JPH0719340A - 真空チャンバ - Google Patents
真空チャンバInfo
- Publication number
- JPH0719340A JPH0719340A JP15730593A JP15730593A JPH0719340A JP H0719340 A JPH0719340 A JP H0719340A JP 15730593 A JP15730593 A JP 15730593A JP 15730593 A JP15730593 A JP 15730593A JP H0719340 A JPH0719340 A JP H0719340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- platen
- wafer
- semiconductor substrate
- air lock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 14
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エアロック扉4により、ウェーハ2をイオン
注入面を下側にしたまま保持してエアロック室3まで搬
送する。エアロック扉4がエアロック室3を閉じるとと
もにウェーハ2をプラテン5に受け渡すと、エアロック
室3内が排気されて真空になる。そして、プラテン5が
ウェーハ2を固定保持した状態でプラテン駆動機構6に
より駆動されて垂直に立ち上がる。ウェーハ2に対する
イオンビームの照射が終了すると、上記と逆の動作でウ
ェーハ2をエアロック室3に戻す。 【効果】 プラテン5がチャンバ本体1内でウェーハ2
を搬送するとともに、エアロック室3の内側扉を兼ねる
ことにより、真空チャンバの小型化を図ることができ
る。また、プラテン5がウェーハ2を固定するので、ウ
ェーハ2の擦れによるパーティクル等の発生がなくな
り、ウェーハ2の処理面の汚染を減少させることができ
る。
注入面を下側にしたまま保持してエアロック室3まで搬
送する。エアロック扉4がエアロック室3を閉じるとと
もにウェーハ2をプラテン5に受け渡すと、エアロック
室3内が排気されて真空になる。そして、プラテン5が
ウェーハ2を固定保持した状態でプラテン駆動機構6に
より駆動されて垂直に立ち上がる。ウェーハ2に対する
イオンビームの照射が終了すると、上記と逆の動作でウ
ェーハ2をエアロック室3に戻す。 【効果】 プラテン5がチャンバ本体1内でウェーハ2
を搬送するとともに、エアロック室3の内側扉を兼ねる
ことにより、真空チャンバの小型化を図ることができ
る。また、プラテン5がウェーハ2を固定するので、ウ
ェーハ2の擦れによるパーティクル等の発生がなくな
り、ウェーハ2の処理面の汚染を減少させることができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置等に用
いられる真空チャンバに関するものである。
いられる真空チャンバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のイオン注入装置における注入室と
なる真空チャンバは、例えば図3に示すように、チャン
バ本体21と、エアロック室22と、ロボットアーム2
3と、プラテン24とを備えている。
なる真空チャンバは、例えば図3に示すように、チャン
バ本体21と、エアロック室22と、ロボットアーム2
3と、プラテン24とを備えている。
【0003】このような真空チャンバでは、外部から搬
送されてきたウェーハ25が、エアロック室22でロボ
ットアーム23に受け渡される。このウェーハ25は、
水平を保ったままロボットアーム23に保持されてチャ
ンバ本体21に設けられたプラテン24まで搬送され、
プラテン24に固定される。そして、ウェーハ25は、
プラテン24が図示する方向に対し垂直となるように向
きが変えられることにより、同図における左方向からの
イオンビームが照射される。
送されてきたウェーハ25が、エアロック室22でロボ
ットアーム23に受け渡される。このウェーハ25は、
水平を保ったままロボットアーム23に保持されてチャ
ンバ本体21に設けられたプラテン24まで搬送され、
プラテン24に固定される。そして、ウェーハ25は、
プラテン24が図示する方向に対し垂直となるように向
きが変えられることにより、同図における左方向からの
イオンビームが照射される。
【0004】また、ウェーハ25に対するイオンビーム
の照射が終了すると、プラテン24が水平の位置に戻
る。すると、プラテン24上のウェーハ25は、ロボッ
トアーム23によりエアロック室22まで搬送され、こ
こで外部の搬送装置に受け渡される。
