JPH07193040A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH07193040A JPH07193040A JP6458792A JP6458792A JPH07193040A JP H07193040 A JPH07193040 A JP H07193040A JP 6458792 A JP6458792 A JP 6458792A JP 6458792 A JP6458792 A JP 6458792A JP H07193040 A JPH07193040 A JP H07193040A
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- JP
- Japan
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- etching
- lower electrode
- electrode
- semiconductor manufacturing
- etching chamber
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ面内のエッチングレートの均一性を向
上させる。 【構成】 エッチングチャンバーの側壁は、円筒型をし
ている。エッチングチャンバーの上部には円盤型の上蓋
２が付いてある。この上蓋２に円筒型の上部電極１が装
着されている。上部電極１の表面にはガス吹き出し口が
設けられている。上部電極１の真下に円筒型の下部電極
３が設けられている。下部電極３はエッチングチャンバ
ーの底である。下部電極３の側壁にはリング４がかぶさ
っている。エッチングチャンバーの側壁には、真空ポン
プからの排気口が２つある。一方の排気口に対して、他
方の排気口は下部電極３を挟んで正反対側に設けられて
いる。
上させる。 【構成】 エッチングチャンバーの側壁は、円筒型をし
ている。エッチングチャンバーの上部には円盤型の上蓋
２が付いてある。この上蓋２に円筒型の上部電極１が装
着されている。上部電極１の表面にはガス吹き出し口が
設けられている。上部電極１の真下に円筒型の下部電極
３が設けられている。下部電極３はエッチングチャンバ
ーの底である。下部電極３の側壁にはリング４がかぶさ
っている。エッチングチャンバーの側壁には、真空ポン
プからの排気口が２つある。一方の排気口に対して、他
方の排気口は下部電極３を挟んで正反対側に設けられて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチングプロ
セスを行なう半導体製造装置に関するものである。
セスを行なう半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造装置はシリコン酸化膜
からポリシリコン、アルミニウム合金のエッチングま
で、ほとんどのドライエッチング工程では、一般的に平
行平板型反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記
す）装置が用いられている。
からポリシリコン、アルミニウム合金のエッチングま
で、ほとんどのドライエッチング工程では、一般的に平
行平板型反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記
す）装置が用いられている。
【０００３】以下に従来の半導体製造装置について説明
する。図２は、従来の半導体製造装置のエッチングチャ
ンバーの断面図である。図２において、１は上部電極、
２は上蓋、３は下部電極、４はリング、５はウエハ、６
は排気口である。
する。図２は、従来の半導体製造装置のエッチングチャ
ンバーの断面図である。図２において、１は上部電極、
２は上蓋、３は下部電極、４はリング、５はウエハ、６
は排気口である。
【０００４】以上のように構成された半導体製造装置に
ついて、以下その動作について説明する。
ついて、以下その動作について説明する。
【０００５】下部電極３（カソード）上にエッチング材
料を置き、１０-1〜１０-2Torrの圧力下で高周波電界を
印加すると、上部電極１（アノード）との間にグロー放
電を生じプラズマが発生する。下部電極３近傍に発生す
るイオンシースによる負の電位が重要な働きをする。こ
の電位を自己バイアス電位（Vdc）と呼ぶ。この自己バ
イアス電位により、イオンシース層を通るイオンはエネ
ルギーを得てエッチングを加速する。ドライエッチング
ではエッチング材料に応じた種々のエッチングガスが用
いられる。エッチングの特性を制御するために混合ガス
として使用される場合が多い。
料を置き、１０-1〜１０-2Torrの圧力下で高周波電界を
印加すると、上部電極１（アノード）との間にグロー放
電を生じプラズマが発生する。下部電極３近傍に発生す
るイオンシースによる負の電位が重要な働きをする。こ
の電位を自己バイアス電位（Vdc）と呼ぶ。この自己バ
イアス電位により、イオンシース層を通るイオンはエネ
ルギーを得てエッチングを加速する。ドライエッチング
ではエッチング材料に応じた種々のエッチングガスが用
いられる。エッチングの特性を制御するために混合ガス
として使用される場合が多い。
【０００６】本装置においては上部電極１のガス吹き出
し口から、エッチングに使用するガスを、エッチングチ
ャンバー内に吹き込み、真空ポンプを作動させて排気口
６からエッチングチャンバー内の空気を排気させて真空
度を制御しながら、エッチングチャンバー内にプラズマ
を発生させ、ラジカルとイオンによって下部電極３の上
に載っているウエハ５をエッチングするものである。
し口から、エッチングに使用するガスを、エッチングチ
