し，そののちに磁気ディスクを離れて浮上し，一定
距離で飛行するといういわゆるＣＳＳ（コンタクトース
タートーストップ）方式が多く採用されている。このと
きに磁気ヘッドと磁気ディスクの摩擦係数を下げるため
に、磁気ディスク表面に微細な凹凸を形成することが行
われている。この微細凹凸は摩擦係数を十分に下げると
共に、磁気ヘッドは飛行状態にあるとき、この凹凸にぶ
つからないことが要求される。従来、この微細凹凸の形
成には、回転する非磁性基板上に研磨砥粒等を押し当て
て円周方向にキズを形成する方法が行われていた。また
磁気ヘッドのより低浮上な飛行を要求される磁気ディス
クでは、例えば非磁性基板を加熱し、Ａｌ等の低融点金
属薄膜を島状構造を形成するように被覆することによ
り、表面凹凸を形成する方法が提案されている（特開平
３ー７３４１９号公報）。また、非磁性基板表面上に金
属薄膜を形成した後、加熱して微細凝集粒からなる膜に
して、表面凹凸を形成する方法が提案されている（特開
平５ー８５７７３号公報）。さらに融点が３５０℃以下
の低融点金属をその融点以上に加熱した基板上に、被覆
して液滴状の金属粒子とする方法が提案されている（特
開平５ー２８２６４８号公報）。
普及しているハードディスクドライブには，磁気記録媒
体（磁気ディスク）の停止時に磁気ヘッドが磁気ディス
クに接触し，起動初期に磁気ヘッドが磁気ディスク上を
摺動し，そののちに磁気ディスクを離れて浮上し，一定
距離で飛行するといういわゆるＣＳＳ（コンタクトース
タートーストップ）方式が多く採用されている。このと
きに磁気ヘッドと磁気ディスクの摩擦係数を下げるため
に、磁気ディスク表面に微細な凹凸を形成することが行
われている。この微細凹凸は摩擦係数を十分に下げると
共に、磁気ヘッドは飛行状態にあるとき、この凹凸にぶ
つからないことが要求される。従来、この微細凹凸の形
成には、回転する非磁性基板上に研磨砥粒等を押し当て
て円周方向にキズを形成する方法が行われていた。また
磁気ヘッドのより低浮上な飛行を要求される磁気ディス
クでは、例えば非磁性基板を加熱し、Ａｌ等の低融点金
属薄膜を島状構造を形成するように被覆することによ
り、表面凹凸を形成する方法が提案されている（特開平
３ー７３４１９号公報）。また、非磁性基板表面上に金
属薄膜を形成した後、加熱して微細凝集粒からなる膜に
して、表面凹凸を形成する方法が提案されている（特開
平５ー８５７７３号公報）。さらに融点が３５０℃以下
の低融点金属をその融点以上に加熱した基板上に、被覆
して液滴状の金属粒子とする方法が提案されている（特
開平５ー２８２６４８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラ
ス、セラミックス等の脆性がなく、硬度の大きな基板で
は、従来技術の研磨砥粒で円周方向にキズを形成する方
法では、基板が欠け易いという問題点があり、またその
表面凹凸形状を精密に制御することができず、ＣＳＳ特
性と磁気ヘッドの低浮上特性の両方を同時に満たすこと
は非常に難しいという問題点があった。
ス、セラミックス等の脆性がなく、硬度の大きな基板で
は、従来技術の研磨砥粒で円周方向にキズを形成する方
法では、基板が欠け易いという問題点があり、またその
表面凹凸形状を精密に制御することができず、ＣＳＳ特
性と磁気ヘッドの低浮上特性の両方を同時に満たすこと
は非常に難しいという問題点があった。
【０００４】また、前述した高温に加熱された基板上に
島状構造の凹凸形成物を形成する方法では、その表面凹
凸の大きさや周期が小さく、また凸部の高さの分布が揃
いすぎているために，摩擦係数がそれほど小さくなら
ず、ＣＳＳ特性は必ずしも満足なものではないという問
題点があった。またこのような島状構造を形成させるた
めには成膜時の基板温度をかなり高い温度に保持しなく
てはならず，特に生産性の高い基板搬送型の成膜装置に
おいては基板加熱ゾーンから成膜ゾーンに至るまでの基
板温度の低下、基板内の温度分布が悪くなるなどの問題
点があった。本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものである。
島状構造の凹凸形成物を形成する方法では、その表面凹
凸の大きさや周期が小さく、また凸部の高さの分布が揃
いすぎているために，摩擦係数がそれほど小さくなら
ず、ＣＳＳ特性は必ずしも満足なものではないという問
題点があった。またこのような島状構造を形成させるた
めには成膜時の基板温度をかなり高い温度に保持しなく
てはならず，特に生産性の高い基板搬送型の成膜装置に
おいては基板加熱ゾーンから成膜ゾーンに至るまでの基