の照射が終了すると、プラテン24が水平の位置に戻
る。すると、プラテン24上のウェーハ25は、ロボッ
トアーム23によりエアロック室22まで搬送され、こ
こで外部の搬送装置に受け渡される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の真空
チャンバでは、ロボットアーム23がウェーハ25を単
に載置して保持しているだけで固定していない。ウェー
ハ25を固定しようとすると、ロボットアーム23に固
定用の機構を設ける必要があり、構成の複雑化を招くた
め実用的でない。
チャンバでは、ロボットアーム23がウェーハ25を単
に載置して保持しているだけで固定していない。ウェー
ハ25を固定しようとすると、ロボットアーム23に固
定用の機構を設ける必要があり、構成の複雑化を招くた
め実用的でない。
【0006】したがって、上記のように単に保持するだ
けの構造では、ウェーハ25がロボットアーム23上で
がたついて擦れることによりウェーハ25表面のレジス
ト膜が剥離するなどしてパーティクルが発生しやすくな
る。この結果、チャンバ本体21内がパーティクルの増
加によって汚染されることになる。そのうえ、このよう
な不都合があるため、高速でウェーハ25を搬送するこ
とも困難になる。
けの構造では、ウェーハ25がロボットアーム23上で
がたついて擦れることによりウェーハ25表面のレジス
ト膜が剥離するなどしてパーティクルが発生しやすくな
る。この結果、チャンバ本体21内がパーティクルの増
加によって汚染されることになる。そのうえ、このよう
な不都合があるため、高速でウェーハ25を搬送するこ
とも困難になる。
【0007】また、上記の真空チャンバでは、ロボット
アーム23がウェーハ25を水平に保ったまま搬送する
ので、ウェーハ25の注入面が上向きになり、上記のパ
ーティクルや塵が付着しやすくなる。
アーム23がウェーハ25を水平に保ったまま搬送する
ので、ウェーハ25の注入面が上向きになり、上記のパ
ーティクルや塵が付着しやすくなる。
【0008】さらに、上記の真空チャンバでは、ロボッ
トアーム23を動作させるための駆動機構や専用の真空
室26等が必要となり、真空チャンバの大型化を招来し
ていた。
トアーム23を動作させるための駆動機構や専用の真空
室26等が必要となり、真空チャンバの大型化を招来し
ていた。
【0009】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、半導体基板の処理面の汚染を減少させると
ともに、装置の小型化を図ることを目的としている。
のであって、半導体基板の処理面の汚染を減少させると
ともに、装置の小型化を図ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の真空チャンバ
は、上記の課題を解決するために、チャンバ内外に通じ
るエアロック室と、半導体基板を固定保持するとともに
エアロック室をチャンバ内側から開閉するプラテンと、
プラテンを上記の閉鎖位置と半導体基板の処理位置との
間で移動させるプラテン駆動機構とを備えていることを
特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、チャンバ内外に通じ
るエアロック室と、半導体基板を固定保持するとともに
エアロック室をチャンバ内側から開閉するプラテンと、
プラテンを上記の閉鎖位置と半導体基板の処理位置との
間で移動させるプラテン駆動機構とを備えていることを
特徴としている。
【0011】また、上記真空チャンバにおいては、さら
に、半導体基板の処理面が水平面に対し垂直となるかあ
るいは下方に向くようになされている。なお、上記処理
面が下方に向く角度は、水平面に対し0°(平行)以上
かつ90°(垂直)より小さい角度であればよい。
に、半導体基板の処理面が水平面に対し垂直となるかあ
るいは下方に向くようになされている。なお、上記処理
面が下方に向く角度は、水平面に対し0°(平行)以上
かつ90°(垂直)より小さい角度であればよい。
【0012】
【作用】上記の構成では、プラテンがエアロック室を閉
鎖しているとき、外部からエアロック室に搬送されてき
た半導体基板の受け取りが可能になる。そして、プラテ
ンは、半導体基板を受け取ると、プラテン駆動機構によ
り半導体基板の処理位置まで移動し、半導体基板の処理
が終了すると、再びエアロック室の閉鎖位置まで戻る。
鎖しているとき、外部からエアロック室に搬送されてき
た半導体基板の受け取りが可能になる。そして、プラテ
ンは、半導体基板を受け取ると、プラテン駆動機構によ
り半導体基板の処理位置まで移動し、半導体基板の処理
