JPH07192994A - 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 - Google Patents
電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法Info
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- JPH07192994A JPH07192994A JP5350111A JP35011193A JPH07192994A JP H07192994 A JPH07192994 A JP H07192994A JP 5350111 A JP5350111 A JP 5350111A JP 35011193 A JP35011193 A JP 35011193A JP H07192994 A JPH07192994 A JP H07192994A
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- mark
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子線露光時の位置合わせマーク検出にて、
マーク検出時の電子線の走査回数を従来よりも低減し、
検出時間の短縮を図る。マーク溝の断面形状が左右非対
称でも、従来よりも正確な位置検出を行う。 【構成】 試料上に予め任意の回転角を与えた位置合わ
せマークを配置し、1回の走査でマーク辺の2箇所を横
切るように、X軸、Y軸とも1回だけ電子線走査し、そ
れぞれについて得られる2箇所のマーク間の距離から、
位置合わせマークの中心位置および試料の回転角を求め
る。また、平行な2本の溝の十字型の位置合わせマーク
を電子線走査し、2本の溝からの信号成分の相関を演算
して、位置合わせマークの位置検出精度を高める。この
位置合わせマークを試料上に回転させて配置しても、走
査回数を2回に低減できる。マーク溝の断面形状が左右
非対称でも位置検出精度は低下しない。
マーク検出時の電子線の走査回数を従来よりも低減し、
検出時間の短縮を図る。マーク溝の断面形状が左右非対
称でも、従来よりも正確な位置検出を行う。 【構成】 試料上に予め任意の回転角を与えた位置合わ
せマークを配置し、1回の走査でマーク辺の2箇所を横
切るように、X軸、Y軸とも1回だけ電子線走査し、そ
れぞれについて得られる2箇所のマーク間の距離から、
位置合わせマークの中心位置および試料の回転角を求め
る。また、平行な2本の溝の十字型の位置合わせマーク
を電子線走査し、2本の溝からの信号成分の相関を演算
して、位置合わせマークの位置検出精度を高める。この
位置合わせマークを試料上に回転させて配置しても、走
査回数を2回に低減できる。マーク溝の断面形状が左右
非対称でも位置検出精度は低下しない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLSI製造でのリソグラ
フィ技術における電子線直接描画技術、詳しくは電子線
露光によりパターンを試料に描画する際の試料の位置合
わせための位置合わせマークの検出方法およびその位置
合わせマークに関する。
フィ技術における電子線直接描画技術、詳しくは電子線
露光によりパターンを試料に描画する際の試料の位置合
わせための位置合わせマークの検出方法およびその位置
合わせマークに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、以下のようにして、試料(半導体
ウェーハ等)上の所望の位置に電子線を用いて正確にパ
ターンを描画していた。すなわち、予め、試料上に配置
(刻設)した、基準となる位置合わせマーク(十字形状
の溝)を横切るように電子線を走査する。得られた反射
電子信号から、位置合わせマークの位置を求める。その
位置を基準として電子線によりパターンを描画する。
ウェーハ等)上の所望の位置に電子線を用いて正確にパ
ターンを描画していた。すなわち、予め、試料上に配置
(刻設)した、基準となる位置合わせマーク(十字形状
の溝)を横切るように電子線を走査する。得られた反射
電子信号から、位置合わせマークの位置を求める。その
位置を基準として電子線によりパターンを描画する。
【0003】基準となる位置合わせマークの形状として
は、十字形状で断面凸型または断面凹型形状のマーク
(突条または溝)が一般的に用いられてきた。これは、
位置合わせマークのX軸方向およびY軸方向の位置、な
らびに、試料上での回転角をそれぞれ測定できるように
するためである。
は、十字形状で断面凸型または断面凹型形状のマーク