板温度の低下、基板内の温度分布が悪くなるなどの問題
点があった。本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、保護層表面に
凹凸を付与するための凹凸形成物を非磁性基板上に形成
し、その後下地層、磁性層、保護層を順次形成して磁気
記録媒体を製造する方法において、前記凹凸形成物を、
（ａ）共晶点を有する２種以上の金属からなる連続薄膜
を非磁性基板上に被覆し、（ｂ）その後前記金属からな
る連続薄膜を加熱により分離凝集させる、ことにより形
成する表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法
である。
凹凸を付与するための凹凸形成物を非磁性基板上に形成
し、その後下地層、磁性層、保護層を順次形成して磁気
記録媒体を製造する方法において、前記凹凸形成物を、
（ａ）共晶点を有する２種以上の金属からなる連続薄膜
を非磁性基板上に被覆し、（ｂ）その後前記金属からな
る連続薄膜を加熱により分離凝集させる、ことにより形
成する表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法
である。
【０００６】本発明は、低い共晶点を有する共晶系の多
成分金属の薄膜が、その融点や共晶点近傍またはそれ以
上に加熱された場合、その原子間の結合がルーズな溶融
状態となり、容易にその形状が変化できる状態で相分離
を起こさせ、全体の状態エネルギーの中で界面及び表面
エネルギーの割合が大きい平坦な薄膜から、より界面及
び表面エネルギーの割合が小さな液滴状に凝集させるこ
とを特徴としている。そして、非磁性基板の表面と平行
な方向に連続した金属薄膜を加熱する前の初期段階の薄
膜は、その膜厚が薄ければ薄いほど，全体の中での界面
及び表面エネルギーの割合が大きいため、溶融状態及び
凝集過程は、バルクの状態での融点あるいは共晶点より
かなり低い温度（具体的にはバルクの融点のその絶対温
度で１／２〜２／３程度の温度）で起こり得る。また、
この表面及び界面エネルギーの割合を大きくする観点か
ら，初期の薄膜はいわゆる島状構造とならない連続膜で
ある方が望ましい。このような連続金属膜は、低い基板
温度で成膜する、たとえば強制的に加熱しない室温度で
成膜することによって得ることができる。
成分金属の薄膜が、その融点や共晶点近傍またはそれ以
上に加熱された場合、その原子間の結合がルーズな溶融
状態となり、容易にその形状が変化できる状態で相分離
を起こさせ、全体の状態エネルギーの中で界面及び表面
エネルギーの割合が大きい平坦な薄膜から、より界面及
び表面エネルギーの割合が小さな液滴状に凝集させるこ
とを特徴としている。そして、非磁性基板の表面と平行
な方向に連続した金属薄膜を加熱する前の初期段階の薄
膜は、その膜厚が薄ければ薄いほど，全体の中での界面
及び表面エネルギーの割合が大きいため、溶融状態及び
凝集過程は、バルクの状態での融点あるいは共晶点より
かなり低い温度（具体的にはバルクの融点のその絶対温
度で１／２〜２／３程度の温度）で起こり得る。また、
この表面及び界面エネルギーの割合を大きくする観点か
ら，初期の薄膜はいわゆる島状構造とならない連続膜で
ある方が望ましい。このような連続金属膜は、低い基板
温度で成膜する、たとえば強制的に加熱しない室温度で
成膜することによって得ることができる。
【０００７】用いる金属膜としては、バルク状態での融
点が６６０℃であるＡｌを室温のソーダライムガラス基
板に５〜１０ｎｍほど成膜し、これを４５０℃まで加熱
したが、磁気ディスクの表面凹凸を形成するのに必要な
表面形状を有する凹凸形成物（テクスチャー）は形成で
きなかった。これ以上の加熱温度はガラス基板の変形を
伴う危険性があり，また基板表面からのガス放出が多く
なるため実用生産の観点からして好ましくない。
点が６６０℃であるＡｌを室温のソーダライムガラス基
板に５〜１０ｎｍほど成膜し、これを４５０℃まで加熱
したが、磁気ディスクの表面凹凸を形成するのに必要な
表面形状を有する凹凸形成物（テクスチャー）は形成で
きなかった。これ以上の加熱温度はガラス基板の変形を
伴う危険性があり，また基板表面からのガス放出が多く
なるため実用生産の観点からして好ましくない。
【０００８】一方、共晶点を有する２成分系または３成
分以上の系の合金においては、その共晶点組成近傍であ
れば，その融点は各成分の金属単体の融点よりもはるか
に低くなることはよく知られている。例えばＡｌ、Ｇｅ
の各単体のバルクでの融点はそれぞれ６６０℃、９３６
℃であるが、その共晶点（Ａｌ：Ｇｅ＝７１．６：２