ャンバー内に吹き込み、真空ポンプを作動させて排気口
６からエッチングチャンバー内の空気を排気させて真空
度を制御しながら、エッチングチャンバー内にプラズマ
を発生させ、ラジカルとイオンによって下部電極３の上
に載っているウエハ５をエッチングするものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、排気口が１つしか開いていないので、エ
ッチングチャンバー内のガス濃度の偏りを生じ、排気口
からの距離が短いところでは、ガス濃度が周りに比べて
少なくなり、エッチングレートが低下する。このことに
よってウエハ面内のエッチングレートの均一性が低下す
るという欠点を有していた。
うな構成では、排気口が１つしか開いていないので、エ
ッチングチャンバー内のガス濃度の偏りを生じ、排気口
からの距離が短いところでは、ガス濃度が周りに比べて
少なくなり、エッチングレートが低下する。このことに
よってウエハ面内のエッチングレートの均一性が低下す
るという欠点を有していた。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、ウエハ面内のエッチングレートの均一性を向上す
る半導体製造装置を提供することを目的とする。
ので、ウエハ面内のエッチングレートの均一性を向上す
る半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体製造装置は、ガス吹き出し口のある
上部電極と、前記上部電極と対向して形成された下部電
極と、前記下部電極の側壁をカバーしているリングと、
エッチングチャンバー内の空気を吸い込む複数個の排気
口とを有している。
めに本発明の半導体製造装置は、ガス吹き出し口のある
上部電極と、前記上部電極と対向して形成された下部電
極と、前記下部電極の側壁をカバーしているリングと、
エッチングチャンバー内の空気を吸い込む複数個の排気
口とを有している。
【００１０】
【作用】この構成によって、エッチング中、排気口から
近いところと遠いところで、ガス濃度のばらつきが生じ
ていたのを、排気口から遠かったところにも排気口を設
けることによって、ガス濃度のばらつきを抑え、エッチ
ングレートの均一性を向上させることができる。
近いところと遠いところで、ガス濃度のばらつきが生じ
ていたのを、排気口から遠かったところにも排気口を設
けることによって、ガス濃度のばらつきを抑え、エッチ
ングレートの均一性を向上させることができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例の半導体製造装置につい
て、図１の断面図を参照しながら説明する。
て、図１の断面図を参照しながら説明する。
【００１２】図１において、１はガス吹き出し口のある
上部電極、２は上部電極１を真ん中に装着した上蓋、３
はウエハ５を載せる下部電極、４は下部電極３２の側壁
をカバーしているリング、６，７は真空ポンプからエッ
チングチャンバー内の空気を吸い込む排気口である。
上部電極、２は上部電極１を真ん中に装着した上蓋、３
はウエハ５を載せる下部電極、４は下部電極３２の側壁
をカバーしているリング、６，７は真空ポンプからエッ
チングチャンバー内の空気を吸い込む排気口である。
【００１３】エッチングチャンバーの側壁は、円筒型を
している。エッチングチャンバーの上部には円盤型の上
蓋２が付いてある。この上蓋２に円筒型の上部電極１が
装着されている。上部電極１の表面にはガス吹き出し口
が設けられている。上部電極１の真下に円筒型の下部電
極３が設けられている。下部電極３はエッチングチャン
バーの底である。下部電極３の側壁にはリング４がかぶ
さっている。
している。エッチングチャンバーの上部には円盤型の上
蓋２が付いてある。この上蓋２に円筒型の上部電極１が
装着されている。上部電極１の表面にはガス吹き出し口
が設けられている。上部電極１の真下に円筒型の下部電
極３が設けられている。下部電極３はエッチングチャン
バーの底である。下部電極３の側壁にはリング４がかぶ
さっている。
【００１４】エッチングチャンバーの側壁には、真空ポ
ンプからの排気口６，７が２つある。一方の排気口６に
対して、他方の排気口７は下部電極３を挟んで正反対側
に設けられている。従来、エッチング中には、排気口６
から近いところと遠いところで、ガス濃度のばらつきが
生じていた。このためガス濃度のばらつきや、エッチン
グレートが不均一になっていた。本実施例では、排気口
６から遠いところにもう１つの排気口７を設けている。
このためガス濃度のばらつきがなくなり、面内でのエッ
チングレートのバラツキがなくなる。
ンプからの排気口６，７が２つある。一方の排気口６に
対して、他方の排気口７は下部電極３を挟んで正反対側
に設けられている。従来、エッチング中には、排気口６
から近いところと遠いところで、ガス濃度のばらつきが
生じていた。このためガス濃度のばらつきや、エッチン
グレートが不均一になっていた。本実施例では、排気口
６から遠いところにもう１つの排気口７を設けている。
このためガス濃度のばらつきがなくなり、面内でのエッ
チングレートのバラツキがなくなる。
【００１５】以上のように構成された半導体製造装置に
ついて、以下その動作を説明する。下部電極３（カソー
ド）上にエッチング材料を置く。１０-1〜１０-2Torrの
圧力下で高周波電界を印加する。この時下部電極３と上
部電極１（アノード）との間にグロー放電を生じプラズ
マが発生する。下部電極３近傍に発生するイオンシース
による負の電位が重要な働きをする。この電位を自己バ
イアス電位（Vdc）と呼ぶ。プラズマ中では電子の移動
度がイオンの移動度より大きい。この時高周波を印加し