が終了すると、再びエアロック室の閉鎖位置まで戻る。
【0013】このように、上記の構成によれば、半導体
基板がプラテンにより固定されて搬送されるので、半導
体基板が確実にプラテンにより固定保持される。それゆ
え、搬送中に半導体基板からパーティクル等が発生する
ことがなくなる。しかも、プラテンが半導体基板の搬送
とエアロック室のチャンバ内側からの閉鎖を兼ねて行な
うようになっているので、専用の半導体搬送用ロボット
等やエアロック室内側扉を設ける必要がなくなり、エア
ロック室の構造を簡単にすることができる。
基板がプラテンにより固定されて搬送されるので、半導
体基板が確実にプラテンにより固定保持される。それゆ
え、搬送中に半導体基板からパーティクル等が発生する
ことがなくなる。しかも、プラテンが半導体基板の搬送
とエアロック室のチャンバ内側からの閉鎖を兼ねて行な
うようになっているので、専用の半導体搬送用ロボット
等やエアロック室内側扉を設ける必要がなくなり、エア
ロック室の構造を簡単にすることができる。
【0014】また、真空チャンバにおいて、半導体基板
の処理面が水平面に対し垂直となるかあるいは下方に向
くようになされることにより、半導体基板の処理面に塵
埃等が付着しにくくなる。
の処理面が水平面に対し垂直となるかあるいは下方に向
くようになされることにより、半導体基板の処理面に塵
埃等が付着しにくくなる。
【0015】
【実施例】本発明をイオン注入装置の注入室に適用した
一実施例について図1および図2に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。
一実施例について図1および図2に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。
【0016】本実施例に係る真空チャンバは、図1の
(a)および図2に示すように、チャンバ本体1を備え
ている。このチャンバ本体1は、図示しない真空ポンプ
により排気されており、真空状態に保たれている。ま
た、チャンバ本体1の底壁面には、ウェーハ2の出入口
となり、チャンバ本体1の内外に通じるエアロック室3
が設けられている。
(a)および図2に示すように、チャンバ本体1を備え
ている。このチャンバ本体1は、図示しない真空ポンプ
により排気されており、真空状態に保たれている。ま
た、チャンバ本体1の底壁面には、ウェーハ2の出入口
となり、チャンバ本体1の内外に通じるエアロック室3
が設けられている。
【0017】エアロック室3は、外側でエアロック扉4
により開閉され、内側でプラテン5により開閉され、少
なくともエアロック扉4かプラテン5のいずれか一方で
閉じられており、チャンバ本体1の内部を大気側に開放
しないように構成されている。またエアロック室3は、
エアロック扉4およびプラテン5により閉じられたとき
に、図示しないポンプにより排気されて真空となるよう
に構成されている。
により開閉され、内側でプラテン5により開閉され、少
なくともエアロック扉4かプラテン5のいずれか一方で
閉じられており、チャンバ本体1の内部を大気側に開放
しないように構成されている。またエアロック室3は、
エアロック扉4およびプラテン5により閉じられたとき
に、図示しないポンプにより排気されて真空となるよう
に構成されている。
【0018】エアロック扉4は、図1の(b)にも示す
ように、半導体基板としてのウェーハ2を載置した状態
で保持する3個のウェーハガイド4a…4aを有してい
る。このエアロック扉4は、図示しない駆動機構により
上下方向に駆動されて、ウェーハ2の搬送およびエアロ
ック室3の開閉動作を行なうようになっている。
ように、半導体基板としてのウェーハ2を載置した状態
で保持する3個のウェーハガイド4a…4aを有してい
る。このエアロック扉4は、図示しない駆動機構により
上下方向に駆動されて、ウェーハ2の搬送およびエアロ
ック室3の開閉動作を行なうようになっている。
【0019】プラテン5は、静電チャックによりウェー
ハ2を固定保持するものであり、プラテン駆動機構6に
より駆動されて、エアロック室3の閉鎖位置とウェーハ
2の処理位置であるイオン注入位置との間を移動するよ
うになっている。なお、プラテン5は、静電チャックに
限らずウェーハ2を固定保持できるものであれば、機械
式やその他のものであってもよい。機械式のものとして
は、例えば、クランパによりウェーハ2の外周を把持す
るものが挙げられる。
ハ2を固定保持するものであり、プラテン駆動機構6に
より駆動されて、エアロック室3の閉鎖位置とウェーハ
2の処理位置であるイオン注入位置との間を移動するよ
うになっている。なお、プラテン5は、静電チャックに
限らずウェーハ2を固定保持できるものであれば、機械