８．４、原子％比）では、その融点は４２０℃程度まで
低くなる。そこでこのような共晶点近傍の組成を有する
各成分が微視的に十分混じり合った、例えば非晶質のよ
うな連続膜を形成し，これを加熱すれば溶融、凝集が起
きる。そしてこの場合、凝集過程と同時に各共晶系成分
の相分離が同時に起きる。
分以上の系の合金においては、その共晶点組成近傍であ
れば，その融点は各成分の金属単体の融点よりもはるか
に低くなることはよく知られている。例えばＡｌ、Ｇｅ
の各単体のバルクでの融点はそれぞれ６６０℃、９３６
℃であるが、その共晶点（Ａｌ：Ｇｅ＝７１．６：２
８．４、原子％比）では、その融点は４２０℃程度まで
低くなる。そこでこのような共晶点近傍の組成を有する
各成分が微視的に十分混じり合った、例えば非晶質のよ
うな連続膜を形成し，これを加熱すれば溶融、凝集が起
きる。そしてこの場合、凝集過程と同時に各共晶系成分
の相分離が同時に起きる。
【０００９】合金の共晶点が５００℃以下となるように
合金系を選ぶことは、たとえばソーダライムシリカ組成
のフロートガラスの非磁性基板が軟化変形しない温度で
溶融、凝集を起こさせるので好ましい。なかでも、主成
分金属をＡｌとするＡｌーＧｅ、ＡｌーＭｇの２成分系
またはそれらを含む多成分系の金属系は、共晶点の温度
が５００℃以下であり、しかもそれらの金属の連続膜を
加熱することにより生ずる凝集が組成的な相分離を伴っ
て起きるので好ましい。本発明においては、Ａｌを主成
分とし、ＧｅまたはＭｇを副成分とする系が好ましく、
主成分のＡｌが６０〜８０原子％、副成分が２０〜４０
原子％含む連続膜を被覆するのが好ましい。
合金系を選ぶことは、たとえばソーダライムシリカ組成
のフロートガラスの非磁性基板が軟化変形しない温度で
溶融、凝集を起こさせるので好ましい。なかでも、主成
分金属をＡｌとするＡｌーＧｅ、ＡｌーＭｇの２成分系
またはそれらを含む多成分系の金属系は、共晶点の温度
が５００℃以下であり、しかもそれらの金属の連続膜を
加熱することにより生ずる凝集が組成的な相分離を伴っ
て起きるので好ましい。本発明においては、Ａｌを主成
分とし、ＧｅまたはＭｇを副成分とする系が好ましく、
主成分のＡｌが６０〜８０原子％、副成分が２０〜４０
原子％含む連続膜を被覆するのが好ましい。
【００１０】本発明にかかる連続薄膜の加熱温度は、共
晶点の温度である共晶温度よりも１５０℃低い温度より
も高くすることが、短時間に凝集をおこさせる上で好ま
しい。本発明においては、金属薄膜の厚みを４〜２０ｎ
ｍとし、その後加熱により凹凸形成物の高さを２５〜１
００ｎｍとするのが好ましい。
晶点の温度である共晶温度よりも１５０℃低い温度より
も高くすることが、短時間に凝集をおこさせる上で好ま
しい。本発明においては、金属薄膜の厚みを４〜２０ｎ
ｍとし、その後加熱により凹凸形成物の高さを２５〜１
００ｎｍとするのが好ましい。
【００１１】さらに、非磁性基板がガラス基板であると
き、凹凸形成物を形成するに先立ち、凹凸形成物の凝集
状態を調整するために、基板の表面エネルギーを減少さ
せる層を設けることができる。かかる表面エネルギーを
減少させる層としては、ＴｉやＴｉ−Ｃｒ合金の層が好
ましく用いられる。
き、凹凸形成物を形成するに先立ち、凹凸形成物の凝集
状態を調整するために、基板の表面エネルギーを減少さ
せる層を設けることができる。かかる表面エネルギーを
減少させる層としては、ＴｉやＴｉ−Ｃｒ合金の層が好
ましく用いられる。
【００１２】
【作用】本発明にかかる２成分以上の金属からなる基板
面方向に連続した金属被膜は、その系の共晶点以上に加
熱され冷却されることにより相分離を伴って凝集し、連
続膜から離散的に基板上に配置された形状の凹凸形成物
になる。この凹凸形成物の表面形状に影響を受けて磁気
記録媒体の保護層表面は凹凸が形成される。
面方向に連続した金属被膜は、その系の共晶点以上に加
熱され冷却されることにより相分離を伴って凝集し、連
続膜から離散的に基板上に配置された形状の凹凸形成物
になる。この凹凸形成物の表面形状に影響を受けて磁気
記録媒体の保護層表面は凹凸が形成される。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。図１および図２は本発明の実施例の一部断面図（模
式的に表現されている）である。図１は、ガラス基板１
上にＡｌとＧｅからなる凹凸形成物２が形成され、その
上にＴｉ下地層４、Ｃｒ下地層５、磁性層６、保護層３
が形成され、保護層３の表面には凹凸形成物２に基因す
る凹凸が形成されている。図２は、他の実施例の一部断