(突条または溝)が一般的に用いられてきた。これは、
位置合わせマークのX軸方向およびY軸方向の位置、な
らびに、試料上での回転角をそれぞれ測定できるように
するためである。
【0004】図6は、従来より用いられてきた十字形状
マーク1と、この十字形状マークを用いたマーク位置検
出方法を示している。この検出方法は、試料上に予め配
置された十字形状の位置合わせマーク1の4点(4辺:
溝)をそれぞれ1点(1辺)ずつ横切るよう、4回の電
子線走査2(図中破線)を行う。そして、それぞれの辺
を横切った位置でのマーク位置3(溝の幅中心)を求め
る。次に、X軸方向の位置を示す2点のマーク位置3、
および、Y軸方向の位置を示す2点のマーク位置3か
ら、位置合わせマーク1のマーク中心位置4のX軸方向
位置(X座標)、Y軸方向位置(Y座標)をそれぞれ求
める。さらに、4点のマーク位置3から位置合わせマー
ク1の回転角を求める。
マーク1と、この十字形状マークを用いたマーク位置検
出方法を示している。この検出方法は、試料上に予め配
置された十字形状の位置合わせマーク1の4点(4辺:
溝)をそれぞれ1点(1辺)ずつ横切るよう、4回の電
子線走査2(図中破線)を行う。そして、それぞれの辺
を横切った位置でのマーク位置3(溝の幅中心)を求め
る。次に、X軸方向の位置を示す2点のマーク位置3、
および、Y軸方向の位置を示す2点のマーク位置3か
ら、位置合わせマーク1のマーク中心位置4のX軸方向
位置(X座標)、Y軸方向位置(Y座標)をそれぞれ求
める。さらに、4点のマーク位置3から位置合わせマー
ク1の回転角を求める。
【0005】また、図7は、上記電子線走査により得ら
れた反射電子信号からマーク位置を求める従来の方法を
示している。まず、図7の(a)に示す反射電子信号5
を微分し、図7の(b)に示す微分信号6を得る。次い
で、図7の(c)に示すように、微分信号6から絶対値
化信号8を得る。この絶対値化信号8に対してスライス
レベル7を設定し、最終的に図7の(d)に示すような
トリガー信号9を得る。そして、このトリガー信号9か
ら2箇所のマークエッジ位置10を求めると、両者の中
心位置が求めるマーク位置3(溝の幅中心)となる。
れた反射電子信号からマーク位置を求める従来の方法を
示している。まず、図7の(a)に示す反射電子信号5
を微分し、図7の(b)に示す微分信号6を得る。次い
で、図7の(c)に示すように、微分信号6から絶対値
化信号8を得る。この絶対値化信号8に対してスライス
レベル7を設定し、最終的に図7の(d)に示すような
トリガー信号9を得る。そして、このトリガー信号9か
ら2箇所のマークエッジ位置10を求めると、両者の中
心位置が求めるマーク位置3(溝の幅中心)となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の検出方法では、位置合わせマークの中心位置
(X軸方向位置、Y方向位置)およびその回転角を得る
ためには、必ず4回の電子線走査2が必要であった。し
たがって、検出時間が長くなるという問題点を有してい
る。
うな従来の検出方法では、位置合わせマークの中心位置
(X軸方向位置、Y方向位置)およびその回転角を得る
ためには、必ず4回の電子線走査2が必要であった。し
たがって、検出時間が長くなるという問題点を有してい
る。
【0007】何故なら、図8に示すように、位置合わせ
マーク1に予期されない回転成分が生じている場合(試
料を回転させて載置した等の場合)、試料のX軸方向、
Y軸方向それぞれ1点ずつの電子線走査では、位置合わ
せマークの回転成分は計算することができない。この結
果、2点の検出により求めた位置合わせマーク中心位
置、すなわち仮想マーク中心位置12は、そのマーク中
心位置4の真値からずれた位置となる。したがって、そ
のマーク中心位置4および回転角を正確に求めるために
は、X軸方向、Y軸方向にそれぞれ2点ずつ合計4点の
位置検出、すなわち、4回の電子線走査を必ず行わなけ
ればならなかった。
マーク1に予期されない回転成分が生じている場合(試
料を回転させて載置した等の場合)、試料のX軸方向、
Y軸方向それぞれ1点ずつの電子線走査では、位置合わ
せマークの回転成分は計算することができない。この結
果、2点の検出により求めた位置合わせマーク中心位
置、すなわち仮想マーク中心位置12は、そのマーク中
心位置4の真値からずれた位置となる。したがって、そ
のマーク中心位置4および回転角を正確に求めるために
は、X軸方向、Y軸方向にそれぞれ2点ずつ合計4点の
位置検出、すなわち、4回の電子線走査を必ず行わなけ
ればならなかった。
【0008】また、従来のマーク位置を検出する方法で