式やその他のものであってもよい。機械式のものとして
は、例えば、クランパによりウェーハ2の外周を把持す
るものが挙げられる。
【0020】プラテン駆動機構6は、回動軸7と、アー
ム8と、アーム固定部9と、プラテン固定部10とを有
している。
ム8と、アーム固定部9と、プラテン固定部10とを有
している。
【0021】回動軸7は、チャンバ本体1の外部に設け
られた図示しない駆動装置により回転駆動されるもの
で、チャンバ本体1の両側壁の下部に軸受11・12に
より回転自在となるように取り付けられている。これに
より、駆動軸7は、プラテン5がエアロック室3を閉鎖
する水平位置とこれに対して垂直となるイオン注入位置
との間の範囲で回転するようになっている。
られた図示しない駆動装置により回転駆動されるもの
で、チャンバ本体1の両側壁の下部に軸受11・12に
より回転自在となるように取り付けられている。これに
より、駆動軸7は、プラテン5がエアロック室3を閉鎖
する水平位置とこれに対して垂直となるイオン注入位置
との間の範囲で回転するようになっている。
【0022】アーム8は、一端が軸受11付近でアーム
固定部9により回動軸7に固定されている。また、アー
ム8は、他端にプラテン固定部10が取り付けられてお
り、このプラテン固定部10にはプラテン5が固定され
ている。
固定部9により回動軸7に固定されている。また、アー
ム8は、他端にプラテン固定部10が取り付けられてお
り、このプラテン固定部10にはプラテン5が固定され
ている。
【0023】一方、チャンバ本体1の底壁面内側におけ
るエアロック室3の開口部の周囲には、プラテンロック
機構13が設けられている。プラテンロック機構13
は、エアロック扉4が開いてエアロック室3が外側で開
放されているとき、プラテン5が大気圧により押し開か
れないように固定保持する機構である。このプラテンロ
ック機構13は、ローラや爪等を有してプラテン5を外
周側から保持するようになっているが、基本的には大気
圧に対し強固にプラテン5を保持できるものであればよ
く、他に種々の構成が考えられる。
るエアロック室3の開口部の周囲には、プラテンロック
機構13が設けられている。プラテンロック機構13
は、エアロック扉4が開いてエアロック室3が外側で開
放されているとき、プラテン5が大気圧により押し開か
れないように固定保持する機構である。このプラテンロ
ック機構13は、ローラや爪等を有してプラテン5を外
周側から保持するようになっているが、基本的には大気
圧に対し強固にプラテン5を保持できるものであればよ
く、他に種々の構成が考えられる。
【0024】上記のように構成される真空チャンバによ
るウェーハ2の搬送動作について説明する。
るウェーハ2の搬送動作について説明する。
【0025】まず、チャンバ本体1の外部においてエア
ロック扉4にウェーハ2が処理面であるイオン注入面を
下側にした状態のまま受け渡される。このとき、図2に
示すように、ウェーハ2は、真空チャックからなるアー
ム14により保持されてエアロック室3の下方で待機し
ているエアロック扉4まで搬送され、ウェーハガイド4
a…4a上に載置される。また、このときは、プラテン
5が内側よりエアロック室3を閉じており、エアロック
室3は大気側に開放されている。
ロック扉4にウェーハ2が処理面であるイオン注入面を
下側にした状態のまま受け渡される。このとき、図2に
示すように、ウェーハ2は、真空チャックからなるアー
ム14により保持されてエアロック室3の下方で待機し
ているエアロック扉4まで搬送され、ウェーハガイド4
a…4a上に載置される。また、このときは、プラテン
5が内側よりエアロック室3を閉じており、エアロック
室3は大気側に開放されている。
【0026】次に、エアロック扉4が、ウェーハ2を保
持した状態で上方に移動し、エアロック室3を閉じる。
この状態では、エアロック室3がエアロック扉4および
プラテン5により閉じられて密閉されるとともに、ウェ
ーハ2がプラテン5に密着されている。
持した状態で上方に移動し、エアロック室3を閉じる。
この状態では、エアロック室3がエアロック扉4および
プラテン5により閉じられて密閉されるとともに、ウェ
ーハ2がプラテン5に密着されている。
【0027】さらに、エアロック室3内が排気されて真
空になると、プラテン5である静電チャックの電源がO
Nすることにより、プラテン5がウェーハ2を吸引固定
する。すると、プラテン5がプラテン駆動機構6により
駆動されて垂直に立ち上がる。この状態で、ウェーハ2
は、イオン注入面がイオンビーム照射方向に向けられて
いる。
空になると、プラテン5である静電チャックの電源がO
Nすることにより、プラテン5がウェーハ2を吸引固定