面図（模式的に表現されている）で、凹凸形成物２をガ
ラス基板上に形成するに先立ち、ガラス基板１上に表面
エネルギーを減少させるための層７が形成されている。
図３は、本発明にかかる凹凸形成物の形状を説明するた
めの電子顕微鏡写真から得た図である。
る。図１および図２は本発明の実施例の一部断面図（模
式的に表現されている）である。図１は、ガラス基板１
上にＡｌとＧｅからなる凹凸形成物２が形成され、その
上にＴｉ下地層４、Ｃｒ下地層５、磁性層６、保護層３
が形成され、保護層３の表面には凹凸形成物２に基因す
る凹凸が形成されている。図２は、他の実施例の一部断
面図（模式的に表現されている）で、凹凸形成物２をガ
ラス基板上に形成するに先立ち、ガラス基板１上に表面
エネルギーを減少させるための層７が形成されている。
図３は、本発明にかかる凹凸形成物の形状を説明するた
めの電子顕微鏡写真から得た図である。
【００１４】実施例１ 良く洗浄された室温状態のソーダライムシリカ組成のガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）１に
Ａｌ71.6Ｇｅ28.4（原子％）をスパッタリングターゲッ
トとし、アルゴンを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法
によりＡｌＧｅ膜２を約１０ｎｍ成膜した。次に同じ真
空槽内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター直前
に３分間保持したのち外部に取りだした。得られた基板
表面を走査型電子顕微鏡で観察した。その表面形状を模
式的に図３に示す。ガラス基板表面（図３中Ｂで示され
る）上に加熱により島状に分離したＡｌＧｅ膜（図３中
Ａで示される）が被覆されており、島状に分離したＡｌ
Ｇｅ膜の周縁部に径約２００ｎｍ高さ約５０ｎｍの大き
さの十分に離散した液滴状凝集体が形成されていた。
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）１に
Ａｌ71.6Ｇｅ28.4（原子％）をスパッタリングターゲッ
トとし、アルゴンを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法
によりＡｌＧｅ膜２を約１０ｎｍ成膜した。次に同じ真
空槽内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター直前
に３分間保持したのち外部に取りだした。得られた基板
表面を走査型電子顕微鏡で観察した。その表面形状を模
式的に図３に示す。ガラス基板表面（図３中Ｂで示され
る）上に加熱により島状に分離したＡｌＧｅ膜（図３中
Ａで示される）が被覆されており、島状に分離したＡｌ
Ｇｅ膜の周縁部に径約２００ｎｍ高さ約５０ｎｍの大き
さの十分に離散した液滴状凝集体が形成されていた。
【００１５】実施例２ 良く洗浄された室温状態のソーダライムシリカ組成のガ
ラス基板（円盤状に加工された化学強化されたもの）１
にＡｌ71.6Ｇｅ28.4（原子％）をスパッタリングターゲ
ットとし，アルゴンガスを用いＤＣスパッタリング法に
よりＡｌＧｅ膜２を約５ｎｍ成膜した。次に同じ真空槽
内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター前に３分
間保持し，この後Ｔｉ膜を同様な方法でチタンターゲッ
トを用いて３０ｎｍ成膜し，さらに３５０℃に保持され
たヒーター前に３分間保持し，この後，Ｃｒ膜，ＣｏＮ
ｉＣｒ膜，カーボン膜をそれぞれ１２０ｎｍ、５６ｎ
ｍ、２０ｎｍの厚さに、クロム、コバルトニッケルクロ
ム合金、カーボンをターゲットに用いて順次成膜した．
以上のプロセスはすべて同一の真空槽内で真空を破らず
に行った．次にこの基板を取り出し，液体潤滑剤を約３
ｎｍ塗布し，磁気ディスクを得た。この磁気ディスクの
断面構造の模式図を図２に示す。この磁気ディスクの表
面凹凸を走査トンネル顕微鏡で測定したところ，その平
均粗さで約４．５ｎｍ程度となっており，上で述べたよ
うな膜構成で、ただＡｌＧｅ膜を形成しなかった場合の
値（２．０ｎｍ）に比べ、確実に表面凹凸が形成されて
いることが確認された．次に磁気ヘッドのこの磁気ディ
スク上での浮上特性を調べたところ，６２ｎｍまでは磁
気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝突することなく
安定に浮上走行することがわかった．最後にこの磁気デ
ィスクをヘッド荷重を６．５ｇとしたマイクロスライダ
ーを用いてＣＳＳ試験にかけたところ，２万回での静止