は、成膜、エッチング等のLSI製造プロセスにより、
図9に示すように、マーク(溝)の断面形状が溝幅中心
線に対して左右非対称となった場合、マークエッジ位置
を表す微分信号6のピーク位置が、マーク中心(溝中
心)から見て左右等距離にはならない。この結果、トリ
ガー信号9から求めた2箇所のマークエッジ位置10の
中間位置(中点)をマーク位置とした場合、その真値と
の間にずれを生ずる。すなわち、従来方法では、位置合
わせマークの断面形状が溝幅中心線について左右非対称
となった場合、位置合わせマークの位置および回転角の
測定値に真値との誤差を生じる。この結果、試料上の所
望の位置に正確にパターンを描画することができないと
いう問題点を有している。
は、成膜、エッチング等のLSI製造プロセスにより、
図9に示すように、マーク(溝)の断面形状が溝幅中心
線に対して左右非対称となった場合、マークエッジ位置
を表す微分信号6のピーク位置が、マーク中心(溝中
心)から見て左右等距離にはならない。この結果、トリ
ガー信号9から求めた2箇所のマークエッジ位置10の
中間位置(中点)をマーク位置とした場合、その真値と
の間にずれを生ずる。すなわち、従来方法では、位置合
わせマークの断面形状が溝幅中心線について左右非対称
となった場合、位置合わせマークの位置および回転角の
測定値に真値との誤差を生じる。この結果、試料上の所
望の位置に正確にパターンを描画することができないと
いう問題点を有している。
【0009】
【発明の目的】本発明の目的は、従来よりも電子線走査
回数を減らし、その検出時間を短縮することができる位
置合わせマークの検出方法を提供することである。ま
た、マークの断面形状が非対称となった場合において
も、正確なマーク位置および回転角の検出が可能な位置
合わせマークの検出方法およびこれに使用する位置合わ
せマークを提供することにある。
回数を減らし、その検出時間を短縮することができる位
置合わせマークの検出方法を提供することである。ま
た、マークの断面形状が非対称となった場合において
も、正確なマーク位置および回転角の検出が可能な位置
合わせマークの検出方法およびこれに使用する位置合わ
せマークを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載した発明
は、試料にパターンを描画する電子線露光において試料
の位置合わせに使用される電子線露光の位置合わせマー
クであって、互いに所定角度をなして交差する2辺を有
し、各辺は断面が凹状または凸状の少なくとも一対の部
分で構成し、これらの部分は所定間隔離間して略平行に
延びる電子線露光の位置合わせマークである。
は、試料にパターンを描画する電子線露光において試料
の位置合わせに使用される電子線露光の位置合わせマー
クであって、互いに所定角度をなして交差する2辺を有
し、各辺は断面が凹状または凸状の少なくとも一対の部
分で構成し、これらの部分は所定間隔離間して略平行に
延びる電子線露光の位置合わせマークである。
【0011】請求項2に記載した発明は、試料上の位置
合わせマークを基準として、この試料上に電子線露光に
よりパターンを描画する電子線露光における位置合わせ
マークの検出方法において、互いに所定角度をなして交
差する2辺を有する位置合わせマークを上記試料上に形
成する工程と、この位置合わせマークの2辺を横切る直
線上を電子線が走査する第1のスキャン工程と、第1の
スキャン工程での走査直線とは異なる直線であって上記
位置合わせマークの2辺を横切る直線上を電子線が走査
する第2のスキャン工程とを有する電子線露光の位置合
わせマークの検出方法である。
合わせマークを基準として、この試料上に電子線露光に
よりパターンを描画する電子線露光における位置合わせ
マークの検出方法において、互いに所定角度をなして交
差する2辺を有する位置合わせマークを上記試料上に形
成する工程と、この位置合わせマークの2辺を横切る直
線上を電子線が走査する第1のスキャン工程と、第1の
スキャン工程での走査直線とは異なる直線であって上記
位置合わせマークの2辺を横切る直線上を電子線が走査
する第2のスキャン工程とを有する電子線露光の位置合
わせマークの検出方法である。
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の位置合わせマークを用いて位置合わせマークの検出を
行う位置合わせマークの検出方法であって、上記位置合
わせマークの各辺を横切る直線上を電子線が走査するス
キャン工程を有し、このスキャン結果である信号波形で
あって上記一対の部分によるものの相関に基づいて位置