た時に発生する電子の数と、正イオンの数が不均一とな
る。両者の数の差をバランスするために、自己バイアス
電位が生じる。自己バイアス電位により、下部電極３直
上にイオンシース層が形成される。イオンシース層を通
るイオンはエネルギーを得てエッチングを加速する。通
常、プラズマの電離度は数％以下と低い。このためイオ
ンの平均自由行程は中性粒子との衝突回数で決まる。従
ってガス圧に支配される。高い圧力の場合には等方的な
プラズマエッチングが、反対に低い圧力の場合には、異
方的なイオンエッチングが得られる。また、ドライエッ
チングではエッチング材料に応じた種々のエッチングガ
スが用いられる。エッチングの特性を制御するために混
合ガスとして使用される場合が多い。
ついて、以下その動作を説明する。下部電極３（カソー
ド）上にエッチング材料を置く。１０-1〜１０-2Torrの
圧力下で高周波電界を印加する。この時下部電極３と上
部電極１（アノード）との間にグロー放電を生じプラズ
マが発生する。下部電極３近傍に発生するイオンシース
による負の電位が重要な働きをする。この電位を自己バ
イアス電位（Vdc）と呼ぶ。プラズマ中では電子の移動
度がイオンの移動度より大きい。この時高周波を印加し
た時に発生する電子の数と、正イオンの数が不均一とな
る。両者の数の差をバランスするために、自己バイアス
電位が生じる。自己バイアス電位により、下部電極３直
上にイオンシース層が形成される。イオンシース層を通
るイオンはエネルギーを得てエッチングを加速する。通
常、プラズマの電離度は数％以下と低い。このためイオ
ンの平均自由行程は中性粒子との衝突回数で決まる。従
ってガス圧に支配される。高い圧力の場合には等方的な
プラズマエッチングが、反対に低い圧力の場合には、異
方的なイオンエッチングが得られる。また、ドライエッ
チングではエッチング材料に応じた種々のエッチングガ
スが用いられる。エッチングの特性を制御するために混
合ガスとして使用される場合が多い。
【００１６】本実施例において下部電極３のガス吹き出
し口から、エッチングに使用するガスを、エッチングチ
ャンバー内に吹き込む。同時に真空ポンプを作動させて
排気口６，７からエッチングチャンバー内の空気を排気
させ真空度を制御しながら、エッチングチャンバー内に
プラズマを発生させる。プラズマ中に発生するラジカル
とイオンによって下部電極３の上に載っているウエハ５
がエッチングされる。
し口から、エッチングに使用するガスを、エッチングチ
ャンバー内に吹き込む。同時に真空ポンプを作動させて
排気口６，７からエッチングチャンバー内の空気を排気
させ真空度を制御しながら、エッチングチャンバー内に
プラズマを発生させる。プラズマ中に発生するラジカル
とイオンによって下部電極３の上に載っているウエハ５
がエッチングされる。
【００１７】以上のように本実施例によれば、排気口７
を増やすことにより、エッチングチャンバー内のガス濃
度の偏りを避け、ウエハ５面内のエッチングレートの均
一性を向上させることができる。
を増やすことにより、エッチングチャンバー内のガス濃
度の偏りを避け、ウエハ５面内のエッチングレートの均
一性を向上させることができる。
【００１８】なお、本実施例において、排気口６，７と
２つとしたが、排気口を２つ以上設けてもよいことは言
うまでもない。
２つとしたが、排気口を２つ以上設けてもよいことは言
うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明は 、排気口を複数
個にすることによって、ウエハ面内のエッチングレート
の均一性を向上させることができる優れた半導体製造装
置を実現できるものである。
個にすることによって、ウエハ面内のエッチングレート
の均一性を向上させることができる優れた半導体製造装
置を実現できるものである。
【図１】本発明の実施例における半導体製造装置の断面
図
図
【図２】従来の半導体製造装置の概略図
１ 上部電極 ２ 上蓋 ３ 下部電極 ４ リング ５ ウエハ ６ 排気口 ７ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】ガス吹き出し口のある上部電極と、前記上
部電極と対向して形成された下部電極と、前記下部電極
の側壁をカバーしているリングと、エッチングチャンバ
ー内の空気を吸い込む複数個の排気口とを有することを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6458792A JPH07193040A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6458792A JPH07193040A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193040A true JPH07193040A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=13262534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6458792A Pending JPH07193040A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193040A (ja) |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP6458792A patent/JPH07193040A/ja active Pending
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