摩擦係数が０．６，動摩擦係数０．５程度ときわめて良
好な摩擦摺動特性を示した。
ラス基板（円盤状に加工された化学強化されたもの）１
にＡｌ71.6Ｇｅ28.4（原子％）をスパッタリングターゲ
ットとし，アルゴンガスを用いＤＣスパッタリング法に
よりＡｌＧｅ膜２を約５ｎｍ成膜した。次に同じ真空槽
内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター前に３分
間保持し，この後Ｔｉ膜を同様な方法でチタンターゲッ
トを用いて３０ｎｍ成膜し，さらに３５０℃に保持され
たヒーター前に３分間保持し，この後，Ｃｒ膜，ＣｏＮ
ｉＣｒ膜，カーボン膜をそれぞれ１２０ｎｍ、５６ｎ
ｍ、２０ｎｍの厚さに、クロム、コバルトニッケルクロ
ム合金、カーボンをターゲットに用いて順次成膜した．
以上のプロセスはすべて同一の真空槽内で真空を破らず
に行った．次にこの基板を取り出し，液体潤滑剤を約３
ｎｍ塗布し，磁気ディスクを得た。この磁気ディスクの
断面構造の模式図を図２に示す。この磁気ディスクの表
面凹凸を走査トンネル顕微鏡で測定したところ，その平
均粗さで約４．５ｎｍ程度となっており，上で述べたよ
うな膜構成で、ただＡｌＧｅ膜を形成しなかった場合の
値（２．０ｎｍ）に比べ、確実に表面凹凸が形成されて
いることが確認された．次に磁気ヘッドのこの磁気ディ
スク上での浮上特性を調べたところ，６２ｎｍまでは磁
気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝突することなく
安定に浮上走行することがわかった．最後にこの磁気デ
ィスクをヘッド荷重を６．５ｇとしたマイクロスライダ
ーを用いてＣＳＳ試験にかけたところ，２万回での静止
摩擦係数が０．６，動摩擦係数０．５程度ときわめて良
好な摩擦摺動特性を示した。
【００１６】実施例３ 良く洗浄されたソーダライムシリカ組成のガラス基板上
に４５原子％のＣｒを含むＴｉ膜を２０ｎｍ，その上に
連続して１０ｎｍのＡｌ71.6Ｇｅ28.4をＤＣマグネトロ
ンスパッタ法で形成した．次にこの基板を３００℃に保
持されたヒーター前に３分間保持し，この後Ｔｉ膜を同
様な方法で約３０ｎｍ成膜し，さらに３５０℃に保持さ
れたヒーター前に３分間保持し，この後，Ｃｒ膜，Ｃｏ
ＮｉＣｒ膜，カーボン膜をそれぞれ１２０ｎｍ、５６ｎ
ｍ、２０ｎｍの厚さで順次成膜した。以上のプロセス
は、すべて同一の真空槽内で真空を破らずに行った．次
にこの基板を取り出し，液体潤滑剤を約３ｎｍ塗布し，
磁気ディスクを得た。この磁気ディスクの一部断面図を
図３に示す。この磁気ディスクの表面凹凸を走査トンネ
ル顕微鏡で測定したところ、その平均粗さで約６．０ｎ
ｍとなっていた。次に磁気ヘッドのこの基板上での浮上
特性を調べたところ，７０ｎｍまでは磁気ヘッドが磁気
ディスク上の突起物に衝突することなく安定に浮上走行
することがわかった。最後にこの磁気ディスクをヘッド
荷重を６．５ｇとしたマイクロスライダーを用いてＣＳ
Ｓ試験にかけたところ、２万回での静止摩擦係数が０．
４，動摩擦係数０．３程度ときわめて良好な摩擦摺動特
性を示した。
に４５原子％のＣｒを含むＴｉ膜を２０ｎｍ，その上に
連続して１０ｎｍのＡｌ71.6Ｇｅ28.4をＤＣマグネトロ
ンスパッタ法で形成した．次にこの基板を３００℃に保
持されたヒーター前に３分間保持し，この後Ｔｉ膜を同
様な方法で約３０ｎｍ成膜し，さらに３５０℃に保持さ
れたヒーター前に３分間保持し，この後，Ｃｒ膜，Ｃｏ
ＮｉＣｒ膜，カーボン膜をそれぞれ１２０ｎｍ、５６ｎ
ｍ、２０ｎｍの厚さで順次成膜した。以上のプロセス
は、すべて同一の真空槽内で真空を破らずに行った．次
にこの基板を取り出し，液体潤滑剤を約３ｎｍ塗布し，
磁気ディスクを得た。この磁気ディスクの一部断面図を
図３に示す。この磁気ディスクの表面凹凸を走査トンネ
ル顕微鏡で測定したところ、その平均粗さで約６．０ｎ
ｍとなっていた。次に磁気ヘッドのこの基板上での浮上
特性を調べたところ，７０ｎｍまでは磁気ヘッドが磁気
ディスク上の突起物に衝突することなく安定に浮上走行
することがわかった。最後にこの磁気ディスクをヘッド
荷重を６．５ｇとしたマイクロスライダーを用いてＣＳ
Ｓ試験にかけたところ、２万回での静止摩擦係数が０．
４，動摩擦係数０．３程度ときわめて良好な摩擦摺動特
性を示した。
【００１７】実施例４ 良く洗浄された室温状態のソーダライムシリカ組成のガ
ラス基板（円盤状に加工された化学強化されたもの）に
Ａｌ33Ｚｎ67（原子％）をスパッタリングターゲットと