合わせマークの位置を検出する電子線露光の位置合わせ
マークの検出方法である。
の位置合わせマークを用いて位置合わせマークの検出を
行う位置合わせマークの検出方法であって、上記位置合
わせマークの各辺を横切る直線上を電子線が走査するス
キャン工程を有し、このスキャン結果である信号波形で
あって上記一対の部分によるものの相関に基づいて位置
合わせマークの位置を検出する電子線露光の位置合わせ
マークの検出方法である。
【0013】請求項4に記載の発明は、請求項1に記載
した位置合わせマークを用いて上記第1のスキャン工
程、第2のスキャン工程を行う請求項2に記載した電子
線露光の位置合わせマークの検出方法である。
した位置合わせマークを用いて上記第1のスキャン工
程、第2のスキャン工程を行う請求項2に記載した電子
線露光の位置合わせマークの検出方法である。
【0014】請求項5に記載の発明は、上記第1のスキ
ャン工程および第2のスキャン工程での各検出結果に基
づいて、位置合わせマークの中心および回転角を演算す
る請求項2または4に記載した電子線露光の位置合わせ
マークの検出方法である。
ャン工程および第2のスキャン工程での各検出結果に基
づいて、位置合わせマークの中心および回転角を演算す
る請求項2または4に記載した電子線露光の位置合わせ
マークの検出方法である。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明の第1実施例に係る位置合わせマー
クの検出方法に使用する位置合わせマークを示してい
る。また、図2はこの検出手順を示すフローチャートで
ある。
する。図1は本発明の第1実施例に係る位置合わせマー
クの検出方法に使用する位置合わせマークを示してい
る。また、図2はこの検出手順を示すフローチャートで
ある。
【0016】図1に示すように、試料のX軸、Y軸に対
して任意の回転角を持った十字形状の位置合わせマーク
1を試料上に予め配置(刻設)しておく。本実施例で
は、位置合わせマーク1の回転角として45度を用い
る。マーク(辺)の溝幅は1μm、長さは50μmとし
た。この位置合わせマーク1に対してX軸方向、Y軸方
向とも、1回の走査でその2箇所を横切るように電子線
走査2を行う。1回の走査でそれぞれ2箇所のマーク位
置3を検出する。このとき、電子線走査の距離は20μ
mとした。例えば通常の電子線直接描画装置を用いてそ
のXYステージを駆動することにより、電子線走査を行
う。
して任意の回転角を持った十字形状の位置合わせマーク
1を試料上に予め配置(刻設)しておく。本実施例で
は、位置合わせマーク1の回転角として45度を用い
る。マーク(辺)の溝幅は1μm、長さは50μmとし
た。この位置合わせマーク1に対してX軸方向、Y軸方
向とも、1回の走査でその2箇所を横切るように電子線
走査2を行う。1回の走査でそれぞれ2箇所のマーク位
置3を検出する。このとき、電子線走査の距離は20μ
mとした。例えば通常の電子線直接描画装置を用いてそ
のXYステージを駆動することにより、電子線走査を行
う。
【0017】以下、図2のフローチャートにしたがっ
て、位置合わせマーク1の中心位置4および回転角を求
める手順を説明する。まず、X軸方向に1回20μmの
電子線走査を行い、マーク(溝)を横切る点2箇所のX
軸方向のマーク位置3を後述の信号処理(例えば図4)
により求める(S21)。次いで、求めた2点のマーク
位置3から仮想マーク中心のX軸方向位置(2点のX座
標の中点)およびY軸方向位置を求める(S22)。
て、位置合わせマーク1の中心位置4および回転角を求
める手順を説明する。まず、X軸方向に1回20μmの
電子線走査を行い、マーク(溝)を横切る点2箇所のX
軸方向のマーク位置3を後述の信号処理(例えば図4)
により求める(S21)。次いで、求めた2点のマーク
位置3から仮想マーク中心のX軸方向位置(2点のX座
標の中点)およびY軸方向位置を求める(S22)。
【0018】次に、求めた仮想マーク中心からX軸方向
に任意の距離だけ離れた点にあって、Y軸方向に20μ
mだけ電子線走査し、マーク(溝)を横切る2点のマー
ク位置3を測定する(S23)。次いで、Y軸方向の仮
想マーク位置2点と、実測位置2点との位置の差から、
位置合わせマーク1の回転角を求める(S24)。さら
に、求めた回転角とX軸方向、Y軸方向各2点の実測し
たマーク位置3から、位置合わせマーク中心位置4の真
値を計算する(S25)。
に任意の距離だけ離れた点にあって、Y軸方向に20μ
mだけ電子線走査し、マーク(溝)を横切る2点のマー
ク位置3を測定する(S23)。次いで、Y軸方向の仮
想マーク位置2点と、実測位置2点との位置の差から、