する。すると、プラテン5がプラテン駆動機構6により
駆動されて垂直に立ち上がる。この状態で、ウェーハ2
は、イオン注入面がイオンビーム照射方向に向けられて
いる。
【0028】ウェーハ2に対するイオンビームの照射が
終了すると、プラテン5がプラテン駆動機構6により駆
動されてエアロック室3の閉鎖位置に戻る。プラテン5
は、この位置でプラテンロック機構13により固定さ
れ、電源のOFFによりウェーハ2の固定を解除してエ
アロック扉4にウェーハ2を受け渡す。すると、エアロ
ック扉4が待機位置まで下降して、アーム14にウェー
ハ2を受け渡す。
終了すると、プラテン5がプラテン駆動機構6により駆
動されてエアロック室3の閉鎖位置に戻る。プラテン5
は、この位置でプラテンロック機構13により固定さ
れ、電源のOFFによりウェーハ2の固定を解除してエ
アロック扉4にウェーハ2を受け渡す。すると、エアロ
ック扉4が待機位置まで下降して、アーム14にウェー
ハ2を受け渡す。
【0029】このように、本真空チャンバでは、ウェー
ハ2の搬送が、チャンバ本体1の外部でエアロック扉4
によりなされ、チャンバ本体1の内部でプラテン5によ
りなされることで、ウェーハ2のイオン注入が1枚ずつ
行なわれる。
ハ2の搬送が、チャンバ本体1の外部でエアロック扉4
によりなされ、チャンバ本体1の内部でプラテン5によ
りなされることで、ウェーハ2のイオン注入が1枚ずつ
行なわれる。
【0030】以上述べたように、上記の構成では、チャ
ンバ本体1内においてプラテン5がウェーハ2を搬送す
るようになっている。このため、プラテン5によりウェ
ーハ2が吸引固定され、ウェーハ2がプラテン5に擦れ
てパーティクル等を発生することがない。
ンバ本体1内においてプラテン5がウェーハ2を搬送す
るようになっている。このため、プラテン5によりウェ
ーハ2が吸引固定され、ウェーハ2がプラテン5に擦れ
てパーティクル等を発生することがない。
【0031】また、上記の構成では、プラテン5が、チ
ャンバ本体1内での搬送機構とエアロック室3の扉を兼
ねているため、専用のウェーハ搬送用ロボットやエアロ
ック内側扉を設ける必要がなくなり、真空チャンバの構
造を簡単にすることができる。
ャンバ本体1内での搬送機構とエアロック室3の扉を兼
ねているため、専用のウェーハ搬送用ロボットやエアロ
ック内側扉を設ける必要がなくなり、真空チャンバの構
造を簡単にすることができる。
【0032】さらに、チャンバ本体1内でウェーハ2を
イオン注入面を下側に向けて搬送することにより、その
イオン注入面が上側に向くことがなくなり、イオン注入
面に塵埃等が付着しにくくなる。
イオン注入面を下側に向けて搬送することにより、その
イオン注入面が上側に向くことがなくなり、イオン注入
面に塵埃等が付着しにくくなる。
【0033】なお、本実施例では、エアロック室3がチ
ャンバ本体1の底壁面に設けられているため、ウェーハ
2を下方から上方へと搬送するようになっているが、こ
のような構成以外にエアロック室3をチャンバ本体1の
側壁面に設けた構成であってもよい。このような構成に
よれば、チャンバ本体1内でウェーハ2が垂直に立った
状態で搬送されるので、ウェーハ2のイオン注入面が上
側に向くことがなくイオン注入面に塵埃等が付着しにく
くなる。ただし、この構成では、エアロック扉4もウェ
ーハ2を垂直にした状態で搬送するため、ウェーハ2を
何らかの手段により固定保持する必要がある。
ャンバ本体1の底壁面に設けられているため、ウェーハ
2を下方から上方へと搬送するようになっているが、こ
のような構成以外にエアロック室3をチャンバ本体1の
側壁面に設けた構成であってもよい。このような構成に
よれば、チャンバ本体1内でウェーハ2が垂直に立った
状態で搬送されるので、ウェーハ2のイオン注入面が上
側に向くことがなくイオン注入面に塵埃等が付着しにく
くなる。ただし、この構成では、エアロック扉4もウェ
ーハ2を垂直にした状態で搬送するため、ウェーハ2を
何らかの手段により固定保持する必要がある。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明の真空チャンバ
は、チャンバ内外に通じるエアロック室と、半導体基板
を固定保持するとともにエアロック室をチャンバ内側か
ら開閉するプラテンと、プラテンを上記の閉鎖位置と半
導体基板の処理位置との間で移動させるプラテン駆動機
構とを備えている構成である。
は、チャンバ内外に通じるエアロック室と、半導体基板
を固定保持するとともにエアロック室をチャンバ内側か
ら開閉するプラテンと、プラテンを上記の閉鎖位置と半
導体基板の処理位置との間で移動させるプラテン駆動機
構とを備えている構成である。