し，アルゴンガスを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法
によりＡｌＺｎ膜を約５ｎｍ成膜した。次に同じ真空槽
内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター前に３分
間保持し，この後Ｔｉ膜を同様な方法で約３０ｎｍ成膜
し，さらに３５０℃に保持されたヒーター前に３分間保
持し，この後，Ｃｒ膜，ＣｏＮｉＣｒ膜，カーボン膜を
それぞれ１２０ｎｍ、５６ｎｍ、２０ｎｍの厚さで順次
成膜した．以上のプロセスはすべて同一の真空槽内で真
空を破らずに行った．次にこの基板を取り出し，液体潤
滑剤を約３ｎｍ塗布し，磁気ディスクを得た。この磁気
ディスクの表面凹凸を走査トンネル顕微鏡で測定したと
ころ，その平均粗さで約４．５ｎｍとなっており，確実
に表面凹凸が形成されていることが確認された．次に磁
気ヘッドのこの基板上での浮上特性を調べたところ，５
０ｎｍまでは磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝
突することなく安定に浮上走行することがわかった．最
後にこの磁気ディスクをヘッド荷重を６．５ｇとしたマ
イクロスライダーを用いてＣＳＳ試験にかけたところ，
２万回での静止摩擦係数が０．７，動摩擦係数０．６程
度ときわめて良好な摩擦摺動特性を示した．
ラス基板（円盤状に加工された化学強化されたもの）に
Ａｌ33Ｚｎ67（原子％）をスパッタリングターゲットと
し，アルゴンガスを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法
によりＡｌＺｎ膜を約５ｎｍ成膜した。次に同じ真空槽
内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター前に３分
間保持し，この後Ｔｉ膜を同様な方法で約３０ｎｍ成膜
し，さらに３５０℃に保持されたヒーター前に３分間保
持し，この後，Ｃｒ膜，ＣｏＮｉＣｒ膜，カーボン膜を
それぞれ１２０ｎｍ、５６ｎｍ、２０ｎｍの厚さで順次
成膜した．以上のプロセスはすべて同一の真空槽内で真
空を破らずに行った．次にこの基板を取り出し，液体潤
滑剤を約３ｎｍ塗布し，磁気ディスクを得た。この磁気
ディスクの表面凹凸を走査トンネル顕微鏡で測定したと
ころ，その平均粗さで約４．５ｎｍとなっており，確実
に表面凹凸が形成されていることが確認された．次に磁
気ヘッドのこの基板上での浮上特性を調べたところ，５
０ｎｍまでは磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝
突することなく安定に浮上走行することがわかった．最
後にこの磁気ディスクをヘッド荷重を６．５ｇとしたマ
イクロスライダーを用いてＣＳＳ試験にかけたところ，
２万回での静止摩擦係数が０．７，動摩擦係数０．６程
度ときわめて良好な摩擦摺動特性を示した．
【発明の効果】本発明によれば、磁気ヘッドとの摩擦摺
動特性及び低浮上特性に優れた磁気記録媒体を得るのに
必要な磁気記録媒体の表面の凹凸形状を、非磁性基板表
面に薄膜形成及び加熱というプロセスにより，その後に
行う下地層、磁性層、保護層の形成と連続して行うこと
ができる。
動特性及び低浮上特性に優れた磁気記録媒体を得るのに
必要な磁気記録媒体の表面の凹凸形状を、非磁性基板表
面に薄膜形成及び加熱というプロセスにより，その後に
行う下地層、磁性層、保護層の形成と連続して行うこと
ができる。
【図１】本発明により得られた磁気ディスクの一実施例
の一部断面図である。
の一部断面図である。
【図２】本発明により得られた磁気ディスクの他の実施
例の一部断面図である。
例の一部断面図である。
【図３】本発明の実施例１のＡｌーＧｅ系凹凸組成物の
表面形状を説明するために走査型電子顕微鏡写真から得
た図である。
表面形状を説明するために走査型電子顕微鏡写真から得
た図である。
１・・・ガラス基板、２・・・凹凸形成物、３・・・保
護層、４・・・Ｔｉ層、５・・・下地層、６・・・磁性
層、７・・・表面エネルギーを減少させる層
護層、４・・・Ｔｉ層、５・・・下地層、６・・・磁性
層、７・・・表面エネルギーを減少させる層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】 実施例４ 良く洗浄された室温状態のソーダライムシリカ組成のガ
ラス基板（円盤状に加工された化学強化されたもの）に
Ａｌ 60Ｍｇ40 （原子％）をスパッタリングターゲットと
し，アルゴンガスを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法