位置合わせマーク1の回転角を求める(S24)。さら
に、求めた回転角とX軸方向、Y軸方向各2点の実測し
たマーク位置3から、位置合わせマーク中心位置4の真
値を計算する(S25)。
【0019】このように、従来、位置合わせマークの中
心位置および回転角を求めるためには、4回の電子線走
査を必要としていたのに対して、本発明方法では半分の
2回に走査で、従来と同様に、位置合わせマークの位置
および回転角を精度良く求めることができる。この結
果、その検出時間は従来の約半分とすることができた。
心位置および回転角を求めるためには、4回の電子線走
査を必要としていたのに対して、本発明方法では半分の
2回に走査で、従来と同様に、位置合わせマークの位置
および回転角を精度良く求めることができる。この結
果、その検出時間は従来の約半分とすることができた。
【0020】次に、マーク溝の断面形状が幅中心線に対
して左右非対称な場合でも、高精度なマーク位置検出が
可能な、位置合わせマークの形状および検出方法につい
ての第2実施例を、図3および図4を用いて説明する。
して左右非対称な場合でも、高精度なマーク位置検出が
可能な、位置合わせマークの形状および検出方法につい
ての第2実施例を、図3および図4を用いて説明する。
【0021】まず、試料の上の任意の位置に、図3に示
すように、X軸方向、Y軸方向とも各2本の平行な溝か
らなる井枡形状の位置合わせマーク1を配置する。この
とき、1本のマーク(溝)の幅は2μm、平行な2本の
マーク(溝)の間隔は5μm、全長は40μmとした。
すように、X軸方向、Y軸方向とも各2本の平行な溝か
らなる井枡形状の位置合わせマーク1を配置する。この
とき、1本のマーク(溝)の幅は2μm、平行な2本の
マーク(溝)の間隔は5μm、全長は40μmとした。
【0022】まず、このマーク(2本の溝からなる辺)
を横切るようにX軸方向、Y軸方向の各2箇所ずつ電子
線走査2を行い、反射電子信号を得る。このときの電子
線走査の距離は20μmとした。
を横切るようにX軸方向、Y軸方向の各2箇所ずつ電子
線走査2を行い、反射電子信号を得る。このときの電子
線走査の距離は20μmとした。
【0023】図4(a)にこの位置合わせマーク(溝)
の断面形状13を示す。また、図4(b)に、このマー
ク上を電子線走査した場合に得られる反射電子信号5を
示す。次に、この反射電子信号5を微分し、微分信号6
を得る。次いで、微分信号6中の、個々のマークから得
られる信号成分同士の波形の対称性の相関を演算する。
の断面形状13を示す。また、図4(b)に、このマー
ク上を電子線走査した場合に得られる反射電子信号5を
示す。次に、この反射電子信号5を微分し、微分信号6
を得る。次いで、微分信号6中の、個々のマークから得
られる信号成分同士の波形の対称性の相関を演算する。
【0024】すなわち、図4の(c)中の相関領域14
の波形の対称性の相関を演算する。その結果、演算出力
として、図4の(d)に示すような、相関波形15が得
られる。このとき、相関波形の極小値の点が2本のマー
ク(溝)の中間位置、すなわち求める位置合わせマーク
の位置3である。
の波形の対称性の相関を演算する。その結果、演算出力
として、図4の(d)に示すような、相関波形15が得
られる。このとき、相関波形の極小値の点が2本のマー
ク(溝)の中間位置、すなわち求める位置合わせマーク
の位置3である。
【0025】このとき、従来法では、1つのマーク
(溝)の左右のエッジ位置を測定し、マーク位置を求め
ていたが、本発明方法では、2つのマーク(溝)から得
られる信号の対称性に着目し、相関をとることにより、
2本のマーク(溝)の中心位置に設定したマーク中心位
置を求める。このため、それぞれのマーク(溝)の断面
形状が左右非対称になっても、マーク位置を正確に検出
することが可能になった。
(溝)の左右のエッジ位置を測定し、マーク位置を求め
ていたが、本発明方法では、2つのマーク(溝)から得
られる信号の対称性に着目し、相関をとることにより、
2本のマーク(溝)の中心位置に設定したマーク中心位
置を求める。このため、それぞれのマーク(溝)の断面
形状が左右非対称になっても、マーク位置を正確に検出
することが可能になった。
【0026】さらに、本発明に係る位置合わせマークの
検出方法の第3実施例について、図5を用いて説明す
る。
検出方法の第3実施例について、図5を用いて説明す
る。
【0027】試料上の任意の位置に、図5に示すよう
に、X軸、Y軸方向に各2本ずつの平行溝からなるマー
クで構成された井桁形状でなおかつ任意の回転角を持っ
た位置合わせマーク1を配置しておく。このとき、1本