【0035】これにより、プラテンが半導体基板の搬送
を行なうようになっているので、プラテンにより半導体
基板の固定保持が確実になされ、搬送中に半導体基板か
らパーティクル等が発生することがなくなる。それゆ
え、真空チャンバの内部の汚染を抑制することが可能に
なる。
を行なうようになっているので、プラテンにより半導体
基板の固定保持が確実になされ、搬送中に半導体基板か
らパーティクル等が発生することがなくなる。それゆ
え、真空チャンバの内部の汚染を抑制することが可能に
なる。
【0036】しかも、プラテンが半導体基板の搬送とエ
アロック室の内側からの閉鎖を兼ねて行なうので、専用
の半導体搬送用ロボットを設ける必要がなくなるととも
に、エアロック室の内側扉を設ける必要がなくなり、エ
アロック室の構造を簡単にすることができる。
アロック室の内側からの閉鎖を兼ねて行なうので、専用
の半導体搬送用ロボットを設ける必要がなくなるととも
に、エアロック室の内側扉を設ける必要がなくなり、エ
アロック室の構造を簡単にすることができる。
【0037】したがって、本発明を採用すれば、真空チ
ャンバの小型化を図るとともに、半導体基板の処理面の
汚染を減少させることができるという効果を奏する。
ャンバの小型化を図るとともに、半導体基板の処理面の
汚染を減少させることができるという効果を奏する。
【0038】また、真空チャンバにおいて、半導体基板
の処理面が水平面に対し垂直となるかあるいは下方に向
くようになされることにより、半導体基板の処理面に塵
埃等が付着しにくくなる。それゆえ、上記の効果に加
え、より半導体基板の処理面の汚染を減少させることが
できるという効果を奏する。
の処理面が水平面に対し垂直となるかあるいは下方に向
くようになされることにより、半導体基板の処理面に塵
埃等が付着しにくくなる。それゆえ、上記の効果に加
え、より半導体基板の処理面の汚染を減少させることが
できるという効果を奏する。
【図1】本発明の一実施例に係る真空チャンバの構造を
示すものであって、(a)はその正面図であり、(b)
は真空チャンバのエアロック室を外部から閉じるエアロ
ック扉がウェーハを保持している状態を示す平面図であ
る。
示すものであって、(a)はその正面図であり、(b)
は真空チャンバのエアロック室を外部から閉じるエアロ
ック扉がウェーハを保持している状態を示す平面図であ
る。
【図2】図1の(a)の真空チャンバの側面図である。
【図3】従来の真空チャンバの構造を示す平面図であ
る。
る。
1 チャンバ本体 2 ウェーハ(半導体基板) 3 エアロック室 5 プラテン 6 プラテン駆動機構
Claims (2)
- 【請求項1】チャンバ内外に通じるエアロック室と、 半導体基板を固定保持するとともにエアロック室をチャ
ンバ内側から開閉するプラテンと、 プラテンを上記の閉鎖位置と半導体基板の処理位置との
間で移動させるプラテン駆動機構とを備えていることを
特徴とする真空チャンバ。 - 【請求項2】上記プラテンは、半導体基板の処理面が水
平面に対し垂直となるかあるいは下方に向くようになさ
れている。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15730593A JPH0719340A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 真空チャンバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15730593A JPH0719340A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 真空チャンバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0719340A true JPH0719340A (ja) | 1995-01-20 |
Family
ID=15646766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15730593A Pending JPH0719340A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 真空チャンバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719340A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521812A (ja) * | 1999-12-06 | 2003-07-15 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム・スムーザー装置 |