によりＡｌＭｇ膜を約５ｎｍ成膜した。次に同じ真空槽
内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター前に３分
間保持し，この後Ｔｉ膜を同様な方法で約３０ｎｍ成膜
し，さらに３５０℃に保持されたヒーター前に３分間保
持し，この後，Ｃｒ膜，ＣｏＮｉＣｒ膜，カーボン膜を
それぞれ１２０ｎｍ、５６ｎｍ、２０ｎｍの厚さで順次
成膜した．以上のプロセスはすべて同一の真空槽内で真
空を破らずに行った．次にこの基板を取り出し，液体潤
滑剤を約３ｎｍ塗布し，磁気ディスクを得た。この磁気
ディスクの表面凹凸を走査トンネル顕微鏡で測定したと
ころ，その平均粗さで約４．５ｎｍとなっており，確実
に表面凹凸が形成されていることが確認された．次に磁
気ヘッドのこの基板上での浮上特性を調べたところ，５
０ｎｍまでは磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝
突することなく安定に浮上走行することがわかった．最
後にこの磁気ディスクをヘッド荷重を６．５ｇとしたマ
イクロスライダーを用いてＣＳＳ試験にかけたところ，
２万回での静止摩擦係数が０．７，動摩擦係数０．６程
度ときわめて良好な摩擦摺動特性を示した。
ラス基板（円盤状に加工された化学強化されたもの）に
Ａｌ 60Ｍｇ40 （原子％）をスパッタリングターゲットと
し，アルゴンガスを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法
によりＡｌＭｇ膜を約５ｎｍ成膜した。次に同じ真空槽
内でこの基板を３５０℃に保持されたヒーター前に３分
間保持し，この後Ｔｉ膜を同様な方法で約３０ｎｍ成膜
し，さらに３５０℃に保持されたヒーター前に３分間保
持し，この後，Ｃｒ膜，ＣｏＮｉＣｒ膜，カーボン膜を
それぞれ１２０ｎｍ、５６ｎｍ、２０ｎｍの厚さで順次
成膜した．以上のプロセスはすべて同一の真空槽内で真
空を破らずに行った．次にこの基板を取り出し，液体潤
滑剤を約３ｎｍ塗布し，磁気ディスクを得た。この磁気
ディスクの表面凹凸を走査トンネル顕微鏡で測定したと
ころ，その平均粗さで約４．５ｎｍとなっており，確実
に表面凹凸が形成されていることが確認された．次に磁
気ヘッドのこの基板上での浮上特性を調べたところ，５
０ｎｍまでは磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝
突することなく安定に浮上走行することがわかった．最
後にこの磁気ディスクをヘッド荷重を６．５ｇとしたマ
イクロスライダーを用いてＣＳＳ試験にかけたところ，
２万回での静止摩擦係数が０．７，動摩擦係数０．６程
度ときわめて良好な摩擦摺動特性を示した。
Claims (6)
- 【請求項１】保護層表面に凹凸を付与するための凹凸形
成物を非磁性基板上に形成し、その後下地層、磁性層、
保護層を順次形成して磁気記録媒体を製造する方法にお
いて、前記凹凸形成物を、（ａ）共晶点を有する２種以
上の金属からなる連続薄膜を非磁性基板上に被覆し、
（ｂ）その後前記金属からなる連続薄膜を加熱により分
離凝集させる、ことにより形成することを特徴とする、
表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】前記金属の系がつくる共晶点が５００℃以
下である請求項１に記載の表面に凹凸形状を有する磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】前記金属の主成分がＡｌであり、他の成分
がＧｅおよびＭｇからなる金属群から選ばれた少なくと
も１種であることを特徴とする請求項１または２に記載
の表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】前記金属はＡｌとＧｅとからなり、Ｇｅが
２０〜４０原子％含まれることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかの項に記載の表面に凹凸形状を有する磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】前記凹凸形成物を形成するに先立ち、非磁
性基板上に非磁性基板の表面エネルギーを減少させる層
を設けることを特徴とする請求項１乃至３に記載の表面
に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】前記表面エネルギーを減少させる層をチタ
ニウムとクロムの合金層とすることを特徴とする請求項
５に記載の表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33541693A JP2953287B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33541693A JP2953287B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192260A true JPH07192260A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2953287B2 JP2953287B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=18288312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33541693A Expired - Lifetime JP2953287B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 表面に凹凸形状を有する磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2953287B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012698A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Hitachi, Ltd. | Support de disque magnetique, tete magnetique, appareil a disque magnetique les utilisant et procede servant a fabriquer cet appareil |
| US7298569B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording device using the same |
| JP2013125554A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2013196752A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
| US9548075B2 (en) | 2013-06-27 | 2017-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproduction apparatus |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33541693A patent/JP2953287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012698A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Hitachi, Ltd. | Support de disque magnetique, tete magnetique, appareil a disque magnetique les utilisant et procede servant a fabriquer cet appareil |
| US7298569B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording device using the same |
| JP2013125554A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2013196752A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
| US9548075B2 (en) | 2013-06-27 | 2017-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproduction apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2953287B2 (ja) | 1999-09-27 |
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