のマークの幅は1μm、2本のマークの間隔は5μm、
さらに位置合わせマーク1全体の回転角は45度とし
た。
に、X軸、Y軸方向に各2本ずつの平行溝からなるマー
クで構成された井桁形状でなおかつ任意の回転角を持っ
た位置合わせマーク1を配置しておく。このとき、1本
のマークの幅は1μm、2本のマークの間隔は5μm、
さらに位置合わせマーク1全体の回転角は45度とし
た。
【0028】そして、上記第2実施例で述べたように、
まず、2本のマーク(溝)を1組として、2組のマーク
(溝)を1回で横切るように、X軸方向に20μmの電
子線走査2を行う。
まず、2本のマーク(溝)を1組として、2組のマーク
(溝)を1回で横切るように、X軸方向に20μmの電
子線走査2を行う。
【0029】その検出位置を基に仮想マーク中心を求
め、さらにY軸方向の電子線走査を行う。検出位置と予
想位置とのずれから位置合わせマークの回転角を求め
る。このときのマーク位置は2本のマークの中間位置と
なる。
め、さらにY軸方向の電子線走査を行う。検出位置と予
想位置とのずれから位置合わせマークの回転角を求め
る。このときのマーク位置は2本のマークの中間位置と
なる。
【0030】さらに、X軸、Y軸各2箇所ずつの検出位
置と、求めた回転角から、位置合わせマークの中心位置
4の真値を求めることが可能である。さらに、このと
き、それぞれのマークの断面形状が左右非対称であって
も、上記第2実施例に示すように、2本のマークから得
られる反射電子信号波形の相関性から、2本のマーク
(溝)の中間に設定したマーク位置を検出したため、そ
の溝の断面形状の影響を受けることなく、正確な位置合
わせマークの位置検出が可能であった。
置と、求めた回転角から、位置合わせマークの中心位置
4の真値を求めることが可能である。さらに、このと
き、それぞれのマークの断面形状が左右非対称であって
も、上記第2実施例に示すように、2本のマークから得
られる反射電子信号波形の相関性から、2本のマーク
(溝)の中間に設定したマーク位置を検出したため、そ
の溝の断面形状の影響を受けることなく、正確な位置合
わせマークの位置検出が可能であった。
【0031】本発明は上記実施例の位置合わせマークの
幅、長さに限定されるものではない。その他の幅、長さ
を有する位置合わせマークを用いてもよい。また、位置
合わせマークに予め任意の回転角を与える場合、上記実
施例では45度としたが、これに限定されることはな
い。電子線走査によりマークの2箇所を横切るように走
査することができるのであれば、この角度以外に回転さ
せてもよい。
幅、長さに限定されるものではない。その他の幅、長さ
を有する位置合わせマークを用いてもよい。また、位置
合わせマークに予め任意の回転角を与える場合、上記実
施例では45度としたが、これに限定されることはな
い。電子線走査によりマークの2箇所を横切るように走
査することができるのであれば、この角度以外に回転さ
せてもよい。
【0032】また、波形の対称性の相関から、マーク位
置を検出する場合、上記第2、第3実施例では、2本の
マークから得られる2組の波形よりこれを検出している
が、本発明はこれに限定されるものでもない。例えば4
本のマークから得られる4組の波形を左右で2組に分
け、対称性の相関を求める等、マーク(溝または突条)
の数には限定されることはない。
置を検出する場合、上記第2、第3実施例では、2本の
マークから得られる2組の波形よりこれを検出している
が、本発明はこれに限定されるものでもない。例えば4
本のマークから得られる4組の波形を左右で2組に分
け、対称性の相関を求める等、マーク(溝または突条)
の数には限定されることはない。
【0033】また、位置合わせマークの形状として十字
形状または井桁形状のマーク(溝または突条)を用いた
が、本発明はこれらの形状に限定されるものでもない。
電子線走査によりマーク位置を検出し、マーク中心位置
を求められる形状であれば、例えばV字形状、L字形
状、T字形状等の位置合わせマークおよびこれらの組み
合せを用いてもよい。さらに、マーク位置を検出する際
の電子線走査の距離は、位置検出に必要なマーク位置を
横切るように走査できるものであればよい。その距離の
大小は問わない。
形状または井桁形状のマーク(溝または突条)を用いた
が、本発明はこれらの形状に限定されるものでもない。
電子線走査によりマーク位置を検出し、マーク中心位置
を求められる形状であれば、例えばV字形状、L字形
状、T字形状等の位置合わせマークおよびこれらの組み
合せを用いてもよい。さらに、マーク位置を検出する際
の電子線走査の距離は、位置検出に必要なマーク位置を