| US7282726B2 (en) | 2004-01-07 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Apparatus and method for irradiating electron beam |
| US7348555B2 (en) | 2004-01-07 | 2008-03-25 | Tdk Corporation | Apparatus and method for irradiating electron beam |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15730593A patent/JPH0719340A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521812A (ja) * | 1999-12-06 | 2003-07-15 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム・スムーザー装置 |
| US7282726B2 (en) | 2004-01-07 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Apparatus and method for irradiating electron beam |
| US7348555B2 (en) | 2004-01-07 | 2008-03-25 | Tdk Corporation | Apparatus and method for irradiating electron beam |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100499324B1 (ko) | 진공일체형표준메카니컬인터페이스시스템 | |
| JP4195227B2 (ja) | 被処理体の導入ポート構造 | |
| JPH0644942A (ja) | 平行イオンビームのイオン注入機用エンドステーション | |
| JPH0719340A (ja) | 真空チャンバ | |
| JP2001127138A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPWO2003096410A1 (ja) | 基板処理装置 | |
| EP0626724B1 (en) | System for transferring wafer | |
| JP4048074B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH09101400A (ja) | シリコンウエハ照射用電子線照射装置 | |
| JP3160691B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2016170310A (ja) | レチクル搬送装置、検査装置およびレチクル搬送方法 | |
| JP2002136935A (ja) | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 | |
| JPH0615720B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3347812B2 (ja) | 真空容器並びに該真空容器を用いた真空処理方法 | |
| JPH11254378A (ja) | 基板ハンドリングロボット | |
| JP3787755B2 (ja) | 処理システム | |
| JP2593185B2 (ja) | シール式標準機械インターフェイス装置のための直線駆動式マニピュレータ装置 | |
| JP3452422B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| USRE34311E (en) | Semiconductor slice cassette transport unit | |
| JP4044203B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH07114231B2 (ja) | ウエハ移送ロボット | |
| JPH0821608B2 (ja) | 真空室の材料交換装置 | |
| JP2000031234A (ja) | 基板搬送装置 | |
| JPS6323653B2 (ja) | ||
| JPH04230945A (ja) | ウエハの真空処理装置 |