横切るように走査できるものであればよい。その距離の
大小は問わない。
【0034】
【発明の効果】本発明方法を用いることにより、1つの
位置合わせマークの中心位置検出および回転角検出を2
回の電子線走査で行うことができ、検出時間を従来の半
分に短縮することができた。したがって、従来は6イン
チウェーハ1枚当り197秒の描画時間を要していた
が、本発明方法では、182秒に短縮することができ
た。この結果、1時間当りのウェーハ描画枚数は18枚
から20枚へと向上した。
位置合わせマークの中心位置検出および回転角検出を2
回の電子線走査で行うことができ、検出時間を従来の半
分に短縮することができた。したがって、従来は6イン
チウェーハ1枚当り197秒の描画時間を要していた
が、本発明方法では、182秒に短縮することができ
た。この結果、1時間当りのウェーハ描画枚数は18枚
から20枚へと向上した。
【図1】本発明の第1実施例に係る電子線露光における
位置合わせマークを示す平面図である。
位置合わせマークを示す平面図である。
【図2】本発明の第1実施例に係る位置合わせマークの
検出方法を説明するフローチャートである。
検出方法を説明するフローチャートである。
【図3】本発明の第2実施例に係る位置合わせマークを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図4】本発明の第2実施例に係る位置合わせマークの
検出における信号波形を示す図である。
検出における信号波形を示す図である。
【図5】本発明の第3実施例に係る位置合わせマークを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図6】従来の位置合わせマークおよびその検出方法を
説明するための位置合わせマークの平面図である。
説明するための位置合わせマークの平面図である。
【図7】従来の検出方法における検出信号の波形図であ
る。
る。
【図8】従来の検出方法を説明するための位置合わせマ
ークの平面図である。
ークの平面図である。
【図9】従来のマークの断面形状が左右非対称の場合の
検出信号の波形図である。
検出信号の波形図である。
1:位置合わせマーク 2:電子線走査 3:マーク位置 4:マーク中心位置
Claims (5)
- 【請求項1】 試料にパターンを描画する電子線露光に
おいて試料の位置合わせに使用される電子線露光の位置
合わせマークであって、 互いに所定角度をなして交差する2辺を有し、 各辺は断面が凹状または凸状の少なくとも一対の部分で
構成し、これらの部分は所定間隔離間して略平行に延び
ることを特徴とする電子線露光の位置合わせマーク。 - 【請求項2】 試料上の位置合わせマークを基準とし
て、この試料上に電子線露光によりパターンを描画する
電子線露光における位置合わせマークの検出方法におい
て、 互いに所定角度をなして交差する2辺を有する位置合わ
せマークを上記試料上に形成する工程と、 この位置合わせマークの2辺を横切る直線上を電子線が
走査する第1のスキャン工程と、 第1のスキャン工程での走査直線とは異なる直線であっ
て上記位置合わせマークの2辺を横切る直線上を電子線
が走査する第2のスキャン工程とを有することを特徴と
する電子線露光の位置合わせマークの検出方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載の位置合わせマークを用
いて位置合わせマークの検出を行う位置合わせマークの
検出方法であって、 上記位置合わせマークの各辺を横切る直線上を電子線が
走査するスキャン工程を有し、 このスキャン結果である信号波形であって上記一対の部
分によるものの相関に基づいて当該位置合わせマークの
位置を検出する電子線露光の位置合わせマークの検出方
法。 - 【請求項4】 請求項1に記載した位置合わせマークを
用いて上記第1のスキャン工程、第2のスキャン工程を
行う請求項2に記載した電子線露光の位置合わせマーク
の検出方法。 - 【請求項5】 上記第1のスキャン工程および第2のス
キャン工程での各検出結果に基づいて、位置合わせマー
クの中心および回転角を演算する請求項2または4に記
載した電子線露光の位置合わせマークの検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5350111A JP2806242B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5350111A JP2806242B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192994A true JPH07192994A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2806242B2 JP2806242B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=18408312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5350111A Expired - Lifetime JP2806242B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806242B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372659B1 (ko) * | 1995-12-30 | 2003-06-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체칩구제용레이저리페어키 |
| JP2008010548A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | アライメントマークおよび位置計測方法 |
| JP2015207596A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| KR20170141653A (ko) * | 2015-04-21 | 2017-12-26 | 인텔 코포레이션 | 전자 빔 노광 시스템을 위한 미세 정렬 시스템 |
| US20190057881A1 (en) * | 2017-08-21 | 2019-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing article |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186327A (en) * | 1981-05-09 | 1982-11-16 | Jeol Ltd | Detecting method for mark position in electron beam exposure |
| JPH01239925A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Jeol Ltd | 描画装置用マーク検出装置 |
| JPH02132818A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の位置合せ用マークの検出方法 |
| JPH04100207A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子ビーム露光用位置合わせマーク形成法 |
| JPH05190431A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5350111A patent/JP2806242B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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| US10236161B2 (en) | 2015-04-21 | 2019-03-19 | Intel Corporation | Fine alignment system for electron beam exposure system |
| EP3286778A4 (en) * | 2015-04-21 | 2019-04-03 | Intel Corporation | FEINING DEVICE SYSTEM FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE SYSTEM |
| US20190057881A1 (en) * | 2017-08-21 | 2019-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing article |
| US11573487B2 (en) * | 2017-08-21 | 2023-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2806242B2 (ja) | 1998-09-30 |
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